JP2011176046A - 露光方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電子ビーム露光が必要な部分にのみ電子ビーム露光を適用し、残りの部分に対してはレチクル露光を適用する露光方法を提供する。
【解決手段】露光方法は、レチクル露光パターンに基づいてリソグラフィーシミュレーションを実行することにより、レチクル露光により形成されるレジストのパターンを模擬計算により求めたシミュレーションパターンを生成し、目標パターンとシミュレーションパターンとの差分データを生成し、差分データに基づいて第１の電子ビーム露光パターンを生成し、レチクル露光パターンに基づいてレチクルを生成し、レチクルを用いて光による露光処理を行ない、第１の電子ビーム露光パターンに基づいて電子ビームによる露光処理を行なう各段階を含むことを特徴とする。
【選択図】図２３

Description

本願開示は、一般に露光方法及び半導体装置の製造方法に関し、詳しくはレチクル露光及び電子ビーム露光を用いた露光方法及び半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置の製造においては、集積回路の配線パターン等のパターンをリソグラフィ技術により形成する。リソグラフィ技術では、所望のパターンが書かれたレチクル（マスク）を通過させた光を、半導体ウェハ上に塗布された感光剤であるレジストに照射することにより、レジストに所望のパターンを焼き付ける。その後、現像処理により、不要な部分のレジストを取り除き、所望のパターンのレジストを形成する。この際、パターンの細かい部分が正確には再現されず、パターンの角が丸まって後退したり、切り込み部分が丸まって突出したり、線が細くなり切れてしまうといった現象が起こる。

ハイブリッド露光と呼ばれる方法では、レチクルを用いた光照射による露光と、電子ビームによる露光とを併用することにより、パターンの細かい部分まで正確に再現する。一般には、露光パターンのうちのパターン幅が閾値以下の細い線パターン等を電子ビーム露光パターンとする。更に、露光パターンのうちのパターン幅が閾値より大きいパターンについては、その外周部を取り出して電子ビーム露光パターンとする。またそれらのパターン幅が閾値より大きいパターンの内側を取り出してレチクル露光パターンとする。閾値は例えば１００ｎｍに設定される。このようにして生成したレチクル露光パターンに基づいてレチクルを生成し、レチクルを通過した光によりレジストを露光することにより、大まかなパターンを焼き付ける。更に、電子ビーム露光パターンに基づいて電子ビームをレジストに照射することにより、細かいパターン部分の焼き付けを行なう。

しかし電子ビーム露光は一筆書きでパターンを塗りつぶしてゆくので、電子ビーム露光を多用すると、ウェハ作成のスループットが低下するという問題がある。上記のように、全ての細い線パターンと全てのパターン外周部とを単純に電子ビーム露光の対象としたのでは、本来はレチクル露光で十分な精度があり電子ビーム露光が不要な部分までも、時間のかかる電子ビーム露光の対象となってしまう。即ち、単純なパターン判定処理により電子ビーム露光パターンとレチクル露光パターンとに分離すると、電子ビーム露光を必要以上に多用する結果となり、露光処理に時間がかかってしまうことになる。

特許文献１には、線幅及び間隔の閾値をルールとして設定し、露光パターンのうちの互いに対向するパターンエッジを閾値に基づいて抽出し、抽出したパターンエッジ部分を電子ビーム露光パターンとして設定する技術が開示されている。上記部分以外は、レチクル露光パターンとして設定する。しかしながら、単純なルールに基づいて電子ビーム露光部分の数を減らしてしまうと、露光処理に時間がかかるという問題は解決されるものの、電子ビーム露光が好ましい箇所がレチクル露光の対象となってしまい精度が劣化する恐れがある。

特開平０４−１５５８１２号公報

以上を鑑みると、電子ビーム露光が必要な部分にのみ電子ビーム露光を適用し、残りの部分に対してはレチクル露光を適用する露光方法が望まれる。

露光方法は、レチクル露光パターンに基づいてリソグラフィーシミュレーションを実行することにより、レチクル露光により形成されるレジストのパターンを模擬計算により求めたシミュレーションパターンを生成し、目標パターンと前記シミュレーションパターンとの差分データを生成し、前記差分データに基づいて第１の電子ビーム露光パターンを生成し、前記レチクル露光パターンに基づいてレチクルを生成し、前記レチクルを用いて光による露光処理を行ない、前記第１の電子ビーム露光パターンに基づいて電子ビームによる露光処理を行なう各段階を含むことを特徴とする。

半導体装置の製造方法は、回路のレイアウトデータに基づいてレチクル露光パターンを生成し、レチクル露光パターンに基づいてリソグラフィーシミュレーションを実行することにより、レチクル露光により形成されるレジストのパターンを模擬計算により求めたシミュレーションパターンを生成し、目標パターンと前記シミュレーションパターンとの差分データを生成し、前記差分データに基づいて第１の電子ビーム露光パターンを生成し、前記レチクル露光パターンに基づいてレチクルを生成し、半導体ウェハに対し前記レチクルを用いて光による露光処理を行ない、前記半導体ウェハに対し前記第１の電子ビーム露光パターンに基づいて電子ビームによる露光処理を行なう各段階を含むことを特徴とする。

本願開示の少なくとも１つの実施例によれば、リソグラフィーシミュレーションで生成したパターンと目標パターンとの差分に応じて電子ビーム露光パターンを生成するので、電子ビーム露光が必要な部分にのみ電子ビーム露光データを生成することができる。従って、必要な部分にのみ電子ビーム露光を適用し、残りの部分に対してはレチクル露光を適用することで、精密なパターンを短時間でレジストに焼き付けることができる。

露光方法の第１の実施例の処理の流れを示すフローチャートである。 パターンファイルの構造例を示す図である。 分離処理で用いるルールを規定したテーブルの一例である。 パターン分け処理の詳細を示すフローチャートである。 図４のパターン分け処理において差分パターンが突出部の場合の各パターンの処理の様子を示す図である。 図４のパターン分け処理において差分パターンが後退部の場合の各パターンの処理の様子を示す図である。 パターン判断処理を説明するための図である。 パターン種別を判別する処理を説明するための図である。 後退部補正処理の詳細を示すフローチャートである。 突出部補正処理の詳細を示すフローチャートである。 突出部のサイジング処理の様子を示す図である。 レチクル露光パターンの修正処理の様子を示す図である。 電子ビーム露光パターン生成処理の様子を示す図である。 ＯＲ処理による統合を説明するための図である。 露光方法の第２の実施例の処理の流れを示すフローチャートである。 図１５のパターン分け処理の詳細を示すフローチャートである。 露光方法の第３の実施例の処理の流れを示すフローチャートである。 図１７のパターン分け処理の詳細を示すフローチャートである。 図１８のパターン分け処理において差分パターンが突出部の場合の枠生成処理の様子を示す図である。 生成された枠によりレチクル露光パターンを切り取る処理の様子を示す図である。 生成された枠によりレチクル露光パターンの一部が切り取られる様子を示す図である。 露光方法の第４の実施例の処理の流れを示すフローチャートである。 露光方法の第５の実施例の処理の流れを示すフローチャートである。 半導体装置製造方法の一例を示す図である。

以下に、本発明の実施例を添付の図面を用いて詳細に説明する。

図１は、露光方法の第１の実施例の処理の流れを示すフローチャートである。図１に示す露光方法の入力データは入図データ１０である。この入図データ１０は、製造対象の半導体装置の回路のレイアウトデータから生成された露光パターンのデータである。具体的には、パターンを配置する階層を示す情報やパターンの大きさに関するサイジング情報等の変換情報に基づいて、レイアウトデータに対して変換処理を施すことで、露光パターンデータを生成する。

図２は、パターンファイルの構造例を示す図である。図２（ａ）に示す矩形パターンＰ１や、（ｂ）に示すＬ字型パターンＰ２、（ｃ）に示すＵ字型パターンＰ３等が、回路を構成する配線部分等の露光パターンとして与えられる。これらの露光パターンは、パターン毎に別個のデータの纏まりとして提供される。例えば（ａ）の矩形パターンＰ１であれば、４つの座標（Ｘ１，Ｙ１）、（Ｘ２，Ｙ２）、（Ｘ３，Ｙ３）、（Ｘ４，Ｙ４）により定義される。具体的なデータ構造としては、開始点Ｓから終了点Ｅ（開始点Ｓに戻って終了）まで反時計回りに各頂点の座標を並べたデータ「Ｐ１：Ｘ１，Ｙ１，Ｘ２，Ｙ２，Ｘ３，Ｙ３，Ｘ４，Ｙ４，Ｘ１，Ｙ１」により（ａ）の矩形パターンＰ１を定義する。（ｂ）のＬ字型パターンＰ２や（ｃ）のＵ字型パターンＰ３についても同様である。なお、これらの複数のパターンデータは、１つのファイルに纏めて格納されてよい。各パターンの識別子（例えば上記のＰ１，Ｐ２，Ｐ３等）と対にして、対応する図形を定義する頂点列の座標データをファイルに格納すればよい。このようなデータ構造で規定された複数のパターンが、入図データ１０として提供される。

図１に戻り、ステップＳ１において、入図データ１０に対してパターン判断を実行する。このパターン判断では、入図データ１０の入力露光パターンをレチクル露光パターン１１と電子ビーム露光パターン（ＥＢ露光パターン）１２とに分離する。即ち、図２を用いて説明したデータ構造で規定された露光パターンの一個一個が、図１のステップＳ１の分離処理により、レチクル露光パターン１１又は電子ビーム露光パターン１２の何れかに分類されてよい。この際、線幅及び間隔の閾値に基づいて、所定の線幅の閾値以下であり且つ所定の間隔の閾値以下であるパターンを電子ビーム露光パターン１２としてよい。なおステップＳ１の分離処理は、デジタルデータとして与えられた入図データ１０をデジタル計算機を用いて処理することにより実行する。以降の各データ処理についても同様であり、デジタル計算機により実行される。

図３は、分離処理で用いるルールを規定したテーブルの一例である。図３に示すテーブルには、各行にパターンの異なる線幅９０ｎｍ、１００ｎｍ、及び１１０ｎｍが規定され、各列にパターン間の異なる間隔８５ｎｍ、９０ｎｍ、及び９５ｎｍが規定されている。行と列との交差位置に、電子ビーム露光を示すＥＢ又はレチクル露光を示すＲＴが示されている。この例では、着目パターンの線幅が９０ｎｍで且つ隣接パターンとの間隔が８５ｎｍ又は９０ｎｍの場合のみ、当該着目パターンは電子ビーム露光の対象として分類される。即ち、このパターンは電子ビーム露光パターン１２として登録される。また例えばある着目パターンの線幅が１００ｎｍの場合であれば、当該着目パターンは隣接パターンとの間隔に関わらずレチクル露光の対象として分類される。即ち、このパターンはレチクル露光パターン１１として登録される。

図１に戻り、ステップＳ２で、レチクル露光パターン１１の各パターン毎に、ＯＰＣ（光近接補正：Optical Proximity Correction）処理が必要であるか否かを判断する。必要と判断されると、必要と判断されたパターンに対して、ステップＳ３でＯＰＣ処理を実行する。微細な露光パターンの場合、光近接効果の影響で、隣合うパターン同士が接触したり、パターンの角が丸まったり、線が細くなり切れてしまうといった現象が起こる。そこでこのようなパターン変形を予測して、変形を相殺又は緩和するようにパターンデータを加工することで、所望のパターン形状をウェハ上に形成できるような補正処理をする。これがＯＰＣ処理である。ＯＰＣ処理では、光近接効果の補正ルールを示した補正情報に基づいて、レチクル露光パターン１１のデータから補正後のレチクル露光パターン１１Ａを計算する。この補正後のレチクル露光パターン１１Ａに基づいてレチクルを生成して、露光処理を行なうと、光近接効果が低減されて所望の目標パターンに近いレジストパターンが生成される。なおステップＳ２でＯＰＣ処理が不要と判断されると、不要と判断されたパターンはそのままレチクル露光パターン１１Ａに含められる。

ステップＳ４で、レチクル露光パターン１１Ａの各パターン毎に、リソグラフィーシミュレーションを実行する。リソグラフィーシミュレーションは、レチクル露光に用いる光の挙動や感光剤であるレジストの光化学反応をデジタルデータ処理としてシミュレートする。これにより、レチクル露光により形成されるレジストのパターンを模擬計算により求めたシミュレーションパターンを生成する。具体的には、投影光学系におけるレンズの開口数や、照明系のコヒーレントファクタ、露光に用いる光の波長、レチクル露光パターン１１Ａの寸法等の条件を入力し、露光処理を行なう光パターンの空間分布を計算する。更に、レジスト膜中での露光エネルギーの分布を計算し、露光エネルギーに対応したレジストの光化学反応の計算を行い、これらの計算に基づいて現像におけるレジストの溶解量を計算する。これにより現像処理で得られるレジストのパターン形状がシミュレーションパターンとして得られる。

ステップＳ５で、パターン分け処理を実行する。このパターン分け処理では、レチクル露光パターン１１Ａの各パターン毎に、作成したいレジストパターンの形状を示す目標パターン（即ちレチクル露光パターン１１）とシミュレーションパターンとの差分データを生成する。そして、生成した差分データに基づいて、各パターンを補正が必要なパターンと補正が不要なパターンとに分類する。補正不要と判定されたレチクル露光パターン１１Ａは、レチクル作成用のパターンデータの一部であるレチクル露光パターン１１Ｂとしてメモリに格納されて保持される。また、補正必要と判定されたレチクル露光パターン１１Ａは、レチクル露光パターン１３とされ、差分パターン１４と共にメモリに格納され保持される。

図４は、パターン分け処理の詳細を示すフローチャートである。図５は、図４のパターン分け処理において差分パターンが突出部の場合の各パターンの処理の様子を示す図である。図６は、図４のパターン分け処理において差分パターンが後退部の場合の各パターンの処理の様子を示す図である。

図４のステップＳ１において、各シミュレーションパターン毎に、シミュレーションパターンから目標図形パターン（レチクル露光パターン１１）を減算する。なおシミュレーションパターンはマトリクス状に並んだ画素がそれぞれ画素値を有した画像データでよい。これに合わせて、減算処理に用いる目標図形パターンとして、図２で説明したデータ形式により示される形状を有し、画素から構成される画像データを用いるようにすればよい。なお、減算結果がマイナスになる部分はゼロとする。この減算処理は、突出部である差分パターン１４を抽出するものである。ここで差分パターン１４が突出部であるとは、当該差分パターン１４が、レチクル露光パターン１１よりもシミュレーションパターンの方が突出している（目標の大きさよりも大きくなっている）部分の差分パターンであることを意味する。この減算処理の様子が図５に示される。シミュレーションパターン２１から目標図形パターン２２を減算（ＳＵＢ）すると、目標図形パターン２２の部位２２Ａにおいて、シミュレーションパターン２１が目標図形パターン２２よりも突出しているために、突出部２３が得られる。

図４のステップＳ２で、各差分パターン１４（突出部２３）毎に、サイジング処理を実行して微少な差分パターンを削除する。即ち、図５に示されるように、突出部２３に対して、周辺部を一定量削るマイナスサイジング処理を行い、マイナスサイジング後の突出部２４を生成する。この段階で、所定の大きさ以下の突出部２３は消滅する。次に、マイナスサイジング後の突出部２４に対して、周辺部に一定量継ぎ足して膨張されるプラスサイジング処理を行ない、プラスサイジング後の突出部２５を生成する。

図４のステップＳ３で、各突出部２５毎に、補正処理が必要であるか否かを判断する。即ち、突出部２５が無視できる大きさであるのか、或いは補正により除去する必要がある大きさであるのかを判断する。具体的には、例えば、突出部２５の大きさが所定の閾値（例えば３ｎｍ）よりも大きい場合に補正が必要であると判断し、突出部２５の大きさが所定の閾値以下の場合には補正が不要であると判断する。ここで例えば、突出部２５の外周境界画素のうちでシミュレーションパターン２１の外周境界画素に相当する１つの画素について、突出部２５の外周境界画素のうちでシミュレーションパターン２１の内部に相当する全画素との距離の最小値を求める。同様にして突出部２５の外周境界画素のうちでシミュレーションパターン２１の外周境界画素に相当する各々の画素について上記最小距離を求め、更にこれら複数の最小距離のうちの最大値を求めることで、この最大値を上記の突出部２５の大きさとして用いてよい。

図４のステップＳ４で、補正が必要と判断された突出部２５に相当する差分パターン１４のデータに、補正が必要な突出部であることを示すプロパティーを付加し、メモリに格納して保持する。ここでは例えば、プロパティーを示すデータとして、Ｂグループを示すデータを差分パターン１４に付加する。図５に、Ｂグループのプロパティーデータの追加が模式的に示される。

図４のステップＳ５で、各シミュレーションパターン毎に、目標図形パターン（レチクル露光パターン１１）からシミュレーションパターンを減算する。なお、減算結果がマイナスになる部分はゼロとする。この減算処理は、後退部である差分パターン１４を抽出するものである。ここで差分パターン１４が後退部であるとは、当該差分パターン１４が、レチクル露光パターン１１よりもシミュレーションパターンの方が後退している（目標の大きさよりも小さくなっている）部分の差分パターンであることを意味する。この減算処理の様子が図６に示される。目標図形パターン３１からシミュレーションパターン３２を減算（ＳＵＢ）すると、シミュレーションパターン３２の部位３２Ａにおいて、シミュレーションパターン３２が目標図形パターン３１よりも後退しているために、後退部３３が得られる。

図４のステップＳ６で、各差分パターン１４（後退部３３）毎に、サイジング処理を実行して微少な差分パターンを削除する。即ち、図６に示されるように、後退部３３に対して、周辺部を一定量削るマイナスサイジング処理を行い、マイナスサイジング後の後退部３４を生成する。この段階で、所定の大きさ以下の後退部３３は消滅する。次に、マイナスサイジング後の後退部３４に対して、周辺部に一定量継ぎ足して膨張させるプラスサイジング処理を行ない、プラスサイジング後の後退部３５を生成する。

図４のステップＳ７で、各後退部３５毎に、補正処理が必要であるか否かを判断する。即ち、後退部３５が無視できる大きさであるのか、或いは補正により埋める必要がある大きさであるのかを判断する。具体的には、例えば、後退部３５の大きさが所定の閾値（例えば１ｎｍ）よりも大きい場合に補正が必要であると判断し、後退部３５の大きさが所定の閾値以下の場合には補正が不要であると判断する。ここで例えば、後退部３５の外周境界画素のうちで目標図形パターン３１の外周境界画素に相当する１つの画素について、後退部３５の外周境界画素のうちで目標図形パターン３１の内部に相当する全画素との距離の最小値を求める。同様にして後退部３５の外周境界画素のうちで目標図形パターン３１の外周境界画素に相当する各々の画素について上記最小距離を求め、更にこれら複数の最小距離のうちの最大値を求めることで、この最大値を上記の後退部３５の大きさとして用いてよい。

図４のステップＳ８で、補正が必要と判断された後退部３５に相当する差分パターン１４のデータに、補正が必要な後退部であることを示すプロパティーを付加し、メモリに格納して保持する。ここでは例えば、プロパティーを示すデータとして、Ａグループを示すデータを差分パターン１４に付加する。図６に、Ａグループのプロパティーデータの追加が模式的に示される。

最後にステップＳ９で、補正が不要とされた各パターンについて総合的な判断を行ない、補正が必要であるか不要であるかを再度判断する。例えば、突出部と後退部とが隣接している場合など、突出部と後退部とをそれぞれ独立に検討して補正不要と判断されても、纏めて１つの部位としてみれば補正が必要な場合などがある。そのような部位を救済するために、ステップＳ９のような総合判断を設けてもよい。

図１に戻り、以上説明したステップＳ５のパターン分け処理の後に、ステップＳ６で、パターン判断処理を実行する。このパターン判断処理では、レチクル露光パターン１３の各パターン毎に、全ての対応する差分パターン１４が後退部のみであるか否かを判断し、その判断結果に応じてその後の処理を振り分ける。図１において、レチクル露光パターン１３の着目パターンに対してその差分パターン１４が全て後退部のみである場合、当該着目パターン及び対応差分パターンはレチクル露光パターン１３Ａ及び差分パターン１４Ａとして示される。このレチクル露光パターン１３Ａは、レチクル作成用のパターンデータとしてメモリに格納されて保持される。また差分パターン１４Ａは、後述するステップＳ８の後退部補正処理に供される。またレチクル露光パターン１３の着目パターンに対してその差分パターン１４が少なくとも１つの突出部を含む場合、当該着目パターン及び対応差分パターンはレチクル露光パターン１３Ｂ及び差分パターン１４Ｂとして示される。これらのレチクル露光パターン１３Ｂ及び差分パターン１４Ｂは、次のステップＳ７に供される。

図７は、パターン判断処理を説明するための図である。図７（ａ）に示すように、ある１つの着目レチクル露光パターンに対応する（即ちその着目レチクル露光パターンから求められた）差分パターン集合４１に、後退部１４−１と突出部１４−２との両方が含まれる。即ち、この着目レチクル露光パターンのシミュレーションパターンは、ある位置では後退しており、別の位置では突出している。この場合、差分パターン集合４１は差分パターン１４Ｂに含まれる。また別の１つの着目レチクル露光パターンに対応する差分パターン集合４２に、突出部１４−３のみが含まれる場合、差分パターン集合４２は差分パターン１４Ｂに含まれる。それに対して、図７（ｂ）に示すように、ある１つの着目レチクル露光パターンに対応する差分パターン集合４３に、後退部１４−４のみが含まれる場合、その差分パターン集合４３は差分パターン１４Ａに含まれる。

図１に戻り、ステップＳ７で、パターン種別を判別する処理を実行する。この処理では、差分パターン１４Ｂの各パターン毎に、プロパティーに記述されたグループを判別する。着目差分パターン１４Ｂの着目パターンのプロパティーがＡグループ（補正要の後退部）であれば、当該着目パターンは、ステップＳ８の後退部補正処理に供される。着目差分パターン１４Ｂの着目パターンのプロパティーがＢグループ（補正要の突出部）であれば、当該着目パターンは、ステップＳ９の突出部補正処理に供される。

図８は、パターン種別を判別する処理を説明するための図である。図８（ａ）に示すように、着目差分パターン５１のプロパティー５２がＡグループを示すとき、この差分パターン５１は後退差分であるので、後退部補正処理が実行される。また図８（ｂ）に示すように、着目差分パターン５３のプロパティー５４がＢグループを示すとき、この差分パターン５１は突出差分であるので、突出部補正処理が実行される。

図１に戻り、ステップＳ８の後退部補正処理では、差分データに基づいて電子ビーム露光パターン１７を生成する。具体的には、シミュレーションパターンが目標パターンよりも後退している部分に対して、後退している部分を埋めるように電子ビーム露光パターン１７を生成する。またステップＳ９の突出部補正処理では、シミュレーションパターンが目標パターンよりも突出している部分に対して、まず、突出している部分の周辺の部分をレチクル露光パターンから削除する。このようにして、差分データに基づいてレチクル露光パターンを修正し、修正後のレチクル露光パターン１５を生成する。更に、修正時に削除された周辺の部分を埋めるように、電子ビーム露光パターン１６を生成する。なお修正後のレチクル露光パターン１５は、レチクル作成用のパターンデータとしてメモリに格納されて保持される。これら後退部補正処理及び突出部補正処理については、以下に詳細に説明する。

図９は、後退部補正処理の詳細を示すフローチャートである。入力を差分パターン１４Ａ及び１４Ｂとして、ステップＳ１で、1つの着目差分パターンの９０度コーナーの数が０個であるのか、１個であるか、２個であるかを判別する。例えば、９０度コーナーの数が１個であるとは、図６に示す後退部３３のような場合である。また、９０度コーナーの数が２個であるとは、２つのコーナーを有する細い線の一端が後退しているような場合である。９０度コーナーの数が０個であるとは、本来一続きの細い線が途中で細くなった場合や、更に細くなって切れてしまった場合である。

９０度コーナーの数が０個又は２個の場合、ステップＳ２で、スムージング処理を実行する。このスムージング処理では、当該着目差分パターンを全て覆うような最小の矩形になるように着目差分パターンを整形する。また９０度コーナーの数が１個の場合、ステップＳ３で、スムージング処理を実行する。このスムージング処理では、当該着目パターンを全て覆うような最小の矩形になるように着目差分パターンを整形し、その後、当該着目差分パターンを全て覆うようなＬ字型の図形であり且つ面積が最小となるような図形に前記矩形図形を変形する。

ステップＳ４でＯＲ処理を実行し、処理後の着目差分パターンを、1つの電子ビーム露光パターン１７（１つのファイル）に組み入れて統合する。ステップＳ５で、入力である差分パターン１４Ａ及び１４Ｂの全ての差分パターンを処理したか否かを判断する。なおここで、差分パターン１４Ｂについては、後退部のみが後退部補正処理に供されている。差分パターン１４Ａについては、そこに含まれる全ての差分パターンが後退部である。なおプロパティーがＡグループのもののみ、後退部補正処理の対象とする。処理すべきパターンが残っている場合には、ステップＳ１に戻り処理を繰り返す。処理すべきパターンが残っていない場合には、電子ビーム露光パターン１７を出力して処理を終了する。

図１０は、突出部補正処理の詳細を示すフローチャートである。入力は、差分パターン１４Ｂ及レチクル露光パターン１３Ｂである。差分パターン１４Ｂについては、突出部のみが突出部補正処理に供されている。ステップＳ１で、差分パターン１４Ｂの各突出部毎に、突出部のサイジング処理を実行する。このサイジング処理では、突出部を第１の所定量膨張させるプラスサイジング処理により第１の突出部パターンを生成する。更に、同一の突出部を第１の所定量より大きい第２の所定量膨張させるプラスサイジング処理により第２の突出部パターンを生成する。例えば、突出部の周囲を＋１５ｎｍ膨張させて第１の突出部パターンを生成し、識別用のフラグＲを付加する。また同一の突出部の周囲を＋４５ｎｍ膨張させて第２の突出部パターンを生成し、識別用のフラグＥを付加する。

図１１は、突出部のサイジング処理の様子を示す図である。図１１に示すように、突出部の差分パターン６０に対して、第１の所定量膨張させるプラスサイジング処理を実行し、第１の突出部パターン６１を生成する。また差分パターン６０に対して、第１の所定量より大きい第２の所定量膨張させるプラスサイジング処理を実行し、第２の突出部パターン６２を生成する。第１の突出部パターン６１にはフラグＲが付加され、第２の突出部パターン６２にはフラグＥが付加される。

図１０のステップＳ２で、サイジング処理で生成された２つの突出部パターンのフラグを確認し、フラグの値に応じてその後の処理を振り分ける。フラグＲの付加された第１の突出部パターンについては、ステップＳ３乃至Ｓ５の処理が実行される。フラグＥの付加された第２の突出部パターンについては、ステップＳ６乃至Ｓ８の処理が実行される。

ステップＳ３で、レチクル露光パターンの修正処理が実行される。即ち、シミュレーションパターンが目標パターンよりも突出している部分に対して、突出している部分の周辺の部分をレチクル露光パターン１３Ｂの着目レチクル露光パターンから削除する。即ち、修正前のレチクル露光パターンを用いたのでは、露光処理により生成されるレジストパターンが所望のパターンからはみ出してしまうので、はみ出す原因となる部分をレチクル露光パターンから削り取る。

図１２は、レチクル露光パターンの修正処理の様子を示す図である。レチクル露光パターン７０から第１の突出部パターン６１を減算することにより、突出部の周囲が削除された修正後のレチクル露光パターン７１が得られる。ここで、ステップＳ１のプラスサイジング処理により差分パターン６０を第１の所定量だけ膨張させているが、この第１の所定量に相当する量が、レチクル露光パターン７０から削除されることになる。

図１０に戻り、ステップＳ４で、スムージング処理を実行する。このスムージング処理では、ステップＳ３で生成された修正後のレチクル露光パターンにおいて、修正処理により発生したエッジの細かい荒れを取り除く。次に、ステップＳ５でＯＲ処理を実行し、処理後の着目レチクル露光パターンを、１つのレチクル露光パターン１５（１つのファイル）に組み入れて統合する。

ステップＳ６で、電子ビーム露光パターン生成処理が実行される。この電子ビーム露光パターン生成処理では、ステップＳ３での修正時にレチクル露光パターンから削除された部分を埋めるように電子ビーム露光パターンを生成する。仮に、ステップＳ３の修正処理だけで十分に正確なレジストパターンを生成できるのであれば、ステップＳ６の処理は実行しなくてもよい。しかしながら、一般的に、ステップＳ３の修正処理において、正確なレジストパターンを生成可能な削除量や削除パターンを定めることは容易ではない。そこで、ある程度多めに削除して、削除されすぎた部分を電子ビーム露光により埋める方が容易に正確なパターンを生成することができる。

図１３は、電子ビーム露光パターン生成処理の様子を示す図である。図１３において、レチクル露光パターン７０と第２の突出部パターン６２とのＡＮＤをとることにより、図１１の突出部６０の周囲部分に相当する電子ビーム露光パターン７２が得られる。ここで、ステップＳ１のプラスサイジング処理により差分パターン６０を第２の所定量だけ膨張させているが、この第２の所定量に相当する量が、電子ビーム露光パターン７２の幅となる。

図１０に戻り、ステップＳ７で、スムージング処理を実行する。このスムージング処理では、ステップＳ６で生成された電子ビーム露光パターンにおいて、ＡＮＤ処理により発生したエッジの細かい荒れを取り除く。次に、ステップＳ８でＯＲ処理を実行し、処理後の電子ビーム露光パターン７２を、１つの電子ビーム露光パターン１６（１つのファイル）に組み入れて統合する。

ステップＳ９で、入力である差分パターン１４Ｂの全ての差分パターンを処理したか否かを判断する。なお前述のように、差分パターン１４Ｂについては、突出部のみが突出部補正処理に供される。処理すべきパターンが残っている場合には、ステップＳ１に戻り処理を繰り返す。処理すべきパターンが残っていない場合には、レチクル露光パターン１５及び電子ビーム露光パターン１６を出力して処理を終了する。

図１に戻り、ステップＳ１０でＯＲ処理が実行される。このＯＲ処理では、電子ビーム露光パターン１２、電子ビーム露光パターン１６、及び電子ビーム露光パターン１７を統合して、１つの電子ビーム露光パターン（１つのファイル）１８を生成する。

図１４は、ＯＲ処理による統合を説明するための図である。図１４では、例えば、電子ビーム露光パターン１７と電子ビーム露光パターン１６とを統合するＯＲ処理の様子を示している。図１４において、電子ビーム露光パターン１７のデータには電子ビーム露光パターン８１と８２とが含まれ、電子ビーム露光パターン１６のデータには電子ビーム露光パターン８３が含まれる。ステップＳ１０のＯＲ処理の実行においては、位置が重なる電子ビーム露光パターン８１と８３とを合成し、１つのパターンとして作り直す。これにより、結果として得られる電子ビーム露光パターン１８のデータにおいては、電子ビーム露光パターン８２と８４とが含まれることになる。電子ビーム露光パターン８４が、合成されて作成された１つのパターンデータである。

図１に戻り、ステップＳ１１で、レチクル露光パターン１１Ｂ、レチクル露光パターン１３Ａ、及びレチクル露光パターン１５に基づいてレチクルを作成する。ステップＳ１２で、上記レチクルを用いて光による露光処理をウェハに対して行ない、更に、電子ビーム露光パターン１８に基づいて電子ビームによる露光処理をウェハに対して行なう。以上で、図１に示す露光方法の各処理が終了する。

図１５は、露光方法の第２の実施例の処理の流れを示すフローチャートである。図１５において、図１と同一の構成要素及びステップは同一の番号で参照し、その説明は適宜省略する。図１５に示す露光方法では、図１に示す露光方法と比較して、ステップＳ５Ａのパターン分け処理において、突出部である差分パターン１４−１と後退部である差分パターン１４−２とにファイルを分離して出力する点が主に異なる。

図１６は、図１５のパターン分け処理の詳細を示すフローチャートである。ステップＳ１において、各シミュレーションパターン毎に、シミュレーションパターンから目標図形パターン（レチクル露光パターン１１）を減算する。図４に示すステップＳ１と同様の処理である。ステップＳ２で、各差分パターン（突出部）毎に、サイジング処理を実行して微少な差分パターンを削除する。図４に示すステップＳ２と同様の処理である。ステップＳ３で、着目突出部について、補正処理が必要であるか否かを判断する。即ち、突出部が無視できる大きさであるのか、或いは補正により除去する必要がある大きさであるのかを判断する。この点に関して、図４に示すステップＳ３と同様の処理である。ステップＳ４で、補正が必要と判断された突出部に相当する差分パターンのデータを、差分パターン１４−２のデータファイルに追加する。この際、後の処理の便宜のために、補正が必要な後退部であることを示すプロパティー、例えば、Ｂグループを示すプロパティーを差分パターン１４−２に付加してもよい。ステップＳ５で、ステップＳ１で求められた全ての差分パターンを処理したか否かを判断する。処理すべきパターンが残っている場合には、ステップＳ３に戻り処理を繰り返す。処理すべきパターンが残っていない場合には、ステップＳ６に進む。

ステップＳ６において、各シミュレーションパターン毎に、目標図形パターン（レチクル露光パターン１１）からシミュレーションパターンを減算する。図４に示すステップＳ５と同様の処理である。ステップＳ７で、各差分パターン（後退部）毎に、サイジング処理を実行して微少な差分パターンを削除する。図４に示すステップＳ６と同様の処理である。ステップＳ８で、着目後退部について、補正処理が必要であるか否かを判断する。即ち、後退部が無視できる大きさであるのか、或いは補正により除去する必要がある大きさであるのかを判断する。この点に関して、図４に示すステップＳ７と同様の処理である。ステップＳ９で、補正が必要と判断された後退部に相当する差分パターンのデータを、差分パターン１４−１のデータファイルに追加する。この際、後の処理の便宜のために、補正が必要な後退部であることを示すプロパティー、例えば、Ａグループを示すプロパティーを差分パターン１４−２に付加してもよい。ステップＳ１０で、ステップＳ６で求められた全ての差分パターンを処理したか否かを判断する。処理すべきパターンが残っている場合には、ステップＳ８に戻り処理を繰り返す。処理すべきパターンが残っていない場合には、ステップＳ１１に進む。ステップＳ１１で、補正が不要とされた各パターンについて総合的な判断を行ない、補正が必要であるか不要であるかを再度判断する。図４に示すステップＳ９と同様の処理である。

図１５に戻り、以上説明したステップＳ５Ａのパターン分け処理の後に、ステップＳ６で、パターン判断処理を実行する。このパターン判断処理は、図１のステップＳ６のパターン判別処理と同様である。但し、差分パターン１４が最初から差分パターン１４−１と１４−２に分離されている点が異なる。レチクル露光パターン１３の着目パターンに対してその差分パターン１４−１及び／又は１４−２が後退部のみである場合、当該着目パターンはレチクル露光パターン１３Ａとして、メモリに格納され保持される。またその対応差分パターンは差分パターン１４Ｂ−２として、ステップＳ８の後退部補正処理に供される。この後退部補正処理は、図１のステップＳ８の後退部補正処理と同様である。またレチクル露光パターン１３の着目パターンに対してその差分パターン１４−１及び／又は１４−２が少なくとも１つの突出部を含む場合、レチクル露光パターン１３Ｂ及び差分パターン１４Ｂ−１及び１４Ｂ−２として、次のステップＳ７Ａに供される。

図１５のステップＳ７Ａで、パターン種別に従いデータを振り分ける処理を実行する。この処理では、補正要の後退部である差分パターン１４Ｂ−２のデータをステップＳ８の後退部補正処理に供し、補正要の突出部である差分パターン１４Ｂ−１のデータをレチクル露光パターン１３Ｂと共に、ステップＳ９の突出部補正処理に供する。ステップＳ９の突出部補正処理は、図１のＳ９の突出部補正処理と同様である。即ち、シミュレーションパターンが目標パターンよりも突出している部分に対して、まず、突出している部分の周辺の部分をレチクル露光パターンから削除する。このようにして、差分データに基づいてレチクル露光パターンを修正し、修正後のレチクル露光パターン１５を生成する。更に、修正時に削除された周辺の部分を埋めるように、電子ビーム露光パターン１６を生成する。修正後のレチクル露光パターン１５は、レチクル作成用のパターンデータとしてメモリに格納されて保持される。

以上のようにして、差分パターンが後退部の差分パターンのデータファイルと突出部の差分パターンのデータファイルとに分離されている以外、図１５に示す第２の実施例は図１に示す第１の実施例と同様の手順及び処理で露光方法を実行する。

図１７は、露光方法の第３の実施例の処理の流れを示すフローチャートである。図１７において、図１と同一の構成要素及びステップは同一の番号で参照し、その説明は適宜省略する。図１７に示す露光方法では、補正が必要なレチクル露光パターンの取り扱いが図１に示す第１の実施例の場合と異なる。具体的には、ステップＳ５Ｂのパターン分け処理により、レチクル露光パターンを補正が必要な部分と補正が不要な部分とに分割する。

図１８は、図１７のパターン分け処理の詳細を示すフローチャートである。ステップＳ１において、各シミュレーションパターン毎に、シミュレーションパターンから目標図形パターン（レチクル露光パターン１１）を減算する。図４に示すステップＳ１と同様の処理である。ステップＳ２で、各差分パターン（突出部）毎に、サイジング処理を実行して微少な差分パターンを削除する。図４に示すステップＳ２と同様の処理である。ステップＳ３で、着目突出部について、補正処理が必要であるか否かを判断する。即ち、突出部が無視できる大きさであるのか、或いは補正により除去する必要がある大きさであるのかを判断する。この点に関して、図４に示すステップＳ３と同様の処理である。ステップＳ４で、補正が必要な突出部であることを示すプロパティー、例えば、Ｂグループを示すプロパティーを付加し、着目突出部のデータを差分パターン１４のデータファイルに追加する。ステップＳ５で、以下に説明するレチクル露光パターン抽出処理を実行する。このレチクル露光パターン抽出処理により、切り取った部分のレチクル露光パターン１３Ｃと、一部が切り取られたレチクル露光パターン１１Ｃとが生成される。ステップＳ６で求められた全ての差分パターンを処理したか否かを判断する。処理すべきパターンが残っている場合には、ステップＳ３に戻り処理を繰り返す。処理すべきパターンが残っていない場合には、ステップＳ７に進む。

図１９は、図１８のパターン分け処理において差分パターンが突出部の場合の枠生成処理の様子を示す図である。図２０は、生成された枠によりレチクル露光パターンを切り取る処理の様子を示す図である。図２１は、生成された枠によりレチクル露光パターンの一部が切り取られる様子を示す図である。図１９に示すように、差分パターン９０に対して、例えば６０ｎｍ膨張させるプラスサイジング処理を実行し、拡大された差分パターン９１を生成する。更に、この差分パターン９１を全て覆うような矩形枠９２を生成する。この矩形枠９２を用いることにより、レチクル露光パターンの切り取り処理を実行する。まず図２０に示されるように、矩形枠９２と目標図形パターン９３とのＡＮＤを演算することにより、シミュレーションパターンが突出する部分９３Ａの周辺部分をレチクル露光パターン９４として切り出す。このレチクル露光パターン９４が、図１８において、切り取った部分のレチクル露光パターン１３Ｃとしてメモリに格納される。また図２１に示されるように、目標図形パターン９３から矩形枠９２を減算することにより、シミュレーションパターンが突出する部分９３Ａの周辺部分を切り取った残りであるレチクル露光パターン９５を生成する。このレチクル露光パターン９５が、図１８において、一部が切り取られたレチクル露光パターン１１Ｃとしてメモリに格納される。

ステップＳ７において、各シミュレーションパターン毎に、目標図形パターン（レチクル露光パターン１１）からシミュレーションパターンを減算する。図４に示すステップＳ５と同様の処理である。ステップＳ８で、各差分パターン（後退部）毎に、サイジング処理を実行して微少な差分パターンを削除する。図４に示すステップＳ６と同様の処理である。ステップＳ９で、着目後退部について、補正処理が必要であるか否かを判断する。即ち、後退部が無視できる大きさであるのか、或いは補正により除去する必要がある大きさであるのかを判断する。この点に関して、図４に示すステップＳ７と同様の処理である。ステップＳ１０で、補正が必要な後退部であることを示すプロパティー、例えば、Ａグループを示すプロパティーを付加し、着目後退部のデータを差分パターン１４のデータファイルに追加する。ステップＳ１１で、ステップＳ７で求められた全ての差分パターンを処理したか否かを判断する。処理すべきパターンが残っている場合には、ステップＳ９に戻り処理を繰り返す。処理すべきパターンが残っていない場合には、ステップＳ１２に進む。ステップＳ１２で、データ分け処理を実行する。このデータ分け処理は、差分パターン１４と切り取った部分のレチクル露光パターン１３Ｃとを図１７に示すようにステップＳ７のパターン種別処理に供給し、一部が切り取られたレチクル露光パターン１１ＣをステップＳ１１のＯＲ処理に供給する。なおこのデータ分け処理において、突出部について補正が必要ないレチクル露光パターンも全て、レチクル露光パターン１１Ｃに含めて出力するようにする。

図１７に戻り、ステップＳ７のパターン種別処理、ステップＳ８の後退部補正処理、及びステップＳ９の突出部補正処理は、図１に示すそれぞれ対応する処理と同様である。但し、ステップＳ９の突出部補正処理において補正対象のレチクル露光パターンが、図１においては１つのレチクル露光パターン全体であったのに対して、図１７においては、全体から切り取った補正が必要な部分のレチクル露光パターンである点が異なる。即ち、シミュレーションパターンが目標パターンよりも突出している部分に対して、まず、突出している部分の周辺の部分を大きめに切り出したパターンであるレチクル露光パターンから、突出している部分の周辺の部分を削除する。このようにして、差分データに基づいて切り出し部分のレチクル露光パターンを修正し、修正後の切り出し部分のレチクル露光パターン１５Ｃを生成する。更に、修正時に削除された周辺の部分を埋めるように、電子ビーム露光パターン１６を生成する。修正後の切り出し部分のレチクル露光パターン１５Ｃは、ステップＳ１３のＯＲ処理に供される。

図１７のステップＳ１３において、ＯＲ処理を実行する。このＯＲ処理では、元は１つであった修正後の切り出し部分のレチクル露光パターン１５Ｃと一部が切り取られたレチクル露光パターン１１Ｃとを合成し、単一のレチクル露光パターンを生成する。なお突出部について補正が必要ないレチクル露光パターンについては、別のパターンと合成されることはなく、そのままのデータとされる。このようにして、レチクル作成用のレチクル露光パターン１９が生成される。

図２２は、露光方法の第４の実施例の処理の流れを示すフローチャートである。図２２において、図１と同一の構成要素及びステップは同一の番号で参照し、その説明は適宜省略する。図２２に示す露光方法では、図１に示す第１の実施例の手順から、ステップＳ１のパターン判断処理を削除し、入図データ１０をそのままレチクル露光パターンとして取り扱う点が異なる。即ち、ステップＳ２のＯＰＣ処理において、入図データ１０がそのまま処理対象のデータとして用いられる。

図２２に示す露光方法の第４の実施例では、パターンサイズが比較的大きい場合などで電子ビーム露光が不要であれば、電子ビーム露光は用いられない。即ち、リソグラフィーシミュレーションを行ない、目標図形パターンとの差異が閾値以内であれば、そのまま光リソグラフィのみを用いて露光をすることになる。リソグラフィーシミュレーションの結果補正が必要と判断される箇所が有れば、それらの箇所については、第１の実施例の場合と同様に補正処理が実行される。なお第１の実施例及び第４の実施例では、後退部補正処理と突出部補正処理とを必要に応じて実行する構成としているが、後退部補正処理及び突出部補正処理の何れか一方のみを必要に応じて実行する構成としてもよい。即ち、例えば、突出部補正処理については行なわない構成であってもよい。

図２３は、露光方法の第５の実施例の処理の流れを示すフローチャートである。図２３に示す露光方法の入力データは、レチクル露光パターン１００である。このレチクル露光パターン１００は、製造対象の半導体装置の回路のレイアウトデータから生成された露光パターンのデータである。具体的には、パターンを配置する階層を示す情報やパターンの大きさに関するサイジング情報等の変換情報に基づいて、レイアウトデータに対して変換処理を施すことで、露光パターンデータを生成する。

ステップＳ１で、レチクル露光パターン１００の各パターン毎に、リソグラフィーシミュレーションを実行する。リソグラフィーシミュレーションは、図１の露光方法の場合と同様である。ステップＳ２で、各シミュレーションパターン毎に、目標図形パターン（レチクル露光パターン１００）からシミュレーションパターンを減算する。なお、減算結果がマイナスになる部分はゼロとする。この減算処理は、後退部である差分パターンを抽出するものである。ステップＳ３で、各差分パターン毎に、サイジング処理を実行して微少な差分パターンを削除する。即ち、後退部に対して、周辺部を一定量削るマイナスサイジング処理を行い、マイナスサイジング後の後退部を生成することにより、所定の大きさ以下の後退部を消滅させる。次に、マイナスサイジング後の後退部に対して、周辺部を一定量膨張させるプラスサイジング処理を行ない、プラスサイジング後の後退部を生成する。

ステップＳ４で、１つの後退部に着目し、この後退部について補正処理が必要であるか否かを判断する。即ち、後退部が無視できる大きさであるのか、或いは補正により埋める必要がある大きさであるのかを判断する。具体的には、例えば、後退部の大きさが所定の閾値（例えば１ｎｍ）よりも大きい場合に補正が必要であると判断し、後退部の大きさが所定の閾値以下の場合には補正が不要であると判断する。

ステップＳ５で、補正が必要と判断された差分データ（後退部）に基づいて、電子ビーム露光パターンを生成する後退部補正処理を実行する。具体的には、シミュレーションパターンが目標パターンよりも後退している部分に対して、後退している部分を埋めるように電子ビーム露光パターン１０１を生成する。ステップＳ６で、ステップＳ２で求められた全ての差分パターンを処理したか否かを判断する。処理すべきパターンが残っている場合には、ステップＳ４に戻り処理を繰り返す。処理すべきパターンが残っていない場合には、最終的な電子ビーム露光パターン１０１を生成する。

ステップＳ７で、レチクル露光パターン１００に基づいてレチクルを作成する。ステップＳ８で、上記レチクルを用いて光による露光処理をウェハに対して行なう。ステップＳ９で、電子ビーム露光パターン１０１に基づいて電子ビームによる露光処理をウェハに対して行なう。以上で、図２３に示す露光方法の各処理が終了する。

図２３に示す露光方法の第５の実施例では、電子ビーム露光が不要であれば、電子ビーム露光は用いられない。即ち、リソグラフィーシミュレーションを行ない、目標図形パターンとの差異が閾値以内であれば、そのまま光リソグラフィのみを用いて露光をすることになる。リソグラフィーシミュレーションの結果補正が必要と判断される箇所が有れば、それらの箇所については、後退部補正処理を実行する。

要求されるレチクル製作期間が短い場合等には、レチクル露光データの検証が終了する前にレチクルを製作する場合がある。その後の検証でレチクル露光データに不具合を検出した場合、レチクル露光データの再製作をしていたのでは、結局レチクル製作期間が伸びてしまい、要求される期間を守れないことになる。第５の実施例のような手順を用いれば、リソグラフィーシミュレーションでパターンが後退してしまう問題が検出された箇所について、電子ビーム露光によりウェハ上で補正することができる。即ち、要求されるレチクル製作期間を守りながらも、所望のレジストパターンを得ることができる。

図２４は、半導体装置製造方法の一例を示す図である。以上説明した第１乃至第５実施例の何れかの露光方法により、レジストを露光することにより、所望の回路パターンを有した半導体装置を製造することができる。図２４（ａ）乃至（ｄ）において、図面左側はウェハを上面から見た平面図であり、図面右側は、ウェハ平面図に示す線Ａ−Ａ’に沿って切断した切断面における断面図である。（ａ）に示されるように、まずウェハ基板１１１上に感光剤であるレジスト１１０を塗布する。その後（ｂ）に示されるように、透明なガラス等のレチクル基板１１２上に形成された遮光膜１１３を介して、レーザ光１２０をレジスト１１０に照射して露光処理を実行する。この遮光膜１１３は、前述の実施例の何れかの露光方法で生成されたレチクル露光パターンの形状に形成されている。レジスト１１０中でレチクル露光処理により露光されたレチクル露光部１１４は、大まかに所望のパターン形状となっているが、目標図形パターンより例えば若干後退したものとなる。

その後（ｃ）に示されるように、前述の実施例の何れかの露光方法で生成された電子ビーム露光パターンに従って電子ビーム１２１を走査することにより、電子ビーム露光処理を実行する。レジスト１１０中で電子ビーム露光処理により露光された電子ビーム露光部１１５は、レチクル露光部１１４が目標図形パターンから若干後退していた部分を埋めて、目標図形パターンに極めて近い形状を実現する。その後、レジスト１１０を溶解する現像液に浸して不要なレジストを除去する等の現像処理を行なうことにより、（ｄ）に示されるようにレジスト除去部１１６が形成されたレジストパターンが得られる。このレジストパターンを用いて、エッチング処理、成膜処理、不純物打ち込み処理等を実こうすることにより、所望の集積回路を生成する。

以上、本発明を実施例に基づいて説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で様々な変形が可能である。

１０ 入図データ
１１，１３，１５ レチクル露光パターン
１２，１６，１７，１８ 電子ビーム露光パターン
１４ 差分パターン
２１，３２ シミュレーションパターン
２２，３１ 目標図形パターン
６０ 差分パターン
６１ 第１の突出部パターン
６２ 第２の突出部パターン
１１０ レジスト
１１１ ウェハ基板
１１２ レチクル基板
１１３ 遮光膜
１１４ レチクル露光部
１１５ 電子ビーム露光部
１１６ レジスト除去部

Claims (10)

1. 目標パターンに基づいてレチクル露光パターンを生成し、
   前記レチクル露光パターンに基づいてリソグラフィーシミュレーションを実行することにより、レチクル露光により形成されるレジストパターンのシミュレーションパターンを生成し、
   前記目標パターンと前記シミュレーションパターンとの差分データを生成し、
   前記差分データに基づいて第１の電子ビーム露光パターンを生成し、
   前記レチクル露光パターンに基づいてレチクルを生成し、
   前記レチクルを用いて光による露光処理をレジストに対して行ない、
   前記第１の電子ビーム露光パターンに基づいて電子ビームによる露光処理を前記レジストに対して行なう
   各段階を含むことを特徴とする露光方法。
2. 前記差分データに基づいて前記レチクル露光パターンを修正する段階を更に含み、前記レチクルを生成する段階は、修正後の前記レチクル露光パターンに基づいてレチクルを生成することを特徴とする請求項１記載の露光方法。
3. 入力露光パターンを前記レチクル露光パターンと第２の電子ビーム露光パターンとに分離し、
   前記電子ビームによる露光処理を行なう段階は、前記第１の電子ビーム露光パターンと前記第２の電子ビーム露光パターンとに基づいて電子ビームによる露光処理を行なう
   各段階を更に含むことを特徴とする請求項１又は２記載の露光方法。
4. 前記分離する段階は、線幅及び間隔の閾値に基づいて、所定の線幅の閾値以下であり且つ所定の間隔の閾値以下であるパターンを前記第２の電子ビーム露光パターンとすることを特徴とする請求項３記載の露光方法。
5. 前記シミュレーションパターンが前記目標パターンよりも後退している部分に対しては、前記第１の電子ビーム露光パターンを生成する段階が、前記後退している部分を埋めるように前記第１の電子ビーム露光パターンを生成することを特徴とする請求項１乃至３何れか一項記載の露光方法。
6. 前記シミュレーションパターンが前記目標パターンよりも突出している部分に対しては、前記レチクル露光パターンを修正する段階が、前記突出している部分の周辺の部分を削除するように前記レチクル露光パターンを修正し、前記第１の電子ビーム露光パターンを生成する段階が、前記削除された周辺の部分を埋めるように前記第１の電子ビーム露光パターンを生成することを特徴とする請求項２記載の露光方法。
7. 目標パターンに基づいてレチクル露光パターンを生成し、
   前記レチクル露光パターンに基づいてリソグラフィーシミュレーションを実行することにより、レチクル露光により形成されるレジストパターンのシミュレーションパターンを生成し、
   前記目標パターンと前記シミュレーションパターンとの差分データを生成し、
   前記差分データに基づいて第１の電子ビーム露光パターンを生成し、
   前記レチクル露光パターンに基づいてレチクルを生成し、
   レジストに対し前記レチクルを用いて光による露光処理を行ない、
   前記レジストに対し前記第１の電子ビーム露光パターンに基づいて電子ビームによる露光処理を行なう
   各段階を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 前記差分データに基づいて前記レチクル露光パターンを修正する段階を更に含み、前記レチクルを生成する段階は、修正後の前記レチクル露光パターンに基づいてレチクルを生成することを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
9. 入力露光パターンを前記レチクル露光パターンと第２の電子ビーム露光パターンとに分離し、
   前記電子ビームによる露光処理を行なう段階は、前記第１の電子ビーム露光パターンと前記第２の電子ビーム露光パターンとに基づいて電子ビームによる露光処理を行なう
   各段階を更に含むことを特徴とする請求項７又は８記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記分離する段階は、線幅及び間隔の閾値に基づいて、所定の線幅の閾値以下であり且つ所定の間隔の閾値以下であるパターンを前記第２の電子ビーム露光パターンとすることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。

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