JPH0434949A - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は半導体デバイスに電子ビームを照射して試験
を行ったり、集束イオンビームを照射してパターンの切
断、接続を行ったりする際に、その半導体デバイスの設
計時に用いたデータを利用して、荷電粒子ビームを照射
すべき個所を決める荷電粒子ビーム装置に関する。

「従来の技術」 半導体デバイスの設計がＣＡ　Ｄ　（Ｃｏｍｐｕｔｏｒ
　ＡｉｄＤｅｓｉｇｎ）を用いて行われており、この設
計には回路を記述したネットリストデータを作った後、
その回路に対するマスクレイアウトデータを作り、これ
らネットリストデータとレイアウトデータとを照合し検
証して、問題がなくなるまでマスクレイアウトの設計を
行う。半導体デバイスにテストパターンを供給すると共
に電子ビームを照射し、その２次電子を捕捉してその部
分の電位を測定することにより半導体デバイスを試験す
る電子ビーム試験装置が知られている。この電子ビーム
試験装置において電子ビームを照射する個所を決定する
ために、従来においてその半導体デバイスの設計に用い
たデータを利用することが行われていた。

すなわち第４図に示すように、商用設計検証ソフトウェ
アパッケージ１１が設けられ、半導体デバイスの設計時
のＣＡＤデータベース中のネットリストデータベース１
２からネットリストデータがネットリストデータ入力部
１３に取込まれ、またマスクレイアウトデータベース１
４からレイアウトデータがレイアウトデータ入力部１５
に取込まれ、その取込まれたレイアウトデータと、プロ
セステクノロジーファイル１６からのトランジスタの構
造、抵抗キャパシタの大きさ、配線幅などを規定したデ
ータとがネットリスト抽出部１７へ供給されて、レイア
ウトデータがプロセステクノロジーデータで解釈されて
、ネットリストが抽出され、この抽出されたネットリス
トと、ネットリストデータ入力部１３に取込まれたネッ
トリストデータとがレイアウト対ネットリスト照合部１
８で照合され、その照合結果が出力データファイル１９
に格納される。

この照合結果とレイアウトデータとを用いてレイアウト
とネットリストとの関係を示すクロスマツピングテーブ
ルがクロスマツピングテーブル生成部２１で作られてそ
のクロスマツピングテーブルはファイル２２に格納され
る。ネットリスト表示部２３で表示されているネットリ
スト（ノード名又は信号名）の特定のものを指示すると
、その部分と対応するレイアウトがレイアウト表示部２
４に表示される。逆にレイアウト表示部２４に表示され
ているレイアウトの特定の部分を指示すると、これと対
応するネットリスがネットリスト表示部２３に表示され
る。

ネットリスト表示部２３に表示されている特定のもの（
ノード）を指示すると、その部分のレイアウト上のｘ、
Ｙ座標がＥＢテスタ制御部２５へその時のレイアウト表
示の倍率を示すデータと共に送られ、ＥＢテスタ制御部
２５はそのＸ、Ｙ座標をステージ制御回路３６に与え、
ステージ制御回路３６はＸＹステージ２６上の被試験半
導体デバイス（ＤＶＴ２７）上の対応する座標位置に、
電子ビームが照射されるようにステージ駆動部２８を制
御し、また走査制御回路３７に倍率データを与え、走査
制御回路３７は走査コイル駆動部２９を制御して、その
倍率に応じた大きさの走査面積で電子ビーム３２により
ＤＶＴ２７を走査し、更に電子銃３１から電子ビーム３
２を放射させ、これによりＤＶＴ２７上を走査する。こ
の走査によりＤＶＴ２７から生じた２次電子３３がＳＥ
検出器３４で検出され、その検出出力に応じてＳＥＭ（
セム）像表示部３５にＤＶＴ２７の電子ビーム３２で走
査した部分のパターン（セム像）が表示される。このセ
ム像とレイアウト表示部２４に表示されているレイアウ
トとを比較して、電子ビーム３２の照射点を決定し、そ
こに電子ビームを照射すると共に、ＤＶＴ２７にテスト
パターンを印加し、その時の２次電子３３の出力レベル
を測定し、ＤＶＴ２７のその部分の信号のレベルをアナ
ログ的に測定する。

「発明が解決しようとするＲＨ」 以上のようにして半導体デバイスの設計データを利用す
ることにより、複雑なパターンのデバイスでも、電子ビ
ームを照射する個所を比較的容易に正しく決定すること
ができるが、このように電子ビーム照射を実行するに先
立ち、従来においては、ネットリストデータとレイアウ
トデータとの検証を、電子ビーム試験装置で行い、その
結果を利用してクロスマツピングテーブルを作成してい
た。このためこのネットリストデータとレイアウトデー
タとの照合に多くの時間が掛り、クロスマツピングテー
ブルを作るまでに、例えば１５０にのトランジスタを含
むＬＳＩのＣＡＤデータを処理するのに２９時間もか−
っていた。このため電子ビーム試験装置としての効率が
悪かった。また前記検証のために、大容量の記憶装置を
必要とした。

「課題を解決するための手段Ｊ この発明によれば外部よりのネットリストデータはネッ
トリストデータ変換部で内部データフォーマットのネッ
トリストデータに変換され、同様に外部よりのレイアウ
トデータはレイアウトデータ変換部で内部データフォー
マットのレイアウトデータに変換され、更に半導体デバ
イスの設計時に得られている上記ネットリストデータと
上記レイアウトデータとの検証結果データが検証結果デ
ータ変換部で内部データフォーマットの検証結果データ
に変換され、これら変換されたネットリストデータ、レ
イアウトデータ及び検証結果データを用いてクロスマツ
ピング処理部でクロスマツピングテーブルが作られる。

「実施例」 第１図にこの発明の実施例を示し、第４図と対応する部
分に同一符号を付けである。外部のネットリストデータ
ベース１２からのネットリストデータはネットリストデ
ータ変換部４１で内部データフォーマットのネットリス
トデータに変換されて内部ネットリストデータベース４
２内に格納される。外部のレイアウトデータベース１４
からのレイアウトデータはレイアウトデータ変換部４３
で内部データフォーマットのレイアウトデータに変換さ
れて内部レイアウトデータベース４４に格納される。外
部のネットリストデータベース１２のネットリストデー
タと、外部のレイアウトデータベース１４のレイアウト
データとの検証結果データが、半導体デバイス２７を設
計した際に得られており、これが外部の検証結果データ
ベース４５に格納されている。この外部の検証結果デー
タベース４５の検証結果データは検証結果データ変換部
４６により内部データフォーマットの検証結果データに
変換される。この変換された検証結果データと、内部ネ
ットリストデータベース４２の変換されたネットリスト
データと、内部レイアウトデータベース４４の変換され
たレイアウトデータとがクロスマツピング処理部４７へ
供給されて、クロスマツピングテーブルが作成されてク
ロスマツピング処理部４７内のメモリに格納される。つ
まりクロスマンピング処理部４７は検証結果データを読
み込み、レイアウトとスケマチック（回路図）との間の
対応情報を出力する。また選択されたゲートあるいはノ
ードに接続されているすべてのゲートとノードとをグラ
フィックに表示する。

その他は従来と同一構成である。

この装置の動作を第２図に示す。まずユーザのＣＡＤデ
ータ、つまり試験しようとする半導体デバイスに対する
ＣＡＤデータを準備しくＳ、）、ネットリストデータ変
換部４１によりユーザのネットリストデータを読み込み
、内部データフォーマットに変換しくＳ２）、レイアウ
トデータ変換部４３によりユーザのレイアウトデータを
読み込み内部データフォーマットに変換しくＳＳ）、ク
ロスマツピング処理部４７によりユーザの検証結果デー
タを読み込み、これを内部データフォーマットに変換し
、このデータからレイアウト情報とネットリスト情報と
、照合情報とを抽出しくＳ４）、更にネットリスト−レ
イアウト間のクロスマツピングテーブルを生成しくＳｓ
）、各表示部に取り込んだデータを表示しくＳ６）、レ
イアウトと実ＤＶＴ２７との間の座標系の一致をとるた
めのアライメント処理を行い（Ｓ７）、表示されたネッ
トリスト上で電子ビーム照射したいノード（ＥＢプロー
ビングしたい）−ド）を指定しくＳ、）、この指定と対
応する部分を、レイアウト表示部２４はクロスマツピン
グテーブル（内部レイアウトデータベース４４内にある
）から読み出し、これと対応する部分のレイアウトパタ
ーンを見出して、それを表示上で強調しくＳ９）、レイ
アウト表示部２４は同時にその指定されたノードと対応
する部分の座標データとレイアウト表示の倍率係数とを
ＥＢテスタ制御部２５へ送信しくＳ、。）、ＥＢテスタ
制御部２５はその座標データと倍率係数とをステージ座
標（Ｘ、Ｙ）、ＳＥＭ倍率にそれぞれ変換して、ステー
ジ制御回路３６、走査制御回路３７へそれぞれ送出しく
Ｓ＋＋）　、この時、ＳＥＭ像表示部３５に得られるＳ
ＥＭ像は、レイアウト表示部２４に表示されているレイ
アウト図と完全に一致しており、そのＳＥＭ像を用いて
電子ビーム（ＥＢ）の照射点の位置決めを行う（Ｓ、□
）、観測したいノードの測定データ、例えば信号波形を
得るための測定を実行する（Ｓｋｉ）。

半導体デバイスの設計は先ず回路図を作るが、つまりス
ケマチックデータを作り、これよりネットリストを作製
する。このスケマチックデータを電子ビーム試験装置の
電子ビームの位置合せに利用することもできる。この場
合は第３図に示すように外部のスケマチックデータベー
ス４８からスケマチックデータをスケマチックデータ変
換部４９で取り込み、内部データフォーマットに変換し
て内部スケマチックデータベース５１に格納し、このス
ケマチックデータによりスケマチック表示部５２で回路
図を表示し、またクロスマツピング処理部５３で検証結
果データを取り込み、これより内部レイアウトデータベ
ース４４のレイアウトデータと、内部スケマチックデー
タベース５１のスケマチックデータとのクロスマツピン
グテーブルを作成する。この場合は第２図においてステ
ップＳｓでスケマチック表示部５２に表示されているス
ケマチック（回路）上で電子ビームを照射したいノード
を指定する。その他は同様に動作する。

上述においてレイアウト表示と、セム像とは倍率同様に
、回転（例えば９０°）の処理においても１：１対応を
とることもできる。上述ではこの発明を電子ビーム試験
装置に適用したが、集束イオンビームで半導体デバイス
を加工（切断、接続）する装置にも適用できる。

「発明の効果」 以上述べたようにこの発明によれば荷電粒子ビーム装置
内部のデータフォーマットに、各ＣＡＤデータを変換し
て取込み、設計時に得られている検証結果データを利用
してクロスマツピングテーブルを作っているため、装置
内でネットリストデータとレイアウトデータとの照合を
行う必要がなく、クロスマツピングテーブルを作るまで
の時間を、従来より著しく短か（することができ、例え
ば３分の２以下とすることができ、装置の効率を向上さ
せることができる。また、装置に必要とする記憶装置の
記憶容量も３分の１以下にすることが可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例を示すブロック図、第２図は
その動作を示す流れ図、第３図はこの発明の他の実施例
を示すブロック図、第４図は従来の電子ビーム試験装置
を示すブロック図である。 特許出願人　株式会社アトパンテスト

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）荷電粒子ビームが照射されるべき半導体デバイス
   の設計時のネットリストデータと、レイアウトデータと
   を入力し、ネットリストとレイアウトとの関係を示すク
   ロスマッピングテーブルを作り、上記ネットリスト及び
   上記レイアウトをそれぞれ表示し、その一方を指示する
   ことにより上記半導体デバイスの対応したレイアウト部
   分が上記荷電粒子ビームにより走査されるようにされた
   荷電粒子ビーム装置において、 上記ネットリストデータを内部データフォーマットのネ
   ットリストデータに変換するネットリストデータ変換部
   と、 上記レイアウトデータを内部データフォーマットのレイ
   アウトデータに変換するレイアウトデータ変換部と、 上記半導体デバイスの設計時に得られた上記ネットリス
   トデータと上記レイアウトデータとの検証結果データを
   入力してこれを内部データフォーマットの検証結果デー
   タに変換する検証結果データ変換部と、 これら変換されたネットリストデータ、レイアウトデー
   タ及び検証結果データを用いて上記クロスマッピングテ
   ーブルを作るクロスマッピング処理部とを有することを
   特徴とする荷電粒子ビーム装置。