JP2006049898A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006049898A
JP2006049898A JP2005220018A JP2005220018A JP2006049898A JP 2006049898 A JP2006049898 A JP 2006049898A JP 2005220018 A JP2005220018 A JP 2005220018A JP 2005220018 A JP2005220018 A JP 2005220018A JP 2006049898 A JP2006049898 A JP 2006049898A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
array
substrate
lithographic apparatus
cylindrical lenses
lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005220018A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4386866B2 (ja
Inventor
Cheng-Qun Gui
− クン グイ チェン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2006049898A publication Critical patent/JP2006049898A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4386866B2 publication Critical patent/JP4386866B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70275Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00Photographic printing apparatus
    • G03B27/32Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/52Details
    • G03B27/54Lamp housings; Illuminating means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Abstract

【課題】より効率のいいマイクロレンズ・アレイ・システムを提供すること。
【解決手段】投影システムは、パターン形成されたビームを受け取り、パターン形成されたビームを複数のほぼ多角形の部分に分割し、ほぼ多角形の部分をそれぞれ合焦して、基板の目標部分にそれぞれの放射スポットを形成するように構成されたレンズ・アレイを備える。一実施例では、照明システムは、放射源から放射ビームを受け取るように構成された照明器を備え、照明器は、放射源からの放射ビームを複数のほぼ多角形の部分に分割し、ほぼ多角形の部分をそれぞれ、個々に制御可能な素子のアレイのそれぞれの素子に合焦するように構成されたレンズ・アレイを備える。
【選択図】図6

Description

本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は、基板の目標部分に所望のパターンを適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、IC(集積回路)、フラット・パネル・ディスプレイ、印刷ヘッド、マイクロ流体デバイス又はナノ流体デバイスその他の微細構造を伴うデバイスの製造で使用することができる。従来型リソグラフィ装置では、マスク又はレチクルとも称するパターン形成手段を使用して、IC(又は他のデバイス)の個々の層に対応する回路パターンを生成し得る。このパターンは、放射感応性材料(例えば、レジスト)の層を有する基板(例えばシリコン・ウェハ又はガラス・プレート)の(例えば、ダイの一部或いは1つ又は複数のダイを含む)目標部分に結像させることができる。マスクの代わりに、パターン形成手段は、回路パターンを生成する個々に制御可能な素子のアレイを備えることができる。
一般に、1枚の基板は、次々に露光される隣接した目標部分の集合を含む。周知のリソグラフィ装置の例は、目標部分にパターン全体を1回露光することによって各目標部分が照射されるステッパと、所与の方向(「走査」方向)にビームを通過してパターンを走査し、この方向と平行又は逆平行に基板を同期走査することによって各目標部分が照射されるスキャナである。
マスクレス・リソグラフィでは、各レンズがパターン形成されたビームのそれぞれの部分を受け取り、それを合焦させるように構成されたレンズ・アレイを備える投影システムを使用して、基板の目標部分にパターン形成されたビームを投影することが知られている。このように、レンズ・アレイの各レンズは、それぞれの放射スポットを基板に投影し、レンズ・アレイは、放射パターンを一括して基板に投影する。このようなシステムは一般に、マイクロレンズ・アレイ・システム又はMLAシステムと呼ばれる。これらのシステムでは、パターン形成されたビームは一般に、一連の光学部品を備え、且つほぼ平行な放射ビームを提供するビーム・エキスパンダを介してレンズ・アレイに投影される。
MLAを使用することの固有の欠点は、MLAに入射するパターン形成されたビームの一部が失われる、即ち、ある部分が基板の目標表面に到達しないことであることを理解されたい。この失われる部分は、MLAのレンズとレンズの間に入射するビームの部分(即ち、MLAのマスキング構造に入射する部分)である。遮断されるビーム断面の大きさを小さくするために(即ち、目標基板に到達する割合を最大にするために)、MLAのマスキング構造における開口部又は窓をできるだけ大きくすることができる。しかし、MLAの窓を比較的大きくしても、失われる(即ち、基板に到達しない)パターン形成されたビーム断面の割合は依然として、約21.5%になることがある。その結果、円形レンズの矩形アレイの最大充填比は78.5%になる。実際には、実現可能な最大充填比は、70%未満になることがある。
したがって、より効率のよいMLAが求められている。
一実施例によれば、放射ビームを供給する照明システムと、このビームの断面にパターンを付与する働きをする個々に制御可能な素子のアレイと、基板を支持する基板テーブルと、基板の目標部分にパターン形成されたビームを投影する投影システムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。この投影システムは、パターン形成されたビームを受け取り、このパターン形成されたビームの断面を複数のほぼ多角形の部分に分割し、ほぼ多角形の部分をそれぞれ合焦して、基板の目標部分にそれぞれの放射スポットを形成するように構成されたレンズ・アレイを備える。
この実施例では、このレンズ・アレイは、ビーム断面の多角形の部分を合焦するように構成される。一実施例では、円形レンズの矩形アレイを使用するときの固有な最大充填比である78.5%が回避される。パターン形成されたビームの目標基板に向ける部分をより大きくすることができ、この部分の割合は100%にもなり得る。
一実施例では、ほぼ多角形の部分はそれぞれ、ほぼ矩形である。別の実施例では、ほぼ多角形の部分はそれぞれ、ほぼ正方形である。パターン形成されたビームの断面を正方形に分割することは、ビーム・パターン形成手段が、制御可能な素子からなる正方形グリッドの形態をとるときに特に望まれる。というのは、こうすると、投影される各放射スポットが、これらの素子のそれぞれに対応し得るからである。
一実施例では、レンズ・アレイは、円筒レンズの第1アレイを備える。各円筒レンズは、パターン形成されたビームの断面のそれぞれの矩形部分を受け取り、このそれぞれの部分をそれぞれの焦線に向かって合焦するように構成される。円筒レンズの焦線は、互いにほぼ平行であり、且つビーム方向を横切る第1軸にほぼ平行である。一実施例では、第1アレイの円筒レンズの焦線は同一平面上にあり、アレイ自体は、全体的に平面構造とすることができ、レンズは、例えば、共通の透明基板の平行な部分によって形成される。
一実施例では、レンズ・アレイはさらに、第1アレイからパターン形成された合焦ビームを受け取るように配置された円筒レンズの第2アレイを備える(即ち、第1及び第2のアレイは、ビームに沿って直列に配置し得る)。この実施例では、第2アレイの各円筒レンズは、パターン形成された合焦ビームの断面のそれぞれの矩形部分を受け取り、さらにこのそれぞれの部分を、それぞれの焦線に向かって合焦するように構成される。第2アレイの円筒レンズの焦線は、互いにほぼ平行であり、且つ、ビーム方向を横切り、第1軸にほぼ直交する第2軸にほぼ平行である。この場合も、第2アレイの円筒レンズの焦線は同一平面上にあり、第2アレイ自体は、全体的に平面構造とすることができ、レンズは、共通の透明基板の平行な部分によって形成される。
このように、ビームの断面を矩形部分に分割し、これらの部分を目標基板上で矩形スポット・アレイに合焦することは、円筒レンズ・アレイを交差させ直列に組み合わせることによって好都合に実現し得る。
一実施例では、第1アレイの円筒レンズは第1共通焦点距離を有し、第2アレイの円筒レンズは第2共通焦点距離を有する。第1共通焦点距離は第2共通焦点距離よりも長い。別の実施例では、焦点距離が異なるこれらの第1及び第2のアレイは、第1アレイのレンズの焦線及び第2アレイのレンズの焦線が、同じ共通面上に入射するように構成される。即ち、第1及び第2の円筒レンズ・アレイは、ビーム方向に沿って直列に配置されているので、目標面から異なる距離のところにある(これらは例えば、目標基板の上で異なる高さのところにあることがある)が、これらの円筒レンズ・アレイはそれぞれ、目標面上に合焦し得る。言い換えれば、これら2つのレンズ・アレイは、共通の焦点面を有し得る。このように、第1円筒レンズ・アレイのレンズは、第2円筒レンズ・アレイのレンズと異なる曲率を有し得ることを理解されたい。
円筒レンズの第1及び第2のアレイは、物理的に別々の構造によって形成し得るが、代替実施例では、これらは、共通基板のそれぞれの部分によって形成することができる。
一実施例では、円筒レンズの第1アレイは第1透明基板を含む。第1アレイの各円筒レンズはこの第1基板のそれぞれの部分によって形成される。円筒レンズの第2アレイは第2透明基板を含む。第2アレイの各円筒レンズはこの第2基板のそれぞれの部分によって形成される。第2基板は第1基板に取り付けられる。この取付けは、例えば適切な粘着剤による結合によって、或いは共晶接合又はファンデルワールス力を利用した直接結合など、他の結合技術などによって行うことができる。
このように、上記で説明した本発明の実施例及び例で使用するのに適したレンズ・アレイの一形態はパターン形成されたビームを横切って第1方向に延びる円筒レンズの第1平行アレイを備え、この第1平行アレイはパターン形成されたビームを横切って第1方向に直交する第2方向に延びる円筒レンズの第2平行アレイに直列に配置されることを理解されたい。ただし、代替実施例では、円筒レンズの第1アレイと第2アレイは互いに直交しないことがある。
一実施例では、レンズ・アレイにマスキング構造を含めないようにすることができ、目標基板に到達するパターン形成されたビームの割合は100%にもなり得る。或いは、マスキング構造を使用してパターン形成されたビームの一部を遮断し、それによって、例えば、(画素と称することもある)隣接する投影放射スポット間の「クロストーク」を減少させることができる。このマスキング構造は、例えば、レンズ基板の表面上に配置された遮蔽材料(例えば、共通基板上の隣接する円筒レンズを分離するライン状の材料)の形態をとることもできるし、投影システム内の他の場所に配置することもできる。例えば、レンズ・アレイが、円筒レンズ・アレイを交差させ直列に配置する実施例では、これら2つのアレイ間にマスクを配置し得る。
一実施例では、レンズ・アレイはパターン形成されたビームの断面の少なくとも90%を基板の目標部分に合焦するように構成され、そのため、理論最大値である78.5%しか送達し得ないはずの従来型MLAに比べて大きく改善される。
一実施例では、個々に制御可能な素子のアレイは矩形のアレイとし得る。このレンズ・アレイはそれぞれ制御可能な各素子に対応する投影スポットが矩形アレイを形成するように構成される。
別の実施例では、放射ビームを供給する照明システムと、このビームの断面にパターンを付与する働きをする個々に制御可能な素子のアレイと、基板を支持する基板テーブルと、基板の目標部分にパターン形成されたビームを投影する投影システムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。この照明システムは、放射源から放射ビームを受け取るように構成された照明器を備える。この照明器は、放射源からの放射ビームの断面を複数のほぼ多角形の部分に分割し、ほぼ多角形の部分をそれぞれ、個々に制御可能な素子のアレイのそれぞれの素子に合焦するように構成されたレンズ・アレイを備える。
一実施例では、パターン形成プロセスにおいて「失われる」か、或いは無駄になるビームの割合が減少する。このレンズ・アレイは、普通ならパターン形成素子間に入射する供給ビームの一部を、これらの素子上に合焦することができる。
本発明の第1実施例の投影システムに関連して先に述べたレンズ・アレイを、この第2実施例の対応する照明器とともに使用し得ることを理解されたい。
この実施例では、コントラスト装置の近くの照明システム内で1対の円筒レンズ・アレイを使用して、このコントラスト装置の(画素と称することもある)素子のスポット照明を生成し得る。
別の実施例によれば、基板を提供するステップと、照明システムを使用して放射ビームを提供するステップと、個々に制御可能な素子のアレイを使用して、このビームの断面にパターンを付与するステップと、このパターン形成された放射ビームを基板の目標部分に投影するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。投影ステップは、パターン形成されたビームの断面を複数のほぼ多角形の部分に分割するステップと、ほぼ多角形の部分をそれぞれ合焦して、基板の目標部分上にそれぞれの放射スポットを形成するステップとを含む。
別の実施例では、基板を提供するステップと、照明システムを使用して放射ビームを提供するステップと、個々に制御可能な素子のアレイを使用して、このビームの断面にパターンを付与するステップと、このパターン形成された放射ビームを基板の目標部分に投影するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。ビームを提供するステップは、放射源から放射ビームを提供するステップと、放射源からの放射ビームの断面を複数のほぼ多角形の部分に分割するステップと、ほぼ多角形の部分をそれぞれ、個々に制御可能な素子のアレイのそれぞれの素子に合焦するステップとを含む。
本発明の別の実施例、特徴、及び利点、並びに本発明の様々な実施例の構造及び動作を、添付の図面を参照して以下で詳細に説明する。
本明細書に組み込まれ、明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明を図示し、説明と合わせてさらに、本発明の原理を説明し、当業者が本発明を理解し利用し得るのに役立つ。
次に、添付の図面を参照して本発明を説明する。図面では、同じ参照数字は、同じ又は機能的に類似の要素を示す。
概要及び用語
本明細書では、IC(集積回路)の製造でリソグラフィ装置を使用することを具体的に言及するが、本明細書で説明するリソグラフィ装置は、集積光学系、磁気ドメイン・メモリ用の誘導/検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用が可能であることを理解されたい。このような代替応用例の状況では、本明細書で用いる「ウェハ」又は「ダイ」という用語は、それぞれより一般の用語である「基板」又は「目標部分」と同義とみなし得ることが当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、例えば、トラック(例えば典型的には、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール)、或いは計測又は検査用のツール内で、露光前又は露光後に処理することができる。該当する場合には、上記その他の基板処理ツールに本明細書の開示を適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを生成するために2回以上処理される。そのため、本明細書で用いる基板という用語は、複数の処理済み層をすでに含む基板を指す。
「合焦する」という用語は、広い意味で解釈すべきであることを理解されたい。この用語は、レンズ・アレイが、多角形の部分をそれぞれある程度集結して、それぞれの放射スポットを形成するように構成されることを意味する。言い換えれば、このレンズ・アレイにより、各多角形部分の光線が集束して放射スポットが形成される。ただし、各放射スポットは、ある種の実施例では先鋭な像であることがあるが、必ずしもそうではない。
ここで用いる「個々に制御可能な素子のアレイ」という用語は、入射する放射ビームの断面にパターンを付与して、基板の目標部分に所望のパターンを生成するのに使用し得る任意の装置を指すと広く解釈すべきである。ここでは、「ライト・バルブ」及び「SLM(空間光変調器)」という用語を用いることもできる。以下、このようなパターン形成装置の実施例を論じる。
プログラム可能なミラー・アレイは、粘弾性制御層及び反射面を有するマトリックス状にアドレス指定可能な表面を含み得る。このような機器の基礎となる基本原理は、例えば、反射面のアドレス指定された区域は入射光を回折光として反射し、アドレス指定されない区域は入射光を非回折光として反射するというものである。適当な空間フィルタを使用して、非回折光をフィルタリングして反射ビームから除去し、それによって、基板に到達する回折光のみを残すことができる。このようにして、マトリックス状にアドレス指定可能な表面のアドレス指定パターンに従ってビームがパターン形成される。
代替手段として、フィルタにより回折光をフィルタリングして除去し、それによって、基板に到達する非回折光を残すことができることを理解されたい。これに対応するやり方で、回折型光MEMS(微小電気機械システム)装置のアレイを使用することもできる。回折型光MEMS装置はそれぞれ、相互に変形して入射光を回折光として反射するグレーティングを形成し得る複数の反射性リボンを含み得る。
別の代替実施例は、適切な局所電界を印加するか、或いは圧電作動手段を使用することによって、それぞれ個別にある軸の周りで傾けることができるマトリックス状に配置した小ミラーを使用するプログラム可能なミラー・アレイを含み得る。この場合も、これらのミラーはマトリックス状にアドレス指定可能であり、そのためアドレス指定されたミラーは、入射する放射ビームを、アドレス指定されないミラーと異なる方向に反射することになる。このようにして、反射ビームは、マトリックス状にアドレス指定可能なミラーのアドレス指定パターンに従ってパターン形成される。必要とされるマトリックス・アドレス指定は、適当な電子手段を使用して実施し得る。
ここで先に述べたいずれの状況でも、個々に制御可能な素子のアレイは、1つ又は複数のプログラム可能なミラー・アレイを含み得る。ここで言及したミラー・アレイに関するより多くの情報は、例えば、米国特許第5296891号及び第5523193号、並びにPCT特許出願WO98/38597号及びWO98/33096号から入手することができる。これら全体が参照により本明細書に援用される。
プログラム可能なLCDアレイを使用することもできる。このような構造の実施例が、米国特許第5229872号に示されている。この特許全体が参照により本明細書に援用される。
フィーチャのプリバイアス処理、光学近接効果補正用のフィーチャ、位相変化技術、及び多重露光技術を利用する場合、例えば、個々に制御可能な素子のアレイ上に「示される」パターンは、例えば基板の層に、又は基板上の層に最終的に転写されるパターンとかなり異なることがあることを理解されたい。同様に、基板上に最終的に生成されるパターンは、任意のある瞬間に個々に制御可能な素子のアレイ上に形成されるパターンに対応しないことがある。このようなことが生じるのは、基板の各部分に形成される最終パターンが、所与の時間又は所与の回数の露光全体を通して形成され、その間に、個々に制御可能な素子のアレイ上のパターン及び/又は基板の相対位置が変化するように構成される場合である。
本明細書では、ICの製造でリソグラフィ装置を使用することを具体的に言及するが、本明細書で説明するリソグラフィ装置は、例えば、DNAチップ、MEMS、MOEMS、集積光学系、磁気ドメイン・メモリ用の誘導/検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用が可能であることを理解されたい。このような代替応用例の状況では、本明細書で用いる「ウェハ」又は「ダイ」という用語は、それぞれより一般の用語である「基板」又は「目標部分」と同義とみなし得ることが当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、例えば、トラック(典型的には、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール)、或いは計測又は検査用のツール内で、露光前又は露光後に処理することができる。該当する場合には、上記その他の基板処理ツールに本明細書の開示を適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを生成するために2回以上処理することがある。そのため、本明細書で用いる基板という用語は、複数の処理済み層をすでに含む基板を指すこともある。
本明細書で用いる「放射」及び「ビーム」という用語は、(例えば、365、248、193、157、又は126nmの波長を有する)UV(紫外)放射、及び(例えば、5〜20nmの範囲の波長を有する)EUV(極紫外)放射、並びにイオン・ビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含めて、あらゆるタイプの電磁放射を包含する。
本明細書で用いる「投影システム」という用語は、例えば、用いられる露光放射に対して、或いは浸漬液の使用又は真空の使用などの他のファクタに対して適宜、屈折光学系、反射光学系、及び反射屈折光学系を含めて、様々なタイプの投影システムを包含すると広く解釈すべきである。本明細書で用いる「レンズ」という用語は、「投影システム」と言う、より一般の用語と同義とみなし得る。
照明システムも、放射ビームを方向づけ、整形し、また制御する屈折型、反射型、及び反射屈折型の光学部品を含めて、様々なタイプの光学部品を含み得る。このような部品も、以下では総称して或いは単独で「レンズ」と称することがある。
リソグラフィ装置は、2つ(例えば、2段階)以上の基板テーブル(及び/又は2つ以上のマスク・テーブル)を有するタイプのものとし得る。このような「多段階」型の機械では、追加のテーブルを並列で使用し得る。即ち、準備ステップを1つ又は複数のテーブル上で実施しながら、1つ又は複数の他のテーブルを使用して露光を行うことができる。
リソグラフィ装置は、比較的高屈折率の液体(例えば、水)に基板を浸して、投影システムの最終要素と基板の間のスペースを満たすタイプのものとすることもできる。浸漬液は、リソグラフィ装置内の他のスペース、例えばマスクと投影システムの第1要素の間に適用することもできる。投影システムの開口数を大きくする液浸技術は、当技術分野では周知のものである。
さらに、この機器は、流体と基板の照射される部分との間の相互作用を可能にする(例えば、基板に化学物質を選択的に付着させるか、或いは、基板の表面構造を選択的に改変する)流体処理セルを備えることができる。
リソグラフィ装置の第1実施例
図2に、リソグラフィ装置の一部を示す。水銀ランプ又はレーザなどのコリメートされた放射源からのビームPBは、制御可能な素子のアレイPPMに向けられる。アレイPPMから反射したパターン形成されたビームは、ビーム・エキスパンダBEによってMLAに投影される。MLAは、基板Wの目標表面に放射スポットのアレイを投影する。
図3は、MLA(マイクロレンズ・アレイ)の簡略化した平面図であり、図4は、図3のMLAの線AAに沿った断面図である。このMLAは、上面が平坦であり、下面が複数の球面レンズSLを画定する形状になっている透明材料の本体を備える。このMLAは、透明な本体の第1平坦表面に取り付けられた不透明な材料の層LMの形態のマスク構造も備える。円形窓CWのアレイが、不透明層LMに形成される。各窓CWは、レンズ部分SLのそれぞれに中心が合わせられる。図3には9個の窓だけからなるアレイを示すが、実際には、このMLAは百万個又はそれ以上ものマイクロレンズを含み得ることを理解されたい。
図5は、リソグラフィ装置で使用するMLAの概略図であり、投影された放射スポットの対応するパターンも示されている。遮断されるビーム断面の大きさを小さくする(即ち、目標基板に到達する割合を最大にする)ために、窓をできるだけ大きくすることができる。下にある基板に投影された像スポットIも示されている。これらの像スポットは円形である(空間にある)。
リソグラフィ装置の第2実施例
図1に、本発明の実施例によるリソグラフィ投影機器100を概略的に示す。機器100は少なくとも、放射システム102、個々に制御可能な素子のアレイ104、物体テーブル106(例えば、基板テーブル)、及び投影システム(「レンズ」)108を備える。
放射システム102を使用して、放射(例えば、UV放射)ビーム110を供給することができる。この特定の場合には、放射システム102は、放射源112も備える。
個々に制御可能な素子のアレイ104(例えば、プログラム可能なミラー・アレイ)を使用して、ビーム110にパターンを適用することができる。一般に、個々に制御可能な素子のアレイ104の位置は、投影システム108に対して相対的に固定し得る。ただし、代替構成では、個々に制御可能な素子のアレイ104を(図示しない)位置決め装置に連結して、投影システム108に対して正確に位置決めすることができる。ここで示すように、個々に制御可能な素子104は、反射タイプのものである(例えば、反射性の個々に制御可能な素子のアレイを有する)。
物体テーブル106には、基板114(例えば、レジストを塗布したシリコン・ウェハ又はガラス基板)を保持する(具体的には図示しない)基板ホルダを設けることができる。物体テーブル106は、位置決め装置116に連結して、投影システム108に対して基板114を正確に位置決めし得る。
投影システム108(例えば、石英及び/又はCaF2のレンズ系、又はこのような材料でできているレンズ要素を備える反射屈折光学系、或いはミラー系)を使用して、ビーム・スプリッタ118から受け取ったパターン形成されたビームを、基板114の目標部分120(例えば、1つ又は複数のダイ)に投影することができる。投影システム108は、基板114に個々に制御可能な素子のアレイ104の像を投影し得る。或いは、投影システム108は、個々に制御可能な素子のアレイ104の各素子がシャッタとして働く2次放射源の像を投影し得る。投影システム108は、このような2次放射源を形成し、且つ基板114に微小スポットを投影するMLA(マイクロレンズ・アレイ)も含み得る。
放射源112(例えば、エキシマ・レーザ)は、放射ビーム122を生成し得る。ビーム122は、直接、或いは例えばビーム・エキスパンダ126などの調節装置126を横切った後で、照明システム(照明器)124内に供給される。照明器124は、ビーム122の強度分布の外側及び/又は内側の半径方向範囲(一般に、それぞれσ−アウタ及びσ−インナと呼ばれる)を設定する調整装置128を含み得る。さらに、照明器124は一般に、積分器130及びコンデンサ132など、他の様々な部品を備える。このようにして、個々に制御可能な素子のアレイ104に入射するビーム110の断面で、所望の均一性及び強度分布が得られる。
図1に関して、放射源112は、(放射源112が、例えば水銀ランプのときしばしばそうであるが)リソグラフィ投影機器100のハウジング内に含めることができることに留意されたい。代替実施例では、リソグラフィ投影機器100から放射源112を離すこともできる。この場合、放射ビーム122は、(例えば、適当な方向づけミラーを用いて)機器100内に方向づけられることになる。後者の状況は、放射源112がエキシマ・レーザのときにしばしば生じるものである。これらいずれの状況も、本発明の範囲内で企図されていることを理解されたい。
その後、ビーム110は、ビーム・スプリッタ118を使用して方向づけられた後で、個々に制御可能な素子のアレイ104に当たる。個々に制御可能な素子のアレイ104によって反射されたビーム110は、投影システム108を通過し、基板114の目標部分120に合焦する。
位置決め装置116(及び任意選択で、ビーム・スプリッタ140を介して干渉ビーム138を受け取るベース・プレート136上の干渉計測装置134)を使用して、基板テーブル106を正確に移動させ、それによって、ビーム110の経路内で異なる目標部分120を位置決めすることができる。個々に制御可能な素子のアレイ104用の位置決め装置を使用する場合、これを使用して、例えば走査中に、ビーム110の経路に対して個々に制御可能な素子のアレイ104の位置を正確に補正することができる。一般に、物体テーブル106の移動は、(粗い位置決め用の)長ストローク・モジュール及び(精密位置決め用の)短ストローク・モジュールを使用して実現される。これらのモジュールは、図1に明示的に示していない。類似のシステムを使用して、個々に制御可能な素子のアレイ104を位置決めすることもできる。或いは/それに加えて、ビーム110を移動可能とし、物体テーブル106及び/又は個々に制御可能な素子のアレイ104の位置を固定して、必要とされる相対運動が実現されることを理解されたい。
この実施例の代替構成では、基板テーブル106を固定し、基板テーブル106の上で基板114を移動可能にすることができる。これを行う場合、基板テーブル106の平坦な最上面に複数の開口部を設け、これらの開口部を通してガスを供給して、基板114を支持し得るガス・クッションを設ける。従来方式では、これをエア・ベアリング構成と称する。ビーム110の経路に対して基板114を正確に位置決めし得る(図示しない)1つ又は複数のアクチュエータを使用して、基板テーブル106の上で基板114を移動させる。或いは、これらの開口部を通るガスの移動を選択的に開始/停止することによって、基板テーブル106の上で基板114を移動させることができる。
本明細書では、基板上のレジストを露光するためのものとして本発明によるリソグラフィ装置100を説明するが、本発明はこのような使用法に限定されず、機器100を使用して、レジストレス・リソグラフィで使用するパターン形成されたビーム110を投影し得ることを理解されたい。
図に示す機器100は、以下の4つの好ましいモードで使用し得る。
1.ステップ・モード:目標部分120に、個々に制御可能な素子のアレイ104上のパターン全体を1回で(即ち、1回の「フラッシュ」で)投影する。次いで、基板テーブル106をx方向及び/又はy方向に異なる位置に移動させて、パターン形成されたビーム110によって異なる目標部分120を照射することができる。
2.スキャン・モード:所与の目標部分120が1回の「フラッシュ」で露光されない点を除き、ステップ・モードとほぼ同じである。その代わりに、個々に制御可能な素子のアレイ104を、所与の方向(いわゆる「走査方向」、例えばy方向)に速度vで移動可能とし、それによってパターン形成されたビーム110が、個々に制御可能な素子のアレイ104の上を走査する。それと並行して、基板テーブル106が同時に同方向又は反対方向に速度V=Mvで移動する。ただし、Mは投影システム108の倍率である。このようにして、比較的大きな目標部分120を、解像力を損なわずに露光し得る。
3.パルス・モード:個々に制御可能な素子のアレイ104をほぼ固定し、パルス化された放射システム102を使用して、基板114の目標部分120にパターン全体を投影する。基板テーブル106は、パターン形成されたビーム110が基板106を横切るラインを走査するように、ほぼ一定のスピードで移動する。放射システム102のパルスとパルスの間に、個々に制御可能な素子のアレイ104上のパターンが必要に応じて更新される。これらのパルスは、基板114の必要とされる場所で、連続した目標部分120が露光されるように時間間隔が設定される。その結果、基板114のある帯状部分について完全なパターンが露光されるように、基板114を横切ってパターン形成されたビーム110を走査することができる。基板114がライン1本ずつ最後まで露光されるまで、このプロセスを繰り返す。
4.連続スキャン・モード:ほぼ一定の放射システム102を使用する点と、パターン形成されたビーム110が基板114を横切って走査し、基板114を露光するときに、個々に制御可能な素子のアレイ104上のパターンを更新する点とを除き、パルス・モードとほぼ同じである。
上記で説明した使用モードの組合せ及び/又は変形、或いはまったく異なる使用モードを用いることもできる。
リソグラフィ装置の第3実施例
図6に、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置の一部を示す。図6は、放射ビーム1を供給するように構成された照明システムを備える。ビーム1は、ビーム・スプリッタ4によって、制御可能な素子21のアレイ2に向けられる。(図示しない)制御手段は、素子21の状態を制御して、ビーム1に所望のパターンを付与することができる。次いで、パターン形成されたビーム10は、素子21のアレイから反射し、ビーム・スプリッタ4を通過し、投影システム5によって基板3の目標表面31に投影される。
この実施例では、投影システム5は、パターン形成されたビーム10を受け取り、それを開口絞り62の開口を通して合焦させるように構成された第1レンズ61を含むビーム・エキスパンダを備える。この開口内には、別のレンズ63が配置される。次いで、ビーム10は発散し、第3レンズ64(例えば、フィールド・レンズ)によって合焦されて、ほぼ平行なパターン形成された拡大ビーム11を形成する。投影システム5はさらに、パターン形成された拡大ビーム11を受け取るように構成されたレンズ・アレイ7を備える。レンズ・アレイ7は、パターン形成された拡大ビーム11の断面を複数のほぼ多角形の部分に分割し、ほぼ多角形の部分をそれぞれ合焦して、基板3の目標表面31でそれぞれの放射スポット12を形成する。レンズ・アレイ7は、目標表面31上の各放射スポット12が、ビーム11のそれぞれの多角形部分から得られるようにビーム11を分割する。一実施例では、レンズ・アレイ7は、ビーム断面の正方形部分を合焦して、目標表面31上で、対応する正方形放射スポット12を形成するように構成される。
レンズ・アレイ7は、円筒レンズの第1平行アレイ71を備え、第1平行アレイ71は、円筒レンズの第2平行アレイ72に直列に配置される。図6には、任意の1組の軸X、Y、及びZを示す。この実施例では、Z方向は、ビームの投影方向に平行である。
円筒レンズの第1アレイ71は、その円筒レンズがそれぞれ、X軸に平行な焦線に向かってビーム11の一部を合焦するように構成される。第1アレイ71の円筒レンズは、ビーム方向を横切って第1方向に延びるとみなされる。
円筒レンズの第2アレイ72は、第1アレイ71の円筒レンズと同じサイズ及びピッチのレンズを備えるが、第2アレイ72の各円筒レンズは、ビームを横切って第2方向に延び、そのため、Y軸に平行な焦線に向かって、入射する放射を合焦する。第1アレイ71及び第2アレイ72は基板3の目標表面31に全体的に平行であるが、第2アレイ72は第1アレイ71に対してX軸の周りで90°回転しており、そのため、これら2つのアレイの円筒レンズが交差するように、第1アレイ71及び第2アレイ72が構成されるとみなすことができる。これら2つのアレイのレンズのサイズ及びピッチは同じではないことがあることを理解されたい。
円筒レンズ・アレイを交差させ、直列に組み合わせると、合焦ビーム11が放射スポット12のアレイになる効果が得られる。この実施例では、各放射スポット12は、制御可能な素子21のそれぞれに対応する。
一実施例では、第1アレイ71の円筒レンズの数Nは、第2アレイ72の円筒レンズの数に等しく、投影される放射スポット12の数は、N×Nに等しい。この実施例では、第1アレイ71は、第2アレイ72よりも焦点距離が長く、アレイ71、72のいずれの焦点面も同一平面になり、目標表面31に入射するように構成される。
第1レンズ・アレイ71と目標基板31の距離は、一般に自由作動距離と呼ばれ、この距離はできるだけ長くすべきである。この自由作動距離は、第2レンズ・アレイ72の焦点距離によって決まることを理解されたい。
一実施例では、第1レンズ・アレイ71の焦点距離を約1mmとし、第2レンズ・アレイ72の厚さを約200μmとすることができ、それによって、第2レンズ・アレイ72を第1アレイ71にできるだけ近づける場合、800μmの最大自由作動距離が得られる。
一実施例では、第1アレイ71及び第2アレイ72から形成された組合せレンズ・アレイの開口数は、約0.15になり得る。
第1及び第2のレンズ・アレイ71、72のレンズを円筒形として説明したが、これは、これらのレンズの曲面が、厳密に円形の経路をたどることを必ずしも意味せず、異なる曲率を有し得ることを理解されたい。円筒レンズは、その最も広い意味では、入射する平行光を焦線に合焦させる任意のレンズと解釈すべきである。
図7は、本発明の一実施例によるレンズ・アレイの概略図であり、入射するパターン形成されたビームに対するレンズ・アレイの合焦動作を示す。この図には、図6に示すものなど、本発明の実施例で使用するのに適したレンズ・アレイの合焦動作を示す。この場合も、レンズ・アレイは、円筒レンズA、B、Cの第1アレイ71を含み、第1アレイ71は、平行な円筒レンズA、B、Cの第2アレイ72に直列に配置される。第1アレイ71は、あらかじめ拡大されていることもあり、されていないこともあるビーム11を受け取る。次いで、第2アレイは、第1アレイ71から得られたパターン形成された合焦ビームを受け取る。
簡単にするために、アレイ71及び72はそれぞれ、3つの円筒レンズしか含まないように示されていることを理解されたい。各アレイの円筒マイクロレンズは、1,000個よりも多くなることがある。
一実施例では、第1アレイ71は、透明材料の基板(又は本体)73を備え、円筒レンズA、B、及びCは、基板73のそれぞれの部分によって形成される。基板73の下面75は、ほぼ平坦であり、XY面に平行になるように配置される。基板73の上面は、3つの円筒レンズA、B、及びCを形成する形状になっている。各円筒レンズは、円筒面74を含む。
この実施例では、隣接する円筒レンズA、B、及び/又はCの境界は、X方向に平行に延び、各円筒レンズ部分は、入射する放射を、やはりX軸に平行な焦線に合焦させる。第1アレイ71の3つのレンズすべての焦線は同一平面上にある。
この実施例では、円筒レンズの第2アレイ72は、第1アレイ71と同じ構造を有するが、円筒レンズA、B、及びCの向きは、それらの焦線がY軸に平行になる(即ち、X軸に直交する)ように配置される。パターン形成されたビーム11は、交差した円筒レンズ・アレイの直列の組合せに入射するように示されている。パターン形成されたビームの断面を参照数字13で示す。2つの円筒アレイを組み合わせると、実際に、ビーム11の断面13が複数の(例えば、9個の)矩形部分14に分割されるという効果が得られる。各矩形部分14は、合焦(即ち、集中)されて、(図示しない)目標面上で、基板の目標表面の位置に対応し得るそれぞれの放射スポット12が形成される。
この実施例では、レンズ・アレイは、円形放射スポット12の矩形アレイである放射パターンを投影する。各放射スポット12は、第1アレイ71のそれぞれの円筒レンズ及び第2アレイ72のそれぞれの円筒レンズの合焦動作を組み合わせた結果である。ビーム断面13の矩形部分14aは、第1アレイ71のレンズAによって合焦され、次いで、第2アレイ72のレンズAによって合焦され、それによって放射スポット12aが形成される。同様に、矩形部分14bは、第1アレイのレンズB及び第2アレイのレンズCによって合焦され、それによってスポット12bが形成される。
一実施例では、2つの円筒レンズ・アレイ71、72は、2次元レンズ・アレイを形成するように組み立てられると考えられる。この2次元レンズ・アレイの像は、目標基板に投影される。
一実施例では、2つの円筒レンズ・アレイ71及び72は、同じピッチを有する。例えば、これらの円筒レンズ間のピッチは、約0.05〜約1.5mmとし得る。この2次元レンズ・アレイのNA(開口数)は、合焦分解能要件に応じて、例えば約0.05〜約0.3とし得る。
この実施例では、レンズ・アレイ71及び72は、マスキング構造を含まず、各円筒レンズ・アレイ71及び72の開口は、ピッチと同じ大きさである。したがって理論的には、ビーム断面13の100%が、目標基板に合焦される。
この実施例では、レンズ・アレイ71、72は、別々のそれぞれの基板73から形成される。これらは、例えば、適切な粘着剤を使用して接触点(又は、線)のところで第2アレイ72の第1表面を第1アレイ71の第2表面に結合させることによって互いに剛的に取り付けることができる。或いは、適切な直列構成でこれらのレンズが支持されるように、第1アレイ71と第2アレイ72を互いに剛的に取り付けることができる。このように、これらのレンズを製作し、次いで、合わせて接着することができる。
図7では、曲面レンズの表面が、基板73の第1表面に形成されるように示されている。代替実施例では、アレイ71及び/又はアレイ72の一方又は両方について、これらの曲面レンズの表面を第2表面に形成し得ることを理解されたい。また、図7のレンズのピッチは同じであるが、代替実施例では、これらのピッチを異なるものにし得る。
図7に示すレンズ・アレイは、制御可能な素子の矩形アレイによってパターン形成されたビームを投影するのに特に適しており、そのため、投影される放射スポット12はそれぞれ、制御可能な素子のそれぞれに対応することを理解されたい。図7に示すタイプのレンズ・アレイは、図1に示すものなどの機器の照明器内で使用することもでき、それによって、放射源から提供された放射ビームを複数の矩形部分に分割し、各矩形部分を、矩形パターン形成アレイの制御可能な素子のそれぞれに合焦し得ることも理解されたい。
図8は、本発明の一実施例によるレンズ・アレイの概略図であり、図には、対応する投影された放射スポットのアレイも示されている。この図は、簡略化したレンズ・アレイ7の平面図である。レンズ・アレイ7は、2つの交差した円筒レンズ・アレイによって形成された2次元レンズ・アレイを表す。レンズ・アレイ7は、複数のレンズを備え、各レンズは、入射するパターン形成されたビームの矩形部分を受け取り、それを合焦するように構成される。レンズ・アレイ7の各レンズ76は、正方形の開口を有する。各レンズ76は、単一のレンズ・コンポーネント、又はビーム方向に沿った一連のレンズ・コンポーネントによって形成し得る。レンズ76は、充填比が大きくなるように構成され、充填比は98%以上になり得る。この数字は、目標基板に合焦される入射ビーム断面の割合に相当する。
図9は、本発明の一実施例によるレンズ・アレイの概略図である。円筒レンズ・アレイ71は、ほぼ平坦な上面75と、3つの平行な円筒レンズのアレイを画定するように構成された円筒部分74を含む下面とを有する透明基板73を含む。この実施例では、放射遮断材料のライン77の形態のマスキング構造が、第1表面75上に形成される。ある種の応用例では、クロストークを防止するために、マスキング構造をこのように設けることが望ましいことがある。このマスキング構造を伴う場合でさえ、レンズ・アレイ71は、入射ビーム11の95%を合焦するように構成される。各円筒レンズは、パターン形成されたビームの断面13のそれぞれの矩形部分14を合焦する。例えば、円筒レンズAは、部分14aを受け取り、それを合焦し、それによって、合焦された矩形放射15aを他の何らかのコンポーネント(例えば、「交差した」円筒レンズの第2アレイ)又は目標表面に送達することができる。アレイ71のマスキング構造77は、入射ビーム11の一部17を遮断する。
結論
以上、本発明の様々な実施例を説明してきたが、これらは単なる実施例として提示されたものであり、限定的なものではないことを理解されたい。本発明の趣旨及び範囲を逸脱することなく、これらの実施例において形態及び細部の様々な変更を加えることができることが当業者には明らかであろう。そのため、本発明の広さ及び範囲は、上記で説明した実施例のいずれによっても限定されるべきではなく、添付の特許請求の範囲及びそれらの均等物によってのみ定義すべきである。
本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。 リソグラフィ装置の一部を示す図である。 MLA(マイクロレンズ・アレイ)の簡略化した平面図である。 図3のMLAの線A−Aに沿った断面図である。 リソグラフィ装置で使用するMLAの概略図であり、投影された放射スポットの対応するパターンも示す。 本発明の一実施例によるリソグラフィ装置の一部を示す図である。 本発明の一実施例によるレンズ・アレイの概略図であり、入射するパターン形成されたビームに対するレンズ・アレイの合焦動作を示す。 本発明の一実施例によるレンズ・アレイの概略図であり、対応する投影された放射スポットのアレイも示す。 本発明の一実施例によるレンズ・アレイの概略図である。

Claims (20)

  1. 放射ビームを供給する照明システムと、
    前記ビームをパターン形成する個々に制御可能な素子のアレイと、
    基板の目標部分に前記パターン形成されたビームを投影する投影システムとを備えるリソグラフィ装置であって、
    前記投影システムが、前記パターン形成されたビームを受け取り、前記パターン形成されたビームを複数のほぼ多角形の部分に分割し、ほぼ多角形の部分をそれぞれ合焦して、前記基板の前記目標部分にそれぞれのビーム・スポットを形成するレンズ・アレイを備える、リソグラフィ装置。
  2. 前記多角形部分がほぼ矩形である、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記多角形部分がほぼ正方形である、請求項2に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記レンズ・アレイが、前記パターン形成されたビームのそれぞれの部分を受け取り、且つ前記それぞれの部分をそれぞれの焦線に向かって合焦する円筒レンズの第1アレイを備え、前記焦線が、互いにほぼ平行であり、且つビーム方向を横切る第1軸にほぼ平行である、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記焦線が同一平面上にある、請求項4に記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記レンズ・アレイが前記第1アレイから前記パターン形成された合焦ビームを受け取る円筒レンズの第2アレイをさらに備え、前記第2アレイの前記円筒レンズが、前記パターン形成された合焦ビームのそれぞれの部分を受け取り、前記それぞれの部分を第2のそれぞれの焦線に向かって方向づけ、前記第2焦線が、互いにほぼ平行であり、且つ、前記ビーム方向を横切り、前記第1軸にほぼ直交する第2軸にほぼ平行である、請求項4に記載のリソグラフィ装置。
  7. 前記第2焦線が同一平面上にある、請求項6に記載のリソグラフィ装置。
  8. 前記第1アレイの前記円筒レンズが第1共通焦点距離を有し、
    前記第2アレイの前記円筒レンズが第2共通焦点距離を有し、
    前記第1共通焦点距離が前記第2共通焦点距離よりも長い、請求項6に記載のリソグラフィ装置。
  9. 前記第1及び第2の円筒レンズ・アレイが前記第1及び第2の焦線が同じ面内にあるように配置される、請求項8に記載のリソグラフィ装置。
  10. 円筒レンズの前記第2アレイが第2透明基板を含み、
    前記第2アレイの前記円筒レンズが前記第2基板のそれぞれの部分によって形成される、請求項6に記載のリソグラフィ装置。
  11. 円筒レンズの前記第1アレイが第1透明基板を含み、
    前記第1アレイの前記円筒レンズが前記第1基板のそれぞれの部分によって形成され、
    円筒レンズの前記第2アレイが第2透明基板を含み、
    前記第2アレイの前記円筒レンズが前記第2基板のそれぞれの部分によって形成され、
    前記第2基板が前記第1基板に取り付けられる、請求項6に記載のリソグラフィ装置。
  12. 前記レンズ・アレイが透明基板を含み、
    前記第1及び第2のアレイの前記円筒レンズが前記基板のそれぞれの部分によって形成される、請求項6に記載のリソグラフィ装置。
  13. 円筒レンズの前記第1アレイが第1透明基板を含み、
    前記第1アレイの前記円筒レンズが前記第1基板のそれぞれの部分によって形成される、請求項4に記載のリソグラフィ装置。
  14. 前記レンズ・アレイが、
    前記パターン形成されたビームを横切って第1方向に延びる円筒レンズの第1平行アレイと、
    前記パターン形成されたビームを横切って前記第1方向にほぼ直交する第2方向に延びる円筒レンズの第2平行アレイを備える、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  15. 前記投影システムが前記パターン形成されたビームの一部を遮断する開口アレイをさらに備える、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  16. 前記レンズ・アレイが前記パターン形成されたビームの少なくとも90%を前記基板の前記目標部分に合焦する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  17. 前記個々に制御可能な素子のアレイが矩形アレイであり、
    前記レンズ・アレイがそれぞれ前記制御可能な各素子に対応する前記投影スポットが矩形アレイを形成するように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  18. 放射源から放射ビームを受け取る照明器と、
    前記照明器から前記ビームを受け取り、前記ビームを複数のほぼ多角形の部分に分割し、ほぼ多角形の部分をそれぞれ、個々に制御可能な素子のアレイのそれぞれの素子に合焦して前記多角形の部分をパターン形成するレンズ・アレイと、
    基板の目標部分に前記パターン形成されたビームを投影する投影システムとを備える、リソグラフィ装置。
  19. (a)個々に制御可能な素子のアレイによって、放射ビームをパターン形成するステップと、
    (b)前記パターン形成されたビームを基板の目標部分に投影するステップと、
    (c)前記パターン形成されたビームを複数のほぼ多角形の部分に分割するステップと、
    (d)前記ほぼ多角形の部分を合焦して、前記基板の前記目標部分にそれぞれのビーム・スポットを形成するステップとを含む、デバイス製造方法。
  20. (a)放射源から受け取ったビームを、複数のほぼ多角形の部分に分割するステップと、
    (b)前記ほぼ多角形の部分を、個々に制御可能な素子のアレイのそれぞれの個々に制御可能な素子に合焦するステップと、
    (c)前記個々に制御可能な素子のアレイの前記それぞれの個々に制御可能な素子によって、前記合焦ビームをパターン形成するステップと、
    (d)前記パターン形成されたビームを基板の目標部分に投影するステップとを含む、デバイス製造方法。
JP2005220018A 2004-07-30 2005-07-29 リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP4386866B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/902,697 US7251020B2 (en) 2004-07-30 2004-07-30 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006049898A true JP2006049898A (ja) 2006-02-16
JP4386866B2 JP4386866B2 (ja) 2009-12-16

Family

ID=35731754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005220018A Expired - Fee Related JP4386866B2 (ja) 2004-07-30 2005-07-29 リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7251020B2 (ja)
JP (1) JP4386866B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009145104A (ja) * 2007-12-12 2009-07-02 Sanyo Electric Co Ltd エバネッセント波発生装置及びそれを用いた観察装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9097983B2 (en) 2011-05-09 2015-08-04 Kenneth C. Johnson Scanned-spot-array EUV lithography system
US9188874B1 (en) * 2011-05-09 2015-11-17 Kenneth C. Johnson Spot-array imaging system for maskless lithography and parallel confocal microscopy
KR100624462B1 (ko) * 2005-03-04 2006-09-19 삼성전자주식회사 패턴화된 기록매체의 제조 방법
JP4511502B2 (ja) * 2006-09-30 2010-07-28 日立ビアメカニクス株式会社 基板露光装置
EP2073061A3 (de) * 2007-12-22 2011-02-23 LIMO Patentverwaltung GmbH & Co. KG Vorrichtung zur Ausleuchtung einer Fläche sowie Vorrichtung zur Beaufschlagung eines Arbeitsbereichs mit Licht
EP2226683A1 (en) 2009-03-06 2010-09-08 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Illumination system for use in a stereolithography apparatus
KR20190054815A (ko) 2017-11-14 2019-05-22 삼성전자주식회사 마스크리스 노광 방법, 마스크리스 노광 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4668080A (en) * 1985-11-29 1987-05-26 Rca Corporation Method and apparatus for forming large area high resolution patterns
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US5296891A (en) * 1990-05-02 1994-03-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device
US5229872A (en) * 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US6219015B1 (en) * 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
JP3224041B2 (ja) * 1992-07-29 2001-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5729331A (en) * 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP3339149B2 (ja) * 1993-12-08 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置ならびに露光方法
US5677703A (en) * 1995-01-06 1997-10-14 Texas Instruments Incorporated Data loading circuit for digital micro-mirror device
US5530482A (en) * 1995-03-21 1996-06-25 Texas Instruments Incorporated Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels
US6133986A (en) * 1996-02-28 2000-10-17 Johnson; Kenneth C. Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
DE69711929T2 (de) 1997-01-29 2002-09-05 Micronic Laser Systems Ab Taeb Verfahren und gerät zur erzeugung eines musters auf einem mit fotoresist beschichteten substrat mittels fokusiertem laserstrahl
US6177980B1 (en) * 1997-02-20 2001-01-23 Kenneth C. Johnson High-throughput, maskless lithography system
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
US5982553A (en) * 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
KR100827874B1 (ko) * 2000-05-22 2008-05-07 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 장치의 제조 방법, 노광 방법, 마이크로 장치의 제조 방법, 및 디바이스의 제조 방법
US6624880B2 (en) * 2001-01-18 2003-09-23 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for microlithography
US6515257B1 (en) * 2001-03-26 2003-02-04 Anvik Corporation High-speed maskless via generation system
US6819490B2 (en) * 2001-09-10 2004-11-16 Micronic Laser Systems Ab Homogenization of a spatially coherent radiation beam and printing and inspection, respectively, of a pattern on a workpiece
US6658315B2 (en) * 2001-10-31 2003-12-02 Ball Semiconductor, Inc. Non-synchronous control of pulsed light
JP3563384B2 (ja) * 2001-11-08 2004-09-08 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
KR100545297B1 (ko) * 2002-06-12 2006-01-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
US6870554B2 (en) * 2003-01-07 2005-03-22 Anvik Corporation Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators
EP1482373A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7257927B2 (en) * 2003-08-15 2007-08-21 Premier Technology, Inc. Three-piece frame assembly for window of enclosure
US6967711B2 (en) * 2004-03-09 2005-11-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7079225B2 (en) 2004-09-14 2006-07-18 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009145104A (ja) * 2007-12-12 2009-07-02 Sanyo Electric Co Ltd エバネッセント波発生装置及びそれを用いた観察装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20060023192A1 (en) 2006-02-02
JP4386866B2 (ja) 2009-12-16
US7251020B2 (en) 2007-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100659254B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP4854765B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4448819B2 (ja) リソグラフィ装置及び六角形画像グリッドを使用するデバイス製造方法
JP4246692B2 (ja) リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法
JP4386886B2 (ja) リソグラフィ機器及びデバイスの製作方法
JP4500238B2 (ja) リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法
JP5210138B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4386866B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4898262B2 (ja) 複数のパターン形成デバイスを利用するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5198381B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2005260232A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4740742B2 (ja) マルチslmマスクレスリソグラフィにおける散乱光を最小化する方法、投影光学系および装置
KR100659256B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
JP2010068002A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US7336343B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4791179B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5346356B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060919

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061124

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080912

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081007

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090526

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090810

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090908

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090929

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees