JPH11135413A - 描画方法 - Google Patents
描画方法Info
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- JPH11135413A JPH11135413A JP9312904A JP31290497A JPH11135413A JP H11135413 A JPH11135413 A JP H11135413A JP 9312904 A JP9312904 A JP 9312904A JP 31290497 A JP31290497 A JP 31290497A JP H11135413 A JPH11135413 A JP H11135413A
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- Japan
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- pattern
- distortion
- exposure
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70458—Mix-and-match, i.e. multiple exposures of the same area using a similar type of exposure apparatus, e.g. multiple exposures using a UV apparatus
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ミックスアンドマッチ法における重ね合わせ
精度を向上させる。 【解決手段】 光投影露光により試料上に形成される第
１のパターンと整合するように第２のパターンをスキャ
ナで描画するために、第１のパターンの理想パターンに
対するずれを示す歪みマップを作成し、第２のパターン
の描画情報を該マップに示されたずれ情報に基づき補正
しながら前記スキャナで描画する描画方法において、前
記歪みマップを、前記光投影露光を行なう装置の１台ま
たは１機種ごとに用意された標準マップに対し、前記第
１のパターンの形状に応じた補正を施して作成する。
精度を向上させる。 【解決手段】 光投影露光により試料上に形成される第
１のパターンと整合するように第２のパターンをスキャ
ナで描画するために、第１のパターンの理想パターンに
対するずれを示す歪みマップを作成し、第２のパターン
の描画情報を該マップに示されたずれ情報に基づき補正
しながら前記スキャナで描画する描画方法において、前
記歪みマップを、前記光投影露光を行なう装置の１台ま
たは１機種ごとに用意された標準マップに対し、前記第
１のパターンの形状に応じた補正を施して作成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ステッパ等の光投
影露光装置と電子ビーム描画装置等のスキャナとを併用
して半導体デバイス等の微細パターンを形成する際の、
スキャナによる描画方法に関する。
影露光装置と電子ビーム描画装置等のスキャナとを併用
して半導体デバイス等の微細パターンを形成する際の、
スキャナによる描画方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路に対する高密度
化、高集積度化に対する要求はますます高まっている。
特に線幅０．１５μｍ以下の高集積度を目指すとなる
と、従来の光（Ｘ線を含む）を用いる露光装置では対応
できず、電子ビームやイオンビームを用いて描画するス
キャナで露光することになる。しかし、このようなスキ
ャナは光露光装置に比べてスループットが極めて低いと
いう問題がある。そこで、比較的低い解像度が許される
レイヤの露光には光露光装置を用い、高解像度または高
精度を要するレイヤのみをスキャナで露光する、ミック
スアンドマッチ（またはハイブリッド露光）と呼ばれる
方法が提案されている（特許第２６２５１２４号、特開
昭６２−５８６２１号、特開昭６２−１４９１２７号
等）。
化、高集積度化に対する要求はますます高まっている。
特に線幅０．１５μｍ以下の高集積度を目指すとなる
と、従来の光（Ｘ線を含む）を用いる露光装置では対応
できず、電子ビームやイオンビームを用いて描画するス
キャナで露光することになる。しかし、このようなスキ
ャナは光露光装置に比べてスループットが極めて低いと
いう問題がある。そこで、比較的低い解像度が許される
レイヤの露光には光露光装置を用い、高解像度または高
精度を要するレイヤのみをスキャナで露光する、ミック
スアンドマッチ（またはハイブリッド露光）と呼ばれる
方法が提案されている（特許第２６２５１２４号、特開
昭６２−５８６２１号、特開昭６２−１４９１２７号
等）。
【０００３】ところで、このようなミックスアンドマッ
チ法において、光投影露光装置では、レチクルのパター
ンをウエハ上に結像する投影光学系の癖（主に収差）に
より露光されたパターンに歪みを生じる。一方、スキャ
ナはそのビームの照射位置を比較的自由に制御すること
ができる。
チ法において、光投影露光装置では、レチクルのパター
ンをウエハ上に結像する投影光学系の癖（主に収差）に
より露光されたパターンに歪みを生じる。一方、スキャ
ナはそのビームの照射位置を比較的自由に制御すること
ができる。
【０００４】そこで、例えば前記特開昭６２−５８６２
１号においては、ミックスアンドマッチに用いる光投影
露光装置を用い、ウエハのほぼ中央部の、その露光装置
の最大露光領域に相当する正方形のエリア内に露光歪み
測定用マークをマトリックス状に多数形成し、このマー
ク位置を実測して、前記エリア内の例えば２５０μｍ□
の補正フィールド（補正格子）ごとに露光歪み量を求
め、この露光歪み量のマップを歪み補正マップとしてス
キャナのメモリに記憶させ、スキャナでは、この露光歪
み量にしたがって描画データを補正して描画する。この
ように、前記光投影露光装置で露光して形成されたパタ
ーンの、該露光装置の投影光学系の癖に起因する歪みに
合わせて描画パターンを歪ませることにより、該露光パ
ターン上に高精度に整合させたパターンを描画するよう
にしている。
１号においては、ミックスアンドマッチに用いる光投影
露光装置を用い、ウエハのほぼ中央部の、その露光装置
の最大露光領域に相当する正方形のエリア内に露光歪み
測定用マークをマトリックス状に多数形成し、このマー
ク位置を実測して、前記エリア内の例えば２５０μｍ□
の補正フィールド（補正格子）ごとに露光歪み量を求
め、この露光歪み量のマップを歪み補正マップとしてス
キャナのメモリに記憶させ、スキャナでは、この露光歪
み量にしたがって描画データを補正して描画する。この
ように、前記光投影露光装置で露光して形成されたパタ
ーンの、該露光装置の投影光学系の癖に起因する歪みに
合わせて描画パターンを歪ませることにより、該露光パ
ターン上に高精度に整合させたパターンを描画するよう
にしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のミ
ックスアンドマッチ法では、スキャナによる描画時、歪
み補正マップは標準のものが１種類だけ用いられるのが
通常であった。
ックスアンドマッチ法では、スキャナによる描画時、歪
み補正マップは標準のものが１種類だけ用いられるのが
通常であった。
【０００６】しかしながら、本発明者らの最近の研究に
より、光投影露光装置の投影光学系に起因する歪み（投
影光学系の収差）は、一定のものではなく、投影すべき
パターンの形状（線幅、本数、ピッチ、配列方向等）、
レチクル上のパターンを形成する遮光材（Ｃｒ膜等）の
厚み、投影光学系自体の使用時のＮＡ、およびそれとレ
チクルを照明する光学系のＮＡとの比（σ）等に応じて
変化することが判明した。
より、光投影露光装置の投影光学系に起因する歪み（投
影光学系の収差）は、一定のものではなく、投影すべき
パターンの形状（線幅、本数、ピッチ、配列方向等）、
レチクル上のパターンを形成する遮光材（Ｃｒ膜等）の
厚み、投影光学系自体の使用時のＮＡ、およびそれとレ
チクルを照明する光学系のＮＡとの比（σ）等に応じて
変化することが判明した。
【０００７】本発明は、ミックスアンドマッチ法におい
て、重ね合わせ精度の向上を図ることを目的とする。
て、重ね合わせ精度の向上を図ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明は、光投影露光により試料上に形成される第１
のパターンと整合するように第２のパターンをスキャナ
で描画するために、第１のパターンの理想パターンに対
するずれを示す歪みマップを作成し、第２のパターンの
描画情報を該マップに示されたずれ情報に基づき補正し
ながら前記スキャナで描画する描画方法において、前記
光投影露光を行なう装置の１台または１機種ごとに用意
された標準マップに対し、前記第１のパターンの形状、
例えばパターンの線幅、本数、ピッチおよび配列方向な
らびにパターンを露光するための原版における遮光材料
の厚み等に応じた補正を施して前記歪みマップを作成す
ることを特徴とする。
め本発明は、光投影露光により試料上に形成される第１
のパターンと整合するように第２のパターンをスキャナ
で描画するために、第１のパターンの理想パターンに対
するずれを示す歪みマップを作成し、第２のパターンの
描画情報を該マップに示されたずれ情報に基づき補正し
ながら前記スキャナで描画する描画方法において、前記
光投影露光を行なう装置の１台または１機種ごとに用意
された標準マップに対し、前記第１のパターンの形状、
例えばパターンの線幅、本数、ピッチおよび配列方向な
らびにパターンを露光するための原版における遮光材料
の厚み等に応じた補正を施して前記歪みマップを作成す
ることを特徴とする。
【０００９】
【作用および効果】上記構成によれば、従来は知られて
いなかったかまたは無視されていた条件をも考慮し、必
要ならばショットごとに、歪み補正マップを作成するよ
うにしたため、従来よりも微細なパターンを高精度で重
ね合わせることができるようになった。
いなかったかまたは無視されていた条件をも考慮し、必
要ならばショットごとに、歪み補正マップを作成するよ
うにしたため、従来よりも微細なパターンを高精度で重
ね合わせることができるようになった。
【００１０】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。第１の実施例 図１は本発明の一実施例に係る縮小投影露光装置（ステ
ッパ）の構成を示す。同図において、６は遮光部がＣｒ
膜からなる回路パターンを有するレチクル、１０はレチ
クル６を照明する照明光束、７は不図示の搬送手段によ
り載置されたレチクル６を照明光束１０下の所定の位置
に位置決めするためのレチクルステージ、８はレチクル
ステージ７を支持するレチクルベース、４は半導体デバ
イス作成用のウエハ、５は照明光束１０による照明領域
９におけるレチクル６の像をウエハ４上に投影する投影
光学系、１は床等に設置されたウエハベース、２はウエ
ハ４を搭載して投影光学系５の光軸と垂直な方向（ＸＹ
方向）に移動するウエハステージ、３はウエハを投影光
学系５の光軸方向（Ｚ方向）ならびにＸ軸回り（ωＸ）
およびＹ軸回り（ωＹ）に駆動するフォーカスレベリン
グステージである。
る。第１の実施例 図１は本発明の一実施例に係る縮小投影露光装置（ステ
ッパ）の構成を示す。同図において、６は遮光部がＣｒ
膜からなる回路パターンを有するレチクル、１０はレチ
クル６を照明する照明光束、７は不図示の搬送手段によ
り載置されたレチクル６を照明光束１０下の所定の位置
に位置決めするためのレチクルステージ、８はレチクル
ステージ７を支持するレチクルベース、４は半導体デバ
イス作成用のウエハ、５は照明光束１０による照明領域
９におけるレチクル６の像をウエハ４上に投影する投影
光学系、１は床等に設置されたウエハベース、２はウエ
ハ４を搭載して投影光学系５の光軸と垂直な方向（ＸＹ
方向）に移動するウエハステージ、３はウエハを投影光
学系５の光軸方向（Ｚ方向）ならびにＸ軸回り（ωＸ）
およびＹ軸回り（ωＹ）に駆動するフォーカスレベリン
グステージである。
【００１１】図２は本発明の一実施例に係る電子ビーム
露光装置（以下、ＥＢ装置という）の概略の構成を示
す。同図において、１１０は電子銃で、この電子銃１１
０から放射された電子ビーム１１１は各種電磁レンズ１
０５、ブランキング用および走査用の偏向板１０６を介
してウエハ１０４上に照射される。ウエハ１０４はウエ
ハステージ１０２上に載置されている。ウエハステージ
１０２は不図示の駆動部によってＸ方向（紙面左右方
向）およびＹ方向（紙面表裏方向）に駆動され、その座
標位置は不図示のレーザ干渉計により逐次精密に計測さ
れる。１０３はウエハをＺ方向（紙面上下方向）ならび
にＸ軸回り（ωＸ）およびＹ軸回り（ωＹ）に駆動する
フォーカスレベリングステージである。
露光装置（以下、ＥＢ装置という）の概略の構成を示
す。同図において、１１０は電子銃で、この電子銃１１
０から放射された電子ビーム１１１は各種電磁レンズ１
０５、ブランキング用および走査用の偏向板１０６を介
してウエハ１０４上に照射される。ウエハ１０４はウエ
ハステージ１０２上に載置されている。ウエハステージ
１０２は不図示の駆動部によってＸ方向（紙面左右方
向）およびＹ方向（紙面表裏方向）に駆動され、その座
標位置は不図示のレーザ干渉計により逐次精密に計測さ
れる。１０３はウエハをＺ方向（紙面上下方向）ならび
にＸ軸回り（ωＸ）およびＹ軸回り（ωＹ）に駆動する
フォーカスレベリングステージである。
【００１２】図２のＥＢ装置の最大偏向範囲（露光エリ
ア）は、図１のステッパによる露光エリアよりもずっと
小さい。そこで、図２のＥＢ装置では、図３に示すよう
にステッパによる露光エリア（光露光エリア）１８を縦
と横にそれぞれ６等分して３６個のサブエリア（ＥＢ露
光エリア）１１８を設定し、各サブエリアを１つずつ電
子ビームで走査して露光していく。そのとき、サブエリ
アごとにＸＹおよびＺ方向の位置合わせを行なう。
ア）は、図１のステッパによる露光エリアよりもずっと
小さい。そこで、図２のＥＢ装置では、図３に示すよう
にステッパによる露光エリア（光露光エリア）１８を縦
と横にそれぞれ６等分して３６個のサブエリア（ＥＢ露
光エリア）１１８を設定し、各サブエリアを１つずつ電
子ビームで走査して露光していく。そのとき、サブエリ
アごとにＸＹおよびＺ方向の位置合わせを行なう。
【００１３】ＥＢ露光エリア１１８のＸＹ方向の位置
（ＡＡ）は、例えば、図１のステッパで用いるのと共通
のアライメントマーク１１９（図３）を二次電子検出器
１１５により検出して露光エリア１８の位置を検出し、
これに後述する方法で求めた露光エリア１８のディスト
ーション補正情報を加味して露光エリア１８内の各ＥＢ
露光エリア１１８の位置を求める。さらに、この位置
（ＡＡ）情報とウエハステージ１０２の位置を計測する
レーザ干渉計の計測値とに基づいてウエハステージ１０
２を駆動して各ＥＢ露光エリア１１８を電子ビーム１１
１の偏向中心に対して位置合わせする。１０７はレーザ
干渉計による測長用のミラーである。
（ＡＡ）は、例えば、図１のステッパで用いるのと共通
のアライメントマーク１１９（図３）を二次電子検出器
１１５により検出して露光エリア１８の位置を検出し、
これに後述する方法で求めた露光エリア１８のディスト
ーション補正情報を加味して露光エリア１８内の各ＥＢ
露光エリア１１８の位置を求める。さらに、この位置
（ＡＡ）情報とウエハステージ１０２の位置を計測する
レーザ干渉計の計測値とに基づいてウエハステージ１０
２を駆動して各ＥＢ露光エリア１１８を電子ビーム１１
１の偏向中心に対して位置合わせする。１０７はレーザ
干渉計による測長用のミラーである。
【００１４】次に、図４を参照しながら、ディストーシ
ョン補正用標準マップの作成方法を説明する。この標準
マップの作成方法は、前記特開昭６２−５８６２１号に
記載された方法と実質同じである。まず、ステップＳ４
１では、図１のステッパを用いて、図３に示すような十
字マークからなるディストーション測定用マーク１２０
およびアライメントマーク１１９をマトリックス状に配
置したパターンをウエハのほぼ中央に焼き付けて、ディ
ストーションサンプルウエハを作成する。ここでは、実
素子を製造する際の図１のステッパを用いる工程とでき
るだけ同じ条件（ＮＡ、σ、露光量、周囲温度、気圧、
レチクルのＣｒ厚等）で焼き付けを行なう。
ョン補正用標準マップの作成方法を説明する。この標準
マップの作成方法は、前記特開昭６２−５８６２１号に
記載された方法と実質同じである。まず、ステップＳ４
１では、図１のステッパを用いて、図３に示すような十
字マークからなるディストーション測定用マーク１２０
およびアライメントマーク１１９をマトリックス状に配
置したパターンをウエハのほぼ中央に焼き付けて、ディ
ストーションサンプルウエハを作成する。ここでは、実
素子を製造する際の図１のステッパを用いる工程とでき
るだけ同じ条件（ＮＡ、σ、露光量、周囲温度、気圧、
レチクルのＣｒ厚等）で焼き付けを行なう。
【００１５】次に、ステップＳ４２で、上記サンプルウ
エハを図２のＥＢ装置のウエハステージ１０２に載置
し、上述のようにアライメントマーク１１９を二次電子
検出器１１５によって検出することにより、サンプルウ
エハをアライメントし、二次電子検出器１１５によって
各ＥＢ露光エリア１１８内のディストーション測定用マ
ーク１２０の理想位置からの位置ずれ検出する。
エハを図２のＥＢ装置のウエハステージ１０２に載置
し、上述のようにアライメントマーク１１９を二次電子
検出器１１５によって検出することにより、サンプルウ
エハをアライメントし、二次電子検出器１１５によって
各ＥＢ露光エリア１１８内のディストーション測定用マ
ーク１２０の理想位置からの位置ずれ検出する。
【００１６】ステップＳ４３では、各ディストーション
測定用マークの位置ずれの測定結果に基づいてサンプル
ウエハの歪みの状態を高次の多項式で近似し、光露光領
域１８内に任意に設定した例えば５０μｍ□の補正格子
ごとにディストーション量を算出する。この算出結果は
ディストーション補正用標準マップとして図２のＥＢ装
置の図示しないメモリに格納される。
測定用マークの位置ずれの測定結果に基づいてサンプル
ウエハの歪みの状態を高次の多項式で近似し、光露光領
域１８内に任意に設定した例えば５０μｍ□の補正格子
ごとにディストーション量を算出する。この算出結果は
ディストーション補正用標準マップとして図２のＥＢ装
置の図示しないメモリに格納される。
【００１７】一方、前記サンプルウエハと露光条件がこ
となる場合のパターン歪みの変化を実験的もしくは理論
的に、またはシミュレーション等により求めておき、こ
れを露光パラメータと歪みの変化との関係式またはテー
ブルの形で上記メモリに格納しておく。
となる場合のパターン歪みの変化を実験的もしくは理論
的に、またはシミュレーション等により求めておき、こ
れを露光パラメータと歪みの変化との関係式またはテー
ブルの形で上記メモリに格納しておく。
【００１８】例えば、図５は、名目のコマ収差が−λ／
２０およびλ／４、σが１．０と０．５の場合につい
て、レチクルのＣｒ厚（ＳＨ）と焼きつけられたパター
ンエッジの対称性（ＳＯＩ）との関係を示す。対称性が
高い程歪み（焼き付け結果から見た収差）が少ないこと
を意味する。
２０およびλ／４、σが１．０と０．５の場合につい
て、レチクルのＣｒ厚（ＳＨ）と焼きつけられたパター
ンエッジの対称性（ＳＯＩ）との関係を示す。対称性が
高い程歪み（焼き付け結果から見た収差）が少ないこと
を意味する。
【００１９】図２のＥＢ装置においては、図１の光露光
装置を用いて実素子パターンを露光した際の露光パラメ
ータをオンライン、またはオフラインなら磁気媒体もし
くは光ディスクなどを用いてオフラインで受け取り、上
記メモリ内の関係式またはテーブルにしたがってディス
トーション補正用標準マップのデータを補正することに
より、その実素子を製造する際の図２のＥＢ装置による
描画データを補正するためのディストーション補正マッ
プを作成する。
装置を用いて実素子パターンを露光した際の露光パラメ
ータをオンライン、またはオフラインなら磁気媒体もし
くは光ディスクなどを用いてオフラインで受け取り、上
記メモリ内の関係式またはテーブルにしたがってディス
トーション補正用標準マップのデータを補正することに
より、その実素子を製造する際の図２のＥＢ装置による
描画データを補正するためのディストーション補正マッ
プを作成する。
【００２０】上記図２のＥＢ装置により実素子パターン
を露光する際には、上記のようにして作成したディスト
ーション補正マップにしたがって、描画データを補正し
ながら描画（露光）する。
を露光する際には、上記のようにして作成したディスト
ーション補正マップにしたがって、描画データを補正し
ながら描画（露光）する。
【００２１】なお、上述の実施例においては、実測によ
りディストーション補正用標準マップを作成したが、こ
れをシミュレーション等により、または理論的に求めて
もよい。また、上述においては、ディストーション計測
用パターンを１つだけ形成したが、同一ウエハ上に複数
個を形成し、各パターンの露光時の露光パラメータと歪
みデータの差より歪みデータ変化要因を求めるようにし
てもよい。さらに、ディストーション補正マップは、そ
の歪みデータの変化の程度および要求される重ね合わせ
精度に応じてショットごと、ウエハごとおよび／または
ロットごとに作成してもよい。
りディストーション補正用標準マップを作成したが、こ
れをシミュレーション等により、または理論的に求めて
もよい。また、上述においては、ディストーション計測
用パターンを１つだけ形成したが、同一ウエハ上に複数
個を形成し、各パターンの露光時の露光パラメータと歪
みデータの差より歪みデータ変化要因を求めるようにし
てもよい。さらに、ディストーション補正マップは、そ
の歪みデータの変化の程度および要求される重ね合わせ
精度に応じてショットごと、ウエハごとおよび／または
ロットごとに作成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係る縮小投影露光装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】 本発明の一実施例に係る電子ビーム描画装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図３】 図２の装置による露光エリアの様子を示す説
明図である。
明図である。
【図４】 図１の装置の動作説明のためのフローチャー
トである。
トである。
【図５】 歪み変動要因の一例を示す図である。
１：ウエハベース、２：ウエハステージ、３：フォーカ
スレベリングステージ、４：ウエハ、５：投影光学系、
６：レチクル、７：レチクルステージ、８：レチクルベ
ース、９：照明領域、１０：照明光束、１０２：ウエハ
ステージ、１８：光露光エリア、１０３：フォーカスレ
ベリングステージ、１０４：ウエハ、１０５：電磁レン
ズ、１０６：偏向板、１０７：レーザ干渉測長用ミラ
ー、１１０：電子銃、１１１：電子ビーム、１１５：二
次電子検出器、１１８：ＥＢ露光エリア、１１９：アラ
イメントマーク、１２０：ディストーション測定用マー
ク。
スレベリングステージ、４：ウエハ、５：投影光学系、
６：レチクル、７：レチクルステージ、８：レチクルベ
ース、９：照明領域、１０：照明光束、１０２：ウエハ
ステージ、１８：光露光エリア、１０３：フォーカスレ
ベリングステージ、１０４：ウエハ、１０５：電磁レン
ズ、１０６：偏向板、１０７：レーザ干渉測長用ミラ
ー、１１０：電子銃、１１１：電子ビーム、１１５：二
次電子検出器、１１８：ＥＢ露光エリア、１１９：アラ
イメントマーク、１２０：ディストーション測定用マー
ク。
Claims (7)
- 【請求項１】 光投影露光により試料上に形成される第
１のパターンと整合するように第２のパターンをスキャ
ナで描画するために、第１のパターンの理想パターンに
対するずれを示す歪みマップを作成し、第２のパターン
の描画情報を該マップに示されたずれ情報に基づき補正
しながら前記スキャナで描画する描画方法において、 前記歪みマップを、前記光投影露光を行なう装置の１台
または１機種ごとに用意された標準マップに対し、前記
第１のパターンの形状に応じた補正を施して作成するこ
とを特徴とする描画方法。 - 【請求項２】 前記補正が、前記光投影露光時の露光エ
リアを複数に分割して設定されたサブエリアごとに行な
われることを特徴とする請求項１記載の描画方法。 - 【請求項３】 前記補正が、前記第１のパターンの線
幅、本数、ピッチおよび配列方向に基づいて行なわれる
ことを特徴とする請求項１または２記載の描画方法。 - 【請求項４】 前記補正が、前記第１のパターンを露光
するための原版における遮光材料の厚みに基づいて行な
われることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
の描画方法。 - 【請求項５】 前記補正が、さらに前記光投影露光時の
露光パラメータに基づいて行なわれることを特徴とする
請求項１〜４のいずれかに記載の描画方法。 - 【請求項６】 前記露光パラメータが、前記光投影露光
時の各ショットの露光の順番であり、前記歪みマップが
ショットごとに作成されることを特徴とする請求項５記
載の描画方法。 - 【請求項７】 前記スキャナが電子ビーム描画装置であ
ることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載
の描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9312904A JPH11135413A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9312904A JPH11135413A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135413A true JPH11135413A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=18034865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9312904A Pending JPH11135413A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11135413A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011176046A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 露光方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2017219833A (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-14 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ方法、決定方法、情報処理装置、プログラム及び物品の製造方法 |
| US11782411B2 (en) | 2021-07-28 | 2023-10-10 | Kla Corporation | System and method for mitigating overlay distortion patterns caused by a wafer bonding tool |
| US11829077B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-11-28 | Kla Corporation | System and method for determining post bonding overlay |
| US11852975B2 (en) | 2020-07-08 | 2023-12-26 | International Business Machines Corporation | Electron beam lithography with dynamic fin overlay correction |
-
1997
- 1997-10-30 JP JP9312904A patent/JPH11135413A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011176046A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 露光方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2017219833A (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-14 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ方法、決定方法、情報処理装置、プログラム及び物品の製造方法 |
| US11852975B2 (en) | 2020-07-08 | 2023-12-26 | International Business Machines Corporation | Electron beam lithography with dynamic fin overlay correction |
| US11829077B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-11-28 | Kla Corporation | System and method for determining post bonding overlay |
| US11782411B2 (en) | 2021-07-28 | 2023-10-10 | Kla Corporation | System and method for mitigating overlay distortion patterns caused by a wafer bonding tool |
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