JPS63150919A - 荷電ビ−ム露光装置におけるデ−タ検証方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、荷電ビーム露光装置に於いて、集積回路等の
設計パターンデータから生成した露光すべき単位図形を
検証する友め■荷電ビーム露光装置におけるデータ検証
方法に関する。

（従来の技術） ＬＳＩのパターンは、近年益々微細かつ複雑になりてお
り、このようなパターンを形成する装置としては、荷電
ビーム露光装置の１つとして例えば電子ビーム露光装置
が用いられている。ここでは。

この電子ビーム露光装置を例にとＶ説明を行なう。

上記電子ビーム露光装置を用いて所望パターンを高精度
に露光する場＠−１設計ツール（例えばＣＡＤ）で生成
される図形データは通常そのままの形式では、上記露光
装置の描画データとして用いることができない。

その理由は、設計データは一般に多角形で表現さｎてい
るのに対し電子ビーム露光に用いるデータは台形若しく
は矩形データしか許容されない事と１図形間に重なりが
あると多重露光となってしまい″右面データとして適さ
ないということに起因している。

従って、上記設計データに例えば輪郭化処理を施して多
重露光の除去を行ない、その後矩形・台形等の基本図形
や１画単位図形に分割し電子ビーム露光装置にとって許
容し得る図形データとしている。

近年、上記図形データを骨子としｔ描画パターンデータ
の一部に電子ビーム照射ｉ−を示す指標全付与し、パタ
ーン寸法およびパターンの相互関係によりビーム照射ａ
ｔ変え、近接効果の補正を行なう電子ビーム露光装装置
が、特開昭５７−１１１０２６に開示さｎている〇 上述の工程で生成される上記富画パターンデータを検証
する手段としては布面して得らｎたＬＳＩパターン全人
間が観察し、図形の寸法および図形間の寸法等に対する
精度を評価し、その劣化要因を解析し、更に必要に応じ
て所望の領域の■画データをプリンタやディスプレイ等
の出力装置に出力して、そのビーム照射量を確、認し、
更に該領域の図形群をグラフィック装置へ表示する極め
て原始的な方法であシ、データ検証の精度および効率を
高める上で問題があった。

また、上記の如く問題は今後ＬＳＩの急速な進歩でパタ
ーンの微細化およびＬＳＩチップパターンの図形数の増
加により、上記電子ビーム露光装置の効率的な運用がよ
び描画精度を高めていく上で大きな問題となる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は荷電ビーム露光装置の従来のデータ検証方法に
おける上記のような問題を解決する念めになされたもの
で、その目的はデータの検証糖蜜を高め、かつ効率的な
データ検証をはかり得る荷電ビーム露光装置におけるデ
ータ検証方法を提供することにある。

〔発明の構成〕

Ｃ問題点を解決するための手段） 本発明の骨子は、上記゛近接効果”を補正して電子ビー
ムの照射位置や照射時間を厳密かつ複雑に制御する必要
のある描画パターンデータをその照射時間を容易に識別
せら几る形式でパターン表示して装置？効率良く運用す
ることにある。すなわち、本発明は少なくとも２枚のビ
ーム成形アパーチャマスクを儂え、これらのマスクの電
子光学的重なり？偏向器により制御して荷電ビームを所
望の寸法及び形状に成形し、この成形ビームを試料上に
照射し、かつ上記ビーム照射時間を変化せしめて前記試
料に所望パターンを露光する荷電ビーム露光装置におい
て、前記荷電ビームで単一照射可能な図形群にＬＳＩパ
ターンを分割し、該図形群を図形表示手段によシ図形表
示する場合に、前記荷電ビームの照射時間の差異を各図
形単位に区別して表示するというものである。

（作用） 本発明によれば、　ＣＡＤなどの設計システムから出力
さｎるＬＳＩのパターンデータから生成される電子ビー
ムの近接効果の影響を補正しうる形式の描画パターンデ
ータの各描画図形毎のビーム照射時間とパターンの相互
関係を極めて容易に検証することが可能となり、描画ｖ
Ｎ＃の低下要因を解析する上で、有効であると共に、パ
ターンデータの検証精（を高めることができ、その結果
として極めて効率良く電子ビーム描画装置全運用するこ
とができる。

（実施例） 以下本発明を実施例に沿って説明する０第１図は１本実
施例で用いら几る装置の概略構成を示すブロック図であ
る。

描画パターンを示すセルデータｌはセルデータバッファ
２に格納さｎる。描画位置とセルデータをさすポインタ
で構成される描画データ３は描画データデコーダ９で解
釈され、セルデータ各７がセルデータバッファ２に送ら
ｎて指定のセルデータがセルデータバッファ２から読み
出される。サブフィールド番号ｌＯは主偏向器コントロ
ーラ１１に送らｎ、オフセットデータ１４は副偏向器コ
ントローラ１５に送ら几る０パターンデータデコーダ４
は、パターンデータ３を解釈し、サブフィールドの位置
決めデータを主偏向器ドライバ１２に送る。電子ビーム
は主偏向器１３で指定のサブフィールド位置に偏向走査
さｎる〇 副偏向器コントローラ１５は描画データデコーダ９から
オフセットデータ１４　’ｔ、　　またセルデータバッ
ファ２からセルサイズ１８７ｆｔ：受は取り副偏向器走
査のコントロール信号を発生し、こｎｆ受けた副偏向器
ドライバ１６は副偏向信号を発生し、副偏向器１７によ
りサブフィールドでの図形描画位置の位置決めを行ない
、前記描画パターンデータに基づきビームを照射すると
いうものである。

傳２図は、上述の電子ビーム描画装置を運用する際に用
いる描画パターンデータの生成工程？示す模式図である
ＱＣ！ＡＤシステムで設計されたＬＳＩデータは多角形
データ群により構成さｎており。

上記データを電子ビーム描画装置で許容しうるデータ形
式とする定め、上記ＬＳＩデータを磁気テープを介して
ホスト計算機に転送する。ホスト計算機で（ｌ−ｊ！電
子ビーム多重露光となる領域を除去するため輪郭化処理
ヲ施し、多角形として更に、該多角形を矩形および台形
で表現される基本図形とするための図形分割を行い、第
３図（ａ）に示す如くＡ１−Ａ３およびＢ１−Ｂ２を生
成し、該データを電子ビーム描画装置で描画しうる描画
単位図形群に分割し、！３図（ｂ）の如く描画パターン
データを得る〇 そして、この４画パターンデータによりＩｎビーム描画
装置を制御計算機で制御して描画処理すると第４図に示
す如＜Ａｌ−Ａ３のパターンが、Ｂ１−Ｂ２の影響を受
け、パターンが歪められてしまう。

そこで、前記第３図（１））の描画紙付図形に対して個
々の図形毎に周辺パターンからの影響を考慮し各図形毎
にビームの照射時間を第３図（ｃ）の如く補正（基準の
照射時間より大二十、小ニー）し之描画パターンデータ
をホスト計算機で生成し、該データに基づいて描画処理
されるものとなっている。

上記工程で上記自画単位図形群のビーム照射時間が正し
く設定さｎているかを検証する之め、上記１画パターン
データ全ホスト計算機からパターン表示装置として、グ
ラフィックディスプレイに表示するに際して、第５図に
示す如く描画単位図形のビーム照射時間に応じて、基準
時間をより大きくなるにつｎで１表示する図形の色調を
濃いものとし、基準時間をより小さくなるにつｎて表示
する図形の色調を薄いものとして５表示することにより
、描画単位図形のビーム照射時間を変化させて実現する
°近接効果補正”の補正ｔ’を極めて容易に識別するこ
とができた・ その結果として、極めて効率良く電子ビーム描画装置１
を運用することができ九〇 なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではない
。例えば、１！子ビーム光学系の構造も何ら実施例に限
定されるものでなく、適宜変更可能である。また、ビー
ム照射時間の変化を識別する方法についても色調を変化
させる他に、塗り潰し等のハツチング表示や表示する図
形の輝１１［−変化させる方法でも良いことは言うまで
もない０加えて、ビームも電子ビームに限、定さ几るこ
となく。

イオンビームを含む荷電ビームに対し適用可能である〇 その他１本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形し
て実施することができる〇 〔発明の効果〕 本発明によれば高精度で、効率的にデータ検証を行うこ
とができる０

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例で使用する装置全示画データ
の生成工程を示す模式図％第３図および８ｇ４図は描画
パターンデータを生成する過程を示す模式図、第５図は
描画パターンデータを検証するためのパターン表示の一
例を示す説明図である・１・・・セルデータ、２・・・
セルデータバッファ、３・・・パターンデータ、４・・
パターンデータデコーダ、５・・・可変ビーム成形器ド
ライバ、６・・・可変ビーム成形器、７・・・セルデー
タ名、８・・・描画データ。 ９・・・描画データデコーダ、１０・・・サブフィール
ド番号％　１１・・・主偏向器コントローラ、１２・・
・主偏向器ドライバ、　１３・・・主偏向器、　１４・
・・オフセットデータ、１５・・・副偏向器コントロー
ラ、１６・・・副偏向器ドライバ、１７・・・副偏向器
、１８・・・セルサイズ。 代理人　弁理士　則　近　憲　右 同　　　　竹　花　喜久男 第　　１　図 第　　２　図 第　　３　囚

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも２枚のビーム成形アパーチャマスクを
   備え、これらのマスクの電子光学的重なりを偏向器によ
   り制御して荷電ビームを所望の寸法及び形状に成形し、
   この成形ビームを試料上に照射し、かつ上記ビーム照射
   時間を変化せしめて前記試料に所望パターンを露光する
   荷電ビーム露光装置において、前記荷電ビームで単一照
   射可能な図形群にＬＳＩパターンを分割し、該図形群を
   図形表示手段により図形表示する場合に、前記荷電ビー
   ムの照射時間の差異を各図形単位に区別して表示するこ
   とを特徴とする荷電ビーム露光装置におけるデータ検証
   方法。
2. （２）特許請求の範囲第１項記載のデータ検証方法にお
   いて、前記荷電ビームの照射時間に応じて前記図形群を
   色違いにして表示することを特徴とする荷電ビーム露光
   装置におけるデータ検証方法。
3. （３）特許請求の範囲第１項記載のデータ検証方法にお
   いて、前記荷電ビームの照射時間に応じて、前記図形群
   のハッチング模様を変えて識別することを特徴とする荷
   電ビーム露光装置におけるデータ検証方法。
4. （４）特許請求の範囲第１項記載のデータ検証方法にお
   いて、前記荷電ビームの照射時間に応じて、照射時間の
   長い図形群の表示輝度を高く、照射時間の短かい図形群
   の表示輝度を低くして識別することを特徴とする荷電ビ
   ーム露光装置におけるデータ検証方法。