JPH0330415A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
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- JPH0330415A JPH0330415A JP1164011A JP16401189A JPH0330415A JP H0330415 A JPH0330415 A JP H0330415A JP 1164011 A JP1164011 A JP 1164011A JP 16401189 A JP16401189 A JP 16401189A JP H0330415 A JPH0330415 A JP H0330415A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- shifting
- sample
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Links
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、電子線描画装置における試料台移動に係り、
試料台移動方向に依存する補正量データを付加すること
により、スループットを低下させることなく、高精度描
画に好適な試料台移動手段を提供する。
試料台移動方向に依存する補正量データを付加すること
により、スループットを低下させることなく、高精度描
画に好適な試料台移動手段を提供する。
試料台移動量を補正することにより、任意の位置歪を伴
う電子線描画装置については、上記出願があるが、移動
方向と直前の移動した右部に依存する補正手段について
は配慮されていなかった。
う電子線描画装置については、上記出願があるが、移動
方向と直前の移動した右部に依存する補正手段について
は配慮されていなかった。
電子線描画装置において、試料台の移動方向に依存する
微少なヒステリシスは、描画精度の向上に伴って、無視
できない量となってきた。従来方式では、この問題に対
し試料台の移動を一方向とすることによって対処した。
微少なヒステリシスは、描画精度の向上に伴って、無視
できない量となってきた。従来方式では、この問題に対
し試料台の移動を一方向とすることによって対処した。
しかし、この方式では、試料台移動量の増大により描画
スループットが低下するという問題があった。
スループットが低下するという問題があった。
本発明の目的は、描画スループットを低下させることな
く、試料台の移動方向に依存する微少ヒステリシスを防
止することにある。
く、試料台の移動方向に依存する微少ヒステリシスを防
止することにある。
（課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、試料台の移動する方向と直
前に移動した方向に依存する移動量補正データをコンピ
ュータ等の記憶装置に設定しておく、さらに試料台の移
動する方向と直前に移動した方向を判断する機能を付加
する。これにより、試料台移動毎に対応する移動量補正
データを記憶装置より読み出し１本来の試料台移動量に
加算補正して試料台を移動することにより微小ヒステリ
シスを防ぎ、スループットを低下させることなく、高精
度描画を実現したものである。
前に移動した方向に依存する移動量補正データをコンピ
ュータ等の記憶装置に設定しておく、さらに試料台の移
動する方向と直前に移動した方向を判断する機能を付加
する。これにより、試料台移動毎に対応する移動量補正
データを記憶装置より読み出し１本来の試料台移動量に
加算補正して試料台を移動することにより微小ヒステリ
シスを防ぎ、スループットを低下させることなく、高精
度描画を実現したものである。
試料台移動による描画位置精度誤差は、その移動する方
向と直前の移動した方向に依存している場合がある。
向と直前の移動した方向に依存している場合がある。
あらかじめ、その依存関係と誤差量を計測しておけば、
誤差量に対する補正量データを依存関係別に保持してお
き、試料台移動時にその方向による依存関係を判断、対
応する補正量データを取り出し、試料台移動量に加算補
正を実施しながら、描画を継続することができるので、
スループットを低下させることなく、高精度描画をする
ことができる。
誤差量に対する補正量データを依存関係別に保持してお
き、試料台移動時にその方向による依存関係を判断、対
応する補正量データを取り出し、試料台移動量に加算補
正を実施しながら、描画を継続することができるので、
スループットを低下させることなく、高精度描画をする
ことができる。
以下、図を用いて電子線描画装置の概念及び本発明の詳
細な説明する。
細な説明する。
電子線描画装置は加速された電子線１をレンズ２によっ
て所望の形状と電流密度を得るように制御すると同時に
、偏向器３と偏向制御回路１５により電子線照射位置を
コントロールする。一方電子線が照射される試料１８は
試料台１０上に設置され、試料台１０はあらかじめコン
ピュータ１４から指定された目標位置に従って試料台制
御回路１３がサーボ機構９を制御し、１ノーザ干渉測定
計によって精度良く試料台の位置計測を行う。レーザ干
渉測定計は光源１１から出た光をハーフミラ−により標
準光と測定光に分け、干渉の明暗のパルスを受光器１２
で読むことにより位置計測を行う、下地に描かれたパタ
ーンの上に次の層のパターンを精度良＜ｍ１ｉｉするた
めに、試料１８上のマーク１９を電子ビームで走査し反
射電子信号のレベル変化を反射電子検出器４及びマーク
検出回路１６で検出し、正確な位置を決定する。
て所望の形状と電流密度を得るように制御すると同時に
、偏向器３と偏向制御回路１５により電子線照射位置を
コントロールする。一方電子線が照射される試料１８は
試料台１０上に設置され、試料台１０はあらかじめコン
ピュータ１４から指定された目標位置に従って試料台制
御回路１３がサーボ機構９を制御し、１ノーザ干渉測定
計によって精度良く試料台の位置計測を行う。レーザ干
渉測定計は光源１１から出た光をハーフミラ−により標
準光と測定光に分け、干渉の明暗のパルスを受光器１２
で読むことにより位置計測を行う、下地に描かれたパタ
ーンの上に次の層のパターンを精度良＜ｍ１ｉｉするた
めに、試料１８上のマーク１９を電子ビームで走査し反
射電子信号のレベル変化を反射電子検出器４及びマーク
検出回路１６で検出し、正確な位置を決定する。
ここで、第４図に示す試料台の移動する方向と直前に移
動した方向に依存する移動量補正データｘ＊ｉｐ ｙｊ
Ｊ（ｉ＝１〜４．ｊ＝１〜４）を、あらかじめ補正デー
タ無しの状態で描画したパターンの位置精度と試料台移
動方向の関係より求めておく、第３図の（ａ）は試料台
Ｙスネーク移動描画時の位置精度誤差の例である。理想
的な位Ｍ２０に対して実際の描画位置２１が試料台移動
方向に依存して歪んでいることが測定できる。仮にこの
誤差を各魚具に約０．０５μｍとすると、第４図におい
て、次のように補正量を決定する。
動した方向に依存する移動量補正データｘ＊ｉｐ ｙｊ
Ｊ（ｉ＝１〜４．ｊ＝１〜４）を、あらかじめ補正デー
タ無しの状態で描画したパターンの位置精度と試料台移
動方向の関係より求めておく、第３図の（ａ）は試料台
Ｙスネーク移動描画時の位置精度誤差の例である。理想
的な位Ｍ２０に対して実際の描画位置２１が試料台移動
方向に依存して歪んでいることが測定できる。仮にこの
誤差を各魚具に約０．０５μｍとすると、第４図におい
て、次のように補正量を決定する。
ｙａａ＝０．０５ ［μｍコ
ｙ４番＝−０．０５ ［μｍコ
ｘ１ａ＝ｏ、０５ ［／Ａｍ］
ｙｚ４＝ｏ、０５ ［ｕｍｌ
ｘｘｓ＝ｏ、０５ ［ＪＪｍ］
ｙｉａ＝ ０．０５ ［ＪＡｍ］
上記以外のｘｉａ、 ｙｔＪ＝０
これらの補正量をコンピュータ１４に格納保持しておく
。
。
描画が開始されると、試料台移動目標値Ｘ、Ｙが計算さ
れ、この移動方向及び前回移動した方向からコンピュー
タに格納しである移動量補正データＸｉＪ、 ｙｔａを
取り出し、補正後の移動目標値Ｘ’ 、Ｙ’ を計算す
る。
れ、この移動方向及び前回移動した方向からコンピュー
タに格納しである移動量補正データＸｉＪ、 ｙｔａを
取り出し、補正後の移動目標値Ｘ’ 、Ｙ’ を計算す
る。
Ｘ ’ ： Ｘ ＋ Ｘ ｉ ａ
Ｙ’：Ｙ＋）ｒ＋Ｊ
試料台をＸ’ 、Ｙ’ を目標値として移動させ、パタ
ーン描画を実施することにより、本来の目的位置である
Ｘ、Ｙ上にパターンが描画される。この結果第３図の（
ｂ）のように位置精度の効果があった。
ーン描画を実施することにより、本来の目的位置である
Ｘ、Ｙ上にパターンが描画される。この結果第３図の（
ｂ）のように位置精度の効果があった。
これらの工程を第５図のフローチャートで示す。
本発明によれば、試料台移動方向に依存するヒステリシ
スを、スルーブツトを低下させることなく防止でき、位
置精度向上に効果がある。
スを、スルーブツトを低下させることなく防止でき、位
置精度向上に効果がある。
第１図は本発明の全体構成図、第２図は試料台を上面よ
り見た図、第３図は本発明による効果例を示す図、第４
図は試料台移動方向依存別補正量保持例を示す図、第５
図はパターン描画工程のフローチャートである。 １・・・電子ビーム、２・・・レンズ、３・・・偏向器
、４・・・反射電子検出器、７・・・標準マーク、８・
・・ミラー９・・・駆動系、１０・・・試料台、１１．
１２・・・レーザ干渉計、１３・・・試料台制御系、１
４・・・コンピュータ、１５・・・偏向制御系、１６・
・・マーク検出回路、１８・・・試料、１９・・・マー
ク、２０・・・理想位置、２１・・・描画位置。
り見た図、第３図は本発明による効果例を示す図、第４
図は試料台移動方向依存別補正量保持例を示す図、第５
図はパターン描画工程のフローチャートである。 １・・・電子ビーム、２・・・レンズ、３・・・偏向器
、４・・・反射電子検出器、７・・・標準マーク、８・
・・ミラー９・・・駆動系、１０・・・試料台、１１．
１２・・・レーザ干渉計、１３・・・試料台制御系、１
４・・・コンピュータ、１５・・・偏向制御系、１６・
・・マーク検出回路、１８・・・試料、１９・・・マー
ク、２０・・・理想位置、２１・・・描画位置。
Claims (1)
- １、電子ビームを所望の形状と電流密度に制御するため
の電子レンズと、該電子ビームを所望の位置に照射する
ための電子ビーム偏向器と、該電子ビームを試料表面上
の所望の位置に照射するための移動台と該移動台の位置
計測を行なうレーザ干渉計を有するステップアンドリピ
ート方式の電子線描画装置において、試料台の移動する
方向と直前の移動した方向に依存する移動量補正データ
を保持する手段を有し、試料台の移動毎に、移動する方
向と直前に移動した方向に従つて、保持されている移動
量補正データを取り出し、試料台移動目標値に加算補正
することを特徴とした電子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1164011A JPH0330415A (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1164011A JPH0330415A (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 電子線描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330415A true JPH0330415A (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15785078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1164011A Pending JPH0330415A (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0330415A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544698B1 (en) | 2001-06-27 | 2003-04-08 | University Of South Florida | Maskless 2-D and 3-D pattern generation photolithography |
| US6764796B2 (en) | 2001-06-27 | 2004-07-20 | University Of South Florida | Maskless photolithography using plasma displays |
| US6998219B2 (en) | 2001-06-27 | 2006-02-14 | University Of South Florida | Maskless photolithography for etching and deposition |
| US7271877B2 (en) | 2001-06-27 | 2007-09-18 | University Of South Florida | Method and apparatus for maskless photolithography |
| US7468238B2 (en) | 2001-06-27 | 2008-12-23 | University Of South Florida | Maskless photolithography for using photoreactive agents |
-
1989
- 1989-06-28 JP JP1164011A patent/JPH0330415A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544698B1 (en) | 2001-06-27 | 2003-04-08 | University Of South Florida | Maskless 2-D and 3-D pattern generation photolithography |
| US6764796B2 (en) | 2001-06-27 | 2004-07-20 | University Of South Florida | Maskless photolithography using plasma displays |
| US6998219B2 (en) | 2001-06-27 | 2006-02-14 | University Of South Florida | Maskless photolithography for etching and deposition |
| US7271877B2 (en) | 2001-06-27 | 2007-09-18 | University Of South Florida | Method and apparatus for maskless photolithography |
| US7468238B2 (en) | 2001-06-27 | 2008-12-23 | University Of South Florida | Maskless photolithography for using photoreactive agents |
| US7573561B2 (en) | 2001-06-27 | 2009-08-11 | University Of South Florida | Method and apparatus for maskless photolithography |
| US7572573B2 (en) | 2001-06-27 | 2009-08-11 | University Of South Florida | Maskless photolithography for etching and deposition |
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