KR20010101570A - 향상된 정밀도를 갖는 대영역 디스플레이 패널 생산시스템 - Google Patents

향상된 정밀도를 갖는 대영역 디스플레이 패널 생산시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 향상된 정밀도를 갖는 대영역 디스플레이 패널 생산 방법 및 시스템에 관한 것이다. 본 발명에 따른 시스템은 입력 데이타에 따라서 소정의 패턴을 갖는 마스크를 형성하기 위한 제 1 마스크 형성 수단(1) 및 기판상에 마스크의 패턴을 형성하기 위하여 마스크를 사용하여 감광성 기판을 빛에 노출시키기 위한 마이크로리소그래피 노출 수단(2)을 포함하며, 이에 의해서 상기 기판은 상기 빛에 민감한 층을 갖게 된다. 더 아나가, 상기 시스템은 기판상의 패턴을 측정하고 입력 데이타에 의해 주어지는 원하는 패턴과 비교하여 편차를 검출하는 측정 수단(3) 및 제 2 입력 데이타에 따라서 제 2 마스크를 형성하고 상기 측정에 따라서 제어가능한 제 2 마스크 형성 수단(1)을 포함하며, 이에 의하여 측정된 편차를 보정하기 위하여 마스크의 패턴을 수정하고, 생성된 왜곡을 보정한다.

Description

향상된 정밀도를 갖는 대영역 디스플레이 패널 생산 시스템 {SYSTEM FOR PRODUCTION OF LARGE AREA DISPLAY PANELS WITH IMPROVED PRECISION}
대영역 디스플레이 패널을 생산하는 방법은 이미 종래의 기술로 공지되어 있다. 이는 전형적으로 입력 데이타에 의해서 우선 마스크를 형성하고, 그 다음에 마이크로리소그래피 노출 디바이스(microlithographic exposing device)에서 상기 마스크를 사용하여 상기 패턴을 구비한 패널(panel)을 형성함으로써 수행된다. 여기서 패널에 대한 정밀도가 가장 중요하며, 따라서 패널의 노출 뿐만 아니라 패널의 형성에 있어서 정밀도를 향상시키기 위하여 많은 노력이 기울여지고 있다. 예를 들어, 레이저 기록장치는 스케일 에러(scale error), 직교 에러(orthogonality error), 스테이지 바우(stage bows), 로컬 오프셋 에러(local offset error) 등을 보정하기 위하여 보정 수단(compensation means)을 포함하는 마스크 형성에 종종 사용된다.
그러나, 디바이스의 서로 다른 생산에 대하여 서로 다른 조건과 환경, 시스템 에러, 그리고 예컨대 성장(development), 에칭, 블래스팅(blasting) 및 고온 프로세싱 단계 등의 플레이트의 프로세싱에 의한 에러로 인하여, 여전히 상당한 정밀도 에러(precision error)가 발생한다. 더욱이, 대영역 디스플레이 패널은 에러에 아주 민감한 한편, 심지어 원하는 패턴과의 매우 작은 편차도 발견될 수 있다. 이러한 에러는 생산에 있어 비용 상승 및 복잡성을 가져오고, 많은 불량 패널을 초래한다.
본 발명은 향상된 정밀도를 갖는 대영역 디스플레이 패널(large area display panel) 생산 방법 및 시스템에 관 것이다.
도 1은 종래 기술에 의한 마스크 형성 장치를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 시스템의 개요도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 방법의 흐름도이다.
그러므로, 본 발명의 목적은 향상된 정밀도를 갖는 대영역 디스플레이 패널의 생산 방법 및 시스템을 제공하는 것이다.
상기 목적은 부가된 청구항에 따른 방법 및 시스템에 의해서 성취될 수 있다.
이하에서는, 예시적인 실시예와 참조 도면을 참고하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 대영역 디스플레이 패널을 생산하는 시스템의 제 1 실시예를 도시한 것이다. 상기 시스템은 종래의 CTR(Cathode Ray Tube) 디스플레이를 위한 새도우 마스크(shadow mask) 형성에 사용될 수도 있지만, TFT(Thin FilmTransistor), CF(Color Filter), PDP(Plasma Display Panel) 또는 PALC(Plasma-addressed liquid crystal) 디스플레이 생산에 특히 유용하다.
상기 시스템은 입력 데이타에 따라서 소정의 패턴을 갖는 마스크를 형성하기 위한 제 1 마스크 형성 수단(1)을 포함한다. 마스크 형성 수단은 감광성 기판상에 높은 정밀도로 기록하기 위하여 마이크로리소그래피 기록 디바이스(microlithographic writing device)가 바람직하다. 기록(writing)이란 용어는 포토레지스터의 노출과 포토그래픽 에멀션을 의미하는 넓은 의미로 이해될 수 있지만, 또한 빛 또는 열에 의해 활성화되는 애블레이션(ablation) 또는 화학적 프로세스에 의하여 예컨대 드라이-프로세스 종이(dry-process paper)와 같은 다른 감광성 매체상에 광학 작용을 의미할 수도 있다. 빛은 가시광선에 제한되지 않으며, 적외선에서 자와선에 이르기까지 넓은 범위의 파장을 의미한다. 장비를 생산하는 이러한 마스크는, 예컨대 동일한 출원인에 의한 EP 0 467 076에 의해 이미 공지되어 있다. 일반적으로, 상기 장치는 도 1에 도시된 바와 같이 레이저 등의 광원(51), 광 빔을 집중시키는 제 1 렌즈(52), 입력 데이타에 의해 제어되며 기록될 원하는 패턴을 형성하는 모듈레이터(53), 빔이 기판(56)을 향하도록 유도하는 반사 거울(54), 그리고 빔이 기판에 도달하기 전에 빔을 집중시키는 렌즈(55)를 포함한다. 거울(54)은 빔을 기판상 스켄 라인을 따라 스윕(sweep)하는 스케닝 작업에 사용된다. 거울 대신에 회전 다각형, 회전 프리즘, 회전 홀로그램, 음향-광학 디플렉터(acousto-optic deflector), 전기-광학 디플렉터, 검류계(galvanometer) 또는 다른 유사한 디바이스 등 다른 스케닝 수단이 사용될 수 있다. 또한 래스터 스케닝(raster scanning) 또는 공간적 광 모듈레이터(spatial light modulator)를 사용할 수도 있다. 더 나아가, 기판은 바람직하게도, 2개의 전기 서보 모터에 의하여, 광학 기록 시스템과 관련하여 2개의 직교 방향으로 운동하는 목적 테이블(object table)상에 배치된다.
본 발명에 따른 시스템은 기판상에 마스크의 패턴을 형성하기 위하여 마스크를 사용하고 감광성 패널 기판을 빛에 노출시키기 위한 마이크로리소그래피 노출 수단(2)을 더 포함하며, 이에 의하여 상기 기판은 상기 빛에 민감한 층을 가진다. 이러한 몇몇 노출 수단은 종래 기술에 공지되어 있다. 노출 수단은 접촉 복사 형태(contact copy type), 인접 노출 형태(proximity exposure type) 또는 프로젝션 어라인너(projection aligner)일 수 있다. 본 발명에 따른 시스템은 또한 직접 기록장치(direct writer)에 사용될 수 있으며, 이에 의하여 물리적 마스크에서는 보정이 이루어지지 않지만 기록 빔을 제어하는 데이타 맵핑에서는 보정이 이루어진다. TFT 및 CF 디스플레이에 대하여 패널 프로젝션 어라이너가 보통 사용되지만, PDP 및 PALC 디스플레이에 대하여는 접촉 또는 인접 형태가 자주 사용된다.
더 나아가, 시스템은 기판상의 패턴을 측정하기 위하여, 그리고 입력 데이타에 의해 주어지는 원하는 패턴에 대한 편차를 검출하기 위하여 측정 수단(3)을 포함한다. 이는 소위 레지스트레이션 맵핑(registration mapping)을 얻기 위하여 패턴의 기하학적 위치, 바람직하게는 몇몇 기준 위치를 측정하고 입력 데이타로부터 추론되는 원하는 패턴과 비교함으로써 이루어질 수 있다. 더 나아가, 패턴의 라인 폭, 소위 CD(Critical dimension)가 측정될 수 있다. 측정 장비는 상업적으로 이용가능하며, 예를 들어 상기 장비는 CCD-카메라를 포함할 수 있으며, 간섭계(interferometry)에 기초한다.
측정 수단(3)으로부터 왜곡 제어 신호가 제 2 마스크 형성 수단(4)으로 보내진다. 제 2 마스크 형성 수단(4)은 별도의 장치를 사용할 수 있지만, 제 1 마스크 형성 수단(1)과 동일한 것이 바람직하다. 제 2 마스크 형성 수단에는 기록될 원하는 마스크를 표현하는 입력 데이타가 공급되며, 또한 측정 수단(3)으로부터 왜곡 제어 신호가 공급되고, 이에 의해서 제 2 마스크를 형성하는 기록 프로세스는 측정된 편차를 보정하기 위하여 패턴을 수정하도록 제어되어 왜곡 생성(production distortion)을 보정한다. 후속의 패널 프로세스 단계, 즉 성장, 블래스팅 및/또는 에칭 단계가 끝난 후에 측정하는 것이 바람직하며, 이에 의해서 이러한 프로세스로부터의 시스템 에러는 보정된다.
마스크 기록장치에서 보정은 다른 방식으로도 수행될 수 있다. 느린 스트립 방향으로 연속적으로 움직이는 목적 테이블(object table) 및 빠른 스케닝 방향으로 스위핑(sweeping)하는 스케너를 구비한, 전술한 형태의 기록장치에 있어서는 보정이 표면 맵핑(surface mapping)에 의해서 이루어질 수 있다. 이러한 맵핑에 의하면 스케닝 방향에서 보정은, 예컨대 스케닝 동안 빔의 시작 시간을 오프셋(offset)함으로써 얻어질 수 있다. 스트라이프 방향에서는 보정이 서로 다른 램프 함수(ramp function)에 의해서 직접적으로 또는 간접적으로 시간 오프셋에 의해 이루어진다. 이러한 보정을 수행하는데는 또한 다른 가능한 방법에 있을 수 있다. 예를 들어, 목적 테이블에 대하여 서보 모터를 제어하거나, 스케너 각에 의존하는 시간을 조정하거나, 입력 데이타를 변화시키거나, 또는 압전 제어 거울과 같은 내부 제어 유니트를 제어함으로써 보정이 이루어질 수 있다.
그러나, 만약 직접 기록장치가 사용된다면, 동일한 형태의 보정이 실시간으로 이루어질 수 있다.
라인 폭, 즉 CD에 있어 편차 보정은 레지스트레이션에 있어 편차와 동일한 방식으로 이루어질 수 있다. 그러나, 이러한 보정은 기록 빔의 전력 즉, 노출 선량(exposing does)을 변화시키거나, 레이저 출력을 변화시키거나 또는 아날로그 모듈레이터를 구비함으로써 이루어질 수 있다. 이러한 보정은 선량을 제어하는 선량 맵핑(dose mapping)을 적용함으로써 이루어질 수 있다.
제 2 마스크가 동일한 노출 수단(2)에서 사용될 때, 서로 다른 온도 조건에 의존하는 모든 시스템 에러, 즉 노출 수단 등에서의 에러는 보상되며, 생성된 디스플레이 패널의 패턴 정밀도는 향상된다.
제 1 마스크는 제 2 마스크에 대하여 원하는 패턴, 즉 보정되지 않은 패턴과 동일한 패턴을 포함할 수 있거나 또는 단지 편차 측정을 위하여 의도된 기준 패턴을 포함할 수 있다.
더 나아가, 에러 데이타는 누적될 수 있고, 롤링(rolling) 평균값이 보정에 사용될 수 있다. 에러 보정은 몇몇 상이한 부분 에어 보정이 결합될 수도 있다. 이러한 부분 보정은 프로세스에 대한 전제, 예컨대 사용되는 유리 형태 및 단계(stepper) 등에 기초한다. 이에 의하여, 전체 에러 보정은 각 프로세스 단계에 대한 하나 또는 몇몇 에러 보정의 결합으로 이루어진다.
상기에서 수동 왜곡 제어에 대한 시스템이 설명되었다. 이러한 시스템에서는 시스템에 사용된 장비 및 프로세스에 대하여 보정이 이루어진다. 그러나, 보정이 서로 다른 패널 기판에는 적용되지 않는다. 이러한 수동 시스템에서는 바람직하게도 왜곡 보정을 교정하기 위한 측정이 기판의 모든 새로운 배치(batch)에 대하여 한 번 이루어지고, 그 후 배치에서 모든 패턴을 형성하는데 동일한 마스크가 사용된다. 이러한 수동 왜곡 제어는 TFT 또는 CF 디스플레이 생산에 특히 유용하다. 이러한 생산에 대하여 마스크상의 패턴을 위하여 요구되는 정밀도는 매우 높으며, 마스크가 어렵고, 따라서 제조 비용이 높다. 반면에, 이러한 생산에서는 마스크가 오랫동안 지속된다.
본 발명에 따른 시스템은 노출 전에 감광층(light sensitive layer)의 두께를 측정하기 위하여 제 2 측정 수단(4)을 포함하며, 이에 의해서 상기 측정은 또한 상기 보정에 사용된다. 그 결과, 기판의 상이한 배치 사이에 다양한 저항층(resist layer)에 대하여 보정이 수정된다. 이러한 배치 분별 보정(batch wise compensation)은 또한 제조자에 의한 특정 데이타를 사용함으로써 이루어질 수 있다.
이러한 제 2 측정 수단(4)은 또한 각각의 그리고 모든 노출되는 패널 기판을 측정하기 위하여 사용될 수 있으며, 그 후에 각 개별 패널에 대한 프로세스를 적응시킨다. 그 결과, 시스템은 서로 다른 패널에 있어서 다양한 유리 특성, 기판 영역에서의 에멀션 또는 저항의 다양한 두께 및 특성, 서로 다른 형태의 편차 등을 보정할 수 있다. 이러한 능동 왜곡 제어는 PDP 또는 PALC 디스플레이 패널 생산에특히 유용하며, 여기서 마스크는 매우 쉽고, 생산 비용이 낮다. 이러한 방법은 또한 직접 기록장치에 사용될 수 있다.
능동 왜곡 제어에 있어서는 패널이 예컨대 저항 두께 등에 관하여 초기에 측정된다. 예를 들어, 서로 다른 선량을 갖는 기판의 선량 측정(dosimetry), 테스트 노출, 프로필로메트리(profilometry), 간섭계, 촛점을 공유하는 현미경의 사용에 의해서, 간섭계 방법 또는 이와 유사한 방법 등 많은 이러한 측정 방법이 당업자에게는 이용가능하다. 기판의 형상도 또한 초기에 측정되며, 이는 물결무늬 간섭계(moire interferometry), 투영 플린지(projected fringe), 레이저 3각 측량(laser triangulation), 정규 간섭계 등 기존의 방법으로 수행될 수 있다. 바람직하게도 이미 존재하는 패턴도 초기에 측정되며, 계속 존재하게 된다. 디스플레이 패널은 보통 몇몇 분리된 단계, 전형적으로는 3-7 노출 단계에서 노출되며, 모든 노출에 대하여 동일한 노출 스테이션(exposing station)이 사용된다. 서로 다른 스테이션에서의 개별 에러에 대한 보정을 갖는 마스크를 기록함으로써, 디스플레이 생산자는 사용된 스테이션에 관계없이 보다 자유롭게 생산 일정 관리를 할 수 있다. 이는 보다 효율적인 생산 및 스테이션의 이용을 위하여 매우 중요하다.
도 2를 살펴보면, 상기 시스템을 사용한 본 발명에 따른 대영역 디스플레이 패널 생산 방법이 설명되어 있다.
본 발명에 따른 방법은 입력 데이타에 따라서 소정의 패턴을 갖는 마스크를 형성하는 제 1 단계(S1)를 포함한다. 그 후에 제 2 단계에서, 기판상에 마스크의 패턴을 형성하기 위하여 감광성 기판에 빛을 마이크로리소그래피 노출시키는데 마스크가 사용되며, 이에 의해서 상기 기판은 상기 빛에 민감한 층을 갖게되다. 제 3 단계에서, 몇몇 후속의 프로세싱 단계 후에 또는 최종 생성물에서 노출된 패턴은 측정되어, 입력 데이타에 의해 주어지는 원하는 패턴과 관련하여 노출된 패턴의 편차를 검출한다. 제 4 단계에서, 왜곡 제어 맵핑이 형성되어, 이는 입력 데이타를 따르는 패턴을 갖는 제 2 마스크를 형성하는 동안 제 5 단계에서 사용되며 또한 측정된 편차를 줄이기 위하여 수정되며, 이와 같이 생성된 왜곡을 보정한다. 마지막 제 6 단계에서는, 디스플레이 패널의 포토리소그래픽 구조물에 수정된 제 2 마스크가 사용된다. 유사한 보정이 직접 기록장치에 사용될 수 있으며, 보정은 데이타 맵핑에서 이루어질 수 있다.
더 나아가, 본발명은 예컨대 상술된 대영역 디스플레이 패널 생산용 마스크를 형성하기 위한 대영역 패턴 형성기(large-area pattern generator)와도 관련된다. 본 발명에 따른 대영역 패턴 형성기는 기판을 방사 에너지에 노출시키고 입력 패턴 데이타에 따라서 기판상에 소정의 패턴을 형성하는 노출 수단을 포함하며, 이에 의해서 상기 기판은 상술된 바와 같이 상기 방사 에너지에 민감한 층을 갖게 된다. 상기 대영역 패턴 형성기는 디지탈 왜곡 데이타에 의해서 기판에 형성된 패턴을 보정하기 위한 형상 수정 시스템(geometry-correcting system)을 더 포함하는데, 상기 형상 수정 시스템은 전술한 바와 같이 데이타 경로에서 입력 패턴 데이타의 공급(feeding), 기판의 동작 또는 기판상 패턴의 위치 중 적어도 하나를 제어하는 이펙튜에이터(effectuator)를 포함한다.
전술한 바와 같이, 본 발명은 마이크로리소그래피 시스템에 관한 것이며, 여기서는 방사 에너지로 광자(photon)가 사용된다. 그러나, 예컨대 충전 입자, 전자, 이온, EUV(Extreme Ultra Violet) 및 기판 노출에 적절한 다른 방사 에너지 등과 같이 다른 형태의 방사 에너지도 물론 사용될 수 있다. 더 나아가, 다른 형태의 패턴 형성기도 또한 사용될 수 있다. 예를 들어, 패턴 형성기로서 전압 제어 모듈레이터 또는 SLM(Spatial Light Modulator) 뿐만 아니라 입력 데이타에 따라서 방사 에너지를 제어하는 음향-광학 모듈레이터가 사용될 수도 있다. 만약, SLM이 사용되면, 패턴 형성기는 래스터 스케닝을 사용하는 형태 또는 형상이 있는 빔(shaped beam)을 사용하는 형태가 사용될 수 있다.
본 발명은 대영역 디스플레이 패널을 보다 효율적이고 저 비용으로 생산하는 동시에 패턴 정밀도를 향상시켜 준다. 그러나, 상기 설명된 실시예의 여러가지 변형이 가능하며, 이는 당업자에게는 명백한 것이다. 본 발명의 분야에서 이러한 변형은 고려되어야 하며, 다음의 청구항에 의해서만 제한된다.

Claims (22)

  1. 입력 데이타에 따라서 소정의 패턴을 갖는 마스크를 형성하는 단계(S1);
    기판상에 마스크의 패턴을 형성하기 위하여 마스크를 사용하여 방사 에너지에 기판을 노출시키는 단계(S2), 이에 의해서 상기 기판은 상기 방사 에너지에 민감한 층을 갖게 되며;
    기판상에 패턴을 측정하고, 입력 데이타에 의해 주어진 원하는 패턴과 비교하여 편차를 검출하는 단계(S3);
    제 2 입력 데이타에 따른 패턴을 갖는 제 2 마스크를 형성하고 측정된 편차를 줄이기 위하여 보정하며, 이에 의해서 생성된 왜곡을 보정하는 단계(S5); 그리고
    후속의 대영역 디스플레이 패널 생산 공정에서 상기 보정된 마스크를 사용하는 단계(S6)를 포함하는 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 방사 에너지는 빛이며, 감광성 기판의 마이크로리소그래피 노출에 사용되는 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 방법.
  3. 제 1항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 측정 단계는 노출 이후의 성장, 에칭, 블래스팅 또는 고온 프로세싱 등과 같은 프로세싱 단계 이후에 이루어지는 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 방법.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 마스크는 동일한 입력 데이타에 기초하는 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 방법.
  5. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 마스크는 기준 입력 데이타에 기초한 기준 마스크이고, 이에 반하여 상기 제 2 마스크는 실제의 생산 데이타에 기초하는 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 방법.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    사용된 상기 보정은 측정에 따른 보정 및 이전의 측정에 따른 보정의 통계적 평균값인 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 방법.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    프로세스 동안 적어도 하나의 부가적인 측정이 이루어지며, 상기 보정은 제 1 측정 전의 프로세스 그리고 측정 사이의 프로세스와 관련된 보정 부분들의 통계적 평균값인 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 방법.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    노출 전에 마스크 블랭크 또는 기판상의 민감한 층의 두께가 측정되며, 상기 측정 데이타는 부가적인 보정을 위하여 사용되는 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 방법.
  9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,
    기판상에 이미 형성된 패턴이 노출 전에 측정되며, 상기 측정은 부가적인 보정에 사용되는 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 방법.
  10. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 구조물에 사용된 각 기판 배치에 대하여 한 번 수행되는 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 방법.
  11. 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 측정은 위치 에러 및 패턴 라인 폭 에러 측정을 포함하는 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 방법.
  12. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보정은 제 2 마스크를 형성하는데 사용되는 패터 기록장치에서 시간 오프셋 또는 공간 오프셋에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 방법.
  13. 입력 데이타에 따라서 소정의 패턴을 갖는 마스크를 형성하기 위한 제 1 마스크 생성기(1);
    기판상에 마스크의 패턴을 형성하기 위하여 마스크를 사용하여 방사 에너지에 기판을 노출시키기 위한 노출 수단(2), 이에 의해서 상기 기판은 상기 방사 에너지에 민감한 층을 갖게 되며;
    기판상에 패턴을 측정하고, 입력 데이타에 의해 주어진 원하는 패턴과 비교하여 편차를 검출하는 측정 수단(3);
    제 2 입력 데이타에 따르는 제 2 마스크를 형성하고 상기 측정에 따라서 제어가능한 제 2 마스크 생성기(1)를 포함하며, 이에 의해서 측정된 편차를 보정하기 위하여 마스크의 패턴을 수정하며, 이에 의해서 생성된 왜곡을 보정하는 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 시스템.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 방사 에너지는 빛이며, 감광성 기판의 마이크로리소그래피 노출에 사용되는 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 시스템.
  15. 제 13항 또는 제 14항에 있어서,
    적어도 하나의 부가적인 측정 디바이스를 더 포함하며, 상기 보정은 제 1 측정 전의 프로세스 그리고 측정 사이의 프로세스와 관련된 보정 부분들의 통계적 평균값인 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 시스템.
  16. 제 13 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 마스크 생성기(1)는 동일한 디바이스인 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 시스템.
  17. 제 13항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,
    노출 전에 기판상 감광층의 두께를 측정하기 위한 제 2 측정 디바이스(4)를 더 포함하며, 상기 측정은 부가적인 보정에 사용되는 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 시스템.
  18. 제 13항 내지 제 17항 중 어느 한 항에 있어서,
    노출 전에 기판상에 존재하는 패턴을 측정하기 위한 제 3 측정 디바이스(4)를 더 포함하며, 상기 측정은 부가적인 보정에 사용되는 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 시스템.
  19. 제 13항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 측정 디바이스는 위치 에러 및 패턴 라인 폭 에러를 측정하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 시스템.
  20. 제 13항 내지 제 19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마스크 생성기는 기록 동안 시간 오프셋에 의하여 상기 보정을 제어할 수 있는 패턴 기록장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 대영역 디스플레이 생산 시스템.
  21. 대영역 패턴 생성기로서,
    입력 패턴 데이타에 따라서 기판상에 소정의 패턴을 형성하고 기판을 방사 에너지에 노출시키기 위한 노출 시스템을 포함하는데, 이에 의해서 상기 기판은 상기 방사 에너지에 민감한 층을 가지며; 그리고
    디지탈 왜곡 데이타에 따라서 기판에 형성된 패턴을 수정하는 형상 수정 시스템을 포함하는데, 상기 형상 수정 시스템은 데이타 경로에서 입력 패턴 데이타의 공급(feeding), 기판의 동작 또는 기판상 패턴의 위치 중 적어도 하나를 제어하는 이펙튜에이터(effectuator)를 포함하는 것을 특징으로 하는 대영역 패턴 생성기.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 왜곡 데이타는 이전의 노출 패턴을 측정하고 입력 데이타에 의해 주어진 원하는 패턴과 비교하여 편차를 검출함으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 대영역 패턴 생성기.
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