JP2009110016A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009110016A
JP2009110016A JP2008315593A JP2008315593A JP2009110016A JP 2009110016 A JP2009110016 A JP 2009110016A JP 2008315593 A JP2008315593 A JP 2008315593A JP 2008315593 A JP2008315593 A JP 2008315593A JP 2009110016 A JP2009110016 A JP 2009110016A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
array
patterned beam
track
lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008315593A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5210138B2 (ja
Inventor
Jager Pieter Willem Herman De
ヴィレム ヘルマン デ ヤゲール ピエテル
Cheng-Qun Gui
− クン グイ チェン
Jacob Fredrik Friso Klinkhamer
フレドリク フリソ クリンクハメル ヤコブ
Eduard Hoeberichts
ホエベリクツ エデュアルド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2009110016A publication Critical patent/JP2009110016A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5210138B2 publication Critical patent/JP5210138B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】基板を露光するリソグラフィ装置と方法を提供する。
【解決手段】照明システムは、個別制御可能の要素のアレイでパターン形成したビームを
供給し、ビームをレンズアレイに通して基板の目標部分へ投影する。アレイの各レンズは
ビームの各部分を基板へ配向する。変位システムは、基板とビームを相対的に変位させビ
ームは所定の走査方向に基板全体で走査される。投影システムを各トラックに沿って各ビ
ームを走査するように位置決めする。トラックが重なるので、各トラックはビーム１本で
走査する第一部分と、隣接トラックと重なりビーム２本で走査する第二部分を有する。第
一部分への各ビーム部分の最大強度は第二部分へのビーム部分の最大強度より大きいので
、第一と第二部分はほぼ同じ最大強度の放射線に露光する。隣接ビームをこのように重ね
ビーム強度を変調すると異なる光列の光学的フットプリントが継合わされ１回の走査で大
面積の基板を露光できる。
【選択図】図２

Description

本発明はリソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板の目標部分に適用する機械である。リソグ
ラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）、フラットパネルディスプレイ、および微細構造
を含む他のデバイスの製造において使用可能である。従来のリソグラフィ装置では、代替
的にマスクまたはレチクルと呼ばれるパターニング手段は、ＩＣ（または他のデバイス）
の個々の層に対応する回路パターンの生成に使用することができ、このパターンを、放射
線感光原料（例えばレジスト）の層を有する基板（例えばシリコンウェハまたはガラスプ
レート）上の目標部分（例えば１つあるいは幾つかのダイの一部を含む）に描像すること
ができる。マスクの代わりに、パターニング手段は個々に制御可能で、回路パターンを生
成する要素のアレイを含んでもよい。
一般的に、１枚の基板は、順次照射される近接目標部分のネットワークを含んでいる。
既知のリソグラフィ装置は、パターン全体を目標部分に１回露光することによって各目標
部分が照射される、いわゆるステッパと、所定の方向（「走査」方向）にパターンをビー
ムで走査し、これと同時に基板をこの方向と平行に、あるいは反平行に走査することによ
り、各目標部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。
リソグラフィシステムには、１つまたは複数の光列（例えば光路）を有するスキャナを
含むものもある。従来のスキャナは、１回の走査で大面積の基板を露光することができな
い。その１つの理由は、大きい目標部分を露光することができる単体の光列を生成するの
が困難なことである。例えば、パネルの各縁に沿って２メートルのオーダの寸法を有する
パネル上にフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）を製造できることが好ましいが、この
ようなパターンのほぼ全幅にわたって延在する目標部分を露光できる単体の光列を生成す
ることは非常に困難である。
この問題に対応する１つの方法は、各光列が基板上の個々のトラックを走査するように
配置された一連の別個の光列を使用して、パネルの全幅を露光することであった。この場
合は、隣接するトラックが、パネルの全幅を露光するように突き合わせてある。残念なが
ら、隣接するトラック間に生じる小さいギャップを回避するか、隣接するトラック間の小
さい重なりを回避するために、別個の光列を相互に対して適切な位置で維持することは困
難である。このような位置合わせ不良は、製造中のデバイスの機能に影響することがあり
、ＦＰＤの場合は、ディスプレイ上に非常に目立つ線が現れることがある。
したがって、必要とされているのは、大面積の基板を１回の走査で走査するために使用
できるリソグラフィシステムおよびその使用方法である。
本発明によると、照明システム、パターニングシステム、投影システムおよび変位シス
テムを有するリソグラフィ装置が提供される。照明システムは放射線のビームを供給する
。パターニングシステムはビームにパターンを形成する。投影システムは、パターン形成
したビームを基板の目標部分に投影する。変位システムは、ビームが所定の走査方向にて
基板上で走査されるように、基板と投影システムの間に相対的変位を引き起こす。各投影
システムは、アレイの各レンズが個々のビームの個々の部分を基板に向かって配向するよ
うに配置されたレンズのアレイを有する。各パターニングシステムは、所望のパターンを
個々のビームに与えるように制御された個々に制御可能な要素のアレイを有する。投影シ
ステムは、各ビームが基板上の一連のトラックの個々に沿って走査されるように配置され
る。トラックは、各トラックが１本のビームのみで走査される第一部分、および隣接トラ
ックと重なり、２本のビームで走査される少なくとも１つの第二部分を有するように重な
る。トラックの第一部分に配向される各ビームの第一部分の最大強度は、トラックの第二
部分に配向されるビームの第二部分の最大強度より大きく、したがってトラックの第一お
よび第二部分は、ほぼ同じ最大強度の放射線に露光される。
走査される隣接トラック間に重なりを設け、重ならない領域と比較して重なる領域に投
影される放射線の強度を調節することにより、個々のトラックの縁部領域における露光強
度に大きい段階的変化が生じるのを回避することができる。したがって、異なる光学エン
ジンによって走査されるトラックは、隣接トラックの相対的位置の間の位置合わせ不良に
よる悪影響を最小限に抑える方法で、相互に継ぎ合わせることができる。
本発明の別の実施形態によると、以下のステップを含むデバイス製造方法が提供される
。つまり、放射線のビームにパターンを形成するステップ。パターン形成したビームを、
基板テーブル上に支持された基板の目標部分に投影するステップ。基板にわたって所定の
走査方向にてビームが走査されるように、基板とビームの間に相対的変位を引き起こすス
テップ。各ビームは、レンズのアレイを通して基板に向かって配向される。個々に制御可
能な要素のアレイによってパターンがビームに与えられるように、アレイの各レンズは、
ビームの個々の部分を配向する。各ビームは、基板上にある一連のトラックの個々に沿っ
て走査される。トラックは、各トラックが１本のビームのみで走査される第一部分、およ
び隣接トラックと重なり、２本のビームで走査される少なくとも１つの第二部分を有する
ように重なる。トラックの第一部分に配向される各ビームの第一部分の最大強度は、トラ
ックの第二部分に配向されるビームの第二部分の最大強度より大きく、したがってトラッ
クの第一および第二部分は、ほぼ同じ最大強度の放射線に露光される。
一例では、各ビームが、走査方向に対して直角方向で基板テーブルにわたって分布した
光列のアレイにて、個々の光列によって生成することができる。隣接する光列は、走査方
向にずれてよい。あるいは、少なくとも２本の重なるビームを、共通レンズアレイにある
レンズの隣接する列を通して基板に配向することができる。隣接する列は走査方向に対し
て傾斜した方向に延在し、走査方向に対して直角の方向で隔置される。ビームは、個々に
制御可能な要素のアレイを使用してパターン形成される。一例では、ビームに与えられた
パターンは、基板の連続的走査中に連続的に更新することができる。
個々のビームの様々な部分の最大強度は、ビームを転送する減衰デバイスを設けること
によって決定することができる。例えば、ビームの部分を吸収する吸収デバイスである。
この例では、吸収デバイスの少なくとも１つの周囲部分が、ビームの部分を吸収し、その
周囲部分を通して転送された放射線が個々のトラックの第二部分に投影されるように配置
することができる。様々な例で、吸収デバイスを照明システムとパターニングシステムの
間、またはパターニングシステムと基板の間に配置することができる。
一例では、各ビームは、ビームの最小、最大、または少なくとも１つの中間強度成分を
送出することができ、個々に制御可能な要素のアレイによってパターン形成される。一例
では、制御デバイスを使用して要素を制御し、トラックの第二部分に配向されたビームの
成分の強度を削減する。
一例では、各ビームは、アレイの各レンズが個々のビームの個々の部分を基板の個々の
区域へと配向するように配置構成されたレンズのアレイを通して基板に送出される。ビー
ムの部分をトラックの第二部分に配向するアレイのレンズは、ビームの部分をトラックの
第一部分へと配向するアレイのレンズより多くのビームを吸収するか、例えば部分反射な
どの他の方法で減衰するように配置構成される。
一例では、ビームの第二部分の強度は、トラックの第一部分に隣接するそのトラックの
第二部分の縁部から、トラックの第二部分の他方縁部へと漸進的に低下させることができ
る。したがって、１本のビームの送出強度は、そのビームが走査する区域の縁部に向かっ
て下方向へとテーパ状になる。
本発明のさらなる実施形態、特徴、および利点、さらに本発明の様々な実施形態の構造
および動作について、添付図面に関して以下でさらに詳細に説明する。
本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付図面は、本発明を例示し、説明ととも
に本発明の原理を説明し、当業者による本発明の作成および使用を可能にする働きをする
。
次に、添付図面に関して本発明を説明する。図面では、同様の参照番号は同一または機
能的に類似した要素を示す。
概要および用語
本文では集積回路（ＩＣ）の製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及している
が、本明細書で説明するリソグラフィ装置が他の用途においても使用可能であることは明
確に理解されるべきである。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用
ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、薄膜磁気ヘッド等の製造
に使用され得る。こうした代替的な用途においては、本文にて使用した「ウェハ」または
「ダイ」といった用語は、それぞれ「基板」または「目標部分」といった、より一般的な
用語に置き換えて使用され得ることが当業者には理解される。本明細書で言及する基板は
、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光し
たレジストを現像するツール）または計測または検査ツールで処理することができる。適
宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さ
らに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがっ
て本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指す。
本明細書で使用する「個々に制御可能な要素のアレイ」という用語は、基板の目標部分
に所望のパターンを生成できるように、入射する放射線ビームにパターン形成した断面を
与えるために使用できる任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。
「ライトバルブ」および「空間光変調器」（ＳＬＭ）という用語も、この文脈で使用可能
である。このようなパターニングデバイスの例について、以下で検討する。
プログラマブルミラーアレイは、粘弾性制御層および反射性表面を有するマトリクスア
ドレス可能表面を有することができる。このような装置の基本的原理は、例えば反射性表
面のアドレスされた区域は、入射光を回折光として反射し、アドレスされない区域は入射
光を非回折光として反射することである。適切な空間フィルタを使用して、非回折光を反
射ビームから除去し、回折光のみを基板に到達させることができる。この方法で、ビーム
はマトリクスアドレス可能表面のアドレスパターンに従ってパターン形成される。
代替法として、フィルタは回折光を除去し、非回折光を基板に到達させることができる
。回折性光学超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスのアレイも、対応する方法で
使用することができる。各回折性光学ＭＥＭＳデバイスは、入射光を回折光として反射す
る格子を形成するために相互に対して変形可能である複数の反射性リボンを含むことがで
きる。
さらなる代替実施形態は、微小ミラーのマトリクス配置構成を使用するプログラマブル
ミラーアレイを含むことができ、各ミラーは、適切な局所的電界を適用するか、圧電手段
を使用することによって軸線の周囲で個々に傾斜させることができる。この場合もミラー
はマトリクスアドレス可能であり、したがってアドレスされたミラーは入射放射線ビーム
を異なる方向でアドレスされていないミラーへと反射し、この方法で反射ビームはマトリ
クスアドレス可能ミラーのアドレスパターンに従ってパターン形成される。必要なマトリ
クスアドレス指定は、適切な電子的手段を使用して実施することができる。
上述した両方の状況で、個々に制御可能な要素のアレイは、１つまたは複数のプログラ
マブルミラーアレイを有してよい。本明細書で言及したミラーアレイに関するさらなる情
報は、例えば米国特許第５，２９６，８９１号および第５，５２３，１９３号、およびＰ
ＣＴ特許出願第ＷＯ９８／３８５９７号および第ＷＯ９８／３３０９６号で見ることがで
き、これらは参照により全体が本明細書に組み込まれる。
プログラマブルＬＣＤアレイも使用することができる。このような構造の一例が米国特
許第５，２２９，８７２号で与えられ、これは参照により全体が本明細書に組み込まれる
。
例えばフィーチャー(features)の事前バイアス付与、光学近接補正フィーチャー、位相
変動技術および多重露光技術を使用する場合、個々に制御可能な要素のアレイ上に「表示
」されるパターンは、最終的に基板上または基板の層に伝達されるパターンとは非常に異
なる可能性があることを理解されたい。同様に、最終的に基板上に生成されるパターンは
、個々に制御可能な要素のアレイ上に任意の瞬間に形成されるパターンには対応しないこ
とがある。これは、基板の各部分に形成される最終的パターンが、所与の期間にわたって
、または個々に制御可能な要素のアレイ上のパターンおよび／または基板の相対的位置が
変化する所与の露光回数にわたって蓄積する配置構成である場合であり得る。
本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書
で説明するリソグラフィ装置が他の用途においても使用可能であることは明確に理解され
るべきである。例えば、これは、ＤＮＡチップ、ＭＥＭＳ、ＭＯＥＭＳ、集積光学システ
ム、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ
、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途においては、本文にて
使用した「ウェハ」または「ダイ」といった用語は、それぞれ「基板」または「目標部分
」といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることが当業者には理解される。
本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの
層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）または計測または検査ツールで
処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに
適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理
することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み
層を含む基板も指す。
本明細書では、「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子
ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、３６５ｎ
ｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍの波長を有する）および
超紫外線（ＥＵＶ）放射線（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあ
らゆるタイプの電磁放射線を網羅するものとして使用される。
本明細書において使用する「投影システム」なる用語は、例えば使用する露光放射線、
または浸漬流体の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学シス
テム、反射光学システム、および反射屈折光学システムを含むさまざまなタイプの投影シ
ステムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「レンズ」
なる用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」なる用語と同義と見な
される。
照明システムは、放射線の投影ビームの誘導、成形、あるいは制御を行う屈折、反射、
および反射屈折光学構成要素などの様々なタイプの光学構成要素も含むことができ、こう
した構成要素もまた以降において集約的に、あるいは単独的に「レンズ」と称する。
リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）あるいはそれ以上の基板テーブル（およ
び／または２つもしくはそれ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。この
ような「多段」機械においては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、１つ
以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が１つ以上のテーブルにて実行
される。
リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するよう、基
板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に浸漬するタイプでもよい。浸漬液は、例え
ばマスクと投影システムの第一要素との間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用して
もよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させるため、当技術分野で周知である
。
さらに、装置には、（例えば化学物質を基板に付着させるか、基板の表面構造を選択的
に改造するために）流体と基板の照射部分の間の相互作用を可能にする流体処理セルを設
けることができる。
リソグラフィ投影装置
図１は、本発明の実施形態によるリソグラフィ投影装置１００を概略的に示したもので
ある。装置１００は少なくとも放射線システム１０２、個々に制御可能な要素１０４のア
レイ、オブジェクトテーブル１０６（例えば基板テーブル）および投影システム（「レン
ズ」）１０８を含む。
放射線システム１０２は、放射線（例えばＵＶ放射線）のビーム１１０を提供するため
に使用することができ、この特定の場合は放射線ソース１１２も有する。
個々に制御可能な要素１０４のアレイ（例えばプログラマブルミラーアレイ）は、ビー
ム１１０にパターンを適用するために使用することができる。概して、個々に制御可能な
要素１０４のアレイの位置を投影システム１０８に対して固定することができる。しかし
、代替配置構成では、個々に制御可能な要素１０４のアレイは、投影システム１０８に対
して正確に配置されるために位置決めデバイス（図示せず）に接続することができる。本
明細書で示すように、個々に制御可能な要素１０４は反射タイプである（例えば個々に制
御可能な要素の反射性アレイを有する）。
オブジェクトテーブル１０６には、基板１１４（例えばレジスト塗布したシリコンウェ
ハまたはガラス基板）を保持する基板ホルダ（特には図示せず）を設けることができ、オ
ブジェクトテーブル１０６は、基板１１４を投影システム１０８に対して正確に配置する
ために、位置決めデバイス１１６に接続することができる。
投影システム１０８（例えばクォーツおよび／またはＣａＦ2レンズシステムまたはこ
のような材料から作成したレンズ要素を有する反射屈折システム、またはミラーシステム
）は、ビーム分割器１１８から受け取ったパターン形成ビームを基板１１４の目標部分１
２０（例えば１つまたは複数のダイ）に投影するために使用可能である。投影システム１
０８は、個々に制御可能な要素１０４のアレイの像を基板１１４に投影することができる
。あるいは、投影システム１０８は、二次ソースの像を投影することができ、これに対し
て個々に制御可能な要素１０４のアレイにある要素がシャッタとして作用する。投影シス
テム１０８は、二次ソースを形成し、基板１１４上に微小スポットを投影するマイクロレ
ンズアレイ（ＭＬＡ）も有してよい。
ソース１１２（例えばエキシマレーザ）は放射線ビーム１２２を生成することができる
。ビーム１２２は、直接的に、または例えばビーム拡大器などの調整デバイス１２６を通
り越した後、照明システム（照明装置）１２４へと供給される。照明装置１２４は、ビー
ム１２２の強度分布の外部および／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕ
ｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定する調節デバイス１２８を有してよい。
また、照明装置１２４は一般的に、積分器１３０およびコンデンサ１３２のような他の構
成要素を含む。この方法で、個々に制御可能な要素１０４のアレイに当たるビーム１１０
は、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有する。
図１に関して、ソース１１２は（ソース１１２が例えば水銀灯である場合によくあるよ
うに）リソグラフィ投影装置１００のハウジング内にあってよいことを留意されたい。代
替実施形態では、ソース１１２はリソグラフィ投影装置１００から離れてもよい。この場
合、放射線ビーム１２２は（例えば適切な配向ミラーの助けにより）装置１００へと配向
される。この後者のシナリオは、ソース１１２がエキシマレーザである場合に多い。この
シナリオは両方とも本発明の範囲内と想定されることを理解されたい。
ビーム１１０はその後、ビーム分割器１１８を使用して配向された後、個々に制御可能
な要素１０４のアレイと交差する。ビーム１１０は、個々に制御可能な要素１０４のアレ
イで反射した後、投影システム１０８を通過し、これはビーム１１０を基板１１４の目標
部分１２０に集束させる。
位置決めデバイス１１６（および任意選択でビーム分割器１４０を介して干渉ビーム１
３８を受け取るベースプレート１３６上の干渉測定デバイス１３４）の助けにより、オブ
ジェクトテーブル１０６は、ビーム１１０の経路における異なる目標部分１２０に位置を
合わせるために正確に運動可能である。個々に制御可能な要素１０４のアレイに位置決め
デバイスを使用する場合、これは、例えば走査中にビーム１１０の経路に対して個々に制
御可能な要素１０４のアレイの位置を正確に補正するために使用可能である。一般的に、
オブジェクトテーブル１０６の運動は、図１には明示的に図示されていないロングストロ
ークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）
の助けで実現される。同様のシステムは、個々に制御可能な要素１０４のアレイの位置決
めにも使用することができる。ビーム１１０は、オブジェクトテーブル１０６および／ま
たは個々に制御可能な要素１０４のアレイが必要な相対的運動を提供するために固定位置
を有する一方、代替的／追加的に運動可能にできることが理解される。
実施形態の代替構成では、基板１１４が基板テーブル１０６上で運動可能である状態で
、基板テーブル１０６を固定することができる。その場合、基板テーブル１０６には平坦
な最上面に複数の開口を設け、開口を通して気体を供給し、基板１１４を支持できる気体
クッションを提供する。これは従来、空気支承構成と呼ばれている。基板１１４は、ビー
ム１１０の経路に対して基板１１４を正確に位置決めできる１つまたは複数のアクチュエ
ータ（図示せず）を使用して、基板テーブル１０６上で動作する。あるいは、開口を通る
気体の通過を選択的に開始および停止することによって、基板１１４を基板テーブル１０
６上で運動させることができる。
本発明によるリソグラフィ装置１００は、本明細書では、基板上のレジストを露光する
ためのものとして説明してきたが、本発明は、この使用法に制限されず、装置１００はレ
ジストなしのリソグラフィに使用するパターン形成ビーム１１０の投影に使用できること
が理解される。
ここに表した装置１００は４つの好ましいモードにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、個々に制御可能な要素１０４のアレイ上の全パターン
を、１回の作動（すなわち１回の「フラッシュ」）で目標部分１２０に投影する。次に基
板テーブル１０６がｘ方向および／あるいはｙ方向で異なる位置へと移動し、異なる目標
部分１２０がパターン形成ビーム１１０によって照射される。
２．走査モードにおいては、基本的にステップモードと同じであるが、１回の「フラッ
シュ」で所与の目標部分１２０が露光されない。代わりに、個々に制御可能な要素１０４
のアレイは速度ｖで所与の方向（ｙ方向などのいわゆる「走査方向」）に移動可能であり
、したがってパターン形成ビーム１１０が個々に制御可能な要素１０４のアレイを走査す
る。それと同時に基板テーブル１０６が速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向または反対方向に動作す
る。ここでＭは投影システム１０８の倍率である。この方法で、解像度を妥協することな
く、比較的大きい目標部分１２０を露光することができる。
３．パルスモードにおいては、個々に制御可能な要素１０４のアレイが基本的に静止状
態に維持され、パルス状放射線システム１０２を使用して全パターンを基板１１４の目標
部分１２０に投影する。基板テーブル１０６は基本的に一定の速度で移動し、したがって
パターン形成したビーム１１０は基板１０６にまたがる線を走査する。個々に制御可能な
要素１０４のアレイ上のパターンは、要求に応じて放射線システム１０２のパルス間で更
新され、基板１１４上の必要な位置で連続する目標部分１２０が露光するようにパルスの
タイミングをとる。その結果、パターン形成したビーム１１０は基板１１４全体を走査し
て、基板１１４の細片ごとに完全なパターンを露光することができる。線ごとに基板１１
４全体を露光するまで、このプロセスを繰り返す。
４．連続的走査モードにおいては、基本的にパルスモードと同じであるが、ほぼ一定の
放射線システム１０２を使用し、パターン形成したビーム１１０が基板１１４を走査し、
それを露光するにつれて、個々に制御可能な要素１０４のアレイ上のパターンを更新する
。
上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも使用
することができる。
例示的投影システム
図２は、本発明の１つの実施形態によるマイクロレンズアレイを含む光学投影システム
を示す。図２に示す装置は、要素２の２次元アレイを支持する下面を有するコントラスト
デバイス１を有する。要素２のアレイにある各要素の角度位置は選択的に制御することが
できる。ビーム分割器３をコントラストデバイス１の下に位置決めする。照明ソース４が
放射線ビーム５をビーム分割器３へと配向する。放射線ビーム５は、コントラストデバイ
ス１の下面へと反射する。コントラストデバイス１の要素の１つは、ビーム５の成分部分
を反射し、ビーム分割器３およびレンズ６、７および８によって画定された投影光学系を
通して戻すように図示されている。この例では、最下レンズ８が視野レンズであり、これ
はマイクロレンズアレイ９へと配向されるほぼテレセントリック系のビームを生成する。
一例では、マイクロレンズアレイ９は小型レンズの２次元アレイを有する。各レンズは、
自身に入射した光を基板１０の上面へと集束するように配置構成される。
この例では、光をマイクロレンズアレイ９へと反射するミラーとして作用するコントラ
ストデバイス１の要素２ごとに、マイクロレンズアレイ９にある個々のレンズが照明され
る。光の個々のスポットは、マイクロレンズアレイ９の照明されたレンズによって基板１
０の上面へと投影される。この配置構成では、コントラストデバイス１が基板１０上に描
像されるが、他の配置構成も可能であることを理解されたい。例えば、投影システム６、
７、８の瞳を基板１０に描像することができる。
図３は、本発明の１つの実施形態により変位可能な基板テーブルを含む請求項２の光学
投影システムを示す。図３では、マイクロレンズアレイ９の下で基板テーブル１１に支持
された基板１０が図示されている。投影光学系は長方形１２で表される。図２のコントラ
ストデバイス１の３つのコントラスト要素２が、投影光学系１２の上に図示されている。
図示の配置構成では、基板テーブル１１がマイクロレンズアレイ９の下で矢印１３の方向
に直線上に移動する。
図４は、本発明の１つの実施形態により図３で示したシステムの基板上に投影される光
のスポットの配向(orientation)の略図である。図４は、図２および図３のマイクロレン
ズアレイ９にある個々のレンズの位置間の関係、および図３の基板テーブル１１の変位方
向を示す。変位方向は、図４では矢印１３で表す。この方向は線１４に平行であり、これ
はマイクロレンズアレイ９のレンズの列に平行に延在するさらなる線１５に対して傾斜す
る。隣接列のレンズは、レンズ１５に対して直角に延在する列を画定するために位置合わ
せされる。各レンズは、長方形のアレイ状のスポットのうち異なるスポットに光を投影し
、その１つを数字１６で識別する。レンズは長方形の２次元アレイで配置構成され、これ
は基板テーブルの運動の方向１３に対してわずかに傾斜し、したがってコントラストデバ
イス１の個々の要素によって個々のレンズに送出される照明ビーム５を適切に制御するこ
とによって、基板１０の表面全体を露光することができる。
一例では、各レンズが実際に基板１０の表面に連続線を「書く」ことができる。これら
の線は、重なるほど相互に対して十分に近い。
一例では、基板１０の選択された２次元区域を露光するために、基板１０をマイクロレ
ンズアレイ９の下で前進させ、任意の時に露光すべき区域が位置決めされる場所の上にあ
る個々のレンズが、コントラストデバイス１の関連する要素を適切に制御することによっ
て照明される。
光列を含む例示的投影システム
図５は、本発明の１つの実施形態による光列のアレイの配置構成の略図である。この例
では、装置は連続的操作モードで動作する。基板１７は基板テーブル１８上に位置決めさ
れ、矢印１９の方向にて基板テーブル１８上で変位可能である。基板テーブル１８上では
ブリッジ２０が位置決めされ、これは例えば６つの光列２１を支持し、これはそれぞれ、
円で示した空間を占有して、長方形２２で表したフットプリントを有するビームを送出す
る構成要素を組み込む。
この例では、基板１７が矢印１９の方向にて基板テーブル１８上を前進するにつれ、各
光学的フットプリント２２が基板１７上で走査される。各光列２１は、基板１７の表面上
にある個々のトラックを露光するために使用可能である。トラックは、矢印１９で示す方
向に平行に延在し、矢印１９に対して直角の方向では光学的フットプリント２２の寸法に
対応する幅を有する。
この例では、図５で示す６つの光列２１は、矢印１９で示す方向に対して直角な２本の
行で配置構成される。６つの光列２１は、矢印１９で示す方向に対して直角の方向に分布
するが、矢印１９に対して直角の方向で隣接する光列は、矢印１９の方向にオフセットも
する。この例では、これは通常、各光列２１を構成する機器が、例えば長方形２２で表す
ような光学フットプリントの面積より大きいフットプリントを占有しなければならないの
で必要である。したがって、図５で示す６つの光列２１が、矢印１９に対して直角に延在
する基板１７上の線を露光すべき場合、この線のうち最初の３つの区間は、基板１７がブ
リッジ２０に対して第一位置にある場合に、左端行の３つの光列２１[のうち左端行]で露
光され、その線の他の３つの部分は、基板１７がさらに変位した後、光列２１の右端行で
露光される。
図６は、本発明の１つの実施形態により図５の光列で走査されるトラック２３の基板に
対する位置を概略的に示す。図６は、基板テーブル１８上に配置された基板１７上の図５
の光列２１によって露光可能なトラック２３を表す。各トラック２３は、破線で表した境
界を有する。
図７は、本発明の１つの実施形態により、図６で示すトラック２３の１つと２つの隣接
トラック２３との重なりを概略的に示す。中心トラック２３は、線２４および２５で示し
た縁部の間に延在する。隣接トラック２３は、一方側が線２６で示す位置まで、他方側は
線２７で示す位置まで延在する。一方側は影区域２８で、他方側は影区域２９で示した隣
接トラック２３が重なる領域がある。
一例では、線２４と線２５の間にある区域の露光を担当するビームの強度は、重なる区
域２８および２９を除いて均一である。同様に、隣接トラック２３は、区域２８および２
９を除いて均一の強度である。
一例では、区域２８に到達する放射線の全体的強度が、重なり区域２８と２９の間の区
域に到達する放射線の強度とほぼ同じであるように、区域２８の露光に寄与する２本のビ
ームの強度を変調する。例えば、図示された３つのトラック２３全部が、ある特定の瞬間
に全く同じ強度の照明を受けるように意図されている場合、重なり区域２８および２９を
含む全ての区域は、ほぼ同じ放射線強度を受け取る。
この実施形態において、図５に示したように矢印１９の方向に光列２１のオフセットが
存在すると仮定すると、基板１７がその光列２１の下で走査されるにつれ、各トラック２
３の中心区域が１つの光列２１によって露光され、区域２８および２９は２つの連続的段
階で露光される。基板１７の関連部分として実行される第一露光ステップは、図５で示す
光列２１の左手行のうち１つの下を通過して行われる。基板１７のその同じ区域で実行さ
れる第二ステップは、図５で示す光列２１の右手行の下を通過して行われる。
例示的強度特徴およびその生成システム
図８Ａ、図８Ｂおよび図８Ｃは、本発明の様々な実施形態により、２本のトラック２３
間で重なる領域の幅にわたって強度の連続的変化が存在する場合に、隣接トラック２３の
重なる領域におけるビームの強度を概略的に示す。例えば、これらのグラフは図７で示し
、重なり２８および２９の区域を含む３つのトラック２３に送出されるビームの強度を表
す。
図８Ａのグラフは、図７の中心で示したトラック２３に送出される１本のビームの強度
を、そのビームによって送出され、必要とされるパターンが均一の１００％の強度である
と仮定して示す。強度は、各領域２８および２９にわたって１００％からゼロへとテーパ
状になることが分かる。言うまでもなく、ビームが、ゼロ強度のパターン区域および１０
０％強度のパターン区域を含むようにパターン形成されると、図８Ａのグラフで示す全体
的パターンは、図示のように均一にならないが、本発明を説明する目的で、下にある基板
に必要な露光では均一性があると仮定する。
図８Ｂのグラフは、図７で示した２つの重なる区域２８および２９を露光する２本のビ
ームによって送出されるビームの強度を示す。これらのビームもそれぞれ、領域２８、２
９の一方の先端における１００％から他方の先端におけるゼロ強度までのテーパ状態を有
する。
図８Ｃのグラフは、図７で示す３つのトラック２３に寄与する３本のビームによって送
出される強度の合計を示す。強度は領域２８および２９にわたって一定である。図７の中
心トラック２３の露光に寄与する３本のビームに多少の位置合わせ不良、例えば１０％の
位置合わせ不良があった場合、全体的な強度分布は多少変動するが、せいぜい名目１００
％強度値の±１０％である。したがって、露光トラック２３間の位置合わせ不良の重大性
は大幅に低下する。
図９は、本発明の１つの実施形態により、２つのトラック２３間の重なる領域にわたる
強度の代替階段状変動を示す。したがって、図９は、図８で示したものの代替強度分布を
示す。図８で示すように任意の特定トラック２３の縁部に向かって強度を連続的に下降さ
せてテーパ状にするのではなく、強度を階段状に低下させることができる。図９で示すケ
ースでは、個々の段がそれぞれ、全体的な名目１００％強度の２０％を表す。位置合わせ
不良がこれらの５段階のうち１つの幅以内であったと仮定すると、全体的な強度線量は名
目値から±２０％を超えて発散しない。
図１０は、本発明の１つの実施形態により、図８または図９で示した強度の変動を生成
することができる吸収デバイス３０、３１、３２または３３の代替位置を概略的に示す。
一例では、減衰デバイスは吸収性ガラスプレートでよく、したがって投影されたビームは
、図８で示したものと同様の強度分布を有する。
一例では、吸収性デバイスは、透明な中心区間および表面処理した２つの縁部区間があ
る単純なガラスプレートでよく、したがって、プレートを透過しているビームの強度は、
プレートの２つの対向する縁部に向かって漸進的に低下する。
代替物は、部分的に反射性の縁部があるガラスプレートである。
上記の例のいずれでも、吸収デバイスを、構成要素３０で示すようにソース４とビーム
分割器３の間、デバイス３１で示すようにビーム分割器３と制御可能なコントラストデバ
イス２の間、デバイス３２で示すようにビーム分割器３の１つの表面上、または視野レン
ズ８とマイクロレンズアレイ９の間に配置されたデバイス３３が示すように、光列中の他
の適切な位置に位置決めすることができる。いずれのケースでも、デバイス３０、３１、
３２または３３は、走査方向に平行に延在するビームの縁部に沿ってビームの部分の相対
的強度を低下させる目的を果たす。
制御可能な要素のアレイにある要素の例示的動作
図１１および図１２は、本発明の実施形態により、制御可能な反射性要素を使用して、
ビームの一部分の強度を調節する方法を概略的に示す。一例では、ミラーのアレイを使用
して、最大強度（例えば「白」）、最小強度（例えば「黒」）、および中間強度（例えば
「グレー」）を送出することができる。最大強度は、コントラストデバイス１の面に平行
に延在するように個々のミラー２（アレイ２で示す）を位置決めすることによって、コン
トラストデバイス１によりマイクロレンズアレイ９の１つのレンズ３４に送出される。ミ
ラー２をこのように配置した状態で、曲線３５によって表されるミラー２が反射した光の
強度分布は、開口プレート３６の開口を中心とする。開口を通過するビームは、線３７で
示す中心軸線を有し、光の小さいビームを形成するように線３８で示すレンズによって集
束され、これは基板１０上のレンズ３４によって集束される。レンズ３４が送出するビー
ムは、３９で示す軸線で対称である。線３５が示す強度分布が、開口プレート３６にある
開口の中心で対称であるならば、ミラー２が反射する光の大部分（例えば「白い」）が基
板１０に到達し、これは最大強度に対応する。
ほぼ全ての反射光が開口プレート３６の開口に到達しないようにミラー２を回転すると
、レンズ３４に到達する光がほぼなく（例えば「黒」）、その結果、基板１０の最小強度
の露光になる。しかし、ミラー２を比較的小さい角度だけ回転すると、反射ビームが開口
プレート３６の開口に対して変位するが、反射光の一部が開口を通過する。
これらの状況が図１２に図示され、ここでは強度分布３５が開口の中心に対してオフセ
ットするが、部分的にその開口に重なることが分かる。したがって、一部の光がレンズ３
４に到達するが、基板１０に送出される光の強度は、図１１で示したケースと比較すると
低下している。
本発明の実施形態によると、光は、マイクロレンズアレイ９の縁部に隣接して配置され
たレンズを有するマイクロレンズアレイ９のレンズの行に送出される。走査方向に平行に
延在するレンズが、コントラストデバイス１からグレー強度のビームを受け取り、したが
って重なる光列間の強度関係を達成することができる。
図１１および図１２は、基板１０上のピクセルごとに１つのミラー２がある投影システ
ムを示す。このような配置構成では、解像度はコントラストデバイス１のグレー値の関数
として変動し、これはミラー２の傾斜である。
代替配置構成では、例えば幾つかのミラー２のクラスタによって回折格子が形成される
。このような配置構成では、解像度はグレー値に依存しない。
図１３は、本発明の１つの実施形態により、それぞれが基板上の重なるトラックを露光
するように位置決めされたマイクロレンズアレイを組み込んだ３つの光列の配置構成（例
えば光学的フットプリント）を概略的に示す。３つの光列の光学的フットプリントは、重
なるこれらの列の光学的フットプリントの部分のグレーレベル照明を使用する。図１３で
は、走査方向を矢印４０で示す。第一光列は、長方形４１で示す光学的フットプリントを
有する。その光学的フットプリントは、露光すべき基板の区域の縁部まで延在し、その縁
部は線４２で示される。光学的フットプリント４１は、線４３と４４の間に画定された領
域とも重なり、その領域は、隣接する光列の長方形４５で示す光学的フットプリントの右
手側とも重なる。光学的フットプリント４５は、線４６および４７で境界を区切られた領
域と重なり、これは長方形４８で示す光列の右手側とも重なる。
長方形４１で示すマイクロレンズアレイの左手側は、「グレー」レベルの強度を送出す
るように位置決めされたミラー２（例えば図１１および図１２参照）から光を受け取る一
連のレンズの行を構成する。光学的フットプリント４１の右手側は、全強度の放射線を受
け取る。隣接する光列との重なりがないからである。しかし、隣接する光列との重なりが
ある全てのケースにおいては、光学的フットプリントの重なる部分に送出される放射線の
ビームの強度を低下させる。
図１４は、隣接する光列の一部を形成し、部分的に図１３で示した方法で重なる２つの
マイクロレンズアレイの縁部分を概略的に示す。つまり、図１４は、基板上の重なるトラ
ックを露光するように配置構成された２つのマイクロレンズアレイに個々のレンズを配置
することを概略的に示す。図１３では、ミラーアレイを適切に制御することによって、重
なる部分が受け取る放射線の強度を低下させる。しかし、図１４で示すケースでは、光学
的フットプリントの重なる部分に寄与するレンズが、入射放射線のある割合を吸収するか
、他の方法で変化させるように処理される。したがって、例えば図８で示すように、隣接
する光学的フットプリント間で重なる領域にわたり、ほぼ一定の照明レベルを維持するこ
とができる。
一例では、円５０で示すレンズの行および列を組み込んだ第一マイクロレンズアレイ４
９の１つの隅部が図示されている。これらのレンズはそれぞれ、下にある基板上のスポッ
トを露光する。そのスポットの位置を、小さい円５１で示す。マイクロレンズアレイ４９
は静止状態であるが、下にある基板に対して矢印５２の方向に移動する。これは、マイク
ロレンズアレイ４９の下にある基板の変位に基づく。したがって、マイクロレンズアレイ
４９は、図１３で示すマイクロレンズアレイ４５の１つの隅部として表すことができる。
一例では、隣接する光列のマイクロレンズアレイ５３の隅部である。マイクロレンズア
レイ５３は、図１３で示す光学的フットプリント４１の左手上隅部に対応する。この場合
も、個々のレンズを円５０で、個々の照明スポットを円５１で示す。
マイクロレンズアレイ４９の最上行かつ最右列にあるレンズ５４は、走査方向５２に平
行に延在する２本の線間のスペース５５として示されたトラックを照明する。次の行の隣
接レンズがスペース５７を照明し、次の行の隣接レンズ５８がトラック５９を照明する。
これらのトラックはわずかに重なり、したがって３つのレンズ５４、５６および５８が全
て、同じ強度の放射線ビームを受け取り、その結果、トラック５５、５７および５９と重
なる区域の露光がほぼ均一になる。
レンズ５４、５６および５８は、走査方向でマイクロレンズアレイ５３のレンズ６０、
６１および６２と位置合わせされる。したがって、これらのレンズ６０、６１および６２
はそれぞれ、トラック５５、５７および５９の個々のトラックを照明することができる。
例えば、完全に位置合わせされ、図１４の２つのマイクロレンズアレイで示した６つのレ
ンズ５４、５６、５８、６０、６１および６２がそれぞれ、１００％の放射線ビームを送
出するアレイの他の全レンズと比較して、５０％の放射線ビームを送出する場合、２つの
マイクロレンズアレイによって露光される全トラックは、均一な１００％の露光となる。
一例では、各マイクロレンズアレイは６４行のレンズを有し、重なる６４のトラックの
露光を可能にする。行の各レンズには、受け取った全放射線の一部が吸収されるように表
面処理を施す。例えば、レンズ６０は、入射ビームの１／６４を吸収し、レンズ６１は２
／６４を、レンズ６２は３／６４を、および以下同様に吸収するように製造することがで
き、レンズ５４は６３／６４を、レンズ５６は６２／６４を、レンズ５８は６１／６４を
、および以下同様に吸収するように配置構成される。したがって、この例では、２つのマ
イクロレンズアレイが横断するトラックがほぼ完全に位置合わせされている場合、各トラ
ックが入射ビームのちょうど６４／６４を送出することになる。マイクロレンズアレイが
、例えば１トラックの幅だけ位置合わせ不良である場合、重なる区域が１トラックだけ減
少する結果、任意の２つの光列間の境界線をまたぐ最大強度の変動が、重なる区域にわた
って所望の強度を１／６４低下させる。
図１４で示す実施形態の一例では、各マイクロレンズアレイにある１列のみを処理して
、入射ビームのある割合を吸収させるように仮定することができる。走査方向５２に対す
る列の傾斜角度、およびレンズ５０のピッチは、各列が６４のトラックを露光できるよう
なものであり、それぞれの幅がレンズのピッチの１／６４であることも仮定する。
この例は説明の目的でのみ与えられ、代替的に光列の周囲に隣接する有意の数のレンズ
列を、例えば放射線吸収材料の層などで処理し、下にある基板に適切な放射線強度を送出
することも理解される。
例えば図１１および図１２で示すような配置構成の一例では、各ミラーは、例えば１６
平方マイクロメートルのオーダであり、各ミラーがマイクロレンズアレイにあるレンズア
レイの個々のアレイを照明する。各レンズは、基板にて１．２５マイクロメートル直径の
スポットを送出することができる。各マイクロレンズアレイは、例えば２００行のレンズ
を収容するマイクロレンズアレイの（例えば走査方向での）深さを有する例えば５００の
レンズの行（例えば走査方向に対して横方向）を有することができる。この例では、２０
０のレンズの各列が、２５０マイクロメートル幅９のトラック（２００×１．２５マイク
ロメートル）を露光することができる。
様々な実施形態および／または上記の例のうち１つまたは複数の説明において、各「ビ
ーム」は、レンズのアレイを含む個々の光列によって生成され、そのアレイのレンズは全
て、１本のビームの複数の部分を基板に向かって配向するものと仮定する。上記の実施形
態および／または例のうち１つまたは複数は、２つの隣接する光列の光学的フットプリン
トの重なる部分に当てはまる。しかし、１つの光列のレンズのアレイ内で、レンズの隣接
する列間に発生し得る描像エラーを減少できる他の例もある。この例では、各「ビーム」
は、１つの光列内でレンズの１つのアレイにあるレンズの個々の列を使用して生成する。
本発明のこの追加的な用途について、図１５および図１６に関してさらに説明する。
図１５は、本発明の１つの実施形態により異なる光列によって生成された重なるトラッ
クの図である。この実施形態は、図１３および図１４で示した実施形態と最も類似してい
るが、それぞれが４列のレンズｃ１、ｃ２、ｃ３およびｃ４で構成されたレンズ６３、６
４を含み、各列が１０行のレンズｒ１からｒ１０を画定するように配置構成された２つの
光列を組み込む。走査方向が矢印６５で示され、したがってアレイ６３のレンズの列は線
６６間に画定された区域に寄与し、アレイ６４のレンズの列は、線６７間に画定された区
域に寄与する。したがって、アレイ６３の右手列の最初の４行（列ｃ４、行ｒ１からｒ４
）にあるレンズと、アレイ６４の左手列の最後の４行（列ｃ１、行ｒ７からｒ１０）にあ
るレンズとの間に重なる区域がある。レンズの２アレイの照明の最大強度を、線６８およ
び６９で示す。したがって、２つの光列の光学フットプリント間の「シーム(seam)」にて
、均一な最大強度が達成される。
図１６は、本発明の１つの実施形態により、レンズのアレイにあるレンズの隣接列によ
って生成された重なるトラックの図である。これは、図１５で示す実施形態のように隣接
するレンズアレイ間ではなく、１つのレンズアレイにある異なるレンズ列間に重なる「シ
ーム」を設けることを示す。１つのレンズアレイ７０を図１６で示し、このアレイは、１
３の行ｒ１からｒ１３で配置構成された４列のレンズｃ１からｃ４を有する。
図１６で示す実施形態では、走査方向を矢印７１で示す。したがって、例えば線７２と
７３の間に配置されたゾーンなどで隣接する列の重なりがあることが分かる。重なり合う
各列内で、最大強度を線７４で示す。列ｃ１、ｃ２およびｃ３の行ｒ１からｒ３、および
列ｃ２、ｃ３およびｃ４の行ｒ１０からｒ１３は、最大強度が低下している。その結果、
照明された光列が走査した基板上のトラックの全幅にわたる最大強度は、ほぼ一定である
。レンズの隣接列に送出されたパターン形成ビームを異なる「ビーム」と見なすことによ
り、隣接するビームが走査されるトラックが重なり合い、ビームの重なる部分と重ならな
い部分との最大強度は、基板上の全目標表面が、ほぼ同じ最大強度の放射線に露光される
ような強度であることが分かる。
結論
以上、本発明の様々な実施形態を説明してきたが、これは例示によってのみ提示された
もので、制限ではないことを理解されたい。本発明の精神および範囲から逸脱せずに、形
態および細部を様々に変更できることが当業者には明白である。したがって、本発明の幅
および範囲は、上述した例示的実施形態のいずれにも制限されず、請求の範囲およびその
等価物によってのみ定義されるものとする。
本発明の１つの実施形態によるリソグラフィ装置を示したものである。 本発明の１つの実施形態によるマイクロレンズアレイを含む光学投影システムを示したものである。 本発明の１つの実施形態により変位可能な基板テーブルを含む請求項２の光学投影システムを示したものである。 本発明の１つの実施形態により図３で示したシステムの基板上に投影する光のスポットの方位の略図である。 本発明の１つの実施形態による光列のアレイの配置構成の略図である。 本発明の１つの実施形態により、図５の光列によって走査されるトラックの基板に対する位置を概略的に示したものである。 本発明の１つの実施形態により、図６で示したトラックのうち１つと２つの隣接トラックとの重なりを概略的に示したものである。 図８Ａ、図８Ｂおよび図８Ｃは、本発明の様々な実施形態により、２つのトラック間で重なる領域の幅にわたって強度の連続的変動が存在する場合に、隣接するトラックの重なる領域におけるビームの強度を概略的に示したものである。 本発明の１つの実施形態により、２つのトラック間の重なる領域にわたる強度の代替階段状変動を示したものである。 本発明の１つの実施形態により、図８または図９で示した強度の変動を生成することができる吸収デバイスの４つの代替位置を概略的に示したものである。 本発明の実施形態により、制御可能な反射性要素を使用して、ビームの一部分の強度を調節する方法を概略的に示したものである。 本発明の実施形態により、制御可能な反射性要素を使用して、ビームの一部分の強度を調節する方法を概略的に示したものである。 本発明の１つの実施形態により、それぞれが基板上の重なるトラックを露光するように位置決めされたマイクロレンズアレイを組み込んだ３つの光列の配置構成を概略的に示したものである。 本発明の１つの実施形態により、基板上の重なるトラックを露光するように配置構成された２つのマイクロレンズアレイに個々のレンズを配置することを概略的に示したものである。 本発明の１つの実施形態により異なる光列によって生成された重なるトラックの図である。 本発明の１つの実施形態により、レンズのアレイにあるレンズの隣接列によって生成された重なるトラックの図である。
符号の説明
１ コントラストデバイス
２ ２次元アレイ
３ ビーム分割器
４ 照明ソース４
５ 放射線ビーム
６，７，８ レンズ
９ マイクロレンズアレイ
１０ 基板
１１ 基板テーブル
１２ 投影光学系
１３ 基板テーブルの移動方向
１６ スポット
１７ 基板
１８ 基板テーブル
１９ 基板の移動方向
２０ ブリッジ
２１ 光列
２２ フットプリント
２３ トラック
２４，２５，２６，２７ 線
２８，２９ 重なり区区域
３０，３１，３２，３３ 吸収デバイス
３４ レンズ
３５ 光の強度分布
３６ 開口プレート
３７ 中心軸線
３９ 線
４０ 走査方向
４１ フットプリント
４３，４４ 線
４５ フットプリント
４６，４７ 線
４８ 光列
４９ マイクロレンズアレイ
５０ レンズ
５１ 照明スポット
５２ 基板に対するマイクロレンズアレイの移動方向
５３ マイクロレンズアレイ
５４ レンズ
５５ スペース（トラック）
５６ レンズ
５７ スペース（トラック）
５８ レンズ
５９ スペース（トラック）
６０，６１，６２ レンズ
６３，６４レンズ
ｃ１，ｃ２，ｃ３，ｃ４ レンズ
ｒ１〜ｒ１３ レンズ
６５ 走査方向
６６〜６９ 線
７０ レンズアレイ
７１ 走査方向
７２，７３ 線
７４ 最大強度

Claims (12)

  1. リソグラフィ装置であって、
    放射線のビームを供給する照明システムと、
    ビームにパターンを形成するパターニングシステムとを有し、当該パターニングシステムは、個々に制御可能な要素のアレイを有し、さらに、
    パターン形成されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムを有し、当該投影システムは、レンズのアレイを有し、アレイの各レンズはパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向し、さらに、
    アレイのレンズは、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置され、
    各トラックのうち、隣接トラックと重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、第一部分に配向されるパターン形成されたビームの最大強度が、第二部分に配向されるパターン形成されたビームの最大強度より大きく、かつその第一部分および第二部分が、全体としてほぼ同じ最大強度の放射線に露光することを特徴とするリソグラフィ装置。
  2. リソグラフィ装置であって、
    放射線のビームを供給する照明システムと、
    ビームにパターンを形成するパターニングシステムとを有し、当該パターニングシステムは、個々に制御可能な要素のアレイを有し、さらに、
    パターン形成されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムを有し、当該投影システムは、レンズのアレイを有し、アレイの各レンズはパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向し、さらに、
    アレイのレンズは、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置され、
    前記投影システムは、パターン形成されたビームが透過する減衰デバイスを有し、
    減衰デバイスの少なくとも１つの周囲部分が、パターン形成されたビームのある割合を減衰し、
    各トラックのうち、隣接トラックと重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、減衰デバイスは、周囲部分を透過したパターン形成されたビームが第二部分へと投影されるように配置されることを特徴とするリソグラフィ装置。
  3. 減衰デバイスが、照明システムとパターニングシステムの間で配置される、請求項２に記載の装置。
  4. 減衰デバイスが、パターニングシステムと基板の間に配置される、請求項２に記載の装置。
  5. リソグラフィ装置であって、
    放射線のビームを供給する照明システムと、
    ビームにパターンを形成するパターニングシステムとを有し、当該パターニングシステムは、個々に制御可能な要素のアレイを有し、さらに、
    パターン形成されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムを有し、当該投影システムは、レンズのアレイを有し、アレイの各レンズはパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向し、さらに、
    アレイのレンズは、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置され、
    前記個々に制御可能な要素のアレイは、パターン形成されるビームの最大、最小、または少なくとも１つの中間強度の成分のうち少なくとも１つを基板へと配向するために個々の要素を制御するように配置され、
    当該リソグラフィ装置はさらに、各トラックのうち、隣接トラックと重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、中間強度の成分を第二部分へと配向し、最大強度の成分を第一部分へと配向することによって、第一部分へと配向されたパターン形成されたビームの成分と比較して、第二部分へと配向されたパターン形成されたビームの成分の強度を低下させるために、前記個々に制御可能な要素のアレイにある各要素を制御する制御デバイスを有することを特徴とするリソグラフィ装置。
  6. リソグラフィ装置であって、
    放射線のビームを供給する照明システムと、
    ビームにパターンを形成するパターニングシステムとを有し、当該パターニングシステムは、個々に制御可能な要素のアレイを有し、さらに、
    パターン形成されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムを有し、当該投影システムは、レンズのアレイを有し、アレイの各レンズはパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向し、さらに、
    アレイのレンズは、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置され、
    各トラックのうち、隣接トラックと重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、レンズのアレイは、パターン形成されたビームの一部を第二部分へと配向するアレイのレンズが、パターン形成されたビームの一部を第一部分へと配向するアレイのレンズより多くのパターン形成ビームを減衰するように配置構成されることを特徴とするリソグラフィ装置。
  7. リソグラフィ装置であって、
    放射線のビームを供給する照明システムと、
    ビームにパターンを形成するパターニングシステムとを有し、当該パターニングシステムは、個々に制御可能な要素のアレイを有し、さらに、
    パターン形成されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムを有し、当該投影システムは、レンズのアレイを有し、アレイの各レンズはパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向し、さらに、
    アレイのレンズは、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置され、
    各トラックのうち、隣接トラックと重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度が、その対応するトラックの第一部分に隣接するトラックの第二部分の縁部からその対応するトラックの第二部分の他方縁へと漸進的に低下することを特徴とするリソグラフィ装置。
  8. デバイス製造方法であって、
    個々に制御可能な要素のアレイで放射線のビームにパターンを形成することと、
    パターン形成されたビームを基板の目標部分にレンズのアレイを通して投影することと、
    パターン形成されたビームが所定の走査方向にて基板全体で走査されるように、基板とパターン形成されたビームとの間に相対的変位を引き起こすことと、
    アレイの各レンズを通してパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向することと、
    アレイのレンズを、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置することと、を含み、
    各トラックのうち、隣接トラックと重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、第一部分に配向されるパターン形成されたビームの最大強度が、第二部分に配向されるパターン形成されたビームの最大強度より大きく、かつその第一部分および第二部分が、全体としてほぼ同じ最大強度の放射線に露光することを特徴とする方法。
  9. デバイス製造方法であって、
    個々に制御可能な要素のアレイで放射線のビームにパターンを形成することと、
    パターン形成されたビームを基板の目標部分にレンズのアレイを通して投影することと、
    パターン形成されたビームが所定の走査方向にて基板全体で走査されるように、基板とパターン形成されたビームとの間に相対的変位を引き起こすことと、
    アレイの各レンズを通してパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向することと、
    アレイのレンズを、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置することと、
    パターン形成されたビームを減衰デバイスを通して伝送することと、を含み、
    パターン形成されたビームの少なくとも１つの周囲部分は、減衰デバイスの比較的高度に減衰する周囲部分によって強度が低下することを特徴とするリソグラフィ装置。
  10. デバイス製造方法であって、
    個々に制御可能な要素のアレイで放射線のビームにパターンを形成することと、
    パターン形成されたビームを基板の目標部分にレンズのアレイを通して投影することと、
    パターン形成されたビームが所定の走査方向にて基板全体で走査されるように、基板とパターン形成されたビームとの間に相対的変位を引き起こすことと、
    アレイの各レンズを通してパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向することと、
    アレイのレンズを、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置することと、を含み、
    各トラックのうち、隣接トラックと重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、
    パターン形成ステップが、
    パターン形成されたビームの成分を１つのトラックの第一部分の１つ、またはトラックの第二部分の１つへと配向するために、個々に制御可能な要素のアレイの個々の要素を制御することと、
    高くても中間の強度の成分がトラックの第二部分の１つへと配向され、最大強度の成分が、トラックの第一部分の１つへと配向されるように、個々の要素を制御することとを含むことを特徴とする方法。
  11. デバイス製造方法であって、
    個々に制御可能な要素のアレイで放射線のビームにパターンを形成することと、
    パターン形成されたビームを基板の目標部分にレンズのアレイを通して投影することと、
    パターン形成されたビームが所定の走査方向にて基板全体で走査されるように、基板とパターン形成されたビームとの間に相対的変位を引き起こすことと、
    アレイの各レンズを通してパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向することと、
    アレイのレンズを、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置することと、を含み、
    各トラックのうち、隣接トラックと重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、
    配向ステップが、
    パターン形成されたビームの部分をトラックの１つの第一部分へと配向するアレイのレンズより、パターン形成されたビームの部分を１つのトラックの１つの第二部分へと配向するアレイのレンズの方が、パターン形成されたビームを多く減衰することを含むことを特徴とする方法。
  12. デバイス製造方法であって、
    個々に制御可能な要素のアレイで放射線のビームにパターンを形成することと、
    パターン形成されたビームを基板の目標部分にレンズのアレイを通して投影することと、
    パターン形成されたビームが所定の走査方向にて基板全体で走査されるように、基板とパターン形成されたビームとの間に相対的変位を引き起こすことと、
    アレイの各レンズを通してパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向することと、
    アレイのレンズを、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置することと、を含み、
    各トラックのうち、隣接トラックと重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度が、その対応するトラックの第一部分に隣接するトラックの第二部分の縁部からその対応するトラックの第二部分の他方縁へと漸進的に低下することを特徴とする方法。
JP2008315593A 2004-11-08 2008-12-11 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Active JP5210138B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/983,336 2004-11-08
US10/983,336 US7609362B2 (en) 2004-11-08 2004-11-08 Scanning lithographic apparatus and device manufacturing method

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005321654A Division JP2006133784A (ja) 2004-11-08 2005-11-07 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009110016A true JP2009110016A (ja) 2009-05-21
JP5210138B2 JP5210138B2 (ja) 2013-06-12

Family

ID=36315946

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005321654A Pending JP2006133784A (ja) 2004-11-08 2005-11-07 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2008315593A Active JP5210138B2 (ja) 2004-11-08 2008-12-11 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2010274484A Active JP5210370B2 (ja) 2004-11-08 2010-12-09 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005321654A Pending JP2006133784A (ja) 2004-11-08 2005-11-07 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010274484A Active JP5210370B2 (ja) 2004-11-08 2010-12-09 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7609362B2 (ja)
JP (3) JP2006133784A (ja)
KR (2) KR100767828B1 (ja)
CN (2) CN1773379B (ja)
TW (1) TWI309755B (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7508514B2 (en) * 2006-06-23 2009-03-24 Asml Holding N.V. Correction of off-axis translation of optical elements in an optical zoom assembly
EP2226683A1 (en) 2009-03-06 2010-09-08 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Illumination system for use in a stereolithography apparatus
CN101846888B (zh) * 2010-03-26 2011-11-30 友达光电股份有限公司 曝光机台、阵列基板、图案化薄膜、光刻胶层及形成方法
CN102231049B (zh) * 2011-06-29 2014-04-23 广东工业大学 一种大面积投影光刻系统及其对准方法
KR102151254B1 (ko) * 2013-08-19 2020-09-03 삼성디스플레이 주식회사 노광장치 및 그 방법
KR20150087949A (ko) * 2014-01-23 2015-07-31 삼성디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치
EP3155647A4 (en) * 2014-06-13 2018-01-24 Intel Corporation Ebeam universal cutter
JP6523194B2 (ja) * 2016-03-14 2019-05-29 東京エレクトロン株式会社 補助露光装置
EP3559752A4 (en) * 2016-12-23 2020-08-19 ASML Netherlands B.V. PRODUCTION OF UNIQUE CHIPS WITH A LITHOGRAPHY SYSTEM WITH MULTIPLE CARRIER PART JETS
WO2022250714A1 (en) * 2021-05-25 2022-12-01 Applied Materials, Inc. Bridge stiffeners for increased digital photolithography precision
JPWO2023282210A1 (ja) * 2021-07-05 2023-01-12
CN117677902A (zh) * 2021-07-20 2024-03-08 Asml荷兰有限公司 用于具有增加的公差的光刻工具的系统和方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11251219A (ja) * 1998-03-02 1999-09-17 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びディスプレイ装置の製造方法
JP2001500628A (ja) * 1996-02-28 2001-01-16 ケニス シー ジョンソン マイクロリトグラフィ用マイクロレンズスキャナ及び広フィールド共焦顕微鏡
JP2001297975A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2002506231A (ja) * 1998-03-02 2002-02-26 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット ステッチング誤差防止用改良型パターン・ジェネレータ
JP2003195512A (ja) * 2001-12-28 2003-07-09 Pentax Corp 多重露光描画装置および多重露光描画方法
JP2004009595A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド及び露光装置
JP2004062156A (ja) * 2002-06-07 2004-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド及び露光装置

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2504434B2 (ja) 1987-01-28 1996-06-05 株式会社東芝 荷電粒子ビ―ム描画方法
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US5296891A (en) * 1990-05-02 1994-03-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device
DE69123923T2 (de) * 1990-10-12 1997-04-30 Fuji Photo Film Co Ltd Abtast- und Beleuchtungsverfahren mit mehreren optischen Strahlen und Vorrichtung dazu
JPH04240718A (ja) 1991-01-24 1992-08-28 Jeol Ltd 可変成形型荷電粒子ビーム描画方法
US5229872A (en) * 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US6219015B1 (en) * 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
JP3224041B2 (ja) * 1992-07-29 2001-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5729331A (en) * 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP3339149B2 (ja) * 1993-12-08 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置ならびに露光方法
US5677703A (en) * 1995-01-06 1997-10-14 Texas Instruments Incorporated Data loading circuit for digital micro-mirror device
US5530482A (en) * 1995-03-21 1996-06-25 Texas Instruments Incorporated Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels
US6538723B2 (en) * 1996-08-05 2003-03-25 Nikon Corporation Scanning exposure in which an object and pulsed light are moved relatively, exposing a substrate by projecting a pattern on a mask onto the substrate with pulsed light from a light source, light sources therefor, and methods of manufacturing
JPH1050599A (ja) * 1996-08-05 1998-02-20 Nikon Corp 露光装置の制御方法
AU2048097A (en) 1997-01-29 1998-08-18 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
US6177980B1 (en) * 1997-02-20 2001-01-23 Kenneth C. Johnson High-throughput, maskless lithography system
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
US5982553A (en) * 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
CN1166987A (zh) 1997-06-18 1997-12-10 武汉大学 含d-半乳糖基的顺磁性金属配合物磁共振成像造影剂
KR20010088343A (ko) 2000-02-18 2001-09-26 시마무라 테루오 노광방법 및 장치, 그리고 디스플레이장치의 제조방법
TW520526B (en) * 2000-05-22 2003-02-11 Nikon Corp Exposure apparatus, method for manufacturing thereof, method for exposing and method for manufacturing micro-device
TWI226972B (en) * 2000-06-01 2005-01-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1246014A1 (en) 2001-03-30 2002-10-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
RU2187160C1 (ru) * 2000-12-29 2002-08-10 Кумахов Мурадин Абубекирович Устройство для рентгеновской литографии
EP1251402B1 (en) 2001-03-30 2007-10-24 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3563384B2 (ja) * 2001-11-08 2004-09-08 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
US6940080B2 (en) 2002-03-28 2005-09-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged particle beam lithography system, lithography method using charged particle beam, method of controlling charged particle beam, and method of manufacturing semiconductor device
CN1297836C (zh) * 2002-06-07 2007-01-31 富士胶片株式会社 曝光头以及曝光装置
US6870601B2 (en) * 2002-06-12 2005-03-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1324406C (zh) 2002-07-09 2007-07-04 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
EP1573366B1 (en) * 2002-08-24 2016-11-09 Chime Ball Technology Co., Ltd. Continuous direct-write optical lithography
JP4365579B2 (ja) 2002-12-20 2009-11-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法
US6870554B2 (en) * 2003-01-07 2005-03-22 Anvik Corporation Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators
TW200428158A (en) 2003-01-28 2004-12-16 Tadahiro Ohmi Mask producing method, mask producing apparatus, and mask drawing apparatus
JP2004287082A (ja) 2003-03-20 2004-10-14 Tadahiro Omi マスク描画装置
JP2004252375A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Sharp Corp 露光装置および露光方法
EP1482373A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001500628A (ja) * 1996-02-28 2001-01-16 ケニス シー ジョンソン マイクロリトグラフィ用マイクロレンズスキャナ及び広フィールド共焦顕微鏡
JPH11251219A (ja) * 1998-03-02 1999-09-17 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びディスプレイ装置の製造方法
JP2002506231A (ja) * 1998-03-02 2002-02-26 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット ステッチング誤差防止用改良型パターン・ジェネレータ
JP2001297975A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2003195512A (ja) * 2001-12-28 2003-07-09 Pentax Corp 多重露光描画装置および多重露光描画方法
JP2004009595A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド及び露光装置
JP2004062156A (ja) * 2002-06-07 2004-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド及び露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006133784A (ja) 2006-05-25
US7609362B2 (en) 2009-10-27
US20060098175A1 (en) 2006-05-11
TWI309755B (en) 2009-05-11
KR100824363B1 (ko) 2008-04-22
KR20060052514A (ko) 2006-05-19
KR100767828B1 (ko) 2007-10-17
TW200632570A (en) 2006-09-16
JP5210370B2 (ja) 2013-06-12
CN101794082B (zh) 2013-01-09
JP5210138B2 (ja) 2013-06-12
JP2011059716A (ja) 2011-03-24
KR20070077170A (ko) 2007-07-25
CN1773379B (zh) 2010-05-05
CN101794082A (zh) 2010-08-04
CN1773379A (zh) 2006-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5210138B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP5698831B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
KR100756504B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
KR100659254B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP4648442B2 (ja) リソグラフィ機器及び方法
JP4448819B2 (ja) リソグラフィ装置及び六角形画像グリッドを使用するデバイス製造方法
JP2009260362A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4386866B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5346356B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4791179B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US20060023190A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110405

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110704

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110707

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110929

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120724

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121120

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20121128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130222

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160301

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5210138

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250