JP2010122302A - フォトマスク等の欠陥修正方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は投影露光用フォトマスクやナノインプリントモールドの欠陥修正方法、特に白欠陥、欠落欠陥の修正方法に関するもので、危険を伴わず、汎用的な部材の構成でフォトマスクの製造工程として実用出来るフォトマスク等の欠陥修正方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
走査プローブ顕微鏡のプローブ先端に蒸着法により前駆体Aの薄膜を形成する工程、前駆体Aの薄膜を形成したプローブ先端を修正するフォトマスク等の欠陥部に接触させ前駆体Aを転移させる工程、欠陥部に転移した前駆体Aを、前駆体Bを含む雰囲気中で加熱し修正膜Cに転換する工程、で構成される。
【選択図】図2
Description
(1)修正する欠陥の位置が既知の修正基板9を基板チャック11に吸着固定し、欠陥検査装置の欠陥位置情報に基づき計測用プローブ(図示せず)で精密な欠陥位置及び形状を取得する。
(2)蒸着装置10をプローブ4の直下に移動しプローブ4表面に前駆体Aの析出膜を形成する。
(3)取得した精密な欠陥位置及び形状に基づきXYステージ12を駆動し修正する欠陥18をプローブ4の先端位置に位置決めし(図4a)、プローブ4を下降させて先端を修正基板9に接触させ前駆体Aを欠陥18に転移させる(図4b)。
(4)欠陥18をレーザー照射手段7のレーザー光照射位置に移動しガスノズル8から前駆体Bを含む気体を欠陥部に吹き付けつつレーザー照射手段7によりレーザー光を欠陥部の前駆体Aに照射して所定の温度まで昇温させる(図4c)。
(5)欠陥18に転移した前駆体Aは(4)の処理で修正膜Cに転換され、欠陥が修正される(図4d)。
前駆体Aは金属化合物または珪素化合物を用いるが、金属化合物にはクロム、チタン、タングステン、タンタル、モリブデン、銅、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、亜鉛、鉄、アルミニウムなどからなる群より選択された金属の金属塩や金属錯体を修正膜Cに要求される特性を考慮して選定すればよい。例えば、修正する欠陥がフォトマスクの遮光膜の場合にはクロムヘキサカルボニルなどのクロム化合物が好ましい。また、ナノインプリントモールドの欠陥修正では紫外光の透過性が必要であるから珪素化合物であるジシラザンなどのシラザン化合物、アルキルシランやアミノシランなどのシラン化合物が好ましい。
前駆体Bは、H2,H2O,O2、O3からなる群より選択されるガスを用いればよく、例えば、前駆体Aをクロムヘキサカルボニルとした場合には、O2ガス、前駆体Aをジシラザンとした場合には、オゾンガスなどの組み合わせが好ましく、それぞれ修正膜Cとして酸化クロム、二酸化ケイ素に転換される。
プローブ4先端部に前駆体Aを蒸着するには、ガラス製の加熱容器20内に前駆体Aを入れ容器全体を20〜200℃に加熱保温して容器内を前駆体Aの飽和蒸気とし、プローブ4を近接させた状態でシャッター16を開きプローブ4先端部を飽和蒸気に晒すことで前駆体Aがプローブ表面に蒸着される。
前駆体Aを所定の位置に堆積させた後、その位置に前駆体B(ガスあるいは蒸気)を吹き付け、同時に、レーザー照射により40〜200℃に局所加熱することで、金属あるいは合金、珪素、それらの酸化物、窒化物を得ることができる。
フォトマスクの遮光膜である酸化クロム膜の欠陥を修正した例について説明する。まず、気密性チャンバー13内を窒素ガスで置換し窒素ガス濃度95%の雰囲気とした。前駆体Aにクロムヘキサカルボニルを選定し、蒸着工程を加熱温度120℃、時間600秒で行い先端の曲率半径約10nmのSi製プローブ4に被膜を形成した。このプローブを石英製フォトマスク9の欠陥部に約0.1nNの力で押し当てプローブ先端の前駆体Aを表面に転移させた。次に、前駆体Bとして酸素ガスを欠陥部に吹き付けつつレーザー光を照射し転移した前駆体Aを含む領域を約200℃に加熱してドット状の修正膜Cに転換した。測定の結果ではドットの直径が約20nm、厚さ約10nmの酸化クロムのドットパターンが得られた。
ナノインプリントモールドの欠落欠陥を修正した例を説明する。気密性チャンバー13内の雰囲気は実施例1と同様とした。前駆体Aにジシラザンを選定し、蒸着工程を加熱温度50℃、時間300秒で行い先端の曲率半径約10nmのSi製プローブ4に被膜を形成した。このプローブを石英製ナノインプリントモールド9の欠陥部に約0.1nNの力で押し当てプローブ先端の前駆体Aを表面に転移させた。次に、前駆体Bとしてオゾンガスを欠陥部に吹き付けつつレーザー光を照射し転移した前駆体Aを含む領域を約200℃で30秒間加熱してドット状の修正膜Cに転換した。測定の結果ではドットの直径が約15nm、厚さ約5nmのSiO2のドットパターンが得られた。
2 台座
3 レバー
4 プローブ
5 修正装置
6 Zスキャナー
7 レーザー照射手段
8 ガスノズル
9 修正基板
10 蒸着手段
11 基板チャック
12 XYステージ
13 気密性チャンバー
14 不活性ガス供給口
15 排気口
16 シャッター
17 フォトマスクパターン
18 欠陥部
19 欠落欠陥
20 加熱容器
A 前駆体A
B 前駆体B
C 修正膜C
Claims (3)
- 走査プローブ顕微鏡を用いたフォトマスクの欠陥修正方法であって、プローブ先端に蒸着法により前駆体Aの薄膜を形成する第1の工程、前記前駆体Aの薄膜を形成したプローブ先端を、修正するフォトマスクの欠陥部に接触させ前駆体Aを転移させる第2の工程、前記欠陥部に転移した前駆体Aを、前駆体Bを含む雰囲気中で加熱し、修正膜Cに転換する第3の工程、を含むことを特徴とするフォトマスク等の欠陥修正方法。
- 前記前駆体Aは、金属化合物または珪素化合物であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスク等の欠陥修正方法。
- 前記前駆体Bは、H2,H2O,O2、O3からなる群より選択される事を特徴とする請求項1記載のフォトマスク等の欠陥修正方法。
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