JPS59231810A - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents

電子ビ−ム露光装置

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JPS59231810A
JPS59231810A JP58106166A JP10616683A JPS59231810A JP S59231810 A JPS59231810 A JP S59231810A JP 58106166 A JP58106166 A JP 58106166A JP 10616683 A JP10616683 A JP 10616683A JP S59231810 A JPS59231810 A JP S59231810A
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deflection
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deflector
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography

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  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、電子ビーム露光技術に係わシ、特に描画すべ
き図形の寸法に応じてビーム寸法を可変する可変成形ビ
ーム型電子ビーム露光装置の改良に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
近年、ガラスマスクやシリコンウェハ等の試料に、LS
I回路回路t−ターン成するものとして、電子ビーム照
射によp /?ターンを描画する電子ビーム露光装置が
開発されている。そして、この装置の描画スループット
を向上させるために、円形ビームで・母ターンを塗シ潰
す方式に代わル、寸法の可変可能な矩形状電子ビームを
走査して/臂ターンを描画する方式が提案されている。
これは、第1図に示す如く試料1を載置した試料台(図
示せず)を例えばY方向に連続的に移動させる間に、同
じくY方向の長さが変化する可変寸法ビームをY方向と
直交するX方向に走査して・母ターンを描画する方法で
ある。そして、X方向走査中図形の有無によってビーム
のON・OFFをコントロールし、また描画図形の寸法
に応じてY方向のビーム寸法を変化させる。この様子を
第2図に示す。第2図で黒く塗り潰した部分が可変寸法
ビームの形状で、斜辺を描画する場合は走査の途中で連
続的にビーム寸法を変化させる。1図形の描画が終わる
とビームをOFF l、、この期間に次回形の高さくY
方向寸法)にビーム寸法を設定しておき、ビームが次の
図形位置に到達すると同時にビームをONする。高さが
一定な図形領域ではビーム寸法を固定したまま幅(X方
向サイズ)分だけビームONを継続する。なお、第1図
中2は偏向器、slは試料台ステップ移動方向、Qlは
試料台連続移動方向、S、はビーム走査方向、Q2はビ
ーム寸法可変方向を示している。
上記方法によれば、円形ビームの数個〜数10個分に相
当する大きさく高さ)の図形が1走査で描画できるため
スループット向上に大いに役立つ。しかし、電子ビーム
をX方向に走査しながらビーム寸法を変えているため、
斜辺のようKY方向サイズが一定の勾配で徐々に変化す
る図形にあっては描画可能である”が、図形の途中に垂
直の勾配を持つものにあっては1走査での描画が不可能
である。この問題を第3図の例を用いて説明する。第3
図ra)は描画さるべき図形を表すが、図形途中の矢印
(↓)で示す位置で垂直の勾配を持つ。これらの図形を
X方向への1走査で描画するには、走査中ビームがX方
向に一定速度で移動するため、矢印(↓)の位置でビー
ム寸法を応答時間0で変える必要がある。これは、現在
の電子ビーム電光装置では事実上不可能でちゃ、代わっ
て第3図(b) 、 Ic)に示すような方法がとられ
る。第3図(b)は図形頂点を通るビーム走査方向(X
方向)に平行な線分で図形を分割し、分割した各要素を
別々のパス(走査)で描画する方法を示す。第1のパス
Plではビーム寸法h1で斜線でハツチした部分をm画
し、第2のパスP2ではビーム寸法h2で白抜きの部分
を描画する。第3図(c)は図形頂点を通るビーム寸法
可変方向(Y方向)忙平行な線分で図形を分割し、分割
した各要素が隣接しないように複数の図形群に分け、各
図形群を別々のパスで描画する方法である。この場合、
第1の/4’スP1ではビーム寸法h1′で斜線でハツ
チした部分を描画し、第2のノやスP2ではビーム寸法
h2′て白抜きの部分を描画する。
しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題
があった。すなわち、第3図tb> 、 (e)何れの
方法も図形分割処理の手間が増え、また1図形の描画に
複数回の走査が必要となシ、これが描画スループットの
抑止要因として働く。
さらに、図形を分割することによシ可変寸法ビームの許
容限界以下の寸法を持つ図形が発生して描画パターンの
精度低下を招くという弊害も出て来る。
以上の問題点は、試料台と直角方向(X方向)への電子
ビーム走査に常に一定の振幅と周期で動作する偏向系を
用いてしることに起因するが、熱的或いは電気的特性か
ら言ってかかる偏向系が大きな走査幅で長時間の安定性
と精度を得るのに最も適している。例えば、X方向への
電子ビーム走査をペクタ方式にする方法では、走査の途
中でビーム寸法を変える制御は比較的容易であるが、安
定した精度確保のための新たな問題解決を迫られること
たなる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、描画すべき図形の寸法が急激に変化す
るものであっても1回の走査で描画することができ、か
つ安定した描画精度を確保することができ、描画スルー
プットの向上をはかシ得る電子ビーム電光装置を提供す
ることにある。
〔発明の概要〕
本発明の骨子は、電子ビームを所定方向に走査する主偏
向手段とは独立に該ビームを上記方向と同方向及び逆方
向に走香する副偏向手段を1    設け、図形寸法の
急変する点で副偏向手段によシピームを振シ戻してビー
ム位置を固定し、ビーム寸法可変の完了後ビームの振シ
戻しを停止することにある。
すなわち本発明は、試料を載置したステージを一方向に
連続移動すると共に、これとほぼ直交する方向に電子ビ
ームを走査して試料上に所望パターンを描画する電子ビ
ーム露光装置において、前記試料上に照射するビームを
0N−OFF制−するブランキング手段と、描画すべき
図形の寸法に応じて上記ビームの寸法を可変制御するビ
ーム寸法可変手段と、前記試料上でビームを一方向に所
定速度で走査する主偏向手段と、この主偏向手段による
ビームの走査方向と同方向及び逆方向にビームを走査す
る副偏向手段とを設け、図形寸法のステップ変化点でビ
ームをOFFすると共に上記副偏向手段によルビームを
振シ戻し、ビーム寸法が必要とする寸法に達した時点で
上記ビームの振シ戻しを停止すると共にビームをONす
るようにしたものである。
〔発明の効果〕
本発明によれば、副偏向手段にょジ全体としてのビーム
走査を一時的に停止させることができるので、寸法が急
激に変化する図形も1回のビーム走査で描画することが
でき、描画スループットの大側な向上をはかシ得る。し
かも、ビームの主偏向をビームを所定方向に所定速度で
走査する主偏向手段で行っているので、ビーム偏向の長
時間安定性及び精度を確保することができ、描画精度が
低下する等の不都合はない。
また、従来法の如く複数回走査で描画する際に必要な図
形分割が不要となるので、微小分割図形が生じることは
なく、この点からも描画精度の向上に有効である。
〔発明の実施例〕
第4図は本発明の一実施例に係わる可変寸法ビーム型電
子ビーム露光装置の原理的構成を示す図である。図中1
1は試料室であシ、試料室11の上部には光学鏡筒12
が設けられている。
試料室ll内にはマスクやウエノ・等の試料13を載置
したステージ14が配置されている。ステージ14は中
央演算処理装置(以下CPUと略にする)75からの指
令によ)作動するステージ駆動系16によって、紙面左
右方向(X方向)にステップ移動、紙面表裏方向(Y方
向)に連続移動するものとなっている。また、ステージ
14の移動位置はレーデ測長系17によシ検出され、そ
の検出位置はCPU 15に送出される。
一方、光学鏡筒12は電子銃21.各種偏向器22.2
3.24,25.アノf−チャ26゜27及び図示しな
いレンズ系等から構成されている。ブランキング用偏向
器22にはブランキング制御回路31からの!ランキン
グ信号が与えられ、これによシピームがON・OFF制
御される。ビーム寸法可変用偏向器23にはビーム寸法
制御回路23からの偏向信号が与えられ、ビーAの偏向
によるアt4−チャ26.27のkなシ状態によシビ〜
ム形状(寸法)が可変制御される。主偏向器24には主
偏向回路33からの主偏向信号が与えられ、これKより
ビームがX方向に一定走査される。ここで、主偏向信号
は一定周期、一定振幅の鋸歯状波である。また、副偏向
器25には副偏向回路34からの副偏向信号が与えられ
、これによシビームが主偏向方向と同方向若しくは逆方
向に走査される。
なお、上記装置が従来装置と特に異なる点は、副偏向器
25及び副偏向回路34を設けたことである。また、副
偏向回路34は、他の回路3ノ、〜、33と同様にCP
U 15からの指令によ勺作動するものとなっている0 このように構成された本装置の作用について、第5図を
参照して説明する。第5図(alは描画すべき図形形状
を示し、第5図1b)は同図(a)の図形を描画する際
のビーム寸法の時間的変化を示す。
第5図(c)はX方向ビーム走査用偏向器(主偏向器2
4)のランプ信号波形を示し、同図(田はX方向ビーム
走査の振戻し用偏向器(副偏向器25)に印加する信号
波形を示す。第5図(e)は同図fc) 、 fdlに
示す偏向信号が同時に印加された場合の可変寸法ビーム
のX方向位置を示す。第5図ff)はビームのON・O
FFの時間的変化を示す。
また、第5図(g)は描画された図形を示している。
なお、第5図(b)〜(f)の時間軸は全て共通である
さて、第5図ζa)の図形41を描画する場合、同図+
b>に示す如く時刻t1でビーム寸法をhlに設定し、
同図(f)に示す如く同じ時刻でビームをONする。こ
のとき、第5図(c)に示すランプ信号出力は一定の傾
きで変化しており、同図fdlに示す振戻し信号出力は
0であるからビーム位置が第5図(e)のように一定速
度でXlからx2へと増加する。時刻t2になると第5
図(f3に示す如くビームをOFFシ、同時に第5図f
d)に示す如く振戻し信号を同図(c)のランプ信号と
は逆極性に発生させる。第5図(d)の振戻し信号と同
図fatランデ信号との傾きを同じにしておくと(偏向
感度も合わせておけば)両者による偏向が相殺し、第5
図(e)に示す如くビーム位置は固定される。ビームO
FFの時間は第5図(b)でビーム寸法をh2に設定し
直すのに必要なだけ予め設定しておく。時刻t2からt
aまでの時間にビーム寸法h2の設定が完了していると
すると、時刻t3で第5図(d)に示す如く振戻し信号
の出力をホールドし、同時に第5図ff)に示す如くビ
ームをONする。第5図(c)のランプ信号波形は依然
として一定の傾きで変化し同図(d)の振戻し信号出力
は一定のレベルにあるため、時刻t3からビーム位置は
x2からx3へと変化する。ビーム位置がx3に到達す
るのは時刻t4で、このとき第5図ff)に示す如くビ
ームをOFF’すれば、時刻t1からt4の間には同図
fg) K示すノ4ターン41′のような図形が描かれ
る。
第5図(a)の振戻し信号は次の図形の描画開始時刻ま
での間、すなわち時刻t4からt5の間に0にリセット
する。この0リセツトはある図形を描画し終わって、次
の離れた図形を描画するまでの間に必ずやる。また、隣
接した複数個の図形を描画する場合はリセツ“トせずに
振シ戻し信号を次々に積算して行き、隣接図形群の最終
図形描画後リセットする。据戻しをすると次の図形描画
時刻が振戻し時間分だけ遅れるため、振戻しを積算する
場合遅れが走査時間を超過しないよう注意する。
時刻t 4からtaの間に撮戻し信号を0リセツトしく
このとき電子ビームを振増すがビームOFF区間中であ
るから描画には何の影響も与えない)、第5図(e)で
ビーム位置がx4に到達する時刻t5までに同図(b)
のようにビームサイズをh3に変化させる。図形42は
斜辺を持ち、時刻t5からtaまでにビームサイズが変
化するため、第5図(f)に示す如く時刻t5でビーム
をON l、同時にこの時刻t5から時刻t6まで同図
(b)に示す如くビーム寸法をh3からh4まで連続的
に変化させる。ビーム寸法を連続的に変化させる手段は
従来の描画方式で用いられているものと同一でよい。ビ
ーム寸法がh4からh5に急激に変化する点での処理、
すなわち時刻t6からt7までの処理は図形4Iの場合
の時刻t2からtaまでの処理と全く同じである。
また、時刻t7からt8までの処理は時刻t3からt4
までの処理と同じである。かくして、本装置によれば、
斜辺を含むものは勿論のこと、図形途中でY方向サイズ
(高さ)が急激に変化する図形を、−走査中に一定の走
査時間内((描画することができる。
なお、以上の説明では触れなかったが、X方向へのビー
ム走査中ステージ14の連続移動によるY方向へのビー
ム位置ズレをY方向走査に! よって補正する必要があるが、とのY方向走査系は第5
図(c) 、 (d)に記したものと全く同じ方式で動
作させればよい。
第6図は前記第4図に示す装置の主要部構成をよシ具体
化して示す機能的ブロック図であり、第4図と同一部分
には同一符号を付している。
Xレジスタ5ノ、Wレジスタ52.■レジスタ53、Y
レジスタ54にはそれぞれ図形の頂点X座標1幅、高さ
、頂点X座標が格納される。
ラグレジスタ55は振戻し時間を記録するものであシ、
このレジスタ551Cは増分レジスタ56内容分ずつ加
算器57によって加算した値が入力される。ラグレジス
タ55の加算記録及びOクリアはラグレジスタコントロ
ール回路■ 58によってコントロールされる。Xレジスタ51及び
ラグレジスタ55の内容は加算器59で加算後スタート
レジスタ60に格納される。
スタートレジスタ60の内容は図形描画開始位置(X座
標)を示すものである。隣接図形を描画する場合、後で
描画する図形の開始座標はラグレジスタ55の内容C’
=O)分増加することになる。Wレジスタ52とXvX
)スタ51の内容は加算器61で加算後(X+W)レジ
スタ62に格納される。(X+W)レジスタ62の内容
とXL/ゾスタ51に格納された次回形のX座標とは一
致検出回路63によって比較され、その検出出力でジヨ
イントフラグ回路64がコントロールされる。すなわち
、−数構出回路63の出力が一致ならばジヨイントフラ
グ回路64によシジョイントフラグがONとなシ、−数
構出回路63出力が不一致ならばジヨイントフラグがO
FF 、!:なる。スタートレジスタ6θの内容及びW
レジスタ52の内容は加算器65で加算され、エンドレ
ジスタ66に格納される。エンドレジスタ66の内容は
図形描画終了位置(X座標)を示すものである。スター
トレジスタ60と同様、隣接図形がある場合、後で描画
する図形Ω終了座標にはラグレジスタ55の内容(”t
o)カ加えられる。X走査カウンタ67ではクロック発
生器(図示せず)からノクシスを入力してカウントが開
始され、その出力は一致検出回路68゜69に送られる
。−数構出回路68ではスタートレジスタ60とX走査
カウンタ62との内容を比較され、これが一致した場合
ブランキング制御回路31VC信号を送ってビームをO
Nにする。
−数構出回路69ではエントレシスタロ6とX走査カウ
ンタ67との内容が比較され、これが一致した場合ブラ
ンキング制御回路3ノに信号を送ってビームをOFFに
する。すなわち、ブランキング制御回路31では、スタ
ートレジスタ60が示す位置からエントレシスタロ6が
示す位置までビームをONするととKなる。
一方、振シ戻しカウンタ20では前記X走査カウンタ6
7に入力したものと全く同じ・やシスを入力してこのパ
ルスがカウントされる。カウンタ70のOクリア、カウ
ントエネーブル(カウント可能な状態にする)及びカウ
ントディスニー f # (カウントを禁止し現在のカ
ウント値を保持する)のコントロールは振戻しカウンタ
コントロール回路71によって行われる。前記ジヨイン
トフラグがON状態で一致検出回路69から一致信号が
送られるとカウントエネーブル状態になり、ジヨイント
フラグがOFF状態で一致検出回路69から一致信号が
送られるとOクリアされる。振戻しカウンタ70は隣接
図形を描く間に(例えば第7図(b)を描画後、同図f
c)を描画するまで)動作し、カウントの結果は一致検
出回路22によってラグレジスタ55の内容と比較する
。−数構出回路22の一致信号は振戻しカウンタコント
ロール回路2ノに送られ、振戻しカウンタ70はカウン
トディスエーブル状態に切換わる。振戻しカウンタ7θ
のカウント出力は、副偏向回路34内のD/A変換器7
3でリアルタイムでアナログ信号に変換され、増幅器7
4を通して振戻し用偏向器25のX偏向器に送られる。
D/A変換器23のアナログ信号は可変ダイン増幅器2
5で振幅を調整後、振シ戻し用偏向器25のY偏向器に
も送られる。なお、第7図(a)は本実施例で描画すべ
き図形の一例を示し、同図(b) + (c)は上記図
形を2個の矩形に分解して得たもので、図形の左下隅頂
点の(x、y)座標、高さり1幅Wで表現する。轟然の
ことながら(X1+W1)=X2が成シ立つ。
Hレジスタ53のデータはビーム寸法制御回路32に送
られてビーム寸法可変用偏向器23の駆動信号となる。
実施例で描画する図形が第7図(alのように斜辺を持
たない図形であるため、ビーム寸法制御回路32にはH
レジスタ53の内容、すなわち図形高さのデータのみが
入力されている。実際は第8図(a) 、 (b)に示
す如く第17・や−チャ26の像と第2アパーチヤ22
の位置関係を変えることにより第9図(a)〜(d)に
示す全ての斜辺を持つ図形が描画可能である。その場合
は第9図(a) 、 (b)のような図形を描くために
第8図(a)のように第1アパーチヤ26の像を第2ア
パーチヤ27の上級でカットするのか、或いは第9図(
a) 、 (dlのような図形を描くために第8図(b
)のように第17d’−チャ26の像を第2ア、IP−
チャ27の下縁でカットするのかを示す他のいくつかの
情報をビーム寸法制御回路32に入力する必要がある。
既に繰返し述べたように斜辺の発生方法は従来法と全く
同じで良く、本発明が目的とするところでもない。従っ
て説明を簡単化するため、ビーム寸法制御回路32は図
形の高さのみを入力するものとして以下の話を進める。
鋸歯状波発生器26からは一定周期で一定振幅の鋸歯状
波信号が発生される。この信号は増幅器77を通して走
査用偏向器24のX偏器を駆動する。また、この信号は
可変rイン増幅器78で振幅を調整後加算増幅器79に
送られる。
加算増幅器29のもう一方の加算入力端にはYラッチ回
路80にラッチされた前記Yレジスタ54の内容をD/
A変換器81で変換した信号が与えられる。この加算増
幅器79の出力は走査用偏向器24のY偏向器を駆動す
るものとなっている。
次に、前記第6図のハードウェア構成で前記第7図の図
形を描画する手順を第10図に示すフローチャートに沿
って説明する。まず、■でジヨイントフラグをOFFに
しラグレジスタ55を0クリアする。ここで、第10図
のフローチャートではレジスタをRegと記す。次いで
、■に進みレジスタ51,54,53.52に各々”1
  eyl  、hl 、wlのデータを入力する。
■ではXレジスタ51の内容とラグレジスタ55の内容
を加えてスタートレジスタ60に格納し、Yレジスタ5
4の内容をYラッチ回路80にセットしてい変換処理を
起動し、■レジスタ53の内容をビーム寸法制御回路3
2に送って可変寸法ビームの成形処理を開始させ、Xレ
ジスタ51とWレジスタ52の内容の和を(X+W)レ
ジスタ62に、セットする。■での以上の4つの処理は
並行して進められる。■ではスタートレジスタ60とW
レジスタ52の内容の和をエンドレジスタ66に設定す
る。このあと鋸歯状波発生器76が走査信号を出力し始
め、X走査カウンタ67でのカウントが開始するO 次の■〜■の処理と■〜0までの処理は並行して進めら
れる。■でX走査カウンタ62とスタートレジスタt;
 o (=x1  )との比較を行ない、X走査カウン
タ67の内容がXI Vcなると■でブランキングを解
除しビームをONする。のではX走査カウンタ67とエ
ンドレジスタ66(=x 1 + w 1 )との比較
を行ない、X走査カウンタ67の内容がX、+W、にな
ると■でブランキングをかけてビームをOFFする。一
方、この間に■ではレジスタ51,54,53.52に
各々X2  e yll  e b *  p W2の
データを入力する。■でXレジスタ51と(X+W)レ
ジスタ62との内容を比較するが各々の内容はx2(=
z□+W、)、X1+W1だから0に進み、ジヨイント
フラグをONLラグレジスタ55を増分レジスタ56の
内容(=cとする)分インクリメントする。
次の0〜@と0[株]との処理も並行して進められる。
■でジヨイントフラグのONをチェックし既に0でON
に変わっているため■に進み、振戻しカウンタ7oがカ
ウントを開始する。■で振戻しカウンタ7oとラグレジ
スタ55の内容比較を行ない、振戻しカウンタ7θの内
容がCになるとカウントを停止する。この間に0でXレ
ジスタ5ノの内容とラグレジスタ55の内容の和x z
 + cをスタートレゾスタcoFC格細し、Yレジス
タ54の内容をYラッチ回路80にセットしてD/A変
換処理を起動し、Hレジスタ53の内!をビーム寸法制
御回路32VC送?て可変寸法ビームの成形処理を開始
させXレジスタ5ノとXレジスタ52の内容の和(xl
 +vy2 )を(X+W)レジスタ62にセットする
。■の場合と同様、以上の4つの処理は並行して進めら
れる。このあと[株]でスタートレジスタ6oとXレジ
スタ52の和(x2 +w2 + c )をエンドレジ
スタ66にセットする。
さて、■で振戻しカウンタ7oがcまでのカウントを終
わって■に進み全図形が終了してな、  いため次のス
テップFC進んだとき既に■、■を過ぎてのに移ってい
る。それは■で振戻しカウンタ20の内容がラグレジス
タ55の内容と一致すると同時に■に於いてX走査カウ
ンタ62とスタートレジスタ6oの内容も一致し、直ち
に■でブランキング解除されビームONするからである
。■でX走査カウンタ62がエンドレジスタ66の内容
(;x 2 + w 2 + c )までカウントアツ
プすると■でブランキングをかけビームOFFする。■
から■に進む間■ではレジスタ51.54,53.52
(7)全レジスタVCoが入力される(図形終了FiX
、Y、H,Wを全て〇にセットして表わすことにする)
。このため、■でXレジスタ51と(X+W )レジス
タ62の内容は一致せず、■に進みジヨイントフラグを
OFFシ、ラグレジスタ55を0クリアする。
次にOのジヨイントフラグONのチェック後0に進み振
戻しカウンタ7oを0クリアする。図形が終了している
ためOl[株]での処理は意味を持たず、■を通って終
了する。
第11図に本実施例でのビームサイズ、X走査用偏向出
力Rx、Xm戻し用偏向出力R2、X方向ビーム位置R
3の時間的変化を示す。■〜■での処理を第10図のフ
ローチャートと対比させて説明する。
時間0では■〜■及び■の処理、時刻0では■の処理、
時間■では■の処理、時刻Oでは■の処理がそれぞれ実
行される。時間Oの■の処理開始から時刻Oの■処理終
了までは並行して■、[株]、■の処理が実行される。
時間0ではO20,■及び■、■の処理、時刻0では■
の処理、時間0では■の処理、時刻0では■の処理がそ
れぞれ実行される。時間Oの■、■の処理開始から時刻
0の■の処理終了までは並行して■〜0の処理が実行さ
れる。時間OにはO20の処理とO20の処理が並行し
て実行された後■で終了する。
かくして本装置によれば、可変寸法ビームを用い、所謂
ラスクスキャン方式で74タ一ン描画を行うに際して、
ステーノ移動と直角方向(X方向)の−走査中に図形高
さが90’の勾配で変化する多角形の描画が可能となり
、描画スループット向上に大いに寄与する。また、従来
法で複数回走査で描画する際必要な図形分割が不要とな
るため、微小分割図形の発生も無く描画ノ平ターンの精
度向上にも大い眞効果がある。
なお、本発明は上述した実施例忙限定されるものではな
い。前記実施例では触れなかったが、隣接図形が複数個
連続してなる図形描画に適用可能であるのは勿論である
。さらに、斜辺発生の際にビームサイズ変化の応答が試
料移動と直角方向へのビーム走査速度に比して遅い場合
にも適用可能である。また、振戻し信号〔副偏向信号〕
は該信号によるビーム走査速度を主偏向信号による走査
速度と等しくする値に限るものではなく、主偏向信号に
よる走査速度より速くするような値であってもよい。つ
まシ、振戻し偏向出力を前記第11図に示す一点鎖線の
ようにしてもよい。その他、本発明の要旨を逸脱し第7
図 (b) 第8 (a) 第9 (a)   (b) (C) 図 (b) 図 (c)     (d) 第7図 (b) 第8 (a) 第9 (a)   (b) (C) 図 (b) 図 (c)     (d)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)試料を載置したステージを一方向に連続移動する
    と共に、これとほぼ直交する方向に電子ビームを走査し
    て試料上に所望ノJ?ターンを描画する電子ビーム露光
    装置において、前記試料上に照射するビームをON・O
    FF制御するブランキング手段と、描画すべき図形の寸
    法に応じて上記ビームの寸法を可変制御するビーム寸法
    可変手段と、前記試料上でビームを所定方向に所定速度
    で走査する主偏向手段と、この主偏向手段によるビーム
    の走査方向と同方向及び逆方向にビームを走査する副偏
    向手段とを具備してな勺、図形寸法のステップ変化点で
    ビームをOF’Fすると共に上記副偏向手段によシビー
    ムを振シ戻し、ビーム寸法が必要とする寸法に達した時
    点で上記ビームの振ル戻しを停止すると共にビームをO
    Nすることを特徴とする電子ビーム露光装置。
  2. (2)前記副偏向手段は、図形寸法のステップ変化点で
    前記主偏向手段によるビーム走査速度と同速度で、かつ
    主偏向手段によるビーム走査方向と逆方向にビームを走
    査し、さらに描画すべき図形間の非描画領域で上記振シ
    戻しだビームを振如増し上記主偏向手段によるビーム走
    査の位置を定常位置に戻すものであることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の電子ビーム。 露光装置。
  3. (3)前記副偏向手段は、前記主偏向手段によシ主偏向
    信号を印加するビーム走査用偏向器とは別の偏向器に副
    偏向信号を印加するものであることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の電子ビーム露光装置。
  4. (4)前記副偏向手段は、ビーム走査用偏向器に印加す
    る前記主偏向器による主偏向信号に副偏向信号を重畳す
    るものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の電子ビーム露光装置。
JP58106166A 1983-06-14 1983-06-14 電子ビ−ム露光装置 Granted JPS59231810A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61267320A (ja) * 1985-05-21 1986-11-26 Toshiba Corp 荷電ビ−ム露光方法
EP0248588A2 (en) * 1986-05-27 1987-12-09 Fujitsu Limited Electron beam exposure system
US5096851A (en) * 1988-05-19 1992-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of packaging an electronic device using a common holder to carry the device in both a cvd and molding step

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