JPS5967627A - 荷電ビ−ム露光方法 - Google Patents
荷電ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS5967627A JPS5967627A JP57178138A JP17813882A JPS5967627A JP S5967627 A JPS5967627 A JP S5967627A JP 57178138 A JP57178138 A JP 57178138A JP 17813882 A JP17813882 A JP 17813882A JP S5967627 A JPS5967627 A JP S5967627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- marks
- region
- mark
- small
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する分野〕
本発明は荷電ビーム露光方法に関し、詳しくは、被露光
試料を連続的に移動しながらパターン描画を行う試料連
続移動描画方式に係わるものである。
試料を連続的に移動しながらパターン描画を行う試料連
続移動描画方式に係わるものである。
荷電ビームを被露光試料に直接照射することによりパタ
ーン描画を行う露光装置においては、まず始めにあらか
じめ試料」二に設けられたマークの位置を検出し、その
結果をもとに照射位置を決定した後に描画を行う。こう
することにより、他のプロセスで生じた試料の変形等に
よる歪も補正され、良好な合わせ積置を有するパターン
描画が可能となる。しかし、従来の１・゛に光装置では
、上記マーク検出をパターン描画とは独立に行っていた
ため、マーク検出に伴うむだ時間、とくにステージ移動
に妥する時間が午産性向上の障害となっていた。これに
関し、本出願人は先にマーク検出を試料の連続移動下で
行う方式を提案したが（特願昭５７−８３６３１号）、
これもマーク検出と描画においてステージ移動を別々に
行っていることに変わりはなく、生産性の大幅な向上は
困難である。
ーン描画を行う露光装置においては、まず始めにあらか
じめ試料」二に設けられたマークの位置を検出し、その
結果をもとに照射位置を決定した後に描画を行う。こう
することにより、他のプロセスで生じた試料の変形等に
よる歪も補正され、良好な合わせ積置を有するパターン
描画が可能となる。しかし、従来の１・゛に光装置では
、上記マーク検出をパターン描画とは独立に行っていた
ため、マーク検出に伴うむだ時間、とくにステージ移動
に妥する時間が午産性向上の障害となっていた。これに
関し、本出願人は先にマーク検出を試料の連続移動下で
行う方式を提案したが（特願昭５７−８３６３１号）、
これもマーク検出と描画においてステージ移動を別々に
行っていることに変わりはなく、生産性の大幅な向上は
困難である。
本発明の目的は、上記従来の描画方法における欠点を解
決し、マーク検出を描画のためのステージ移動中に行う
新規の方式を提供することにある。
決し、マーク検出を描画のためのステージ移動中に行う
新規の方式を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は描画領域を小領域に
分割してそれぞれにマークを配置し、これらのマークな
らびに各小領域が（ｌｉｔ向領域を通過するように試料
を移動することにより、各マークの検出、およびその検
出結果をもとにした合わせ補正を伴う各小領域のパター
ン描画を試料移動期間中に続けて行うようにしたもので
ある。
分割してそれぞれにマークを配置し、これらのマークな
らびに各小領域が（ｌｉｔ向領域を通過するように試料
を移動することにより、各マークの検出、およびその検
出結果をもとにした合わせ補正を伴う各小領域のパター
ン描画を試料移動期間中に続けて行うようにしたもので
ある。
給１図は本発明の方法を適用した電子ビーム露光システ
ムの一実ｈｍ例を示す。第１図において、１は電子光学
鏡筒であり、その内部には電子銃２、ビームブランカ３
、偏向器４、マーク信号検出器５、ステージ６などが具
備されている。７はステージ６上の被露光試料、８は電
子ビーム軌道である。ビームブランカ３ならびに偏向器
４には、制御用計算機９からの起動指令を受けて各種の
補正演算を行う描画制御回路ｌＯの出方信号が増幅器１
１ならびに１２を介して供給され、これによりビームの
オン・オフ制御および偏向制御が実行される。
ムの一実ｈｍ例を示す。第１図において、１は電子光学
鏡筒であり、その内部には電子銃２、ビームブランカ３
、偏向器４、マーク信号検出器５、ステージ６などが具
備されている。７はステージ６上の被露光試料、８は電
子ビーム軌道である。ビームブランカ３ならびに偏向器
４には、制御用計算機９からの起動指令を受けて各種の
補正演算を行う描画制御回路ｌＯの出方信号が増幅器１
１ならびに１２を介して供給され、これによりビームの
オン・オフ制御および偏向制御が実行される。
マーク信号検出器５からの検出信号は、増幅器１３を経
てマーク信号処理回路１４に供給され、ここでマークの
正確な位ｆｆｃが求められる。マーク信号処理回路１４
で得られた複数のマークの位置データは、さらに合わせ
補正係数演算回路１５に転送され、ここで試料の変形に
応じて照射位置を修正するための補正係数が求められる
。求めた合わせ補正係数は描画制御回路１０に供給され
、描画制御回路ｌＯはこれをもとに合わせ補正演算を行
う。１Ｇはレーザ１１１１＋長器であり、ここではステ
ージ６の移動量を測定して描画制御回路ｌＯならびにス
テージ制御回路１７に供給する。ステージ制御回路１７
においては、レーザ測長器１６で得られたステージ６の
移動量を制御用計算機９からの移動指令量から減じ、ス
テージ駆動回路１８に供給してステージの移動制御を行
う。
てマーク信号処理回路１４に供給され、ここでマークの
正確な位ｆｆｃが求められる。マーク信号処理回路１４
で得られた複数のマークの位置データは、さらに合わせ
補正係数演算回路１５に転送され、ここで試料の変形に
応じて照射位置を修正するための補正係数が求められる
。求めた合わせ補正係数は描画制御回路１０に供給され
、描画制御回路ｌＯはこれをもとに合わせ補正演算を行
う。１Ｇはレーザ１１１１＋長器であり、ここではステ
ージ６の移動量を測定して描画制御回路ｌＯならびにス
テージ制御回路１７に供給する。ステージ制御回路１７
においては、レーザ測長器１６で得られたステージ６の
移動量を制御用計算機９からの移動指令量から減じ、ス
テージ駆動回路１８に供給してステージの移動制御を行
う。
第２図は第１図の動作を説明するための図で、１９は偏
向領域、２０は描画領域（例えばチップ）であり、（ａ
）〜（ｄ）は時間経過とともに両者の位置関係が変化す
る様子を示したものである。描画領域加は偏向領域１９
より小さいが、さらにり１に状の小領域２１ ａ、２１
ｂ 、２１ｃ・・・・・・に分割される。そして、各小
領域に対しては合わせマークが設けられ゛こいる。例え
ば２Ｌａに対しては２２ａ 、 ２２ｈ 、 ２２ｃ
、 ２２（＋の４個が、また２１ｂに対しては２２ｃ
、 ２２ｄ 、 ２２ｅ 、 ２２ ｆの４悶がそれぞ
れ対応している。２３ａ 、 ２．３ｂ 、 ２３ｃは
パターンであり、２４は試料移動方向を示す矢印である
。
向領域、２０は描画領域（例えばチップ）であり、（ａ
）〜（ｄ）は時間経過とともに両者の位置関係が変化す
る様子を示したものである。描画領域加は偏向領域１９
より小さいが、さらにり１に状の小領域２１ ａ、２１
ｂ 、２１ｃ・・・・・・に分割される。そして、各小
領域に対しては合わせマークが設けられ゛こいる。例え
ば２Ｌａに対しては２２ａ 、 ２２ｈ 、 ２２ｃ
、 ２２（＋の４個が、また２１ｂに対しては２２ｃ
、 ２２ｄ 、 ２２ｅ 、 ２２ ｆの４悶がそれぞ
れ対応している。２３ａ 、 ２．３ｂ 、 ２３ｃは
パターンであり、２４は試料移動方向を示す矢印である
。
以下、第２図を参照して第１図の動作を説明する。まず
第２図（ａ）の状態から２４の方向への試料移動が開始
される。これは具体的には、制御用計算機９からステー
ジ制呻回ｒδ１７に送られる０動開始指令に基づき、ス
テージ制御回路１７がステージ駆動回路１８に移動目標
値を出力することにより実行される。
第２図（ａ）の状態から２４の方向への試料移動が開始
される。これは具体的には、制御用計算機９からステー
ジ制呻回ｒδ１７に送られる０動開始指令に基づき、ス
テージ制御回路１７がステージ駆動回路１８に移動目標
値を出力することにより実行される。
試料移動に伴い、その移動量はレーザ６１す長器１６に
より測定されてステージ制御回路１７にフィードバック
されるが、同時に描画制御回路１０にも供給される。描
画制御回路１０においては、あらかじめ制御用計算機９
から与えられる合わせマーク２２ ａの位置（設計値）
と、レーザ′６１１長器Ｉ６より供給されろ試料移’６
１ＪＪ ：ｔｉｉとから偏向中心とマーク２２ ａ間の
距離を絶えず計算しており、それが最大偏向量以下とな
った時点、言いＪ具えればマーク１′−二ａ７ンー偏向
領域】９内に進入した時点からマーク走査信月を増幅器
１２を介して偏向器４に供給する。これによりマーク２
２ ａとその周辺は電子ビームで走査されるので、その
反射信号をマーク信号検出器５で捉え、増幅器１３を経
てマーク信号処理回路１４に入力して処理することによ
り、マーク２２ ａの正確な位置を求めることができる
。
より測定されてステージ制御回路１７にフィードバック
されるが、同時に描画制御回路１０にも供給される。描
画制御回路１０においては、あらかじめ制御用計算機９
から与えられる合わせマーク２２ ａの位置（設計値）
と、レーザ′６１１長器Ｉ６より供給されろ試料移’６
１ＪＪ ：ｔｉｉとから偏向中心とマーク２２ ａ間の
距離を絶えず計算しており、それが最大偏向量以下とな
った時点、言いＪ具えればマーク１′−二ａ７ンー偏向
領域】９内に進入した時点からマーク走査信月を増幅器
１２を介して偏向器４に供給する。これによりマーク２
２ ａとその周辺は電子ビームで走査されるので、その
反射信号をマーク信号検出器５で捉え、増幅器１３を経
てマーク信号処理回路１４に入力して処理することによ
り、マーク２２ ａの正確な位置を求めることができる
。
上記動作は引き続き２２＋） 、 ２２ｃ 、 ２２ｄ
の各マークについて実行され（第２図（１）） ） 、
その結果得られる小領域２１ ａに＋＋ｑする４つのマ
ーク２２ａ 、 ２２ｂ 、 ２２Ｃ。
の各マークについて実行され（第２図（１）） ） 、
その結果得られる小領域２１ ａに＋＋ｑする４つのマ
ーク２２ａ 、 ２２ｂ 、 ２２Ｃ。
２２ ｄの位置データは、合わせ補正係数演算回路１５
に転送される。合わせ補正係数演算回路１５においては
、これらの４つのマークの位置から小領域２１ａの形状
の企みを計算して合わせ補正係数を求め、描画制御回路
ｌＯに供給する。
に転送される。合わせ補正係数演算回路１５においては
、これらの４つのマークの位置から小領域２１ａの形状
の企みを計算して合わせ補正係数を求め、描画制御回路
ｌＯに供給する。
以上により、小領域２１ ａに関する描画準備は全て整
ったことになる。そこで描画制御回路１０は、第１パタ
ーン２３ａの現在の位置にビームを偏向するための偏向
器をレーザ測長器１６からの信号をもとに計功し、増幅
器１２を介して偏向器４に供給するとともに、ビームブ
ランキング信号を増幅器１１を介してビームグラン力３
に供給する。こうしてパターン２３ａの描画が終了した
彼は、パターンおりについて同様の処理を行い（第２図
（Ｃ））、これにより、小領域２１ ａに関する描画は
全て終了したことになる。
ったことになる。そこで描画制御回路１０は、第１パタ
ーン２３ａの現在の位置にビームを偏向するための偏向
器をレーザ測長器１６からの信号をもとに計功し、増幅
器１２を介して偏向器４に供給するとともに、ビームブ
ランキング信号を増幅器１１を介してビームグラン力３
に供給する。こうしてパターン２３ａの描画が終了した
彼は、パターンおりについて同様の処理を行い（第２図
（Ｃ））、これにより、小領域２１ ａに関する描画は
全て終了したことになる。
次の小領域２１ ｂに関しては、４つのマーク２２ｃ。
２２ｄ 、 ２２ｅ 、 ２２ ｆのうち、２２ｃと２
２ｄの位置はすでに求まっているので、マーク検出は２
２ｅと２２ｆについてのみ行えば良い（第２図（ｄ））
。なお合わせ補正係数演算や描画については、小領域２
１ ａと同様の処理を行う。
２ｄの位置はすでに求まっているので、マーク検出は２
２ｅと２２ｆについてのみ行えば良い（第２図（ｄ））
。なお合わせ補正係数演算や描画については、小領域２
１ ａと同様の処理を行う。
さらに小領域２１ ｃ以下にも同様の処理を繰り返すこ
とにより、描画領域加の描画、さらには−列に並んだ数
個の描画領域の描画も可能となる。
とにより、描画領域加の描画、さらには−列に並んだ数
個の描画領域の描画も可能となる。
以上説明したように、本発明の荷電ビーム露光方法は、
いわゆる試料連続移動マーク検出方式と試料連続移動描
画方式とを組み合わせることにより、−回の試料移動で
マーク検出とパターン描画の両方が行える方法であるた
め、露光ＨＷとして生産性の大幅な向上が実現でざると
いう利点を有する。また、マーク検出後すぐに描画する
ことが可能なため、電子光学系のドリフト等の経時変化
による影響を受けに＜ ＜ 、 ’Ａ′Ｎ度良くパター
ン描画を行える利点がある。
いわゆる試料連続移動マーク検出方式と試料連続移動描
画方式とを組み合わせることにより、−回の試料移動で
マーク検出とパターン描画の両方が行える方法であるた
め、露光ＨＷとして生産性の大幅な向上が実現でざると
いう利点を有する。また、マーク検出後すぐに描画する
ことが可能なため、電子光学系のドリフト等の経時変化
による影響を受けに＜ ＜ 、 ’Ａ′Ｎ度良くパター
ン描画を行える利点がある。
氾１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は第１図の
動作を説明するだめの図である。 １・・・′螺子光学鏡筒、２・・・電子銃、３・・・ビ
ームグラン力、４・・・偏向器、５・・・マーク信号検
出器、６・・・ステージ、７・・・被露光試料、８・・
・電子ビーム軌道、９・・・制御用計算機、１０・・・
描画制御回路、１１ 、１２ 、１３・・・増幅器、１
４・・・マーク信号処理回路、１５・・・合わせ補正係
数演算回路、１６・・・レーザ測長器、１７・・・ステ
ージ制御回路、１８・・・ステージ駆動回路。 第１図 １１９ 第２図
動作を説明するだめの図である。 １・・・′螺子光学鏡筒、２・・・電子銃、３・・・ビ
ームグラン力、４・・・偏向器、５・・・マーク信号検
出器、６・・・ステージ、７・・・被露光試料、８・・
・電子ビーム軌道、９・・・制御用計算機、１０・・・
描画制御回路、１１ 、１２ 、１３・・・増幅器、１
４・・・マーク信号処理回路、１５・・・合わせ補正係
数演算回路、１６・・・レーザ測長器、１７・・・ステ
ージ制御回路、１８・・・ステージ駆動回路。 第１図 １１９ 第２図
Claims (1)
- （１）被露光試料上にｔ＋’Ｍ画領域上領域大きな荷電
ビーム偏向領域を設定し、試料を連続的に移動しながら
荷電ビームでパターン描画を行う方式において、描画領
域を複数の小領域に分割してそれぞれにマークを配萌し
、これらのマークならびに各小領域を通過するように試
料を移動することにより、各マークの検出、およびその
検出結果をもとにした照射位置補正を伴う各小領域のパ
ターン描画を試料移動期間中に続けて行うことを特徴と
する荷電ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178138A JPS5967627A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 荷電ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178138A JPS5967627A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 荷電ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5967627A true JPS5967627A (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=16043306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57178138A Pending JPS5967627A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 荷電ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5967627A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0210631A2 (en) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | Advantest Corporation | Method and apparatus for charged particle beam exposure |
-
1982
- 1982-10-08 JP JP57178138A patent/JPS5967627A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0210631A2 (en) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | Advantest Corporation | Method and apparatus for charged particle beam exposure |
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