JP2001189255A

JP2001189255A - 荷電ビーム露光方法及び露光装置

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Publication number: JP2001189255A
Application number: JP37306499A
Authority: JP
Inventors: Koji Ando; 厚司安藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1999-12-28
Filing date: 1999-12-28
Publication date: 2001-07-10
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Also published as: JP4095218B2

Abstract

(57)【要約】【課題】リターディング電圧を印加したときのビーム
の位置ずれを試料上の全面に対して正確に補正すること
ができ、露光精度の向上をはかる。【解決手段】ウェハ近傍に減速電圧による減速電界を
形成し、ウェハ上に入射するビームの速度を減速させる
荷電ビーム露光方法において、減速電圧を印加した状態
と印加しない状態の各々で、ステージを移動してビーム
の偏向中心でウェハ上の各マークの位置を測定し、減速
電圧の印加の有無によるウェハ位置に対する位置ずれ量
を求め（Ｓ１〜３）、減速電圧を印加した状態と印加し
ない状態の各々で、試料ステージ中心付近でビームを偏
向して試料上の各マークの位置を測定し、減速電圧の印
加の有無によるビーム偏向量に対する位置ずれ量を求め
（Ｓ４〜６）と、試料位置に対する位置ずれ量とビーム
偏向量に対する位置ずれ量を基に、加減速電圧の印加の
有無によるビーム位置の補正量を求める（Ｓ７）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路や
その他の微細な素子パターンを半導体ウェハやパターン
転写用マスク等の試料上に形成するための荷電ビーム露
光技術に係わり、特に試料上に入射する荷電ビームの速
度を制御するためのリターディング電圧を印加した場合
のビーム位置の補正を行う荷電ビーム露光方法及び露光
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体製造工程におけるリソグラ
フィ技術として、光露光と電子ビーム（ＥＢ）露光を組
み合わせたミックスアンドマッチ（Ｍ＆Ｍ）が注目され
ている。このＭ＆Ｍ露光方式では、ラフなパターンは光
露光で、微細なパターンは電子ビームで露光することに
より、高いスループットと共に高解像性が得られる。

【０００３】Ｍ＆Ｍの露光方式において、光に対するレ
ジスト感度は高すぎる傾向があり、電子ビームに対する
感度のみを向上させることが望まれる。これは、レジス
トに入射する電子ビームのエネルギーを下げることによ
り達成できる。しかし、電子銃部から放出される電子の
エネルギーを低く抑えた状態では、電子間でのクーロン
力やレンズの色収差によりビームがぼけてしまい、高解
像性を得ることが困難になる。

【０００４】そこで、電子銃から放出された電子を、色
収差，クーロン反発によるビームぼけを抑えるために十
分に加速し、最終段の対物レンズを通過した後に、ウェ
ハと対物レンズ下極間に減速電圧（リターディング電
圧）を印加して減速電界を形成することにより、所望の
エネルギーへ減速してレジストへ入射させるようにして
いる。これにより、高解像性と低エネルギー電子線の入
射によるＥＢ露光時の高感度化が可能となる。

【０００５】ところで、減速電界を形成するためにリタ
ーディング電圧を印加すると、ウェハ上のビームの位置
が変化する問題がある。これに対して、例えば特開平３
−２６１０９５７号公報のように、リターディング電圧
に応じて、ビームの位置を決める偏向器に補正電圧を印
加することにより、減速電界によるビームの位置ずれを
補正している。

【０００６】しかしながら、この種の方法にあっては次
のような問題があった。即ち、リターディング電圧に応
じてビームの位置を補正する場合は、形成される電界が
均一である必要性がある。ところが、実際に形成される
電界は、ステージの位置や対物レンズ下面形状等により
一様電界とはならない。さらに、電子ビームの入射角度
も偏向位置に依存する。このように、ステージの位置，
電子ビームの入射角度により電界と電子ビームの角度が
異なるので、リターディング電圧に応じて偏向電圧を一
様に補正するのみでは、リターディング電圧によるビー
ムの位置ずれをウェハ全面に対して正確に補正すること
はできない。

【０００７】また、ウェハ全面に対して、ビームの位置
を詳細に測定することにより、ウェハ上の電界の強度は
測定できるが、偏向によるビームの角度までの測定はで
きない。さらに、ウェハの位置とビームの偏向角度は連
続移動方式の露光装置では、露光するパターンやレジス
ト感度により異なる。従って、リターディング電圧によ
るビームの位置ずれをウェハ全面に対して正確に補正す
ることは実質的に困難である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このように従来、電子
ビームに対するレジストの感度を向上させるためにリタ
ーディング電圧を印加する方式にあっては、リターディ
ング電圧の印加により試料上のビーム位置が変動する問
題があった。また、リターディング電圧に応じて偏向器
に補正電圧を印加する方法もあるが、試料上の全面で正
確に補正することは困難であった。

【０００９】本発明は、上記事情を考慮して成されたも
ので、その目的とするところは、リターディング電圧を
印加したときのビームの位置ずれを試料上の全面に対し
て正確に補正することができ、露光精度の向上をはかり
得る荷電ビーム露光方法及び露光装置を提供することに
ある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】（構成）上記課題を解決
するために本発明は次のような構成を採用している。

【００１１】即ち本発明は、試料上に荷電ビームを照射
して該試料に所望パターンを露光する荷電ビーム露光方
法であって、試料近傍に加減速電圧による加減速電界を
形成して試料上に入射するビームの速度を加減速させた
荷電ビーム露光方法において、前記加減速電圧の有無に
よるビームの位置ずれを、試料上の位置とビーム偏向量
に応じて補正することを特徴とする。

【００１２】また本発明は、荷電ビーム露光装置におい
て、荷電ビーム源から発生された荷電ビームを所望の形
状に整形するためのアパーチャと、前記アパーチャによ
り整形されたビームを試料面上に結像させるための縮小
レンズ及び対物レンズと、前記試料面上のビーム位置を
制御する対物偏向器と、前記試料面上に入射するビーム
の速度を加減速するための電源と、前記電源からの加減
速電圧の有無によるビーム位置ずれを、試料面上の位置
とビーム偏向量を基に補正する手段とを具備してなるこ
とを特徴とする。

【００１３】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は次のものがあげられる。

【００１４】(1) 加減速電圧を印加した状態と印加しな
い状態の各々で、試料ステージを移動してビームの偏向
中心で試料上の各マークの位置を測定し、加減速電圧の
印加の有無による試料位置に対するビーム位置ずれ量を
求める工程と、加減速電圧を印加した状態と印加しない
状態の各々で、試料ステージ中心付近でビームを偏向し
て試料上の各マークの位置を測定し、加減速電圧の印加
の有無によるビーム偏向量に対するビーム位置ずれ量を
求める工程と、求められた試料位置に対するビーム位置
ずれ量とビーム偏向量に対するビーム位置ずれ量を基
に、加減速電圧の印加の有無によるビーム位置の補正量
を求める工程とを含むこと。

【００１５】(2) 加減速電圧を印加しない状態で、試料
ステージを移動してビームの偏向中心で試料上の各マー
クの位置を測定する第１の工程と、加減速電圧を印加し
た状態で試料ステージを移動してビームの偏向中心で試
料上の各マークの位置を測定する第２の工程と、第１の
工程によるマーク位置と第２の工程によるマーク位置と
の差から、加減速電圧の印加の有無による試料位置に対
するビーム位置ずれ量を求める第３の工程と、加減速電
圧を印加しない状態で、試料ステージ中心付近でビーム
を偏向して試料上の各マークの位置を測定する第４の工
程と、加減速電圧を印加した状態で、ステージ中心付近
でビームを偏向して試料上の各マークの位置を測定する
第５の工程と、第４の工程によるマーク位置と第５の工
程によるマーク位置との差から、第３の工程で求めたス
テージ中心付近におけるビーム位置ずれ量を減じること
により、加減速電圧の印加の有無によるビーム偏向量に
対するビーム位置ずれ量を求める第６の工程と、第３の
工程で求めた試料位置に対するビーム位置ずれ量と第６
の工程で求めたビーム偏向量に対するビーム位置ずれ量
を基に、ビーム位置に対して補正量を決定する第７の工
程とを含むこと。

【００１６】(3) 加減速電圧を印加しない状態で、試料
ステージを移動してビームの偏向中心で試料上の各マー
クの位置を測定する第１の工程と、加減速電圧を印加し
ない状態で、試料ステージ中心付近でビームを偏向して
試料上の各マークの位置を測定する第２の工程と、加減
速電圧を印加した状態で試料ステージを移動してビーム
の偏向中心で試料上の各マークの位置を測定する第３の
工程と、加減速電圧を印加した状態で、試料ステージ中
心付近でビームを偏向して試料上の各マークの位置を測
定する第４の工程と、第１の工程によるマーク位置と第
３の工程によるマーク位置との差から、加減速電圧の印
加の有無による試料位置に対するビーム位置ずれ量を求
める第５の工程と、第２の工程によるマーク位置と第４
の工程によるマーク位置との差から、第５の工程で求め
たステージ中心付近におけるビーム位置ずれ量を減じる
ことにより、加減速電圧の印加の有無によるビーム偏向
量に対するビーム位置ずれ量を求める第６の工程と、第
５の工程で求めた試料位置に対するビーム位置ずれ量と
第６の工程で求めたビーム偏向量に対するビーム位置ず
れ量を基に、ビーム位置に対して補正量を決定する第７
の工程とを含むこと。

【００１７】(4) 荷電ビームとして、電子ビームを用い
ること。

【００１８】(5) 荷電ビームは、ＬＳＩの繰り返し部分
を部分的に一括して露光するためにキャラクタパターン
（ＣＰ）ビームに整形されること。

【００１９】（作用）荷電ビーム露光装置において、試
料面上に形成される電界は、ステージの位置や対物レン
ズ下面形状等により一様とはならない。このため、リタ
ーディング電圧の有無によるビーム位置のずれ量は、試
料面上の位置によって変わる。また、荷電ビームの偏向
量は偏向角度で決まるが、偏向角度が変わると試料面上
の電界と荷電ビームの入射角度も変わる。このため、リ
ターディング電圧の有無によるビーム位置ずれ量は、ビ
ーム偏向量によって変わる。なお、試料上にパターンを
露光する際は、設計パターンデータに基づいて試料上の
ビーム位置とビーム偏向量は予め分かっている。

【００２０】従って本願発明のように、加減速電圧の有
無によるビームの位置ずれを、試料上の位置とビーム偏
向量に応じて補正することにより、リターディング電圧
を印加したときのビームの位置ずれを試料上の全面に対
して正確に補正することが可能となる。

【００２１】また、加減速電圧の印加の有無による試料
位置に対するビーム位置ずれ量は、加減速電圧を印加し
た状態と印加しない状態の各々で、試料ステージを移動
してビームの偏向中心で試料上の各マークの位置を測定
することにより、これらの差から簡易に求めることがで
きる。同様に、加減速電圧の印加の有無によるビーム偏
向量に対するビーム位置ずれ量は、加減速電圧を印加し
た状態と印加しない状態の各々で、試料ステージ中心付
近でビームを偏向して試料上の各マークの位置を測定す
ることにより、これらの差から簡易に求めることができ
る。但し、ここで得られるビーム位置ずれ量には、加減
速電圧の印加の有無による試料位置に対するビーム位置
ずれ量が含まれているので、これを差し引く必要があ
る。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。

【００２３】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係わる電子ビーム露光装置を示す概略構成
図である。なお、この装置は単独でＬＳＩパターンの露
光を行うものであってもよいし、光露光装置と併用して
Ｍ＆Ｍ方式で露光を行うものであってもよい。

【００２４】図中の１１は電子銃、１２はコンデンサレ
ンズ、１３はＣＰアパーチャを選択するためのＣＰ選択
偏向器、１４はＬＳＩの繰り返し部分に相当する複数の
ＣＰアパーチャを有するＣＰアパーチャマスク、１５は
縮小レンズ、１６は対物偏向器、１７は対物レンズ、１
８は電子ビームである。２１は試料としてのウェハ、２
２はウェハホルダ、２３は試料ステージ、２４はマーク
台、２５はウェハ２１と対物レンズ１７の下面との間に
減速電界を形成するためのリターディング電源である。
また、３０は制御コンピュータ、３１はレンズ制御回
路、３２はＣＰ選択回路、３３はビーム偏向回路、３４
はステージ制御回路、３５はパターンデータを示してい
る。

【００２５】電子銃１１から放出された電子ビーム１８
は、コンデンサレンズ１２で希望の電流密度へ調整さ
れ、ＣＰ選択偏向器１３でＣＰアパーチャマスク１４上
の任意のＣＰアパーチャを選択することにより、ＣＰア
パーチャマスク１４で希望のビーム形状へ成形される。
そして、縮小レンズ１５と対物レンズ１６で希望とする
寸法に縮小され、ウェハ２１上に結像して転写される。
ウェハ２１上の露光位置は、対物偏向器１７で偏向され
て決定される。ウェハホルダ２２はアースから絶縁さ
れ、リターディング電源２５で必要とする電圧を印加で
きるようになっている。また、レンズ制御回路３１，Ｃ
Ｐ選択回路３２，ビーム偏向回路３３，ステージ制御回
路３４は、制御コンピュータ３０により制御される。

【００２６】図２は、リターディング電圧を印加したと
きの電気力線の様子を示している。図２（ａ）は、ウェ
ハ２１が光軸の近くにあった場合で、ウェハ２１の中心
付近の電気力線１０１は光軸に対して平行に進む。図２
（ｂ）は、ウェハ２１の位置が変化した場合で、ウェハ
２１の端付近では電気力線１０１は光軸に対して平行に
は進まない。また、ビームの位置校正用のマーク台２４
にはリターディング電圧は印加されていない。

【００２７】このようにステージ２２の位置が変化し
て、ウェハ２１の端近くを露光する場合は、リターディ
ング電圧を印加することにより発生する電場によりビー
ム位置の変化の振る舞いがウェハ中心が光軸中心にある
場合と異なる。

【００２８】次に、本実施形態におけるビーム位置補正
動作を、図３のフローチャートを参照して説明する。

【００２９】まず、リターディング電圧を印加しない状
態で、焦点と非点補正、対物偏向器１７の偏向感度等の
校正を行う。このときは、校正用のマークを用いても、
ウェハ２１上にあるマークを用いてもよい。この工程は
公知の校正方法と同じである。次いで、マーク付きのウ
ェハ２１をホルダ２２にセットする。

【００３０】これ以降が、リターディング電圧印加によ
る位置ずれ補正ステップであり、最初にステップＳ１と
して、リターディング電圧を印加せず、偏向中心でステ
ージを移動してウェハ各点のマークの位置を計測する。
即ち、対物偏向器１７でビームを偏向することなく、ス
テージ２２を移動させることにより各マーク位置を順次
計測する。

【００３１】次いで、ステップＳ２として、リターディ
ング電圧を印加して、偏向中心で焦点・非点調整を行
う。さらに、偏向中心でステージを移動してウェハ各点
のマークの位置を計測する。

【００３２】次いで、ステップＳ３として、Ｓ１とＳ２
の各ステップの同じマーク位置での検出されるマーク位
置の差を求める。図４（ａ）にその結果を示す。マーク
位置のずれが発生するのは、図４（ｂ）に示すように、
ビームの入射角度と電界の方向が平行でないために発生
する。図４（ａ）からシフト項を求める。ビームの位置
ずれのシフト項が減速電界によるビームの位置ずれを表
して、長さが異なるのは電界の不均一性を表している。

【００３３】次いで、ステップＳ４として、リターディ
ング電圧を印加せず、あるステージ位置（ウェハ中心が
光軸付近にあるのが望ましい）で、各偏向電圧における
マークの位置を計測する。即ち、ウエハ中心付近でビー
ムを偏向してウェハ上のマークの位置を計測する。

【００３４】次いで、ステップＳ５として、リターディ
ング電圧を印加し、偏向中心で焦点・非点調整を行う。
さらに、あるステージ位置（ウェハ中心が光軸付近にあ
るのが望ましい）で、各偏向電圧におけるマークの位置
を計測する。

【００３５】次いで、ステップＳ６として、Ｓ４とＳ５
の各ステップの同じ偏向電圧における検出されるマーク
位置の差（即ち、ビーム位置の差）を求める。図５
（ａ）にその結果を示す。マーク位置のずれが発生する
のは、図５（ｂ）に示すようにビーム１８の入射角度と
電界１０１の方向が平行でないために発生する。

【００３６】ここで、上記得られるマーク位置の差は、
リターディング電圧の印加の有無によるウェハ位置に対
するビーム位置ずれ量が含まれているため、偏向中心付
近におけるビーム位置ずれ１０２を減じる。図５
（ａ）から偏向中心のビーム位置ずれ４０１を減じた値
を求め、図５（ａ）から偏向中心付近のビームの位置ず
れ（図４（ａ）中の１０３）を減じた値を、図６（ａ）
に示す。また、ビームの位置ずれ１０２が偏向中心から
離れるに従い大きくなっているのは、ビーム１８の入射
角度が偏向位置により異なるために発生している。よっ
て、このずれは、図６（ｂ）に示すように、偏向領域に
応じたビーム１８の入射角度の変化を表している。

【００３７】次いで、ステップＳ７として、Ｓ３で求め
た減速電界によるビーム位置ずれとＳ５で求めたビーム
の入射角度によるビーム位置ずれとの関係より、Ｓ１で
求めたビームの位置に対して、（減速電界による位置ず
れ＋入射角度による位置ずれ）の補正を行う。補正はベ
クトルを考慮して補正を行う。

【００３８】ここで、露光時のウェハの位置と偏向位置
は露光データから求めることができる。即ち、ウェハの
位置と偏向領域に依存したビーム位置の補正値は予め分
かる。従って、偏向位置は予め露光データより算出され
るので、その偏向位置のデータより、入射角度による位
置ずれへ換算して補正する。これらの補正値は、リター
ディング電圧が一定であれば再現性良く得ることができ
るので、予めウェハの位置に対して補正を行えば、繰り
返し良く露光を行うことができる。

【００３９】上記のＳ１〜Ｓ７のステップにより、リタ
ーディング電界による非均一性を求めることができ、そ
の電界とビームの入射角度の関係から、ビームの位置ず
れを補正することが可能となり、高精度な露光が可能と
なる。従って、例えばＭ＆Ｍ方式のように光露光と併用
する場合、リターディング電圧の印加によりレジストに
対する電子ビームの感度を上げることができ、しかもリ
ターディングによるビーム位置ずれをなくすことがで
き、Ｍ＆Ｍ方式の利点を生かしながら、極めて高い精度
で露光を行うことが可能となる。

【００４０】（第２の実施形態）図７は、本発明の第２
の実施形態に係わる電子ビーム露光方法における位置補
正動作を説明するためのフローチャートである。

【００４１】本実施形態ではまず、ステップＳ１１とし
て、第１の実施形態のＳ１のステップと同様に、リター
ディング電圧を印加しない状態で、ステージを移動して
ビームの偏向中心で試料上の各マークの位置を測定す
る。続いて、ステップＳ１２としてＳ４のステップと同
様に、リターディング電圧を印加しない状態で、ステー
ジ中心付近でビームを偏向してウェハ２１上の各マーク
の位置を測定する（Ｓ１２）。

【００４２】次いで、ステップＳ１３としてＳ２のステ
ップと同様に、リターディング電圧を印加した状態でス
テージ２３を移動してビームの偏向中心でウェハ２１上
の各マークの位置を測定する。続いて、ステップＳ１４
としてＳ５のステップと同様に、リターディング電圧を
印加した状態で、ステージ中心付近でビームを偏向して
ウェハ２１上の各マークの位置を測定する。

【００４３】次いで、ステップＳ１５として、Ｓ１１の
ステップによるマーク位置とＳ１３のステップによるマ
ーク位置との差から、リターディング電圧の印加の有無
によるウェハ位置に対するビーム位置ずれ量を求める。
次いで、ステップＳ１６として、Ｓ１２のステップによ
るマーク位置とＳ１４のステップによるマーク位置との
差から、Ｓ１５のステップで求めたステージ中心付近に
おけるビーム位置ずれ量を減じることにより、リターデ
ィング電圧の印加の有無によるビーム偏向量に対するビ
ーム位置ずれ量を求める。

【００４４】そして、ステップＳ１７として、Ｓ１５の
ステップで求めた試料位置に対するビーム位置ずれ量と
Ｓ１６のステップで求めたビーム偏向量に対するビーム
位置ずれ量を基に、ビーム位置に対して補正量を決定す
る。

【００４５】このような方法であっても、先の第１の実
施形態と同様に、リターディング電圧を印加したときの
ビームの位置ずれを試料上の全面に対して正確に補正す
ることができ、第１の実施形態と同様の効果が得られ
る。また本実施形態では、リターディング電圧の印加の
有無の切り替えが１回で済むことから、補正処理に要す
る時間を短縮できる利点もある。

【００４６】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れるものではない。実施形態では、試料と対物レンズ下
面との間に減速電圧を印加してビームを減速させる露光
装置の例を説明したが、これとは逆に加速電圧の印加に
より加速電界を形成する露光装置にも、本発明は同様に
適用することができる。また、電子ビーム露光に限ら
ず、イオンビーム露光に適用することも可能である。そ
の他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して
実施することができる。

【００４７】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、加
減速電圧の有無によるビームの位置ずれを、試料上の位
置とビーム偏向量に応じて補正することにより、リター
ディング電圧を印加したときのビームの位置ずれを試料
上の全面に対して正確に補正することができ、露光精度
の向上をはかることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態に係わる電子ビーム露光装置を
示す概略構成図。

【図２】リターディング電圧を印加したときの電気力線
の様子を示す図。

【図３】第１の実施形態における位置補正動作を説明す
るためのフローチャート。

【図４】リターディングの有無におけるウェハ位置に対
するビームの位置ずれと、偏向中心付近でのビームの位
置ずれと電界の関係を示す図。

【図５】リターディング電圧の有無における偏向位置に
対するビーム位置ずれと、偏向領域でのビームの移動と
電界の関係を示す図。

【図６】リターディングの有無における、ウェハ中心付
近で偏向中心のビームの移動量を除いた偏向位置に対す
るビーム位置ずれと、偏向中心でのビームの移動量を減
じた偏向領域の違いでのビームの移動量と電界との関係
を示す図。

【図７】第２の実施形態における位置補正動作を説明す
るためのフローチャート。

【符号の説明】

１１…電子銃１２…コンデンサレンズ１３…ＣＰ選択偏向器１４…ＣＰアパーチャマスク１５…縮小レンズ１６…対物偏向器１７…対物レンズ１８…電子ビーム２１…ウェハ２２…ウェハホルダ２３…ステージ２４…マーク台２５…リターディング電源３０…制御コンピュータ３１…レンズ制御回路３２…ＣＰ選択回路３３…ビーム偏向回路３４…ステージ制御回路３５…パターンデータ１０１…電界１０２…位置ずれ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２ＡＦターム(参考） 2H097 AA03 BB03 CA16 GB01 JA02 KA13 KA18 KA40 LA10 5C033 GG05 5C034 BB04 BB06 BB07 5F046 AA09 5F056 AA04 BA08 CB29 CB40 CC02 CD11 DA22 DA27

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】試料上に荷電ビームを照射して該試料に所
望パターンを露光する荷電ビーム露光方法であって、試
料近傍に加減速電圧による加減速電界を形成して試料上
に入射するビームの速度を加減速させた荷電ビーム露光
方法において、前記加減速電圧の有無によるビームの位置ずれを、試料
上の位置とビーム偏向量に応じて補正することを特徴と
する荷電ビーム露光方法。
【請求項２】前記加減速電圧を印加した状態と印加しな
い状態の各々で、試料ステージを移動してビームの偏向
中心で試料上の各マークの位置を測定し、加減速電圧の
印加の有無による試料位置に対するビーム位置ずれ量を
求める工程と、前記加減速電圧を印加した状態と印加しない状態の各々
で、試料ステージ中心付近でビームを偏向して試料上の
各マークの位置を測定し、加減速電圧の印加の有無によ
るビーム偏向量に対するビーム位置ずれ量を求める工程
と、前記求められた試料位置に対するビーム位置ずれ量とビ
ーム偏向量に対するビーム位置ずれ量を基に、加減速電
圧の印加の有無によるビーム位置の補正量を求める工程
とを含むことを特徴とする請求項１記載の荷電ビーム露
光方法。
【請求項３】前記加減速電圧を印加しない状態で、試料
ステージを移動してビームの偏向中心で試料上の各マー
クの位置を測定する第１の工程と、前記加減速電圧を印
加した状態で試料ステージを移動してビームの偏向中心
で試料上の各マークの位置を測定する第２の工程と、第
１の工程によるマーク位置と第２の工程によるマーク位
置との差から、加減速電圧の印加の有無による試料位置
に対するビーム位置ずれ量を求める第３の工程と、前記加減速電圧を印加しない状態で、試料ステージ中心
付近でビームを偏向して試料上の各マークの位置を測定
する第４の工程と、前記加減速電圧を印加した状態で、
ステージ中心付近でビームを偏向して試料上の各マーク
の位置を測定する第５の工程と、第４の工程によるマー
ク位置と第５の工程によるマーク位置との差から、第３
の工程で求めたステージ中心付近におけるビーム位置ず
れ量を減じることにより、加減速電圧の印加の有無によ
るビーム偏向量に対するビーム位置ずれ量を求める第６
の工程と、第３の工程で求めた試料位置に対するビーム位置ずれ量
と第６の工程で求めたビーム偏向量に対するビーム位置
ずれ量を基に、加減速電圧の印加の有無によるビーム位
置の補正量を決定する第７の工程とを含むことを特徴と
する請求項１記載の荷電ビーム露光方法。
【請求項４】前記加減速電圧を印加しない状態で、試料
ステージを移動してビームの偏向中心で試料上の各マー
クの位置を測定する第１の工程と、前記加減速電圧を印
加しない状態で、試料ステージ中心付近でビームを偏向
して試料上の各マークの位置を測定する第２の工程と、
前記加減速電圧を印加した状態で試料ステージを移動し
てビームの偏向中心で試料上の各マークの位置を測定す
る第３の工程と、前記加減速電圧を印加した状態で、試
料ステージ中心付近でビームを偏向して試料上の各マー
クの位置を測定する第４の工程と、第１の工程によるマーク位置と第３の工程によるマーク
位置との差から、加減速電圧の印加の有無による試料位
置に対するビーム位置ずれ量を求める第５の工程と、第２の工程によるマーク位置と第４の工程によるマーク
位置との差から、第５の工程で求めたステージ中心付近
におけるビーム位置ずれ量を減じることにより、加減速
電圧の印加の有無によるビーム偏向量に対するビーム位
置ずれ量を求める第６の工程と、第５の工程で求めた試料位置に対するビーム位置ずれ量
と第６の工程で求めたビーム偏向量に対するビーム位置
ずれ量を基に、ビーム位置に対して補正量を決定する第
７の工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の荷電
ビーム露光方法。
【請求項５】荷電ビーム源から発生された荷電ビームを
所望の形状に整形するためのアパーチャと、前記アパー
チャにより整形されたビームを試料面上に結像させるた
めの縮小レンズ及び対物レンズと、前記試料面上のビー
ム位置を制御する対物偏向器と、前記試料面上に入射す
るビームの速度を加減速するための電源と、前記電源か
らの加減速電圧の有無によるビーム位置ずれを、試料面
上の位置とビーム偏向量を基に補正する手段とを具備し
てなることを特徴とする荷電ビーム露光装置。