JPH0545864A - フオトマスク及び露光方法並びに投影露光装置 - Google Patents
フオトマスク及び露光方法並びに投影露光装置Info
- Publication number
- JPH0545864A JPH0545864A JP20058091A JP20058091A JPH0545864A JP H0545864 A JPH0545864 A JP H0545864A JP 20058091 A JP20058091 A JP 20058091A JP 20058091 A JP20058091 A JP 20058091A JP H0545864 A JPH0545864 A JP H0545864A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- exposure
- image plane
- optical system
- projection optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 段差構造を持つ感光基板上での投影光学系の
結像特性を向上させる。 【構成】 レチクル２のパターンを転写すべきウエハ４
上の露光領域ＳＡ内の少なくとも１つの部分領域Ｗ11は
段部をなしている。この露光領域内での段差情報に応じ
て、投影レンズ３の結像面ＩＭと露光領域ＳＡの表面と
がほぼ一致するように、レチクル２のパターン面に段差
を形成することによって、投影レンズ３の結像面ＩＭの
少なくとも一部分を光軸（ＡＸ）方向に移動する。 【効果】 露光領域内に段差があっても、その領域全面
で良好な像質のパターンを形成することが可能となる。
結像特性を向上させる。 【構成】 レチクル２のパターンを転写すべきウエハ４
上の露光領域ＳＡ内の少なくとも１つの部分領域Ｗ11は
段部をなしている。この露光領域内での段差情報に応じ
て、投影レンズ３の結像面ＩＭと露光領域ＳＡの表面と
がほぼ一致するように、レチクル２のパターン面に段差
を形成することによって、投影レンズ３の結像面ＩＭの
少なくとも一部分を光軸（ＡＸ）方向に移動する。 【効果】 露光領域内に段差があっても、その領域全面
で良好な像質のパターンを形成することが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子や液晶表示
素子製造のリソグラフィ工程で使用される投影露光装置
に関するものである。
素子製造のリソグラフィ工程で使用される投影露光装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、リソグラフィ工程では原図基板
（マスクまたはレチクル）に形成されたパターンを高分
解能で感光基板（半導体ウエハ等）上に転写する装置と
して、ステップアンドリピート方式の縮小投影型露光装
置（ステッパー）が多用されるようになっている。この
種のステッパーでは、投影レンズが露光光の波長に関し
て良好に色収差補正され、その露光波長のもとでレチク
ルとウエハとは互いに共役になるように配置されてい
る。尚、レチクルの下面（パターン面）はほぼフラット
（平面）であり、投影レンズの投影像面（最良結像面）
もほぼフラットである。
（マスクまたはレチクル）に形成されたパターンを高分
解能で感光基板（半導体ウエハ等）上に転写する装置と
して、ステップアンドリピート方式の縮小投影型露光装
置（ステッパー）が多用されるようになっている。この
種のステッパーでは、投影レンズが露光光の波長に関し
て良好に色収差補正され、その露光波長のもとでレチク
ルとウエハとは互いに共役になるように配置されてい
る。尚、レチクルの下面（パターン面）はほぼフラット
（平面）であり、投影レンズの投影像面（最良結像面）
もほぼフラットである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
如き従来の装置では以下のような問題があった。通常、
ウエハ上の１つの露光領域の表面はほぼフラットであ
り、この時は投影レンズの結像面がフラットでも問題は
ない。ところが、ウエハ上の各露光領域が部分的に段差
（凹凸構造）をもつことがある。このような場合に従来
技術では、投影レンズの結像面がほぼフラットであるた
め、段差の上面に焦点を合わせる、すなわち結像面と上
面とを一致させると、段差下面での結像性能が悪化す
る。特に投影レンズの焦点深度が段差より小さいと、段
差下面では解像不良となる。逆に段差の下面に焦点を合
わせると、段差上面での結像性能が悪化する。また、上
面と下面との中間に焦点を合わせると、上面及び下面の
両方で十分な結像性能を得られないという欠点があっ
た。
如き従来の装置では以下のような問題があった。通常、
ウエハ上の１つの露光領域の表面はほぼフラットであ
り、この時は投影レンズの結像面がフラットでも問題は
ない。ところが、ウエハ上の各露光領域が部分的に段差
（凹凸構造）をもつことがある。このような場合に従来
技術では、投影レンズの結像面がほぼフラットであるた
め、段差の上面に焦点を合わせる、すなわち結像面と上
面とを一致させると、段差下面での結像性能が悪化す
る。特に投影レンズの焦点深度が段差より小さいと、段
差下面では解像不良となる。逆に段差の下面に焦点を合
わせると、段差上面での結像性能が悪化する。また、上
面と下面との中間に焦点を合わせると、上面及び下面の
両方で十分な結像性能を得られないという欠点があっ
た。
【０００４】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、感光基板上の露光領域内に段差（凹凸）があったと
しても、露光領域の全面で高解像のパターン露光を行う
ことができる投影露光装置を得ることを目的としてい
る。
で、感光基板上の露光領域内に段差（凹凸）があったと
しても、露光領域の全面で高解像のパターン露光を行う
ことができる投影露光装置を得ることを目的としてい
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決する為
本発明では、原図基板（レチクル２）に形成されたパタ
ーンの像を感光基板（ウエハ４）に結像投影する投影光
学系（投影レンズ３）と、感光基板の表面を投影光学系
の結像面ＩＭ近傍に配置するように感光基板を保持する
ステージ（ウエハステージ５）とを備えた投影露光装置
において、原図基板のパターンを転写すべき感光基板上
の露光領域ＳＡ内の少なくとも１つの部分領域Ｗ11は段
部をなしており；露光領域内での段差情報に応じて、投
影光学系の結像面ＩＭと露光領域ＳＡの表面とがほぼ一
致するように、投影光学系の結像面ＩＭの少なくとも一
部分を光軸方向に移動する像面補正部材を設ける。この
像面補正部材として、パターン面に段差を有するレチク
ル２、２０、または部分的に段差を有する平行平板ガラ
ス３１を用いる。
本発明では、原図基板（レチクル２）に形成されたパタ
ーンの像を感光基板（ウエハ４）に結像投影する投影光
学系（投影レンズ３）と、感光基板の表面を投影光学系
の結像面ＩＭ近傍に配置するように感光基板を保持する
ステージ（ウエハステージ５）とを備えた投影露光装置
において、原図基板のパターンを転写すべき感光基板上
の露光領域ＳＡ内の少なくとも１つの部分領域Ｗ11は段
部をなしており；露光領域内での段差情報に応じて、投
影光学系の結像面ＩＭと露光領域ＳＡの表面とがほぼ一
致するように、投影光学系の結像面ＩＭの少なくとも一
部分を光軸方向に移動する像面補正部材を設ける。この
像面補正部材として、パターン面に段差を有するレチク
ル２、２０、または部分的に段差を有する平行平板ガラ
ス３１を用いる。
【０００６】
【作用】さて、原図基板のパタ−ン面と投影光学系の結
像面とが結像倍率１／ｍで共役関係にある時、パタ−ン
面が光軸方向にＤだけ変化すると、結像面が同一方向に
（１／ｍ）2 ×Ｄだけシフト（変位）することは良く知
られている。そこで、本発明では原図基板のパタ−ン面
に部分的に段差をつけることにより、結像面にも部分的
に段差がつくことを利用することとした。従って、感光
基板上の露光領域内に段差がある場合でも、段差の上面
及び下面のいずれに対しても同時に焦点を合わせる、換
言すれば露光領域の全面でその表面と投影光学系の結像
面とを一致させることが可能となる。この結果、感光基
板上の段差の上面でも下面でも良好な結像性能が得られ
ることになった。
像面とが結像倍率１／ｍで共役関係にある時、パタ−ン
面が光軸方向にＤだけ変化すると、結像面が同一方向に
（１／ｍ）2 ×Ｄだけシフト（変位）することは良く知
られている。そこで、本発明では原図基板のパタ−ン面
に部分的に段差をつけることにより、結像面にも部分的
に段差がつくことを利用することとした。従って、感光
基板上の露光領域内に段差がある場合でも、段差の上面
及び下面のいずれに対しても同時に焦点を合わせる、換
言すれば露光領域の全面でその表面と投影光学系の結像
面とを一致させることが可能となる。この結果、感光基
板上の段差の上面でも下面でも良好な結像性能が得られ
ることになった。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例による投影露光
装置の概略的な構成を示す模式図であって、照明系１は
超高圧水銀ランプ等の光源、オプチカルインテグレータ
等を含み、レジスト層を感光させる波長域の露光用照明
光ＩＬをほぼ均一な照度でレチクル２に照射する。レチ
クル２のパターン領域ＰＡを通過した露光光ＩＬは、両
側テレセントリックな投影レンズ３に入射し、投影レン
ズ３はレチクル２の下面にクロム等の遮光層により形成
されたパターンの像を、表面にレジスト層が形成された
ウエハ４上に結像投影する。尚、本実施例ではレチクル
２を本発明における像面補正部材として用いているが、
このことについては後で詳しく説明する。また、投影レ
ンズ３の投影倍率が１／ｍ（ｍは自然数）の時、当然な
がらレチクル２のパタ−ンの大きさは、ウエハ４上で形
成すべきパタ−ンのｍ倍になっている。ところで、投影
レンズ３は露光光ＩＬの波長に関して良好に色収差補正
され、その露光波長のもとでレチクル２とウエハ４とは
互いに共役になるように配置されている。また、ウエハ
４はモータ６によりステップアンドリピート方式で２次
元移動するウエハステージ５に載置され、ウエハ４上の
１つの露光領域に対するレチクル２の転写露光が終了す
ると、次の露光領域の位置までステッピングされる。こ
こで、ウエハステージ５はウエハ４の表面を投影レンズ
３の結像面ＩＭ近傍に配置するようにウエハ４を保持し
ている。ウエハステージ５の２次元的な位置は干渉計７
によって、例えば０．０１μｍ程度の分解能で常時検出
される。
装置の概略的な構成を示す模式図であって、照明系１は
超高圧水銀ランプ等の光源、オプチカルインテグレータ
等を含み、レジスト層を感光させる波長域の露光用照明
光ＩＬをほぼ均一な照度でレチクル２に照射する。レチ
クル２のパターン領域ＰＡを通過した露光光ＩＬは、両
側テレセントリックな投影レンズ３に入射し、投影レン
ズ３はレチクル２の下面にクロム等の遮光層により形成
されたパターンの像を、表面にレジスト層が形成された
ウエハ４上に結像投影する。尚、本実施例ではレチクル
２を本発明における像面補正部材として用いているが、
このことについては後で詳しく説明する。また、投影レ
ンズ３の投影倍率が１／ｍ（ｍは自然数）の時、当然な
がらレチクル２のパタ−ンの大きさは、ウエハ４上で形
成すべきパタ−ンのｍ倍になっている。ところで、投影
レンズ３は露光光ＩＬの波長に関して良好に色収差補正
され、その露光波長のもとでレチクル２とウエハ４とは
互いに共役になるように配置されている。また、ウエハ
４はモータ６によりステップアンドリピート方式で２次
元移動するウエハステージ５に載置され、ウエハ４上の
１つの露光領域に対するレチクル２の転写露光が終了す
ると、次の露光領域の位置までステッピングされる。こ
こで、ウエハステージ５はウエハ４の表面を投影レンズ
３の結像面ＩＭ近傍に配置するようにウエハ４を保持し
ている。ウエハステージ５の２次元的な位置は干渉計７
によって、例えば０．０１μｍ程度の分解能で常時検出
される。
【０００８】図３（Ａ）はウエハ上に形成された複数の
露光領域のうちの１つの領域ＳＡを示し、１つの露光領
域ＳＡの周囲４辺には通常５０〜１００μｍ程度の幅の
ストリートラインＳＴが形成される。ストリートライン
ＳＴはウエハ上のチップを切り出す際の切りしろであっ
て、ここに回路パターンの一部がはみ出して形成される
ことはない。図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＢ−Ｂ’矢視断
面図であって、露光領域ＳＡが部分的に段差構造となっ
ていることを示している。尚、ここでは露光領域ＳＡ内
の部分領域Ｗ11とＷ12との段差（間隔）をｄで表してい
る。
露光領域のうちの１つの領域ＳＡを示し、１つの露光領
域ＳＡの周囲４辺には通常５０〜１００μｍ程度の幅の
ストリートラインＳＴが形成される。ストリートライン
ＳＴはウエハ上のチップを切り出す際の切りしろであっ
て、ここに回路パターンの一部がはみ出して形成される
ことはない。図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＢ−Ｂ’矢視断
面図であって、露光領域ＳＡが部分的に段差構造となっ
ていることを示している。尚、ここでは露光領域ＳＡ内
の部分領域Ｗ11とＷ12との段差（間隔）をｄで表してい
る。
【０００９】さて、上記の如く露光領域ＳＡの一部が段
差構造となっていることから、本実施例では露光領域Ｓ
Ａの段差構造に対応してレチクル２のパターン面の一部
に段差を形成している。これによって、投影レンズ３の
結像面ＩＭ（すなわちレチクルパターンの投影像）の一
部分が光軸ＡＸに沿った方向（Ｚ方向）にシフト（移
動）し、投影レンズ３の結像面ＩＭと露光領域ＳＡの表
面とがその全面にわたってほぼ一致することになる（図
４）。従って、本実施例ではパターン面の少なくとも一
部に段差が形成されたレチクル２が、本発明における像
面補正部材として用いられることとなっている。
差構造となっていることから、本実施例では露光領域Ｓ
Ａの段差構造に対応してレチクル２のパターン面の一部
に段差を形成している。これによって、投影レンズ３の
結像面ＩＭ（すなわちレチクルパターンの投影像）の一
部分が光軸ＡＸに沿った方向（Ｚ方向）にシフト（移
動）し、投影レンズ３の結像面ＩＭと露光領域ＳＡの表
面とがその全面にわたってほぼ一致することになる（図
４）。従って、本実施例ではパターン面の少なくとも一
部に段差が形成されたレチクル２が、本発明における像
面補正部材として用いられることとなっている。
【００１０】図２（Ａ）は本実施例で好適なレチクル２
の具体的な構成の一例を示しており、図２（Ｂ）は図２
（Ａ）のＡ−Ａ’矢視断面図である。図２（Ａ）、
（Ｂ）に示すようにレチクル２のパターン面には、露光
領域ＳＡの段差構造に対応して部分的に段差が形成され
ている。すなわち、図３（Ｂ）中に示した露光領域ＳＡ
内での段差（間隔ｄ）に基づいて、パターン領域ＰＡ内
において部分領域Ｗ11に対応する領域Ｒ11と部分領域Ｗ
12に対応する領域Ｒ12との間に段差（間隔Ｄ）を設けて
いる。ここで、間隔Ｄは、 Ｄ＝ｍ2 ×ｄ（ｍは投影倍率） なる関係式で与えられる量が適当であるが、ウエハ上に
形成されるレジスト層の膜厚、レジストの種類、及びパ
タ−ンの配列や密度等の影響で間隔Ｄの最適値は変化し
得るので、予め実験あるいはシミュレ−ションを行って
レチクル毎に最適値を決めておくことが望ましい。
の具体的な構成の一例を示しており、図２（Ｂ）は図２
（Ａ）のＡ−Ａ’矢視断面図である。図２（Ａ）、
（Ｂ）に示すようにレチクル２のパターン面には、露光
領域ＳＡの段差構造に対応して部分的に段差が形成され
ている。すなわち、図３（Ｂ）中に示した露光領域ＳＡ
内での段差（間隔ｄ）に基づいて、パターン領域ＰＡ内
において部分領域Ｗ11に対応する領域Ｒ11と部分領域Ｗ
12に対応する領域Ｒ12との間に段差（間隔Ｄ）を設けて
いる。ここで、間隔Ｄは、 Ｄ＝ｍ2 ×ｄ（ｍは投影倍率） なる関係式で与えられる量が適当であるが、ウエハ上に
形成されるレジスト層の膜厚、レジストの種類、及びパ
タ−ンの配列や密度等の影響で間隔Ｄの最適値は変化し
得るので、予め実験あるいはシミュレ−ションを行って
レチクル毎に最適値を決めておくことが望ましい。
【００１１】次に、図５を参照して本発明の第２の実施
例について説明する。図５は本実施例で用いるレチクル
の具体的な構成の一例を示す図である。尚、本実施例に
おける装置構成は第１の実施例と全く同一であり、第１
の実施例との差異は像面補正部材として用いられるレチ
クルの構成のみである。図５（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、本実施例ではウエハ上の露光領域内に段差が存在す
る場合に、パターン露光のために振幅分布を与えるレチ
クル２０のパターン面そのものは平面であるが、パター
ン領域ＰＡ内において露光領域内で凹部となっている部
分領域に対応する領域Ｒ22には厚さＤ’の透明膜（例え
ば、誘電体膜、ＳＯＧ等）２１が被着され、その他の領
域Ｒ21には透明膜が被着されていない。このようにレチ
クル２０のパターン面に直接段差を設けず、パターン面
そのものは平面であっても、露光領域内の段差構造に対
応してパターン領域ＰＡに部分的に透明膜２１を被着す
ることにより、光学的には第１の実施例と全く同様の効
果を得ることができる。つまり、投影レンズの結像面と
露光領域の表面とをその全面にわたってほぼ一致させる
ことが可能となる。ここで、透明膜２１の膜厚Ｄ’は、
露光領域内での段差（間隔）をｄ、透明膜の屈折率をｎ
とすると、 Ｄ’＝ｍ2 ×ｄ／（ｎ−１） なる関係式にて定められるが、第１の実施例と同様に実
験等によりその最適値を決定することが望ましい。
例について説明する。図５は本実施例で用いるレチクル
の具体的な構成の一例を示す図である。尚、本実施例に
おける装置構成は第１の実施例と全く同一であり、第１
の実施例との差異は像面補正部材として用いられるレチ
クルの構成のみである。図５（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、本実施例ではウエハ上の露光領域内に段差が存在す
る場合に、パターン露光のために振幅分布を与えるレチ
クル２０のパターン面そのものは平面であるが、パター
ン領域ＰＡ内において露光領域内で凹部となっている部
分領域に対応する領域Ｒ22には厚さＤ’の透明膜（例え
ば、誘電体膜、ＳＯＧ等）２１が被着され、その他の領
域Ｒ21には透明膜が被着されていない。このようにレチ
クル２０のパターン面に直接段差を設けず、パターン面
そのものは平面であっても、露光領域内の段差構造に対
応してパターン領域ＰＡに部分的に透明膜２１を被着す
ることにより、光学的には第１の実施例と全く同様の効
果を得ることができる。つまり、投影レンズの結像面と
露光領域の表面とをその全面にわたってほぼ一致させる
ことが可能となる。ここで、透明膜２１の膜厚Ｄ’は、
露光領域内での段差（間隔）をｄ、透明膜の屈折率をｎ
とすると、 Ｄ’＝ｍ2 ×ｄ／（ｎ−１） なる関係式にて定められるが、第１の実施例と同様に実
験等によりその最適値を決定することが望ましい。
【００１２】次に、図６を参照して本発明の第３の実施
例について説明する。図６は本実施例による装置の構成
の一例を示す図である。尚、第１、第２の実施例では像
面補正部材としてレチクルを用いていたが、本実施例で
はレチクル３０と投影レンズ３との間に配置された平行
平板ガラスを用いる点のみが異なる。図６に示すよう
に、本実施例では露光領域内の段差構造に対応して少な
くとも一方の面（図中では下面のみ）に部分的に段差を
形成した平行平板ガラス３１を、レチクル３０と投影レ
ンズ３との間に配置している。これによって、本実施例
においても投影レンズの結像面と露光領域の表面とをそ
の全面にわたってほぼ一致させることが可能となる。こ
こで、平行平板ガラス３１の段差（間隔）Ｄ''は、平行
平板ガラスの屈折率をｎ''とすると、 Ｄ”＝ｍ2 ×ｄ／（ｎ''−１） なる関係式にて与えられる。本実施例においても、予め
実験、シミュレ−ション等によりその最適値を決定して
おくことが望ましい。尚、平行平板ガラス３１は出来る
だけレチクル３０に近接して配置することが望ましい。
また、平行平板ガラス３１の段差もレチクル３０に近い
方の面に形成することが望ましく、これは露光領域上で
結像面の段差部の分離を明確に行う上で有効である。
例について説明する。図６は本実施例による装置の構成
の一例を示す図である。尚、第１、第２の実施例では像
面補正部材としてレチクルを用いていたが、本実施例で
はレチクル３０と投影レンズ３との間に配置された平行
平板ガラスを用いる点のみが異なる。図６に示すよう
に、本実施例では露光領域内の段差構造に対応して少な
くとも一方の面（図中では下面のみ）に部分的に段差を
形成した平行平板ガラス３１を、レチクル３０と投影レ
ンズ３との間に配置している。これによって、本実施例
においても投影レンズの結像面と露光領域の表面とをそ
の全面にわたってほぼ一致させることが可能となる。こ
こで、平行平板ガラス３１の段差（間隔）Ｄ''は、平行
平板ガラスの屈折率をｎ''とすると、 Ｄ”＝ｍ2 ×ｄ／（ｎ''−１） なる関係式にて与えられる。本実施例においても、予め
実験、シミュレ−ション等によりその最適値を決定して
おくことが望ましい。尚、平行平板ガラス３１は出来る
だけレチクル３０に近接して配置することが望ましい。
また、平行平板ガラス３１の段差もレチクル３０に近い
方の面に形成することが望ましく、これは露光領域上で
結像面の段差部の分離を明確に行う上で有効である。
【００１３】ところで、以上の実施例ではウエハ（露光
領域）上での段差構造を２段として（すなわち図３
（Ｂ）に示したように露光領域ＳＡを２つの部分領域Ｗ
11、Ｗ12に分けて）説明したが、当然ながら互いに段差
（間隔ｄに相当）が異なる３段以上の段差構造にも簡単
に対応することができる。尚、本発明を実施するに当た
って投影レンズ３はウエハ側のみならずレチクル側もテ
レセントリックであることが望ましい。また、以上の各
実施例ではステッパーを例に挙げて説明したが、ステッ
パー以外の露光装置であっても、投影光学系を備えた露
光装置（例えば、ミラープロジェクション方式でも良
い）であれば、本発明を適用できることは言うまでもな
い。さらに感光基板（半導体ウエハや液晶基板等）の全
面を等倍で一括露光する装置でも構わない。また、本発
明における像面補正部材はレチクルや平行平板ガラスに
限定されるものではなく、投影光学系の結像面を部分的
にシフトさせることができるものであれば何でも構わな
い。
領域）上での段差構造を２段として（すなわち図３
（Ｂ）に示したように露光領域ＳＡを２つの部分領域Ｗ
11、Ｗ12に分けて）説明したが、当然ながら互いに段差
（間隔ｄに相当）が異なる３段以上の段差構造にも簡単
に対応することができる。尚、本発明を実施するに当た
って投影レンズ３はウエハ側のみならずレチクル側もテ
レセントリックであることが望ましい。また、以上の各
実施例ではステッパーを例に挙げて説明したが、ステッ
パー以外の露光装置であっても、投影光学系を備えた露
光装置（例えば、ミラープロジェクション方式でも良
い）であれば、本発明を適用できることは言うまでもな
い。さらに感光基板（半導体ウエハや液晶基板等）の全
面を等倍で一括露光する装置でも構わない。また、本発
明における像面補正部材はレチクルや平行平板ガラスに
限定されるものではなく、投影光学系の結像面を部分的
にシフトさせることができるものであれば何でも構わな
い。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、段差構造
を持つ感光基板の上にも良好な像質のパタ−ンを形成す
ることができるという効果が得られる。
を持つ感光基板の上にも良好な像質のパタ−ンを形成す
ることができるという効果が得られる。
【図１】本発明の第１の実施例による投影露光装置の構
成の一例を示す模式図。
成の一例を示す模式図。
【図２】第１の実施例で用いられるレチクル（像面補正
部材）の構成を示す図。
部材）の構成を示す図。
【図３】感光基板上に形成された複数の露光領域のうち
の１つの領域の様子を示す図。
の１つの領域の様子を示す図。
【図４】投影光学系の結像面と感光基板上の１つの露光
領域の表面とがほぼ一致している様子を示す図。
領域の表面とがほぼ一致している様子を示す図。
【図５】第２の実施例で用いられるレチクル（像面補正
部材）の構成を示す図。
部材）の構成を示す図。
【図６】第３の実施例による投影露光装置の構成の一例
を示す模式図。
を示す模式図。
１ 照明系 ２、２０、３０ レチクル ３ 投影レンズ ４ ウエハ ５ ウエハステージ ３１ 平行平板ガラス ＩＭ 結像面 ＰＡ パターン領域 ＳＡ 露光領域
Claims (3)
- 【請求項１】 露光装置によって所定のパターンを投影
光学系を介して感光基板上に露光するために用いられる
フォトマスクにおいて、 前記パターンを転写すべき前記感光基板上の露光領域内
の段差構造に対応して、前記パターンが形成される面の
少なくとも一部分に段差を有することを特徴とするフォ
トマスク。 - 【請求項２】 原図基板に形成されたパターンを投影光
学系を介して感光基板上に露光する方法において、 前記原図基板のパターンを転写すべき前記感光基板上の
露光領域内の段差構造に応じて、前記投影光学系の結像
面の少なくとも一部分を光軸方向に移動することとし、
前記投影光学系の結像面と前記露光領域の表面とをほぼ
一致させたことを特徴とする露光方法。 - 【請求項３】 原図基板に形成されたパターンの像を感
光基板に結像投影する投影光学系と、前記感光基板の表
面を前記投影光学系の結像面近傍に配置するように前記
感光基板を保持するステージとを備えた投影露光装置に
おいて、 前記原図基板のパターンを転写すべき前記感光基板上の
露光領域内の少なくとも１つの部分領域は段部をなして
おり；前記露光領域内での段差情報に応じて、前記投影
光学系の結像面と前記露光領域の表面とがほぼ一致する
ように、前記投影光学系の結像面の少なくとも一部分を
光軸方向に移動する像面補正部材を備えたことを特徴と
する投影露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20058091A JPH0545864A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | フオトマスク及び露光方法並びに投影露光装置 |
| US08/573,760 US5592259A (en) | 1991-08-09 | 1995-12-18 | Photomask, an exposure method and a projection exposure apparatus |
| US08/731,917 US5682226A (en) | 1991-08-09 | 1996-10-22 | Photomask, an exposure method and a projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20058091A JPH0545864A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | フオトマスク及び露光方法並びに投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0545864A true JPH0545864A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16426705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20058091A Pending JPH0545864A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | フオトマスク及び露光方法並びに投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0545864A (ja) |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP20058091A patent/JPH0545864A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5620817A (en) | Fabrication of self-aligned attenuated rim phase shift mask | |
| TW200809919A (en) | Exposure apparatus | |
| US20110033656A1 (en) | Pattern forming method, electronic device manufacturing method and electronic device | |
| US5682226A (en) | Photomask, an exposure method and a projection exposure apparatus | |
| JP3096841B2 (ja) | ホトリソグラフィ方法及びそれに使用するホトリソグラフィシステム | |
| JP3177948B2 (ja) | 露光用フォトマスク | |
| US6610460B2 (en) | Exposure method | |
| JP2002118053A (ja) | 投影光学系，該投影光学系を備えた露光装置，及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH05281698A (ja) | フォトマスク及びパターン転写方法 | |
| US20060110683A1 (en) | Process of improved grayscale lithography | |
| JP2901201B2 (ja) | フォトマスク | |
| JPH0545864A (ja) | フオトマスク及び露光方法並びに投影露光装置 | |
| JPH05107739A (ja) | フオトマスク及び露光方法並びに投影露光装置 | |
| KR0146399B1 (ko) | 반도체 패턴 형성 방법 | |
| JPH063806A (ja) | 半導体装置の製造方法と露光用マスク | |
| JP4196076B2 (ja) | 柱面レンズの製造方法及びグレースケールマスク | |
| US7655384B2 (en) | Methods for reducing spherical aberration effects in photolithography | |
| JPH06161092A (ja) | 露光用マスク | |
| JPH05216209A (ja) | フォトマスク | |
| JP2809525B2 (ja) | 縮小投影露光装置及び縮小投影露光方法 | |
| JP3309920B2 (ja) | 露光方法及び投影露光装置 | |
| JPH0429142A (ja) | 露光方法およびそれに使用されるマスク | |
| JPH09288345A (ja) | 投影プリント用マスク | |
| JPH04285957A (ja) | 露光方法及びレチクルの製造方法 | |
| JPH05241319A (ja) | 半導体集積回路用レチクル |