TWI641905B - 圖案修正方法、光罩之製造方法、光罩、及修正膜形成裝置 - Google Patents

圖案修正方法、光罩之製造方法、光罩、及修正膜形成裝置 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種技術，該技術係於藉由雷射CVD法而修正光罩之轉印用圖案中產生之缺陷之情形時，可藉由與先前相比透過率分佈之偏差得以抑制之修正膜而修正轉印用圖案之缺陷。 一種圖案修正方法，其係針對在基板之主表面上形成有轉印用圖案之光罩之轉印用圖案形成修正膜者，且包含：區域特定步驟，其特定出要形成修正膜之對象區域54；及成膜步驟，其於原料氣體之環境中，向對象區域54內照射雷射光而形成修正膜；於成膜步驟中，藉由將自雷射振盪器射出之雷射光照射至對象區域54內，而形成特定尺寸之單位修正膜58，並且於對象區域54內，藉由使複數個單位修正膜58之各者之一部分相互重合而形成具有特定膜厚之修正膜。

Description

圖案修正方法、光罩之製造方法、光罩、及修正膜形成裝置
本發明係關於光罩之轉印用圖案之修正，尤其係關於一種應用於轉印用圖案之修正而較佳之圖案修正方法、光罩之製造方法、光罩、及修正膜形成裝置，該轉印用圖案係對於以液晶顯示裝置或有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置為代表之顯示裝置之製造有用之光罩所具備者。
已知於具備包含半透光部之轉印用圖案之光罩中，於轉印用圖案之半透光部產生缺陷之情形時，對其進行修正(修復)。例如，於專利文獻1中記載有如下內容：於由半透光膜形成之半透光部產生缺陷之情形時，作為用以對其進行修正之修正膜，形成於較中心部更周緣側之部分具有曝光之光之透過量較大之區域的修正膜。又，於專利文獻2中，記載有應用於修正光罩上之半色調區域之白缺陷部分之修正裝置及方法。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2008-256759號公報 [專利文獻2]日本專利特開2010-210919號公報
[發明所欲解決之問題] 於製造顯示裝置時，多利用具備基於欲獲得之設備之設計之轉印用圖案的光罩。對於搭載於智慧型手機或平板終端等設備之液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置，不僅要求明亮、省電、動作速度快，亦要求高解析度、寬視角等高畫質。因此，有如下傾向，即，對於光罩所具有之轉印用圖案，微細化、高密度化之要求不斷變強。 作為形成於光罩之轉印用圖案，有不僅具備使曝光之光透過之透光部、及遮蔽曝光之光之遮光部，還具備使曝光之光之一部分透過之半透光部者。作為具有此種轉印用圖案之光罩，例如已知有於欲獲得之設備之製造過程中可進行複數次蝕刻製程之多階光罩。 又，於應用於液晶顯示裝置之彩色濾光片中，正推進亮度之提昇或省電化，例如作為用以獲得觸控面板之操作性之感光性間隔件，除設置主間隔件以外還設置子間隔件，或為了實現更亮之顯示畫面，而於黑矩陣上配置感光性間隔件等。於製造此種製品之情形時，亦使用多階光罩而獲得感光性樹脂之立體形狀，藉此可實現生產之效率化或低成本化。 作為多階光罩所具有之半透光部，可於透明基板上形成對曝光之光具有特定透過率之半透光膜，將該半透光膜之部分用作半透光部。作為此種半透光部，可應用相對於透光部而曝光之光之相位偏移量較小(例如大於零且為90度以下)等光學特性之半透光膜。如下方法亦對於高精細之圖案化而言較佳，該方法係使應用於半透光部之半透光膜具有特定之光透過率與相位偏移作用(例如相位偏移量為180度±30度)，提昇將其進行轉印時之透過光強度分佈之對比度或焦點深度。此種用於光罩之相位偏移膜亦為對於曝光之光具有特定透過率之半透光膜。 於由此種半透光膜形成之轉印用圖案中，於半透光膜之部分產生黑缺陷或白缺陷時，必須修正(修復)缺陷。於該情形時，例如於半透光膜之一部分產生白缺陷時，藉由在半透光膜之缺失部分堆積修正膜，而修正白缺陷。又，於半透光膜之一部分產生黑缺陷時，藉由去除半透光膜或附著物並視需要堆積新的修正膜，而修正黑缺陷。但是，於任一情形時，均必須留意已形成之正常部分之半透光膜(以下，亦稱為「正常膜」)之光學特性、與藉由修正步驟而局部形成之修正膜之光學特性之匹配。其原因在於：若修正膜之光學性質或作用與正常部分之半透光膜不同，則根據情況存在產生新的白缺陷或黑缺陷之風險。尤其是，正常膜與修正膜之光透過率之匹配較為重要。 於專利文獻1中，記載有如下之缺陷修正方法：於在包含缺陷區域之區域形成修正膜之步驟中，以於修正膜之較中央部更周緣側之部分具有曝光之光之透過量較中央部大之區域之方式形成修正膜，藉此修正缺陷。即，於專利文獻1中，將於半透光膜之缺陷部分之形狀與修正膜之形狀並非相同尺寸且相同形狀之情形時，產生間隙(白缺陷)或重疊(黑缺陷)的情況視為問題，而提出上述缺陷修正方法。 然而，由於專利文獻1所記載之方法為使用FIB(Focused Ion Beam，聚焦離子束)法之缺陷修正方法，因此有如下難點：必須使用高真空之腔室，缺陷之修正花費時間，而且難以精細地調整成膜材料之供給與掃描速度而使膜厚均勻化。 於專利文獻2中，記載有使用雷射CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法之缺陷修正方法。即，於專利文獻2中，記載有如下之CVD薄膜之形成方法：使自雷射振盪器射出之雷射光通過靜止地設置於光軸前方之開口後，利用物鏡聚光，藉此使雷射光照射至放置於反應氣體環境中之試樣表面，並且使向上述開口入射之雷射光之光軸相對於上述開口擺動，藉此藉由時間平均作用而使試樣表面上之照射光強度均勻化。又，記載有根據該方法，可形成對於如光罩之半色調區域之白缺陷修正般要求高度之膜厚均勻化之用途較佳之CVD薄膜。 但是，根據本發明者之研究，即便藉由利用雷射光之擺動產生之時間平均作用而使光強度均勻化，於之後雷射光之光束通過光學系統時，亦會產生如下傾向：因光學系統之像差等應變之影響，導致照射點內之雷射光之強度產生不均，而於修正膜產生膜厚分佈。因此，發現對於透過率分佈之偏差得以進一步抑制之修正膜之形成，有進一步改良之餘地。 本發明之主要目的在於提供一種技術，該技術於藉由雷射CVD法修正光罩之轉印用圖案中產生之缺陷之情形時，可藉由與先前相比透過率分佈之偏差得以抑制之修正膜而修正轉印用圖案之缺陷。 [解決問題之技術手段] (第1態樣) 本發明之第1態樣係一種圖案修正方法，其特徵在於： 其係針對在基板之主表面上形成有轉印用圖案之光罩之上述轉印用圖案形成修正膜者，且包含： 區域特定步驟，其特定出要形成上述修正膜之對象區域；及 成膜步驟，其於原料氣體之環境中，向上述對象區域內照射雷射光而形成上述修正膜；且 於上述成膜步驟中，藉由將自雷射振盪器射出之雷射光照射至上述對象區域內，而形成特定尺寸之單位修正膜，並且 於上述對象區域內，藉由使複數個上述單位修正膜之各者之一部分相互重合，而形成具有特定膜厚之修正膜。 (第2態樣) 本發明之第2態樣係如上述第1態樣之圖案修正方法，其特徵在於： 於上述成膜步驟中，將自雷射振盪器射出並通過特定尺寸之光圈之雷射光照射至上述對象區域內，於上述基板上形成照射點，藉此形成特定尺寸之單位修正膜，並且 於上述對象區域內，使上述照射點移動而使複數個上述單位修正膜之各者之一部分相互重合，藉此形成具有特定膜厚之修正膜。 (第3態樣) 本發明之第3態樣係如上述第2態樣之圖案修正方法，其特徵在於： 上述照射點之重合係相互垂直之兩個方向之重合。 (第4態樣) 本發明之第4態樣係如上述第2或第3態樣之圖案修正方法，其特徵在於： 於將上述照射點之重合方向設為X方向時，上述X方向上之上述照射點之尺寸SX(μm)為： 0.5≦SX＜3.0。 (第5態樣) 本發明之第5態樣係如上述第2至第4態樣中任一項之圖案修正方法，其特徵在於： 於將上述照射點之重合方向設為X方向時，上述X方向上之上述照射點之重合間距PX相對於上述X方向上之上述照射點之尺寸SX為： 0.9SX≦PX≦0.5SX。 (第6態樣) 本發明之第6態樣係如上述第2至第5態樣中任一項之圖案修正方法，其特徵在於： 於將上述照射點之重合方向設為X方向時，上述X方向上之上述照射點之重合寬度WX(μm)為： 0.2≦WX≦1.5。 (第7態樣) 本發明之第7態樣係如上述第2至第6態樣中任一項之圖案修正方法，其特徵在於： 上述轉印用圖案包含使曝光之光之一部分透過之半透光部，且上述對象區域於至少一部分包含上述半透光部。 (第8態樣) 本發明之第8態樣係如上述第2至第7態樣中任一項之圖案修正方法，其特徵在於： 上述照射點係使自上述雷射振盪器射出之雷射光振動後通過上述光圈並照射至上述光罩之對象區域而形成。 (第9態樣) 本發明之第9態樣係如上述第2至第8態樣中任一項之圖案修正方法，其特徵在於： 上述光圈之形狀為正方形。 (第10態樣) 本發明之第10態樣係一種光罩之製造方法，其係包含如下步驟者： 準備於基板之主表面上至少包含半透光膜之光罩基底； 將上述半透光膜圖案化而形成具有轉印用圖案之光罩；及 修正步驟，其修正上述轉印用圖案； 且該光罩之製造方法之特徵在於：於上述修正步驟中，應用如上述第1至第9態樣中任一項之圖案修正方法而修正上述轉印用圖案。 (第11態樣) 本發明之第11態樣係一種光罩，其係包含形成於基板之主表面上之轉印用圖案之一部分已藉由修正膜修正之修正轉印用圖案者，且其特徵在於： 上述轉印用圖案包含於上述基板上形成半透光膜而成之半透光部，且 上述修正轉印用圖案包含修正膜部分，該修正膜部分中，由具有未達上述光罩之曝光條件下之解析極限尺寸之尺寸之CVD膜構成的複數個單位修正膜以彼此局部重合之狀態規則地排列。 (第12態樣) 本發明之第12態樣係如上述第11態樣之光罩，其特徵在於： 上述單位修正膜係於相互垂直之兩個方向重合而排列。 (第13態樣) 本發明之第13態樣係一種修正膜形成裝置，其特徵在於： 其係針對在基板之主表面上具備轉印用圖案之光罩之上述轉印用圖案形成修正膜者，且包含： 雷射振盪器，其射出雷射光； 特定尺寸之光圈，其用以將上述雷射光之光束直徑縮窄為特定大小； 光學系統，其用以將通過上述光圈之上述雷射光照射至上述基板上而於上述基板上形成照射點； 氣體供給機構，其用以向上述基板上供給原料氣體；及 移動控制機構，其使上述光學系統與上述基板於平行於上述基板之主表面之面內相對地移動；且 上述移動控制機構藉由使上述光學系統與上述基板相對地移動而於上述基板上形成複數個特定尺寸之單位修正膜，並且以上述複數個單位修正膜使其等之一部分相互重合而排列之方式，控制上述移動。 (第14態樣) 本發明之第14態樣係如上述第13態樣之修正膜形成裝置，其特徵在於： 上述移動控制機構以藉由使上述光學系統與上述基板相對地移動而使上述複數個單位修正膜於兩個方向上相互重合而排列的方式控制上述移動。 (第15態樣) 本發明之第15態樣係如上述第13或第14態樣之修正膜形成裝置，其特徵在於： 上述移動控制機構使上述光學系統與上述基板之至少一者相對於另一者相對地以固定間距且以步進重複方式移動。 [發明之效果] 根據本發明，可藉由與先前相比透過率分佈之偏差得以抑制之修正膜而修正轉印用圖案之缺陷。
於本發明之實施形態中， 一種圖案修正方法，其係針對在基板之主表面上形成有轉印用圖案之光罩之上述轉印用圖案形成修正膜者，且包含： 區域特定步驟，其特定出要形成上述修正膜之對象區域；及 成膜步驟，其於原料氣體之環境中，向上述對象區域內照射雷射光而形成上述修正膜；且 於上述成膜步驟中，藉由將自雷射振盪器射出之雷射光照射至上述對象區域內，而形成特定尺寸之單位修正膜，並且 於上述對象區域內，藉由使複數個上述單位修正膜之各者之一部分相互重合而形成具有特定膜厚之修正膜，藉由該修正膜而修正轉印用圖案。 又，較佳為， 於上述成膜步驟中，將自雷射振盪器射出並通過特定尺寸之光圈之雷射光照射至上述對象區域內，於上述基板上形成照射點，藉此形成特定尺寸之單位修正膜，並且 於上述對象區域內，使上述照射點移動而使複數個上述單位修正膜之各者之一部分相互重合，藉此形成具有特定膜厚之修正膜。 作為可應用於此種圖案修正方法之修正膜形成裝置，可使用具備下述構成之修正膜形成裝置。 即， 一種修正膜形成裝置，其係針對在基板之主表面上具備轉印用圖案之光罩之上述轉印用圖案形成修正膜者，且包含： 雷射振盪器，其射出雷射光； 特定尺寸之光圈，其用以將上述雷射光之光束直徑縮窄為特定大小； 光學系統，其用以將通過上述光圈之上述雷射光照射至上述基板上而於上述基板上形成照射點； 氣體供給機構，其用以向上述基板上供給原料氣體；及 移動控制機構，其使上述光學系統與上述基板於平行於上述基板之主表面之面內相對地移動；且 上述移動控制機構藉由使上述光學系統與上述基板相對地移動而於上述基板上形成複數個特定尺寸之單位修正膜，並且以上述複數個單位修正膜使其等之一部分相互重合而排列之方式，控制上述移動。 (修正膜形成裝置) 圖1係例示本發明之實施形態之修正膜形成裝置之概要之構成圖。但是，本發明之修正膜形成裝置並不限定於所圖示之裝置構成。 修正膜形成裝置1係可藉由雷射CVD法而形成局部之修正膜(亦稱為CVD膜)之裝置。產生於光罩之轉印用圖案之缺陷有透過率低於容許值之黑缺陷、及透過率高於容許值之白缺陷。黑缺陷係因膜圖案之多餘或異物之附著等而產生之缺陷，亦稱為多餘缺陷。白缺陷係因膜圖案之不足或缺失等而產生之缺陷，亦稱為缺失缺陷。修正膜形成裝置1成為可分別進行黑缺陷之去除、及修正膜於白缺陷部之堆積之構成。光罩係於基板之主表面上形成有轉印用圖案者。於以下之說明中，亦將形成有該轉印用圖案之基板稱為光罩基板。 修正膜形成裝置1主要具備：雷射光學系統2，其用以形成膜；雷射光學系統3，其用以去除膜；光學系統5，其將自各雷射光學系統2、3射出之雷射光(雷射光束)LB導引至光罩(光罩基板)4上；氣體供給系統6，其供給成為修正膜之原料之原料氣體；及移動控制部7，其使光罩4移動，並且控制其移動。 用以形成膜之雷射光學系統2具備雷射振盪器(CVD Laser，CVD雷射)11、擴束器12、準直透鏡13、衰減器14、及射束掃描單元15。於該雷射光學系統2中，自雷射振盪器11射出之雷射光LB之光束直徑(以下，亦稱為「射束直徑」)係藉由擴束器12而擴大。通過擴束器12之雷射光LB藉由準直透鏡13而設為平行狀態。又，透過準直透鏡13之雷射光LB藉由衰減器14調整為適當之輸出後，藉由射束掃描單元15而振動。利用射束掃描單元15進行之雷射光LB之振動係藉由使雷射光LB之光軸以特定之振幅振動而進行。 用以去除膜之雷射光學系統3具備雷射振盪器(Zap Laser，快速移動雷射)16、擴束器17、準直透鏡18、及衰減器19。於該雷射光學系統3中，自雷射振盪器16射出之雷射光LB之光束直徑藉由擴束器17而擴大。通過擴束器17之雷射光LB藉由準直透鏡18而設為平行狀態。又，透過準直透鏡18之雷射光LB藉由衰減器19而調整為適當之輸出。 光學系統5具備4個稜鏡21～24、可變光圈25、及物鏡26。稜鏡21～24係分別使雷射光LB垂直地反射者。即，稜鏡21使自雷射光學系統2射出之雷射光LB垂直地反射，稜鏡22使由稜鏡21反射之雷射光LB透過，並且使自雷射光學系統3射出之雷射光LB垂直地反射。又，稜鏡23使通過可變光圈25之雷射光LB垂直地反射，稜鏡24使經稜鏡23反射之雷射光LB垂直地反射。可變光圈25係用以將經稜鏡21或稜鏡22反射之雷射光LB之光束直徑縮窄為特定大小者。可變光圈25構成為可變更限制雷射光LB之通過之光圈之尺寸(開口尺寸)。 又，於光學系統5附帶有反射照明27、攝像元件(CCD，Charge Coupled Device，電荷耦合元件)28、及透過照明29。反射照明27係用以通過稜鏡23、24及物鏡26對光罩4照射照明光，並使攝像元件28拍攝自光罩4返回之反射光。透過照明29係用以自光罩4之背面側(與轉印用圖案之形成面為相反側)對光罩4照射照明光，並使攝像元件28拍攝通過光罩4之透過光。 氣體供給系統6具備載氣供給管31、原料盒32、原料氣體供給管33、及氣簾單元34。載氣供給管31係用以向原料盒32供給包含惰性氣體之載氣(例如氬氣)者。原料盒32係用以藉由加熱使用於形成修正膜之原料昇華，並將藉此已氣化之原料與載氣混合，從而產生原料氣體。原料氣體供給管33係用以自原料盒32向氣簾單元34供給原料氣體者。氣簾單元34係自上部朝向光罩面噴出原料氣體，並自氣簾單元34周邊部之排氣孔抽吸氣體，藉此，一面調整原料氣體之供給與排氣之差壓一面將光罩4之修正對象部分設為原料氣體環境35。若於該原料氣體環境35下將雷射光學系統2所產生之雷射光LB照射至光罩4之主表面上，則於此處形成照射點，並且根據該照射點之尺寸及形狀而形成修正膜。作為修正膜之原料，較佳為使用金屬羰基化合物。具體而言，例示羰基鉻(Cr(CO)6 )、羰基鉬(Mo(CO)6 )、羰基鎢(W(CO)6 )等。作為光罩之修正膜，較佳為使用耐化學品性較高之羰基鉻。 移動控制部7成為如下構成：可於將光罩(光罩基板)4水平載置並支持於未圖示之平台上之狀態下，使光罩4於水平面內與該平台一體地沿X方向及Y方向(與X方向垂直之方向)移動，且可控制其移動。於該情形時，光罩4與平台一體地移動，因此，使光罩4移動與使平台移動實質上意義相同。 移動控制部7可使支持光罩4之平台沿X方向及Y方向分別以所期望之間距精細地移動。藉此，於在光罩4之主表面上形成雷射光LB之照射點時，可藉由平台向X方向或Y方向之移動(微動)而使照射點之位置依次移動，從而於缺陷修正之對象區域整體形成修正膜。於該情形時，移動控制部7可設為以如下方式控制光罩4之移動者，即，使支持於平台之光罩4例如沿X方向以步進重複方式移動，每隔特定次數之步進重複時，沿Y方向依次移動，並反覆進行該組合。 其中，形成於光罩4之主表面上之照射點隨著光罩(光罩基板)4與光學系統5之相對移動而移動。因此，移動控制部7只要使光學系統5與光罩4於平行於光罩4之主表面之面內相對地移動即可。因此，關於照射點之移動，亦可代替如上述般使光罩4沿X方向及Y方向移動，而使導引雷射光LB之光學系統5沿X方向及Y方向移動。或者，亦可採用使光罩4沿X方向與Y方向之任一方向移動並使光學系統5沿另一方向移動之構成。 (圖案修正方法) 本發明之實施形態之圖案修正方法為應用於修正光罩所具備之轉印用圖案之修正步驟之方法，包含下述區域特定步驟與成膜步驟。 (區域特定步驟) 於區域特定步驟中，於形成於光罩基板上之轉印用圖案中特定出要藉由形成修正膜而進行缺陷之修正之對象區域(以下，亦稱為「修正對象區域」)。此時，較佳為視需要進行下述預處理。 (預處理) 此處，對如下情形進行說明，即，於光罩之轉印用圖案所包含之半透光部產生缺陷之情形時，對該半透光部之缺陷進行修正。於該情形時，視需要進行使缺陷部分成為容易實施修正之白缺陷的預處理。於本態樣中，半透光部係指使光罩之曝光時使用之曝光之光之一部分透過的部分，有時亦稱為半色調部、或灰色調部。例如係於透明之光罩基板上形成半透光膜(使曝光之光之一部分透過之具有特定之透過率之光學膜)而成之區域。作為於該半透光部產生之缺陷之具體例，考慮如圖2(A)所示般於半透光部51之一部分產生黑缺陷52之情形、或如圖2(B)所示般於半透光部51之一部分產生白缺陷53之情形。黑缺陷52成為因於形成半透光部51之半透光膜上附著有遮光膜或其他異物而表現較對半透光部51所設定之透過率低之透過率的缺陷。白缺陷53成為因形成半透光部51之半透光膜局部脫落而表現較對半透光部51所設定之透過率高之透過率的缺陷。於對黑缺陷52進行之預處理中，去除附著之異物，並視需要將位於缺陷部分之周圍之正常之半透光膜(正常膜)去除一部分，從而形成適合於修正步驟之形狀之白缺陷。於對白缺陷53進行之預處理中，亦較佳為將缺陷附近之半透光膜去除一部分而調整缺陷之形狀。 去除膜時應用雷射快速移動(laser zapping)。具體而言，將自雷射振盪器16射出之雷射光LB藉由擴束器17擴大為特定之射束直徑，進而藉由衰減器19調整輸出後，藉由可變光圈25而縮窄為適當之射束直徑，以該狀態照射至光罩4上。藉此，於照射雷射光LB之部分將半透光膜去除。因此，作為適合於修正步驟之形狀，以較上述黑缺陷52或白缺陷53之實際尺寸大一圈之尺寸，例如如圖2(C)所示般形成四邊形(較佳為正方形或長方形)之白缺陷，將該白缺陷之形成區域特定為修正對象區域54。 再者，於不進行基於膜去除之預處理之情形時，亦可將藉由缺陷檢查而發現之缺陷部分(黑缺陷或白缺陷)直接特定為修正對象區域。 又，於進行預處理之情形時，亦可於利用下述成膜步驟開始形成修正膜之開始位置附近，預先形成修正膜之基底膜。基底膜成為促進成膜步驟開始時之雷射光LB之吸收而使修正膜成長之起點。因此，可期待有助於有效率且穩定地形成修正膜。 (成膜步驟) 於成膜步驟中，針對藉由上述區域特定步驟而特定出之修正對象區域54形成修正膜(參照圖1、圖3～圖10)。 形成膜時應用雷射CVD法。具體而言，將自雷射振盪器11射出之雷射光LB藉由擴束器12擴大為特定之射束直徑，進而藉由衰減器14調整輸出後，藉由可變光圈25而縮窄為適當之射束直徑，以該狀態照射至光罩4上。此時，亦可以使入射至可變光圈25之雷射光LB之光束直徑充分大於可變光圈25之光圈尺寸之方式，預先藉由擴束器12擴大雷射光LB之光束直徑。或者，亦可使雷射光LB之光束直徑小於光圈尺寸。於任一情形時，均能夠以使雷射光LB於可變光圈25上以特定振幅振動之方式，藉由射束掃描單元15使雷射光LB振動，從而使通過可變光圈之光強度均勻化。另一方面，藉由利用氣體供給系統6向光罩4上供給原料氣體，而將光罩4上設為原料氣體環境35。藉此，於照射雷射光LB之部分形成由CVD膜構成之修正膜。 於以此種方式形成修正膜時，掌握應形成之修正膜之光學特性(光透過率等)，預先研究應堆積之特定膜厚。於本實施形態中，所謂特定膜厚，於形成於修正對象區域之修正膜根據位置而具有不同膜厚之情形時，係指其膜厚之範圍。該膜厚係基於修正對象之光罩所具有之半透光膜(正常膜)之光透過率而決定，並據此設定修正膜之形成條件。 修正膜之膜成長受雷射所產生之光與熱之能量之強度分佈影響。因此，將雷射光LB調整為適當之輸出當然很重要，而且遍及要形成修正膜之區域整體而使所照射之雷射光LB之強度為固定範圍內亦很重要。自雷射振盪器11直接射出之雷射光LB具有光束之中心部分之強度大於周緣部分之分佈。因此，單位修正膜之膜厚容易於中心部分大於周緣部分。於本實施形態中，針對修正之對象區域反覆形成複數個尺寸相對較小之單位修正膜，使該等複數個單位修正膜排列於對象區域整體，從而大幅降低對象區域之膜厚分佈對轉印造成之影響。以下，對應用於成膜步驟之具體之成膜例進行說明。 (成膜例1) 首先，利用圖1、圖3～圖7對成膜例之一態樣進行說明。 作為應用於成膜例1之較佳之具體方法，使雷射光LB之光束入射至設定為特定之光圈尺寸(開口尺寸)之可變光圈25，藉由可變光圈25之尺寸而限制該光束之直徑。例如，如圖1所示，若即將入射至可變光圈25前之X方向之雷射光LB之光束直徑為LX(μm)，則將可變光圈25之X方向之光圈尺寸AX設定為充分小於上述LX。而且，藉由基於可變光圈25之光束直徑之縮窄，較佳為僅使包含雷射光束之中心附近之光束之一部分通過而設為直徑較小之光束。更佳為設為包含雷射光束之中心之光束。此時，使雷射光LB之光束之一部分通過之可變光圈25之光圈形狀可設為四邊形(正方形、長方形)、或狹縫狀。於本態樣中以使用正方形之光圈為例進行說明。 可變光圈25之光圈尺寸較佳為規定該光圈形狀之正方形之一邊(於長方形之情形時為短邊)為50 μm以上且未達300 μm，更佳為100 μm以上且未達250 μm。於本態樣中，將正方形之光圈之一邊之尺寸設為200 μm。此處，就下述重合而言，重合方向為X方向，若將X方向上之光圈尺寸設為AX(μm)，則該光圈尺寸AX(μm)與上述X方向上之雷射光之光束直徑LX(μm)之關係滿足下述(1)式，較佳為滿足下述(2)式。又，光圈尺寸AX(μm)滿足下述(3)式，更佳為滿足下述(4)式。 AX＜LX …(1) AX≦0.5LX …(2) 20≦AX＜600 …(3) 100≦AX＜400 …(4) 如此，雷射光LB之光束中，僅切取一部分而設為直徑相對較小之光束，藉此可將之後雷射光LB通過之光學系統之像差等所產生之應變之影響抑制得較小。又，較佳為僅使雷射光LB之光束中心附近通過，藉此可選擇性地使用光強度分佈相對平坦之部分之光束。 又，作為較佳之態樣，如圖1所示，可將自雷射振盪器11射出之雷射光LB藉由擴束器12擴大為所期望之直徑，並藉由衰減器14進行輸出調整之後，使其通過可變光圈25。又，藉由使入射至可變光圈25之雷射光LB以可變光圈25之光圈尺寸以上之振幅振動，而可擴大入射至可變光圈25之雷射光LB之光束直徑，並且使該光束中之光強度分佈更接近平坦。於該情形時，即將入射至可變光圈25前之X方向上之雷射光之光束直徑(LX)成為包含因振動產生之雷射光之擴徑量之尺寸，於該情形時，亦滿足「AX＜LX」之條件。將該情況示於圖3(A)～(E)中。再者，圖3(A)～(D)係以側視之圖像表述，圖3(E)係以俯視之圖像表述。 首先，若使入射至可變光圈25之雷射光LB振動，則雷射光LB之光束直徑實質上沿其振動方向(X方向)擴大(圖3(A))。因此，於特定時間內入射至光圈部分之雷射光LB之光量分佈56與原本之光強度分佈55相比得以均勻化(平坦化)。又，於可變光圈25中，光量分佈經均勻化之雷射光LB之一部分以與光圈尺寸AX實質上相同大小之光束直徑通過(圖3(B))。藉此，雷射光LB之光量分佈57藉由可變光圈25對雷射光束之限制而進一步均勻化。 其後，藉由通過可變光圈25而光束直徑變小之雷射光LB通過稜鏡23、24(圖1)及物鏡26等光學系統(圖3(C))，並照射至未圖示之光罩上之修正對象區域54(圖4)。藉此，於修正對象區域54形成雷射光LB之照射點。然後，於該照射點之形成部位形成單位修正膜58。照射點之形狀成為與光圈形狀大致相似之形狀。又，照射點之尺寸小於光圈尺寸。其原因在於：已通過可變光圈25之雷射光LB藉由物鏡26而聚光，從而其光束被縮窄(圖3(D))。單位修正膜58之形狀及尺寸與照射點之形狀及尺寸大致相等(圖3(E))。 照射點之尺寸較佳為小於使修正後之光罩曝光時所使用之曝光裝置之解析極限尺寸。FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用曝光裝置之解析極限尺寸為3 μm左右，因此較佳為設為小於3 μm左右之尺寸之照射點。例如，照射點之尺寸(例如X方向上之照射點之尺寸)可設為光圈之尺寸(例如X方向上之光圈之尺寸)之1/300～1/10左右、更佳為1/200～1/100。到達至光罩4之主表面之雷射光LB之光束容易受到光學系統所具有之像差等之影響而光強度產生偏差。然而，於本實施形態中，藉由可變光圈25與物鏡26使藉由射束掃描單元15而振動之雷射光LB之光束直徑充分變小，因此可將因光學系統引起之應變抑制得極小。 如上所述，於要形成照射點之光罩4之主表面，藉由氣體供給系統6供給成為修正膜之原料之原料氣體，而形成有原料氣體環境35。例如，於使用羰基鉻作為修正膜之原料之情形時，於原料盒32內對六羰基鉻(Cr(CO)6 )進行加熱而使其昇華，將其與載氣(Ar氣體)一同導引至光罩4之修正對象部分。如此一來，於要形成照射點之光罩4之修正對象部分，藉由包含鉻之原料氣體而形成原料氣體環境35。若於該原料氣體環境35中照射雷射光LB而形成照射點，則藉由雷射之熱/光能反應而使原料氣體分解，使鉻堆積於照射點之部分。藉此，於修正對象部分上之照射點之部分形成以鉻為主材料之修正膜。 此處，於本實施形態中，並非藉由1次雷射照射而於光罩4之主表面上特定出之修正對象區域54整體形成修正膜，而係將藉由1次雷射照射而形成之修正膜之尺寸設為小於修正對象區域54之尺寸之特定尺寸，並於修正對象區域54內以特定之排列形成複數個以該特定尺寸之修正膜為一個單位之單位修正膜。排列單位修正膜之方向可為X方向及Y方向中之任一方向(於本實施形態中為X方向)，亦可為兩個方向。於本實施形態中，列舉沿X方向及Y方向之兩個方向排列單位修正膜之情形為例進行說明。又，於本實施形態中，可針對1個單位修正膜自第1方向、及與該第1方向不同之第2方向分別使單位修正膜之一部分重合。又，第1方向(例如設為X方向)與第2方向(例如設為Y方向)可設為相互垂直。 於該情形時，於成膜例1中，如圖4(A)所示，將光罩4上特定出之修正對象區域54之1個角部設為膜形成之開始位置，並自該位置沿X方向依次重合地形成複數個單位修正膜58，藉此形成第1行單位修正膜58。其次，使膜形成之位置於Y方向偏移而與第1行同樣地形成第2行單位修正膜58。之後，反覆進行同樣之膜形成直至最後一行為止，藉此，如圖4(B)所示，於修正對象區域54整體形成包含複數個單位修正膜58之修正膜。較佳為使第2行單位修正膜一面與第1行單位修正膜58局部重合一面成膜。 又，於本實施形態中，於如上述般於修正對象區域54內形成複數個單位修正膜58之情形時，使複數個單位修正膜58之各者之一部分依次相互重合，藉此形成具有特定膜厚之修正膜。於該情形時，單位修正膜58彼此之重合係藉由移動控制部7以如下方式控制光罩4之移動而實現，即，以某一時序形成於修正對象區域54內之照射點之位置、與以不同於該時序之時序形成於修正對象區域54內之照射點之位置於X方向及Y方向中之至少一方向上相互重合。例如，於修正對象區域54內，使複數個單位修正膜58沿X方向排列，並且使各單位修正膜58之一部分依次相互重合之情形時，於成為其重合方向之X方向上，使光罩4以步進重複方式移動。此時，若使光罩4以小於X方向上之照射點之尺寸SX(μm)之固定間距步進重複移動，則與其相應地，照射點之位置沿X方向移動(移位)，並且於移動1步之前後，照射點之位置成為相互重合之狀態。因此，以於X方向上局部重合之方式形成複數個單位修正膜58。再者，藉由照射點之移動進行之單位修正膜58之重合不僅可於X方向上進行，亦可於Y方向上進行。 於成膜步驟中，一面依次形成各單位修正膜58一面移動單位修正膜58之形成位置之處理可一面適當地控制支持光罩4之平台之間歇移動、或光學系統之間歇移動、或其兩者而一面進行。例如，於平台沿X方向以步進重複方式移動之情形時，平台反覆進行移動與停止，因此僅於停止期間中進行雷射光LB之照射，於移動期間中將雷射輸出設為零。藉此，可與平台之停止期間同步地間歇地形成單位修正膜58。又，可以使複數個單位修正膜58沿X方向排列之方式依次形成各單位修正膜58。以此方式於X方向上結束形成第1行單位修正膜58時，使平台沿Y方向移動1步後，沿X方向形成第2行單位修正膜58。於該情形時，於X方向上開始形成第2行單位修正膜58之位置可設定為與開始形成第1行單位修正膜58之位置對應之位置，亦可設定為與結束形成第1行單位修正膜58之位置對應之位置。於上述圖4(A)中，表示自與結束形成第1行單位修正膜58之位置對應之位置起開始形成第2行單位修正膜58之例。於該情形時，X方向上之光罩基板之移動方向係第1行與第2行相反。 又，於本實施形態中，將可變光圈25之光圈形狀設為正方形，並將依照該光圈形狀調整形狀後之雷射光LB照射至光罩4之主表面。因此，於光罩4上之修正對象區域54形成大致正方形之單位修正膜58(圖5(A)、(B))。又，於本實施形態中，使藉由單位時間之雷射光LB之照射而形成之單位修正膜58沿X方向及Y方向之兩個方向依次一面相互局部重合一面排列。藉此，於光罩4之修正對象區域54整體形成包含複數個單位修正膜58之修正膜(圖4(A)、(B))。 於該情形時，若將照射點之重合方向設為X方向，將X方向上之光圈尺寸設為AX(μm)，將X方向上之照射點之尺寸設為SX(μm)，則較佳為以該SX滿足下述(5)式、更佳為下述(6)式之方式調整AX。 0.5≦SX＜3.0 …(5) 1≦SX＜2.5 …(6) 又，若將照射點之重合方向設為X方向，則較佳為X方向上之照射點之重合間距PX相對於X方向上之照射點之尺寸SX(μm)滿足下述(7)式，且X方向上之照射點之重合寬度WX(μm)滿足下述(8)式。 0.9SX≧PX≧0.5SX …(7) 0.1SX≦WX≦0.5SX …(8) 照射點之重合間距係指用以使形成於照射點之位置之單位修正膜彼此重合的照射點之重合之間距。又，照射點之重合寬度係指用以使形成於照射點之位置之單位修正膜彼此重合的照射點之重合之寬度。 於成膜例1中，採用如下形態：於使光罩基板沿X方向以步進重複方式移動之情形時，以MX＜SX之條件設定1步之移動間距(傳送間距)MX(μm)，藉此於X方向上使複數個單位修正膜58依次重合。於該情形時，X方向上之照射點之重合間距PX成為與移動間距MX相同之值，上述WX之值成為自SX減去MX所得之值。 於本實施形態中，作為較佳之一例，將X方向上之照射點之重合間距PX與X方向上之照射點之尺寸SX之關係設定為如下述(9)式。 PX＝0.5SX …(9) 於該情形時，藉由上述移動控制部7使光罩4以與重合間距PX相同之固定之移動間距MX沿X方向以步進重複方式移動，而可如圖6(A)、(B)所示，於修正對象區域54內使照射點(單位修正膜58)以1/2為單位沿X方向依次重合地排列。於本態樣中，藉由將照射點之尺寸SX設為2 μm，並以其1/2為單位於X方向上重合，而將照射點之重合寬度WX設為1 μm。具體之重合寬度WX(μm)較佳為滿足下述(10)式。 0.2≦WX≦1.5 …(10) 進而，當X方向之第1行排列完成時，為了使光罩基板與光學系統之相對位置於Y方向上偏移，而移動控制部7使光罩4沿Y方向移動1步。其後，以與第1行相同之方式，亦沿X方向之第2行依次形成(排列)單位修正膜。此時，於Y方向上，亦使單位修正膜局部相互重合。即，與上述X方向之重合成膜同樣地，若將照射點之重合方向設為Y方向，將Y方向上之光圈尺寸設為AY(μm)，將即將入射至可變光圈25前之Y方向之雷射光之光束直徑設為LY(μm)，則光圈尺寸AY(μm)滿足下述(11)式、較佳為下述(12)式，以數值範圍而言，滿足下述(13)式、更佳為下述(14)式。 AY＜LY …(11) AY≦0.5LY …(12) 20≦AY＜600 …(13) 100≦AY＜400 …(14) 又，若將Y方向上之照射點之尺寸設為SY(μm)，則較佳為以該SY滿足下述(15)式、更佳為下述(16)式之方式調整AY。 0.5≦SY＜3 …(15) 1≦SY＜2.5 …(16) 又，較佳為Y方向上之照射點之重合間距PY相對於Y方向上之照射點之尺寸SY(μm)滿足下述(17)式，且Y方向上之照射點之重合寬度WY(μm)滿足下述(18)式。 0.9SY≧PY≧0.5SY …(17) 0.1SY≦WY≦0.5SY …(18) 於成膜例1中，採用如下形態：當使光罩基板沿Y方向移動時，以MY＜SY之條件設定1步之移動間距(傳送間距)MY(μm)，藉此於Y方向上使複數個單位修正膜58重合。於該情形時，Y方向上之照射點之重合間距PY成為與移動間距MY相同之值，上述WY之值成為自SY減去MY所得之值。 又，Y方向上之照射點之重合間距PY與Y方向上之照射點之尺寸SY之關係較佳為設定為如下述(19)式。 PY＝0.5SY …(19) 於該情形時，藉由上述移動控制部7使支持光罩4之平台以與重合PY相同之移動間距MY沿Y方向移動1步，而可於修正對象區域內使照射點(單位修正膜)以1/2為單位沿Y方向重合地排列。於本態樣中，藉由將照射點之尺寸SY設為2 μm，並以其1/2為單位於Y方向上重合，而將照射點之重合寬度WY設為1 μm。具體之重合寬度WY(μm)較佳為滿足下述(20)式。 0.2≦WY≦1.5 …(20) 其結果，於光罩4上之修正對象區域54，如圖7(A)、(B)所示，形成包含沿X方向及Y方向規則地排列之複數個單位修正膜58之修正膜。該修正膜於外緣部與中央部，單位修正膜58之重合之層數不同。即，於修正膜之外緣部，四角之部分成為單位修正膜58之1重膜(單層膜)58a，四角以外之部分成為單位修正膜58之2重膜(2層膜)58b。另一方面，修正膜之中央部(除外緣部以外之較外緣部更內側之部分)成為單位修正膜58之4重膜(4層膜)58c。於該情形時，關於曝光之光之透過率，以成為4重膜58c之部分成為與正常之半透光膜同等之透過率之方式，預先調整修正膜(單位修正膜58)之成膜條件(例如雷射光之輸出或原料氣體之供給量等)即可。 若如此般排列複數個具有與修正對象區域54相比足夠小之尺寸之單位修正膜58而形成修正膜，則即便因光學系統之像差之影響而導致雷射光之照射點產生光強度之應變，其影響亦藉由採用小尺寸之單位修正膜58而相對變小。因此，可將因照射點內之光強度不均引起之修正膜之膜厚分佈之偏差抑制得較小。又，藉由在修正對象區域54排列複數個單位修正膜58，而修正膜之厚度之不均勻性於修正對象區域54整體平均化。進而，藉由使單位修正膜58局部重合，而平均化之效果進一步提高。其結果，於修正對象區域54，因修正膜之膜厚變動引起之透過率分佈之偏差得以抑制。 又，於本實施形態中，以形成於光罩4上之照射點之尺寸小於光罩4之曝光時使用之曝光裝置之曝光極限尺寸(3 μm左右)，且於照射點供給修正膜之堆積所需之雷射之光及/或熱的方式，設定可變光圈25之光圈尺寸(AX，AY)及物鏡26之倍率。藉此，獲得如下優點：可有效率地形成單位修正膜，並且即便於在各單位修正膜內產生膜厚分佈並因此導致曝光之光之透過率產生偏差之情形時，只要該偏差之重複單位小於曝光裝置之解析極限尺寸，則不會顯現於藉由曝光裝置轉印之圖像中。換言之，於決定光圈尺寸等之情形時、或至少決定重合寬度WY之情形時，較佳為設為曝光裝置之解析極限尺寸以下、更佳為其2/3以下。 又，形成於修正對象區域54之修正膜之特定膜厚較佳為單位修正膜58之1倍～9倍之範圍，更佳為1倍～4倍之範圍。修正對象區域54之中央部之修正膜之最高膜厚較佳為單位修正膜58之2倍～9倍之範圍，更佳為2倍～4倍之範圍。 附帶而言，於本實施形態之情形時，如圖7(B)所示，當於修正對象區域54形成複數個單位修正膜58而完成修正膜整體時，修正膜之外緣部成為1層(1重)或2層(2重)之單位修正膜(58a、58b)，除外緣部以外之中央部均成為4層(4重)之單位修正膜(58c)。因此，藉由以修正膜之中央部成為所期望之光透過率之方式設定膜質及膜厚而進行成膜步驟，而形成於修正對象區域54之修正膜之中央部(修正膜之大致整體)成為所期望之光透過率。 又，假設於光罩4之轉印用圖案中半透光部51之修正對象區域54鄰接於遮光部之情形時，以上述外緣部重疊於遮光部上之方式形成修正膜即可。又，於半透光部51之修正對象區域54鄰接於透光部(透明基板露出之部分)之情形時，於修正膜之中央部藉由單位修正膜58相互之重合而形成4重之積層膜，並藉由雷射快速移動去除修正膜之外緣部即可。另一方面，如圖4(A)例示般，修正對象區域54鄰接於正常之半透光膜形成之半透光部51之情形時，存在修正膜之外緣部之一部分與正常之半透光膜重合、或者於兩者之間產生間隙之情況。於該情形時，於修正膜之外緣部之一部分與正常膜重合且其重合寬度足夠小(與曝光裝置之解析極限尺寸相比)之情形時，不會產生問題。其原因在於單位修正膜之膜厚小於正常膜。 又，於將光圈之形狀設為長方形而代替正方形之情形時，光圈之尺寸成為AX≠AY。於該情形時，較佳為於光圈之長邊與短邊中之至少任一者(以照射點之尺寸未達3 μm之方式調整者)之方向上進行重合的情形，又，較佳為長邊與短邊之比(長邊/短邊)為3以下。又，即便光圈之形狀為長方形，上述(1)式～(20)式亦符合較佳之條件。 於上述成膜步驟中，較佳為將例如脈衝寬度為40 ns以下、每1脈衝之照射能量密度為40 mJ/cm2 以上、振盪波長具有三次諧波(355 nm)或四次諧波(266 nm)的雷射光LB自雷射振盪器11射出而使用。進而，較佳為於移動控制部7使光罩4以步進重複方式移動之情形時，停止期間中之雷射光LB之照射時間設為0.1 sec～1.0 sec。 藉由以上之成膜步驟，可形成透過率分佈之偏差得以抑制之修正膜，並且可使該修正膜之部分具有與正常之半透光部同等之功能。 (成膜例2) 其次，利用圖8～圖10對成膜例之另一態樣進行說明。 與上述成膜例1不同之處在於：於在修正對象區域54形成包含複數個單位修正膜58之修正膜之情形時，將該修正膜之中央部設為2重膜而代替設為4重膜。應用於成膜例2之光圈形狀與成膜例1同樣地設為一邊之尺寸(以下設為「AP」)為200 μm之正方形。因此，單位修正膜58之形狀成為與光圈形狀大致相似之形狀。又，若以照射點之尺寸成為光圈尺寸之1/100之方式設定物鏡26之倍率，則單位修正膜58之尺寸於X方向及Y方向之任一方向上均成為2 μm。 於實際使用具有上述光圈形狀及光圈尺寸之可變光圈25而於修正對象區域54形成複數個單位修正膜58之情形時，使第1層單位修正膜58與第2層單位修正膜58於X方向及Y方向上分別局部重合。具體而言，以如下方式形成。 (第1層) 首先，於形成第1層單位修正膜58之情形時，將修正對象區域54之一個角部設為膜形成之開始位置，對此處照射雷射光LB而形成單位修正膜58(圖8(A)、(B))。此時，X方向及Y方向上之單位修正膜58之尺寸與照射點之尺寸SX、SY相等。其次，藉由使光罩基板沿X方向及Y方向適當移動，而於修正對象區域54整體，呈矩陣狀地排列形成第1層單位修正膜58。此時，以MX＝SX之條件設定使光罩基板沿X方向以步進重複方式移動時之1步之移動間距(傳送間距)MX(μm)。又，以MY＝SY之條件設定使光罩基板沿Y方向移動時之1步之移動間距(傳送間距)MY(μm)。藉此，第1層單位修正膜58係於X方向及Y方向上相互鄰接地形成。又，於修正對象區域54整體，第1層單位修正膜58為單層且規則地整齊排列而形成(圖9(A)、(B))。 附帶而言，於X方向及Y方向上之光圈之尺寸AP分別為200 μm，且X方向及Y方向上之照射點之尺寸SX、SY分別成為光圈尺寸之1/100之情形時，藉由以MX＝2 μm之條件設定X方向之1步之移動間距且以MY＝2 μm之條件設定Y方向之1步之移動間距，而可以上述圖9(B)所示之排列形成複數個單位修正膜58。 (第2層) 其次，於形成第2層單位修正膜58之情形時，相對於第1層之膜形成開始位置於X方向及Y方向以特定量為單位偏移而設定第2層之膜形成開始位置。即，於X方向上，偏移相當於上述SX(μm)之1/2之量而設定膜形成開始位置，於Y方向上，偏移相當於上述SY(μm)之1/2之量而設定膜形成開始位置。然後，自該設定之膜形成開始位置起，應用與第1層相同之條件(MX＝SX、MY＝SY)而形成第2層單位修正膜58。藉此，於第1層單位修正膜58上重合地形成第2層單位修正膜58(圖10(A)、(B))。 於該情形時，照射點之重合間距(PX、PY)成為與第1層與第2層之膜形成開始位置之偏移量對應之值。又，單位修正膜58彼此之重合寬度(WX、WY)於X方向、Y方向之任一方向上均成為單位修正膜58之尺寸之1/2。又，於修正對象區域54形成包含複數個單位修正膜58之修正膜之情形時，該修正膜之外緣部成為單位修正膜58之1重膜(單層膜)58a，除外緣部以外之中央部成為單位修正膜58之2重膜(2層膜)58b。 於成膜例2中，光圈之尺寸或所應用之雷射光之性質等除上述特別說明者以外，可應用與上述成膜例1相同者。而且，藉由成膜例2所獲得之修正膜亦與上述成膜例1之修正膜同樣地，透過率之分佈均勻化，可發揮與正常之半透光膜同等之功能。 但是，本發明並不限定於上述成膜例1及成膜例2，勿庸置疑，只要不損害本發明之作用效果，則可應用其他成膜例。 又，於上述成膜例1及2中，使用特定尺寸之光圈，但將雷射光之光束限制為所期望之形狀之機構未必限定於光圈。例如，亦可設為如下之圖案修正方法，其特徵在於：將自雷射振盪器射出並通過特定尺寸之狹縫之雷射光照射至上述對象區域內，並且使上述狹縫移動，形成由特定尺寸之修正膜構成之單位修正膜，於上述對象區域內，使複數個上述單位修正膜之各者之一部分相互重合，藉此形成具有特定膜厚之修正膜。 可應用本發明之光罩之種類、用途並無特別制約。又，於包含液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置之顯示裝置(所謂平板顯示器)製造用光罩中，本發明發揮顯著效果。例如可例示使液晶或有機EL驅動之薄膜電晶體、或液晶用彩色濾光片等。 本發明亦可作為具有下述構成之光罩而實現。 即，一種光罩，其係包含形成於基板之主表面上之轉印用圖案之一部分已藉由修正膜修正之修正轉印用圖案者， 上述轉印用圖案包含於上述基板上形成半透光膜而成之半透光部，且 上述修正轉印用圖案包含修正膜部分，該修正膜部分中，由具有未達上述光罩之曝光條件下之解析極限尺寸之尺寸之CVD膜構成的複數個單位修正膜以相互局部重合之狀態規則地排列。 該光罩例如係經過上述修正步驟而獲得者。 又，本發明之光罩適合於轉印用圖案包含半透光部者。例如，本發明可有利地用於在包含透明材料之基板上形成有包含透光部、遮光部、及半透光部之轉印用圖案的多階光罩。 於該情形時，半透光部係於上述基板上形成半透光膜而成，其曝光之光透過率為15～70%，更佳為20～60%。 又，半透光膜所具有之相位偏移量(度)可設為0＜≦90。於該情形時，容易使形成於被轉印體上之抗蝕圖案之分佈優異。於對此種光罩應用本發明之情形時，將修正膜(尤其是其中央部)之透過率設為相同之範圍內。更佳為修正對象區域整體之透過率之平均值處於該區域。 尤其是，對於曝光之光透過率，修正膜之透過率B(%)可相對於正常之半透光膜之透過率A(%)設為“A－5≦B≦A＋5”。此處，修正膜之透過率B可設為中央部之透過率。 另一方面，亦可將半透光膜之相位偏移量(度)設為150≦≦210。於該情形時，較理想為使用相同者作為修正膜。 本發明之光罩所應用之曝光條件可設為使用包含i線～g線之光源者。或者，亦可設為單獨使用其中之i線、h線、g線之任一者之曝光。總之，可相對於曝光之光所包含之代表波長設定上述透過率或相位偏移量。 作為對本發明之光罩進行曝光之機構之曝光裝置係作為所謂FPD(Flat Panel Display)用、或LCD(液晶顯示裝置)用而眾所周知者，存在可搭載各種規格、尺寸者之曝光裝置。例如，此種曝光裝置存在進行將i線、h線、g線之至少任一波長設為曝光之光之等倍曝光者，且存在具備特定之光學系統(NA(Numerical Aperture，數值孔徑)0.08～0.15左右)之投影曝光型、及進行近接曝光之接近式曝光型。 本發明之光罩之基板尺寸並無特別限制，作為顯示裝置製造用光罩基板，較佳為設為主表面之一邊為300～1500 mm之四邊形，且厚度為5～13 mm左右。 本發明之光罩基板所使用之透明材料係應用合成石英等相對於使用光罩時用作曝光之光的光(例如波長365～436 nm)而言實質上透明者。實質上透明係指光透過率為80%以上，較佳為90%以上。 作為本發明之光罩中之半透光膜(正常膜)之材料，例如可設為含有Cr、Ta、Zr、Si等之膜，可自該等之化合物(氧化物、氮化物、碳化物等)選擇適當者。作為含有Si之膜，可使用Si之化合物(SiON等)、或過渡金屬矽化物(MoSi等)、或其化合物。作為過渡金屬矽化物之化合物，可列舉氧化物、氮化物、氮氧化物、碳氮氧化物等，較佳為可例示MoSi之氧化物、氮化物、氮氧化物、碳氮氧化物等。於將半透光膜設為含有Cr之膜之情形時，可較佳地使用Cr之化合物(氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氮化物、碳氮氧化物)。作為成膜方法，可應用濺鍍法等。 本發明包含光罩之製造方法。即，一種光罩製造方法，其包含如下步驟： 準備於基板之主平面上至少包含半透光膜之光罩基底； 將上述半透光膜圖案化而形成具有轉印用圖案之光罩；及 修正步驟，其修正上述轉印用圖案；且 於上述修正步驟中，應用上述圖案修正方法而修正上述轉印用圖案。 例如，作為使用上述光罩基底進行圖案化之步驟，藉由繪圖裝置而基於所期望之圖案資料進行繪圖。繪圖機構可使用雷射，亦可使用電子束。將進行顯影而形成之抗蝕圖案設為蝕刻遮罩，對上述光學膜等膜實施蝕刻。作為顯示裝置製造用光罩，較佳為使用濕式蝕刻，但亦可應用乾式蝕刻。視需要進行複數次成膜及繪圖、蝕刻，將所期望之轉印用圖案形成於基板主表面。 再者，光罩於作為製品出貨之前進行洗淨，並藉由檢查確認最終之完成結果。然後，針對需要光罩護膜之製品，安裝光罩護膜而進行包裝。於藉由檢查發現缺陷之情形時，應用本發明之方法或裝置進行缺陷之修正。勿庸置疑，修正步驟可於光罩製造步驟之任何階段進行。
1‧‧‧修正膜形成裝置
2‧‧‧雷射光學系統
3‧‧‧雷射光學系統
4‧‧‧光罩
5‧‧‧光學系統
6‧‧‧氣體供給系統
7‧‧‧移動控制部
11‧‧‧雷射振盪器
12‧‧‧擴束器
13‧‧‧準直透鏡
14‧‧‧衰減器
15‧‧‧射束掃描單元
16‧‧‧雷射振盪器
17‧‧‧擴束器
18‧‧‧準直透鏡
19‧‧‧衰減器
21‧‧‧稜鏡
22‧‧‧稜鏡
23‧‧‧稜鏡
24‧‧‧稜鏡
25‧‧‧可變光圈
26‧‧‧物鏡
27‧‧‧反射照明
28‧‧‧攝像元件
29‧‧‧透過照明
31‧‧‧載氣供給管
32‧‧‧原料盒
33‧‧‧原料氣體供給管
34‧‧‧氣簾單元
35‧‧‧原料氣體環境
51‧‧‧半透光部
52‧‧‧黑缺陷
53‧‧‧白缺陷
54‧‧‧修正對象區域
55‧‧‧光強度分佈
56‧‧‧光量分佈
57‧‧‧光量分佈
58‧‧‧單位修正膜
58a‧‧‧1重膜
58b‧‧‧2重膜
58c‧‧‧4重膜
AX‧‧‧光圈尺寸
LB‧‧‧雷射光
LX‧‧‧光束直徑
LY‧‧‧光束直徑
MX‧‧‧移動間距(傳送間距)
MY‧‧‧移動間距(傳送間距)
PX‧‧‧重合間距
PY‧‧‧重合間距
SX‧‧‧X方向上之照射點之尺寸
SY‧‧‧Y方向上之照射點之尺寸
WX‧‧‧重合寬度
WY‧‧‧重合寬度
圖1係例示本發明之實施形態之修正膜形成裝置之概要之構成圖。 圖2係表示缺陷之一例之俯視圖，(A)表示黑缺陷，(B)表示白缺陷，(C)表示藉由預處理產生之白缺陷。 圖3(A)～(E)係表示通過光圈之雷射光之情況與形成於其照射點之部分之單位修正膜的圖。 圖4(A)係表示於修正對象區域形成單位修正膜之中途之狀態的俯視圖，(B)係表示已結束單位修正膜之形成之狀態之俯視圖。 圖5係表示成膜例1中之成膜開始時之狀態者，(A)係表示雷射光之照射狀態之側視概略圖，(B)係表示單位修正膜之形成狀態之俯視概略圖。 圖6係表示成膜例1中之成膜中途之狀態者，(A)係表示雷射光之照射狀態之側視概略圖，(B)係表示單位修正膜之形成狀態之俯視概略圖。 圖7係表示成膜例1中之成膜結束時之狀態者，(A)係表示雷射光之照射狀態之側視概略圖，(B)係表示單位修正膜之形成狀態之俯視概略圖。 圖8係表示成膜例2中之成膜開始時之狀態者，(A)係表示雷射光之照射狀態之側視概略圖，(B)係表示單位修正膜之形成狀態之俯視概略圖。 圖9係表示成膜例2中之成膜中途之狀態者，(A)係表示雷射光之照射狀態之側視概略圖，(B)係表示單位修正膜之形成狀態之俯視概略圖。 圖10係表示成膜例2中之成膜結束時之狀態者，(A)係表示雷射光之照射狀態之側視概略圖，(B)係表示單位修正膜之形成狀態之俯視概略圖。

Claims (15)

  1. 一種圖案修正方法，其特徵在於：其係針對在基板之主表面上形成有轉印用圖案之光罩之上述轉印用圖案形成修正膜者，且包含： 區域特定步驟，其特定出要形成上述修正膜之對象區域；及 成膜步驟，其於原料氣體之環境中，向上述對象區域內照射雷射光而形成上述修正膜；且 於上述成膜步驟中，藉由將自雷射振盪器射出之雷射光照射至上述對象區域內，而形成特定尺寸之單位修正膜，並且 於上述對象區域內，藉由使複數個上述單位修正膜之各者之一部分相互重合，而形成具有特定膜厚之修正膜。
  2. 如請求項1之圖案修正方法，其中於上述成膜步驟中，將自雷射振盪器射出並通過特定尺寸之光圈之雷射光照射至上述對象區域內，於上述基板上形成照射點，藉此形成特定尺寸之單位修正膜，並且於上述對象區域內，使上述照射點移動而使複數個上述單位修正膜之各者之一部分相互重合，藉此形成具有特定膜厚之修正膜。
  3. 如請求項2之圖案修正方法，其中上述照射點之重合係相互垂直之兩個方向之重合。
  4. 如請求項2或3之圖案修正方法，其中 於將上述照射點之重合方向設為X方向時，上述X方向上之上述照射點之尺寸SX(μm)為： 0.5≦SX＜3.0。
  5. 如請求項2或3之圖案修正方法，其中 於將上述照射點之重合方向設為X方向時，上述X方向上之上述照射點之重合間距PX相對於上述X方向上之上述照射點之尺寸SX為： 0.9SX≦PX≦0.5SX。
  6. 如請求項2或3之圖案修正方法，其中 於將上述照射點之重合方向設為X方向時，上述X方向上之上述照射點之重合寬度WX(μm)為： 0.2≦WX≦1.5。
  7. 如請求項2或3之圖案修正方法，其中上述轉印用圖案包含使曝光之光之一部分透過之半透光部，且上述對象區域於至少一部分包含上述半透光部。
  8. 如請求項2或3之圖案修正方法，其中上述照射點係使自上述雷射振盪器射出之雷射光振動後通過上述光圈並照射至上述光罩之對象區域而形成。
  9. 如請求項2或3之圖案修正方法，其中上述光圈之形狀為正方形。
  10. 一種光罩之製造方法，其係包含如下步驟者： 準備於基板之主表面上至少包含半透光膜之光罩基底； 將上述半透光膜圖案化而形成具有轉印用圖案之光罩；及 修正步驟，其修正上述轉印用圖案； 且該光罩之製造方法之特徵在於：於上述修正步驟中，應用如請求項1、2或3中任一項之圖案修正方法而修正上述轉印用圖案。
  11. 一種光罩，其係包含形成於基板之主表面上之轉印用圖案之一部分已藉由修正膜修正之修正轉印用圖案者，且其特徵在於： 上述轉印用圖案包含於上述基板上形成半透光膜而成之半透光部，且 上述修正轉印用圖案包含修正膜部分，該修正膜部分中，由具有未達上述光罩之曝光條件下之解析極限尺寸之尺寸之CVD膜構成的複數個單位修正膜以彼此局部重合之狀態規則地排列。
  12. 如請求項11之光罩，其中上述單位修正膜係於相互垂直之兩個方向重合而排列。
  13. 一種修正膜形成裝置，其特徵在於：其係針對在基板之主表面上具備轉印用圖案之光罩之上述轉印用圖案形成修正膜者，且包含： 雷射振盪器，其射出雷射光； 特定尺寸之光圈，其用以將上述雷射光之光束直徑縮窄為特定大小； 光學系統，其用以將通過上述光圈之上述雷射光照射至上述基板上而於上述基板上形成照射點； 氣體供給機構，其用以向上述基板上供給原料氣體；及 移動控制機構，其使上述光學系統與上述基板於平行於上述基板之主表面之面內相對地移動；且 上述移動控制機構藉由使上述光學系統與上述基板相對地移動而於上述基板上形成複數個特定尺寸之單位修正膜，並且以上述複數個單位修正膜使其等之一部分相互重合而排列之方式，控制上述移動。
  14. 如請求項13之修正膜形成裝置，其中上述移動控制機構以藉由使上述光學系統與上述基板相對地移動而使上述複數個單位修正膜於兩個方向上相互重合而排列的方式控制上述移動。
  15. 如請求項13或14之修正膜形成裝置，其中上述移動控制機構使上述光學系統與上述基板之至少一者對於另一者相對地以固定間距且以步進重複方式移動。
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