JPS59193026A - 電子ビ−ム描画装置 - Google Patents
電子ビ−ム描画装置Info
- Publication number
- JPS59193026A JPS59193026A JP58066994A JP6699483A JPS59193026A JP S59193026 A JPS59193026 A JP S59193026A JP 58066994 A JP58066994 A JP 58066994A JP 6699483 A JP6699483 A JP 6699483A JP S59193026 A JPS59193026 A JP S59193026A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- electron beam
- scanning
- blanking
- control circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、電子ビーム描画装置の改良に関する。
近時、半導体ウェーハやマスク等の試料に微細パターン
を形成するものとして、各種の電子ビーム描画装置が開
発されている。この装置では、電子ビームの寸法がある
有限の値より小さいため、与えられた図形を描画するた
めには有限寸法のビームで順次ンヨットしていくか、或
いはマスク走査を行うようにしている。電子ビームのプ
ロファイルは第１図（ａＬ （ｂｌに示す如く有限の傾
斜を持っており（通常この幅は１０〔チ） −９０Ｃ係
〕で０．２〜０．５〔μｍ〕程度）、試料上のドーズ分
布傾斜として現われる。なお、第１図＜ａｌは単一ビー
ムのプロファイル、同図（ｂ）は可変寸法ビームのプロ
ファイルを示している。
を形成するものとして、各種の電子ビーム描画装置が開
発されている。この装置では、電子ビームの寸法がある
有限の値より小さいため、与えられた図形を描画するた
めには有限寸法のビームで順次ンヨットしていくか、或
いはマスク走査を行うようにしている。電子ビームのプ
ロファイルは第１図（ａＬ （ｂｌに示す如く有限の傾
斜を持っており（通常この幅は１０〔チ） −９０Ｃ係
〕で０．２〜０．５〔μｍ〕程度）、試料上のドーズ分
布傾斜として現われる。なお、第１図＜ａｌは単一ビー
ムのプロファイル、同図（ｂ）は可変寸法ビームのプロ
ファイルを示している。
ところで、このようなビーム、例えば第１図（ａ）に示
すビーム１を用い第２図に示す如く 形のパターン２を
描画した場合、ビームの走査方向とこれに直交する方向
とでは異ったドーズプロファイルが得られる。すなわち
、ビームの走査方向と直交する方向（図中に＋ Ａ一
方向）では上記ビーム１と略同様なドーズプロファイル
Ａとなる。また、ビームの走査方向（図中Ｂ、 −Ｂ、
方向）では非常に緩やかな傾斜金持つドーズプロファイ
ルＢとなる。
すビーム１を用い第２図に示す如く 形のパターン２を
描画した場合、ビームの走査方向とこれに直交する方向
とでは異ったドーズプロファイルが得られる。すなわち
、ビームの走査方向と直交する方向（図中に＋ Ａ一
方向）では上記ビーム１と略同様なドーズプロファイル
Ａとなる。また、ビームの走査方向（図中Ｂ、 −Ｂ、
方向）では非常に緩やかな傾斜金持つドーズプロファイ
ルＢとなる。
このため、プロセス変動、レジスト膜厚変動及びビーム
電流変動等による影響が、走査方向とそれに直交する方
向とで異ってくる。しだがって、現像条件による寸法制
御が不可能となり、描画精度の低下を招くと共に分解能
が制約される等の問題があった。また、このような問題
は前記第１図（１））に示す如き可変寸法ビームを用い
る場合にあっても同様に云えることである。
電流変動等による影響が、走査方向とそれに直交する方
向とで異ってくる。しだがって、現像条件による寸法制
御が不可能となり、描画精度の低下を招くと共に分解能
が制約される等の問題があった。また、このような問題
は前記第１図（１））に示す如き可変寸法ビームを用い
る場合にあっても同様に云えることである。
本発明の目的は、走査の始点及び終点におけるドーズプ
ロファイルヲ急峻なものとし、走査方向とこれに直交す
る方向とのドーズ量分布を略等しくすることにより、描
画精度の向上をはかり得る電子ビーム描画装置を提供す
ることにある。
ロファイルヲ急峻なものとし、走査方向とこれに直交す
る方向とのドーズ量分布を略等しくすることにより、描
画精度の向上をはかり得る電子ビーム描画装置を提供す
ることにある。
〔発明の概要〕
本発明の骨子は、走査のフライノくツクを利用して、図
形の始端及び終端にビーム全照射することにより、これ
らの点におけるドーズプロファイルを急峻なものとする
ことにある。
形の始端及び終端にビーム全照射することにより、これ
らの点におけるドーズプロファイルを急峻なものとする
ことにある。
すなわち本発明は、電子ビームをブランキングする機能
及び偏向走査する機能ｋ （ｍえ試料上に所望パターン
を描画する電子ビーム描画装置ｔにおいて、描画走査時
ブランキング情報等力ら描画図形の始点及び終点を求め
、次の走査時にこれらの点に電子ビームを照射すること
によって、ビームの走査方向とそれに直交する方向との
ドーズ量分布が略等しくなるようにしたものである。
及び偏向走査する機能ｋ （ｍえ試料上に所望パターン
を描画する電子ビーム描画装置ｔにおいて、描画走査時
ブランキング情報等力ら描画図形の始点及び終点を求め
、次の走査時にこれらの点に電子ビームを照射すること
によって、ビームの走査方向とそれに直交する方向との
ドーズ量分布が略等しくなるようにしたものである。
尚この２度目の走査は、装置のスルーグツト’に低下さ
せないために、フライバック金利用するのが有利である
。
せないために、フライバック金利用するのが有利である
。
本発明によれば、ビームの走査方向とこれに直交する方
向との描画パターン端部におけるドーズプロファイルを
略等しくすることができるので、描画寸法の制御が容易
となり、描画精度の向上をはかり得る。捷た、走査方向
のドーズプロファイルが急峻となるので、実用分解能全
向上させることができる。つまり、より微細なバタンの
描画が可能となる。
向との描画パターン端部におけるドーズプロファイルを
略等しくすることができるので、描画寸法の制御が容易
となり、描画精度の向上をはかり得る。捷た、走査方向
のドーズプロファイルが急峻となるので、実用分解能全
向上させることができる。つまり、より微細なバタンの
描画が可能となる。
第３図は電子ビーム描画装置の標準構成から本発明に関
連する部分全抽出して示す概略構成図である。図中１は
電子銃、２はブランキング板、３は偏向板、４は試料、
５は試料ステージであり、６は制御回路、７はブランキ
ング回路、８は偏向走査回路を示している。この装置で
は描画すべきパターン情報に応じて制御回路６からブラ
ンキング回路７及び偏向走査回路８にそれぞれブランキ
ング情報及び偏向情報が与えられる。そして、電子銃１
から発射された電子ビームは偏向走査回路８及び偏向板
３により上記ノくターン情報に応じて偏向され、試料４
に照射される。また、上記電子ビームはブランキング回
路７及びブランキング板２によりパターン情報に応じて
ブランキングされるものとなっている。
連する部分全抽出して示す概略構成図である。図中１は
電子銃、２はブランキング板、３は偏向板、４は試料、
５は試料ステージであり、６は制御回路、７はブランキ
ング回路、８は偏向走査回路を示している。この装置で
は描画すべきパターン情報に応じて制御回路６からブラ
ンキング回路７及び偏向走査回路８にそれぞれブランキ
ング情報及び偏向情報が与えられる。そして、電子銃１
から発射された電子ビームは偏向走査回路８及び偏向板
３により上記ノくターン情報に応じて偏向され、試料４
に照射される。また、上記電子ビームはブランキング回
路７及びブランキング板２によりパターン情報に応じて
ブランキングされるものとなっている。
第４図に本発明の一実施例の概略構成図を示す。
図中９は偏向走査時にツクターンの始点終点を検出記憶
し、次の走査時にこの点でビームを照射する制御を行う
ビーム制御回路を示しており、その具体的な構成例全第
５図に示す。
し、次の走査時にこの点でビームを照射する制御を行う
ビーム制御回路を示しており、その具体的な構成例全第
５図に示す。
制御回路６からのブランキング情報信号２０は切換回路
１３を通ってブランキング回Ｉ烙７に供給されこれに基
き試料４に電子ビームが照射される。
１３を通ってブランキング回Ｉ烙７に供給されこれに基
き試料４に電子ビームが照射される。
この時同時にブランキング情報は遅延回路ｌＯヲ介して
、排他和回路１１においてブランキング情報と排他和が
とられ、ツクターンの始点及び終点の情報かえられる。
、排他和回路１１においてブランキング情報と排他和が
とられ、ツクターンの始点及び終点の情報かえられる。
これは、メモリ１２に記１．ハされる。
一方偏向走査信号２１は制Ｘ卸回路６より偏向制御回路
１４を介して偏向走査回路８に供給され電子ビームの偏
向走査ケ行う。
１４を介して偏向走査回路８に供給され電子ビームの偏
向走査ケ行う。
一ラインの走査が終丁すると、フライノ（ツク１菖号２
２が制御回路６より、メモリ１２．切換回路１３゜偏向
制御回路１４に送らａる。メモリ１２は先の走査時に記
憶した始点、終点情報ｋ Ｆ Ｉ ＬＯ（ｆｉｒｓｔｉ
ｎ ’１ａｓｔ ａｕｔ） で読み出すように制御が
切り換えられる。切換回路１３は、このメモリ１２ よ
りの読み出し情報を、ブランキング回路７に供給−する
。
２が制御回路６より、メモリ１２．切換回路１３゜偏向
制御回路１４に送らａる。メモリ１２は先の走査時に記
憶した始点、終点情報ｋ Ｆ Ｉ ＬＯ（ｆｉｒｓｔｉ
ｎ ’１ａｓｔ ａｕｔ） で読み出すように制御が
切り換えられる。切換回路１３は、このメモリ１２ よ
りの読み出し情報を、ブランキング回路７に供給−する
。
一方偏向制御回路１４は、電子ビーム？先とけ逆の方向
に偏向走査する。
に偏向走査する。
こうして二度目の走査においては′電子ビームはパタン
の始点と終点のみ照射することになり、その部分のドー
ズ量が増加する結果、上記各点におけるドーズプロファ
イルが急峻なものとなる。
の始点と終点のみ照射することになり、その部分のドー
ズ量が増加する結果、上記各点におけるドーズプロファ
イルが急峻なものとなる。
かくして本装置によれば、ブランキング情報を利用して
二度目の走査でパタンの始点及び終点を、１択的にビー
ム照射し走査方向及びこれに直交する方向とのドーズ量
分布を略等しいものとすることが出来る。このため、描
画寸法の制御が容易となり、描画精度・分解能の大幅な
向上をはかることができる。
二度目の走査でパタンの始点及び終点を、１択的にビー
ム照射し走査方向及びこれに直交する方向とのドーズ量
分布を略等しいものとすることが出来る。このため、描
画寸法の制御が容易となり、描画精度・分解能の大幅な
向上をはかることができる。
上記の作用を第６図及び第７図を参照して説明する。
ブランキング信号ＳＩを遅延回路１０により遅延させた
。信号Ｓ！を傅る。信号Ｓ、及びＳ、より、排他和回路
１１により、信号Ｓｓヲ得る。信号Ｓ、はメモリ１２に
記憶される。信号Ｓ１． Ｓ−はブランキング回路７に
切換回路１３を経て供給されるが、第６図で低レベルが
ブランキング状態を示す。ブランキング信号Ｓ＋ＶＣよ
り、・ＩＳ１回走査時にドーズ量］）ｌを得る。次に第
２回目の走査時にブランキング信号Ｓ３によりドーズ］
ｎ＋金得、岐路的してドーズｔＤ、全得る。かくしてパ
タンの始点及び終点のａ、峻なドーズプロファイルかえ
られる。第７図＆ｉ偏向走査回路８の動作波形の例を示
す。信号ＳＣｘ （ｒＪ、ビーム走査方向の１回向信号
を示し、信号ＳＣｙはテーブル連続移動傅の場合の移動
外の補正のだめのこれＶこ垂直な偏向信号金示す。
。信号Ｓ！を傅る。信号Ｓ、及びＳ、より、排他和回路
１１により、信号Ｓｓヲ得る。信号Ｓ、はメモリ１２に
記憶される。信号Ｓ１． Ｓ−はブランキング回路７に
切換回路１３を経て供給されるが、第６図で低レベルが
ブランキング状態を示す。ブランキング信号Ｓ＋ＶＣよ
り、・ＩＳ１回走査時にドーズ量］）ｌを得る。次に第
２回目の走査時にブランキング信号Ｓ３によりドーズ］
ｎ＋金得、岐路的してドーズｔＤ、全得る。かくしてパ
タンの始点及び終点のａ、峻なドーズプロファイルかえ
られる。第７図＆ｉ偏向走査回路８の動作波形の例を示
す。信号ＳＣｘ （ｒＪ、ビーム走査方向の１回向信号
を示し、信号ＳＣｙはテーブル連続移動傅の場合の移動
外の補正のだめのこれＶこ垂直な偏向信号金示す。
他の実施例として、メモリ１２ ｆ Ｆ Ｔ Ｆ Ｏ（
ｆｉｒｓｔｉｎ ｆｉｒＳｔ ａｕｔ ） ／ｐとし、
２度目の１１も１向走ｆ’Ｅｋフライバンク金用いない
で１鹿目と同一方向Ｆ １ｌｉｊ向走査し−Ｃもよいこ
と（は勿論である。
ｆｉｒｓｔｉｎ ｆｉｒＳｔ ａｕｔ ） ／ｐとし、
２度目の１１も１向走ｆ’Ｅｋフライバンク金用いない
で１鹿目と同一方向Ｆ １ｌｉｊ向走査し−Ｃもよいこ
と（は勿論である。
また遅延回路の遅延時間金変更する、フライバック時の
周波数を変更する等により、２度目の照射時間、照射涜
を変更することによって油圧躾の調整が可能となる。
周波数を変更する等により、２度目の照射時間、照射涜
を変更することによって油圧躾の調整が可能となる。
さらにパタンの幅の寸法精度の制御のだめの微調整回路
が一般には制御回路６の中によ−まれるが、ここでは説
明を省いである。
が一般には制御回路６の中によ−まれるが、ここでは説
明を省いである。
第１図（ａ）、 （ｂ）は電子ビームのプロファイル金
示す模式図、第２図はパターンの描画方法及びその断面
におけるドーズプロファイルを示す模式図、第３図は従
来装置の要部概略構成図、第４図は本発明の一実施例に
係わる電子ビーム描画装置の要部を示す概略構成図、第
５図は上記実施例のビーム制御回路部を示すブロック図
、第６図及び第７図は上記実施例の作用を説明するため
の信号波形図である。 １・・・′電子銃、２・・ブランキング板、３・・偏向
板、４・試料、５ 試料ステージ、６・制御回路、７・
・ブランキング回路、８・・偏向走査回路、９・・ビー
ム制御回路、ｌｏ・・・遅延回路、１１・・・排他和回
路、１２・・・メモ１Ｌ１３・・切換回路、１４・・偏
向制御回路。 （７３１７）弁理士則近憲佑 （ほか１名） 第 ２ 図 第３図 を 第４図 第５図
示す模式図、第２図はパターンの描画方法及びその断面
におけるドーズプロファイルを示す模式図、第３図は従
来装置の要部概略構成図、第４図は本発明の一実施例に
係わる電子ビーム描画装置の要部を示す概略構成図、第
５図は上記実施例のビーム制御回路部を示すブロック図
、第６図及び第７図は上記実施例の作用を説明するため
の信号波形図である。 １・・・′電子銃、２・・ブランキング板、３・・偏向
板、４・試料、５ 試料ステージ、６・制御回路、７・
・ブランキング回路、８・・偏向走査回路、９・・ビー
ム制御回路、ｌｏ・・・遅延回路、１１・・・排他和回
路、１２・・・メモ１Ｌ１３・・切換回路、１４・・偏
向制御回路。 （７３１７）弁理士則近憲佑 （ほか１名） 第 ２ 図 第３図 を 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）電子ビーム全ブランキング及び偏向制御して試料
を所望パターンに描画する電子ビーム描画装置において
、ビームの走査方向とそれに直交する方向とのドーズ量
分布が略等しくなるよう、描画の始点及び終点全偏向走
査時に検出記憶し、次走査時に上記始点及び終点に電子
ビーム照射を行うような手段を備えたことを特徴とする
電子ビーム描画装置。 - （２）上記次走査は、偏向走査の７ライバノクを用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビー
ム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58066994A JPS59193026A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | 電子ビ−ム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58066994A JPS59193026A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | 電子ビ−ム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59193026A true JPS59193026A (ja) | 1984-11-01 |
Family
ID=13332063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58066994A Pending JPS59193026A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | 電子ビ−ム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59193026A (ja) |
-
1983
- 1983-04-18 JP JP58066994A patent/JPS59193026A/ja active Pending
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