JPS58222523A - ビ−ムを用いたパタ−ン形成方法 - Google Patents
ビ−ムを用いたパタ−ン形成方法Info
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- JPS58222523A JPS58222523A JP10535582A JP10535582A JPS58222523A JP S58222523 A JPS58222523 A JP S58222523A JP 10535582 A JP10535582 A JP 10535582A JP 10535582 A JP10535582 A JP 10535582A JP S58222523 A JPS58222523 A JP S58222523A
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- drawn
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ビームを用−７２：パターン形成方法に係り
、特に、電子＃（電子ビーム）を一定速度で走査してパ
ターンヶ描画していく電子線描画に使用するのに好適な
方法に関する。
、特に、電子＃（電子ビーム）を一定速度で走査してパ
ターンヶ描画していく電子線描画に使用するのに好適な
方法に関する。
一般に、半導体装置の製造工程において使用さｎるホト
マスクに所定の回路パターンを形成する場合、電子線描
画方法が使用感れている。
マスクに所定の回路パターンを形成する場合、電子線描
画方法が使用感れている。
この棟の電子線描画方法として、例えば仄のような方法
が考えられている。ホトマスク基相の被描画面を互に同
一面ＦｆｊＪｋ有する多数のフィールドに仮想的に区画
する。フィールド内において電子ｔＬ−一定速度でＸＹ
方向に走査させてこれｒ被描画面に照射し、一つのフィ
ールド内にパターンのうち描画下べ＠該当部分を被描画
面２構成するホトレジストｒ露光させることにエリ描画
する。−回の描画が済んたら、ＸＹテーブルの送シ動作
によりホトマスク基材ｒ所定方向に移動させ、描画終了
のフィールドに隣接する次のフィールドｒ電子線照射範
囲に位Ｉｔせしめる。続いて、このフィールドにつき前
記描画作業ｒ実施する。以降、この動作ｒ繰り返して、
ホトマスク基材上に所定のパターン全体紮完成させる。
が考えられている。ホトマスク基相の被描画面を互に同
一面ＦｆｊＪｋ有する多数のフィールドに仮想的に区画
する。フィールド内において電子ｔＬ−一定速度でＸＹ
方向に走査させてこれｒ被描画面に照射し、一つのフィ
ールド内にパターンのうち描画下べ＠該当部分を被描画
面２構成するホトレジストｒ露光させることにエリ描画
する。−回の描画が済んたら、ＸＹテーブルの送シ動作
によりホトマスク基材ｒ所定方向に移動させ、描画終了
のフィールドに隣接する次のフィールドｒ電子線照射範
囲に位Ｉｔせしめる。続いて、このフィールドにつき前
記描画作業ｒ実施する。以降、この動作ｒ繰り返して、
ホトマスク基材上に所定のパターン全体紮完成させる。
しかしながら、このような電子線描画方法にあっては、
電子線の照射量が十分に取ｎないため、確実な描画がな
さｎない場合が発生するという欠点があった。
電子線の照射量が十分に取ｎないため、確実な描画がな
さｎない場合が発生するという欠点があった。
本発明の目的は、このような欠点ケ解消し、パターン形
成を確実に行なうことができるビーム忙用いたパターン
形成方法を提供するにある。
成を確実に行なうことができるビーム忙用いたパターン
形成方法を提供するにある。
この目的ｒ達成するため、本発明は、同一パターンを多
重照射して形成するようにしたものでる名。
重照射して形成するようにしたものでる名。
以下、本発明を図面に示す実施例にしｆｃがって電子線
描画方法に通用した場合につき餅明する。
描画方法に通用した場合につき餅明する。
第■図は本発明による′−子子猫描画方法一実施例に使
用される１子巌描画装置の一実施例を示す構成図であり
、この装置の動作ｓｔなチー筒部１は、電子銃２と、照
射レンズ３と、円形状のビームスボッ）ｋ作る第１アパ
ーチヤ４と、整形レンズ５と、長さｒ変更可能な矩形状
のビームスポット７（１４線で塗シつぶした部分）ケ作
る第２アバ−シャ６と、縮小レンズ８と、静電偏向器９
と、投影レンズ１０と、電磁偏向器１１と、蕾描画物と
してのホトマスク基材１３’（（載ｉｉ保持し７ｊＸＹ
テーブル１２と、勿備えている。さらに、この装置は、
この鏡筒部ｌに所定の動作７行なわせてホトマスク基材
１３上に所望のパターン盆描画させるために、各種の電
源部、制御部、パターンデータ処理部、およびこれらｒ
統括する中央処理ユニット（ａｐｔｎｋｌえている。
用される１子巌描画装置の一実施例を示す構成図であり
、この装置の動作ｓｔなチー筒部１は、電子銃２と、照
射レンズ３と、円形状のビームスボッ）ｋ作る第１アパ
ーチヤ４と、整形レンズ５と、長さｒ変更可能な矩形状
のビームスポット７（１４線で塗シつぶした部分）ケ作
る第２アバ−シャ６と、縮小レンズ８と、静電偏向器９
と、投影レンズ１０と、電磁偏向器１１と、蕾描画物と
してのホトマスク基材１３’（（載ｉｉ保持し７ｊＸＹ
テーブル１２と、勿備えている。さらに、この装置は、
この鏡筒部ｌに所定の動作７行なわせてホトマスク基材
１３上に所望のパターン盆描画させるために、各種の電
源部、制御部、パターンデータ処理部、およびこれらｒ
統括する中央処理ユニット（ａｐｔｎｋｌえている。
（７［この装置による電子線描画方法の一実施例葡説明
する。
する。
鏡筒部１のＸＹテーブル１２上にホトマスク基月１３が
載置される。このホトマスク基材１３の表面にはホトレ
ジストが塗布さｎ１電子線の照射、、つ、、−ｊ工、ア
、工。７３．工、−いあ。 １このホトマスク基
材１３の飯描画面１４は、第２図に示すように、基盤の
目のように規則正しく仮想的に区画さｎて仮想上のフィ
ールドＦ群ｒ形成ざｔしている。さらに、このフィール
ドＦは、第３図に示すように、縞模様のように規則止し
く仮想的に区画さｎて仮想さのサブフィールド８Ｆ群か
ら構成さｎてｂる。
載置される。このホトマスク基材１３の表面にはホトレ
ジストが塗布さｎ１電子線の照射、、つ、、−ｊ工、ア
、工。７３．工、−いあ。 １このホトマスク基
材１３の飯描画面１４は、第２図に示すように、基盤の
目のように規則正しく仮想的に区画さｎて仮想上のフィ
ールドＦ群ｒ形成ざｔしている。さらに、このフィール
ドＦは、第３図に示すように、縞模様のように規則止し
く仮想的に区画さｎて仮想さのサブフィールド８Ｆ群か
ら構成さｎてｂる。
所定のアライメントかさｎた後、ｘＹテーブルが動作し
て、仮描画面１４内の第１フイールドＦ１が鏡筒１の投
影レンズ１０の真下に位賃づｎる。
て、仮描画面１４内の第１フイールドＦ１が鏡筒１の投
影レンズ１０の真下に位賃づｎる。
続いて、電子銃２から電子線か発射され、電子線は第１
．第２アパーチャ４．６およびレンズ群で整形かつ絞り
込まｒＬ、偏向器９，１１で偏向走査さ几る。
．第２アパーチャ４．６およびレンズ群で整形かつ絞り
込まｒＬ、偏向器９，１１で偏向走査さ几る。
電子線の走査ｅま、第３図に示すように、メインフィー
ルドＦ内において、各サブフィールドＳＦごとに順次行
なわれるようになっている。例えは、第１プフフイール
ド８Ｆｌ（１）全長について走査を終了した後第２サブ
フイールドＳＦ、の走査に移行する。
ルドＦ内において、各サブフィールドＳＦごとに順次行
なわれるようになっている。例えは、第１プフフイール
ド８Ｆｌ（１）全長について走査を終了した後第２サブ
フイールドＳＦ、の走査に移行する。
七して、各サブフィールドＳＦ内ＶＣおいて、走査線（
″＃Ｌ子線が走査して仮想的に描く平行Ｎ）Ｌはサブフ
ィールドＳＦ′の幅？一方回に横切シ、かつサブフィー
ルドの長さ方向に平行に並ぶようになってｈる。なお、
走査線りに沿うスポット（１１子線のビームスポット）
の走行は電磁偏向器で行なわｎ、走査線りの終端から次
の走査線りの始端への転移は靜ａｍ向器で行なわれる。
″＃Ｌ子線が走査して仮想的に描く平行Ｎ）Ｌはサブフ
ィールドＳＦ′の幅？一方回に横切シ、かつサブフィー
ルドの長さ方向に平行に並ぶようになってｈる。なお、
走査線りに沿うスポット（１１子線のビームスポット）
の走行は電磁偏向器で行なわｎ、走査線りの終端から次
の走査線りの始端への転移は靜ａｍ向器で行なわれる。
ちなみに、例、ｔば、第１サブフィールド８Ｆ、の終端
から第２サブフィールドＳＦ、の始端への転移は電磁偏
向器で行なわれる。
から第２サブフィールドＳＦ、の始端への転移は電磁偏
向器で行なわれる。
各サブフィールドｓＦｌ内におけるパターンの描画は第
４１￥ｌＫ示すように行なわ几る。なお、第４図におい
て、ＰはこのサブフィールドｓＦ内に描―丁べきパター
ンであり、５ｔｒＪ、前述した第２７パーシヤ６で作ら
ｎた矩形状のスポット７にさらに縮小さｎてなるスポッ
トである。
４１￥ｌＫ示すように行なわ几る。なお、第４図におい
て、ＰはこのサブフィールドｓＦ内に描―丁べきパター
ンであり、５ｔｒＪ、前述した第２７パーシヤ６で作ら
ｎた矩形状のスポット７にさらに縮小さｎてなるスポッ
トである。
第４図に示すように、走査＃Ｌ上に描画丁べきパターン
Ｐか仮想的に重合すると、電子銃２か電子＃ｒ全発射る
。発射と同時に、サブフィールド８Ｆの蛋描画面上に矩
形スボツ）Ｅｌが投影さ几る。
Ｐか仮想的に重合すると、電子銃２か電子＃ｒ全発射る
。発射と同時に、サブフィールド８Ｆの蛋描画面上に矩
形スボツ）Ｅｌが投影さ几る。
電子線は走査＠Ｌ上に仮想パターンＰが重合している間
、継続的に発射さｎる。この継続中、矩形スポットＳの
連続投影が行なわｎ１矩形スポツトＳの長さに等しい幅
と、走査距離に等しい長さとｒ持つ長方形の像が撮影さ
ｎる。この撮影像の部分における被描画面のレジストは
感光する。
、継続的に発射さｎる。この継続中、矩形スポットＳの
連続投影が行なわｎ１矩形スポツトＳの長さに等しい幅
と、走査距離に等しい長さとｒ持つ長方形の像が撮影さ
ｎる。この撮影像の部分における被描画面のレジストは
感光する。
走−１ＩＩＬ上に描画下べきパターンＰが仮想的に重合
しなくなると、電子銃２はＯＦＦする。以後、各走査＃
におりてこの動作か繰シ返えさｎ１サブフイ一ルドＳＦ
全体に所要のパターンか露光描画される。
しなくなると、電子銃２はＯＦＦする。以後、各走査＃
におりてこの動作か繰シ返えさｎ１サブフイ一ルドＳＦ
全体に所要のパターンか露光描画される。
ａｔサブフィールドＳＦ、についてのパターン描画が終
了したら、第２サブフィールドＳＦ、につｂてのパター
ン描画が行わｎ１以後各サブフレームＳＦにつめて順次
この動作が繰シ返えさ几、メインフィールドＦ全体Ｋ
／７ｒ 賛のパターンが＃Ｉ画さｎる。
了したら、第２サブフィールドＳＦ、につｂてのパター
ン描画が行わｎ１以後各サブフレームＳＦにつめて順次
この動作が繰シ返えさ几、メインフィールドＦ全体Ｋ
／７ｒ 賛のパターンが＃Ｉ画さｎる。
本実施例においては、一つのメインフィールドＦ全体に
ついて、パターン描画が一度なされたら、走査スポット
は同一のメインフィールドＦの冒頭、丁なわち第１サブ
フィールド８Ｆ、の最初の走査線りの始端に再び戻り、
再度、同一行８ｒ繰ｐ返えし、同一のパターンｒ二重露
光するように描画する。以後、この多重露光動作は、第
５図に示すようなフローチャートに基づき、所定回数繰
り返えざｎる。
ついて、パターン描画が一度なされたら、走査スポット
は同一のメインフィールドＦの冒頭、丁なわち第１サブ
フィールド８Ｆ、の最初の走査線りの始端に再び戻り、
再度、同一行８ｒ繰ｐ返えし、同一のパターンｒ二重露
光するように描画する。以後、この多重露光動作は、第
５図に示すようなフローチャートに基づき、所定回数繰
り返えざｎる。
この多重露光描画により、パターンは被描画面ｒ形成す
るホトレジスト層に確実に露光さｎて描画さｎる。
るホトレジスト層に確実に露光さｎて描画さｎる。
したがって、換言下れば、ホトレジスト材は感度が比較
的低い材料を使用することも可能になる。
的低い材料を使用することも可能になる。
感度の低−レシストγ選定してもよいということは、感
度ｔ＠牲にして高解像度のレジスト牙遺定することが可
能になり、微細加工にを与することかできる。
度ｔ＠牲にして高解像度のレジスト牙遺定することが可
能になり、微細加工にを与することかできる。
第１フイールドＦｌにつき所定回数の多本Ｎ元描画か終
了したら、ｘＹテーブル１２が所定方向に１ピツチだけ
送シ動作し、＃Ｉ２フィール）” Ｊｌ 。
了したら、ｘＹテーブル１２が所定方向に１ピツチだけ
送シ動作し、＃Ｉ２フィール）” Ｊｌ 。
が鏡筒ｌの投影レンズＩＯの真下に位［嘔ｎる。
続いて、第１フイールドＦ１におけると同様に′電子線
の走査による露光描画か行なわｎ、かつ、繰り返し露光
による多重描画か行なわｎる。
の走査による露光描画か行なわｎ、かつ、繰り返し露光
による多重描画か行なわｎる。
以下、第２（２）に矢印で示すように、各フィールドＦ
につｂて多重露光描画を順次繰シ返えしていき、被描画
面１４全体に所要のパターンを描画完成させる。
につｂて多重露光描画を順次繰シ返えしていき、被描画
面１４全体に所要のパターンを描画完成させる。
ここで、描画下べきパターンに対応する鏡筒部への入力
信号の形成について説明する。
信号の形成について説明する。
描画下べきパターンデータは、各種パターンデータ処理
部からＯＰＨの統括処理に基づき描画メモリに一応舊己
憧される。このメモリは百己１濤したデータ１ｏＰＨの
指令に基づいて前記フィールドごとに対応する工うに分
割して図形発生装置にインプットさせる。図形発生装置
は人力δれたデータに基づいて図形パターンを発生し、
このパターンに対応する１５号を前配鏡筒部ｌの各徨制
御部に前記サブフィールドごとに順次イングツトさせる
。
部からＯＰＨの統括処理に基づき描画メモリに一応舊己
憧される。このメモリは百己１濤したデータ１ｏＰＨの
指令に基づいて前記フィールドごとに対応する工うに分
割して図形発生装置にインプットさせる。図形発生装置
は人力δれたデータに基づいて図形パターンを発生し、
このパターンに対応する１５号を前配鏡筒部ｌの各徨制
御部に前記サブフィールドごとに順次イングツトさせる
。
このパターン１Ｎ号のインプット指令に基づき、鏡筒ｓ
１か被描画面にパターンを露光描画していζ過程は前述
した通りである。
１か被描画面にパターンを露光描画していζ過程は前述
した通りである。
ちなみに、第２図において、スポットＳは通常最大長さ
で走査さｎてパターンＰの一部ｒ描画していくが、最大
長路で描画するとパターンＰから露光部分がはみ出てし
まう場合には長ざｒ短縮化する。この短縮化は、鏡筒部
１の第２アパーチヤ６における矩形透孔に対する円形ス
ポットの照射位置を制御することによって行なわれる。
で走査さｎてパターンＰの一部ｒ描画していくが、最大
長路で描画するとパターンＰから露光部分がはみ出てし
まう場合には長ざｒ短縮化する。この短縮化は、鏡筒部
１の第２アパーチヤ６における矩形透孔に対する円形ス
ポットの照射位置を制御することによって行なわれる。
なお、前記実施例では、フィールド単位で多重露光によ
る繰シ返し描画ｒ行なう場合につ＠説明し７ｃが、被描
画面単位で繰り遮し描画を行なっても、パターンｒホト
レジストに確実に霧光させることができる。
る繰シ返し描画ｒ行なう場合につ＠説明し７ｃが、被描
画面単位で繰り遮し描画を行なっても、パターンｒホト
レジストに確実に霧光させることができる。
但し、フィールドの電子線走査時間ｋ ” １ ％各フ
ィールド間のステージ移動所要時間ｋ ｔ２ 、フィー
ルド数２Ｎ、多重描画回数ｔＭとすると、板描画面単位
で多重描画する場合の描画所要時間は、（ｔ、−１−ｔ
、）ｘｉｉｘＭ、となシ、ｃｎに対し、フィールド単位
で多重描画する場合の描画Ｆ）ｉ要時ＩＪｊｆｌ、ｔ
Ｉ Ｘ Ｎ Ｘ Ｍ＋ ｔＩ Ｘ ｎｓ とな９、後者
の描−＋ＰＪｒｉＮ時間が前者ｏｔ−ｎｘｐも、ｔ、
ＸＮＸ（Ｍ−１）、たけ短くなり、後者の方が有利であ
る。
ィールド間のステージ移動所要時間ｋ ｔ２ 、フィー
ルド数２Ｎ、多重描画回数ｔＭとすると、板描画面単位
で多重描画する場合の描画所要時間は、（ｔ、−１−ｔ
、）ｘｉｉｘＭ、となシ、ｃｎに対し、フィールド単位
で多重描画する場合の描画Ｆ）ｉ要時ＩＪｊｆｌ、ｔ
Ｉ Ｘ Ｎ Ｘ Ｍ＋ ｔＩ Ｘ ｎｓ とな９、後者
の描−＋ＰＪｒｉＮ時間が前者ｏｔ−ｎｘｐも、ｔ、
ＸＮＸ（Ｍ−１）、たけ短くなり、後者の方が有利であ
る。
また、サブフィールド単位で多重露光による繰り返し描
画會行なっても、パターンｔホトレジストに確実に露光
させることができる。
画會行なっても、パターンｔホトレジストに確実に露光
させることができる。
但し、前述したように、パターンデータが描画メモリ埠
においてフィールド単位に処理さｎるので、フィールド
単位で多重描画した方が有利である。
においてフィールド単位に処理さｎるので、フィールド
単位で多重描画した方が有利である。
なお、前記実施例では、電子線描画方法につき説明した
が、本発明は、イオンビームｒ用いタハターン形成方法
（電子ビーム露光と同様、計算制御による任意の精密バ
タ゛−ン描画機能に限らず、イオンビームｋｌｌｉ接ウ
ェハにイオン注入することによる不純物導入機能、イオ
ンエツチングによる加工機能等電子ビームの持ち得ない
重要な機能を利用してパターンを形成する場合も含む。
が、本発明は、イオンビームｒ用いタハターン形成方法
（電子ビーム露光と同様、計算制御による任意の精密バ
タ゛−ン描画機能に限らず、イオンビームｋｌｌｉ接ウ
ェハにイオン注入することによる不純物導入機能、イオ
ンエツチングによる加工機能等電子ビームの持ち得ない
重要な機能を利用してパターンを形成する場合も含む。
）１１！にも適用することができる。：
以上説明し念ように、本発明に工ｎは、パターン葡確実
に形成することかできる。
に形成することかできる。
第１図は電子線描画装置の一実施例紮示すｗ底図、
第２図〜第５図は本発明の一実施例を説明するためのも
ので、第２図は僅描画面の拡大図、第３図はフィールド
の拡大図、 第４図はサブフィールドの拡大図、 第５図は多重描画のためのフローチャート図である。 １・・・鏡筒、２・・・電子銃、４・・・第１７パーチ
ヤ、６・・・第２アパーチヤ、９・・・靜電閤同器、１
１・・・電磁偏向器、１２・・・ＸＹテーブル、１３・
・・ホトマスク基材、１４・・・被描画面、Ｆ・・・フ
ィールド、Ｓｐ・・・サブフィールド、Ｌ・・・走査ラ
イン、Ｐ・・・パターン、Ｓ・・・定食スポット。
ので、第２図は僅描画面の拡大図、第３図はフィールド
の拡大図、 第４図はサブフィールドの拡大図、 第５図は多重描画のためのフローチャート図である。 １・・・鏡筒、２・・・電子銃、４・・・第１７パーチ
ヤ、６・・・第２アパーチヤ、９・・・靜電閤同器、１
１・・・電磁偏向器、１２・・・ＸＹテーブル、１３・
・・ホトマスク基材、１４・・・被描画面、Ｆ・・・フ
ィールド、Ｓｐ・・・サブフィールド、Ｌ・・・走査ラ
イン、Ｐ・・・パターン、Ｓ・・・定食スポット。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、パターンｒ形成される被形成面ｒ互に同−面積ｒ有
する多数のフィールドに仮想的に区画し、フィールド内
においてビームｒ走査させて照射し一フイールド内にパ
ターンの該当部分髪形成し、その後、被パターン形成面
を所定方間に移動し、仄のフィールド内においてビーム
を走査させて照射しパターンの該当部分ケ形成し、この
動作ｒ１１＠仄繰り返してパターンｒ形成するビームｒ
用いたパターン形成方法において、既に形成さｎたパタ
ーンの上にビームｒ多重的に照射して同一の多本パター
ンｒ形成することｔ待機とするビームｒ用すたパターン
形成方法。 ２、 フィールド単位に多本照射ｒ行なうようにしｆｃ
特許請求の範囲第１項記載のビームを用いたパターン形
成方法。 ３、 ビームが１子線であり、被パターン形成面が電子
線レジストであることｔ％′徴とする付許稍求の範囲第
１項記載のビームｒ用いたパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10535582A JPS58222523A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | ビ−ムを用いたパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10535582A JPS58222523A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | ビ−ムを用いたパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58222523A true JPS58222523A (ja) | 1983-12-24 |
Family
ID=14405414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10535582A Pending JPS58222523A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | ビ−ムを用いたパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58222523A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001063325A1 (fr) * | 2000-02-28 | 2001-08-30 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Procede de fabrication d'un masque de phase pour le façonnage de fibres optiques et fibres optiques possedant un reseau de diffraction de bragg produit au moyen d'un tel masque de phase |
-
1982
- 1982-06-21 JP JP10535582A patent/JPS58222523A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001063325A1 (fr) * | 2000-02-28 | 2001-08-30 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Procede de fabrication d'un masque de phase pour le façonnage de fibres optiques et fibres optiques possedant un reseau de diffraction de bragg produit au moyen d'un tel masque de phase |
| US6795614B2 (en) | 2000-02-28 | 2004-09-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method of making phase mask for machining optical fiber and optical fiber having bragg diffraction grating produced using the phase mask for machining optical fiber |
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