JPS6226172B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6226172B2
JPS6226172B2 JP53074115A JP7411578A JPS6226172B2 JP S6226172 B2 JPS6226172 B2 JP S6226172B2 JP 53074115 A JP53074115 A JP 53074115A JP 7411578 A JP7411578 A JP 7411578A JP S6226172 B2 JPS6226172 B2 JP S6226172B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample stage
sample
signal
positional
deflection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP53074115A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS553603A (en
Inventor
Kyomi Koyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP7411578A priority Critical patent/JPS553603A/ja
Publication of JPS553603A publication Critical patent/JPS553603A/ja
Publication of JPS6226172B2 publication Critical patent/JPS6226172B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、被露光材料あるいはそれを載せる
試料台の位置決めの誤差を補正するようにした電
子ビーム露光装置に関する。
電子ビーム露光装置のようにミクロン以下の高
い精度の加工精度を要求される装置に於いては、
機械的な移動制御のみによつて要求される範囲の
位置決め精度を得るのは困難である。
そこで、一般に機械的に補正し得ない誤差分を
電子ビームの偏向系にフイードバツクすることに
より、所定の位置決め精度を得るという方式が採
用されている。これを実現する手段として第1図
に示すような回路方式が従来用いられて来た。即
ち、描画偏向信号発生用積分器1出力は、増幅器
2で適当な信号レベルに調整され、加算増幅器6
に入力されて、電子ビーム偏向手段10へ送られ
る。一方、試料台の機械的な移動が完了した後、
計算機(或いはそれに準ずるもの)が試料台の位
置情報を測定するレーザ干渉計からなる測長系か
ら現在位置を読み取り、これと希望位置との差を
求めた後で、この差をプリセツタブル可逆カウン
タ3に設定してやる。この可逆カウンタ3に誤差
分が設定された後、試料台が位置変動を起こした
場合、測長系から得られるパルスが可逆カウンタ
に入力され、この積算結果がDA変換器4でアナ
ログ信号に変換される。この後、増幅器5で増幅
され、アナログ加算器6の加算要素となる。
この結果描画偏向信号にはステージの動的変動
分を示す補正信号が重畳され、位置補正が実時間
で行える。
以上従来装置には次の問題点を含んでいる。こ
の問題点を第2図を参照して説明する。
即ち描画領域AからBへと順次描画する際試料
台をX方向に移動して行う訳であるが、その試料
台の移動を機械的に行う為に試料台が希望位置a1
に静止せず、Δx分だけずれたa2の位置に静止し
てしまう。そこで上記したように試料台の機械的
な移動がほぼ完了した後、試料台の現在位置a2
測長系で測定し、その位置情報を計算機で読み取
り、これと予め設定された試料台の希望位置(基
準値)a1との差(誤差分)Δx1を可逆カウンタ3
に設定する。さらにΔx1を可逆カウンタ3に設定
後に起こる試料台の位置変動Δx3は、測定系から
のパルスの数を可逆カウンタ3でカウントして設
定する。そして先のΔx1の設定値とパルスの数で
カウントした設定値(Δx3分)とを加算して、そ
の加算結果を描画偏向信号として偏向系にフイー
ドバツクして位置補正を行う。しかしながらこの
位置補正において、Δx1を計算機で処理している
間、即ち計算機で位置情報を読み取つた時点か
ら誤差分Δx1を計算してプリセツタブル可逆カウ
ンタ3に設定する迄の間の試料台の位置変動分Δ
x2を無視して行つている。所謂る上記従来の装置
では実際試料台の位置がa3があつてもa2であるこ
としか測定できず、その変動分Δx2の補正を行う
ことができない。従つて従来装置で補正系を正常
に動作させるためには、試料台の機械的移動が完
全に静止するまで待つ必要がある。この待ち時間
は機械的移動が発生するたびに要求されるから全
体として描画速度の低下を招くことになる。又適
当な待ち時間を設けても試料台が完全に静止する
ことはあり得ないから補正系は不完全にしか機能
しない。最後にプリセツタブル可逆カウンタ3に
誤差分Δx3を設定するとき、同時に測長系からカ
ウント入力のパルスが来る可能性が有り、この時
誤差分の設定が正しく行えない危険性がある。
本発明はこのような欠点を除去した電子ビーム
露光装置を提供することを目的としている。
以下本発明を第3図に示す一実施例を参照して
説明する。
図において、10は偏向器、11は電子銃、1
2は被露光材料、3は試料台、14は測長系であ
る。描画偏向信号発生用積分器1及び増幅器2を
備えていることは従来方式と変わらない。3aは
計算機15から設定された誤差分(第2図のΔ
x1)を記憶するレジスタである。位置補正信号
(第1の位置補正信号)を発生するレジスタ3a
出力はDA変換器4でアナログ信号に変換された
後増幅器5で増幅され、アナログ加算器9の加算
入力となる。この信号(第1の位置補正信号)は
計算機が測長系14から位置情報を読み取つた時
刻での試料台13の位置決め誤差(第2図のΔ
x1)を補正するものである。そしてこの位置情報
(第2図のa1)を計算機読み取つた時刻からの試料
台13の位置変動分(第2図のΔx2)はもう一つ
の補正系で行う。即ち、6は可逆式カウンタであ
り、測長系14からのパルスを受けて、そのパル
スの数で試料台13の位置変動を記録する。この
可逆式カウンタ6は計算機15が測長系14から
位置情報を読み取るのと同時にイニシアライズさ
れる。このような方式により、位置情報を読み取
つた時刻から誤差分をレジスタ3aに設定する時
刻までの期間に発生した所謂る従来方式で無視し
ていた機械的変動分(第2図でΔx2)は、可逆カ
ウンタ6に時々刻々と記録されることになる。こ
の可逆カウンタ6出力即ちパルスの数に応じて発
生する信号出力はDA変換器7でアナログ信号に
変換された後、増幅器8で適当にゲインを調節さ
れ、アナログ加算器9で加算される。そして加算
器9出力は、描画偏向信号を実時間で位置補正す
る偏向信号となつて電子ビームの偏向器10に印
加される。尚第2図におけるΔx3の補正はΔx2
補正後、従来と同様常時行う。
上述の実施例では描画偏向信号とレジスタ3a
出力信号とカウンタ6出力信号とをアナログ的に
加算して同一の偏向器に印加する方式について述
べたが、これらを例えば描画偏向信号をある偏向
器に、レジスタ3a出力信号とカウンタ6出力信
号との加算結果をもう別の偏向器に印加するとい
うように、複数の偏向器を用いたり、或いは静電
偏向器と電磁偏向器といつた異種の偏向器を使用
するという方式でも同様な効果が得られる。
以上述べた本発明によれば位置情報を読み取み
とつてから補正系にフイードバツクする迄の経過
時間中の試料台の変動が完全に補正できるため、
試料台が移動を完了したあと完全に静止するまで
待つ必要がないばかりかカウンタ6がオーバフロ
ー若しくはアンダーフローを起こさない範囲でな
ら移動が完了する前に位置補正を実行して、次の
描画処理に移ることもでき、描画の精度とスルー
プツト向上に大いに寄与することができる。
また第1図に示した従来装置でΔx1とΔx2を同
時に補正しようとした場合、DA変換器4として
ビツト数が大きく且つ応答速度の高いものを必要
とするが、一般にDA変換器はビツト数が多くな
れば応答速度が遅くなつてしまうので、上述した
如くそのDA変換器で情膜処理している期間中に
発生する試料台の変動を結果的無視したことにな
る。しかるに上記した本願発明のように補正系
を、Δx1を補正するためのDA変換器4と、その
DA変換器で情報処理している期間中に発生する
試料台の変動を情膜処理するためのDA変換器7
(ビツト数の少ない高速のもの)とに分割して、
DA変換器4で情報処理している期間時々刻々と
可逆カウンタ6でカウントしDA変換器7で情報
処理すれば、DA変換器4で情報処理している期
間中に発生する試料台の変動Δx2を確実に測定で
き、その分を確実に補正可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の電子ビーム露光装置の偏向制御
系の一例を示すブロツク図、第2図は第1図の装
置の問題点を説明するための図、第3図は本発明
の一実施例における偏向制御系を示すブロツク図
である。 1……描画偏向用積分器、2……増幅器、3a
……レジスタ、4……DA変換器、5……増幅
器、3,6……可逆カウンタ、7……DA変換
器、8……増幅器、9……加算増幅器。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 試料台に被露光材料を一体的に設け、その試
    料台を移動する手段と、前記被露光材料に照射さ
    れる電子ビームを偏向する偏向手段と、前記試料
    台の移動位置を測長する測長系と、前記被露光材
    料上に電子ビームを走査させる偏向信号を発生さ
    せる描画偏向信号発生手段と、前記測長系で測定
    した前記試料台の第1の移動位置を読み取り、そ
    の読み取つた試料台の位置情報値と予め設定され
    た試料台の移動位置との差を求め、試料台の第1
    の位置変動分を求める計算機と、該計算機で求め
    た第1の位置変動分値を記憶し、その第1の移動
    変動分値に応じた信号を、第1の位置補正信号と
    して発生させる第1の位置補正発生手段と、前記
    計算機で試料台の第1の移動位置を読み取つた時
    点から前記第1の位置補正発生手段で第1の位置
    変動分を記憶する時点迄の間に変動した前記試料
    台の第2の位置変動分を、前記試料台の第1の移
    動位置時点から発生する測長系のパルス数で読み
    取り、その読み取つたパルス数に応じて第2の位
    置補正信号として発生する第2の位置補正発生手
    段と、前記偏向信号に前記第1の位置補正信号及
    び第2の位置補正信号を加算して前記偏向手段に
    供給する手段とを備えたことを特徴とする電子ビ
    ーム露光装置。
JP7411578A 1978-06-21 1978-06-21 Electron beam exposure device Granted JPS553603A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7411578A JPS553603A (en) 1978-06-21 1978-06-21 Electron beam exposure device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7411578A JPS553603A (en) 1978-06-21 1978-06-21 Electron beam exposure device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS553603A JPS553603A (en) 1980-01-11
JPS6226172B2 true JPS6226172B2 (ja) 1987-06-08

Family

ID=13537872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7411578A Granted JPS553603A (en) 1978-06-21 1978-06-21 Electron beam exposure device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS553603A (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50145865A (ja) * 1974-04-18 1975-11-22
JPS51118968A (en) * 1975-04-11 1976-10-19 Toshiba Corp Electron beam exposure device
JPS52139381A (en) * 1976-05-18 1977-11-21 Toshiba Corp Electron beam exposure apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50145865A (ja) * 1974-04-18 1975-11-22
JPS51118968A (en) * 1975-04-11 1976-10-19 Toshiba Corp Electron beam exposure device
JPS52139381A (en) * 1976-05-18 1977-11-21 Toshiba Corp Electron beam exposure apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPS553603A (en) 1980-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5693318A (en) Electron beam exposure device
JPH0582426A (ja) 電子線描画装置
JP2614884B2 (ja) 電子ビーム露光方法及びその装置
JPH0324771B2 (ja)
JPS6226172B2 (ja)
JPH0565001B2 (ja)
JPH0628232B2 (ja) 荷電ビーム露光装置
JP2625219B2 (ja) 電子線描画装置
JPS58121625A (ja) 電子ビ−ム露光装置
JPS55102231A (en) Method for correcting distortion of electron beam exposure device and circuit thereof
JPH09161715A (ja) 電子線描画装置
JPH048938B2 (ja)
JP3161101B2 (ja) 荷電粒子線描画装置
JPH07111943B2 (ja) 電子ビ−ム露光装置
JPH077742B2 (ja) 電子ビーム露光方法
JP2786662B2 (ja) 荷電ビーム描画方法
JPS60119721A (ja) 荷電ビ−ム露光装置における照射位置補正方法
JPS5891638A (ja) 電子ビ−ム露光方法
JPS634697B2 (ja)
JPH0352212B2 (ja)
JP3157968B2 (ja) 荷電粒子ビーム露光方法
JPS598164Y2 (ja) 放射線厚み計
JPH0194619A (ja) 電子ビーム描画装置のショット制御回路
JPH0715874B2 (ja) 電子線描画装置
JPS62201413A (ja) レ−ザ描画装置