JP2003177513A - フォトマスクの欠陥修正方法 - Google Patents
フォトマスクの欠陥修正方法Info
- Publication number
- JP2003177513A JP2003177513A JP2001375785A JP2001375785A JP2003177513A JP 2003177513 A JP2003177513 A JP 2003177513A JP 2001375785 A JP2001375785 A JP 2001375785A JP 2001375785 A JP2001375785 A JP 2001375785A JP 2003177513 A JP2003177513 A JP 2003177513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- probe
- photomask
- drift
- scanning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 走査プローブ顕微鏡を用いてフォトマスク上
の微細な黒欠陥もしくは白欠陥の高スループットかつ高
精度の欠陥修正を可能にする。 【解決手段】 2本以上の探針を独立に駆動できる走査
プローブ顕微鏡を用いて、1本以上の加工用の探針1をガ
ラス基板3や正常パターン4と区別された黒欠陥または白
欠陥領域6のみ選択的に走査して修正している間、並行
して加工用の探針1と独立に駆動できる探針2を非接触モ
ードの原子間力顕微鏡探針として用いてドリフト補正用
パターン5の連続的なイメージングを行い、前回のイメ
ージとの比較からドリフト量を算出し、加工用の探針1
の走査範囲に適宜フィードバックをかけドリフトを補正
する。
の微細な黒欠陥もしくは白欠陥の高スループットかつ高
精度の欠陥修正を可能にする。 【解決手段】 2本以上の探針を独立に駆動できる走査
プローブ顕微鏡を用いて、1本以上の加工用の探針1をガ
ラス基板3や正常パターン4と区別された黒欠陥または白
欠陥領域6のみ選択的に走査して修正している間、並行
して加工用の探針1と独立に駆動できる探針2を非接触モ
ードの原子間力顕微鏡探針として用いてドリフト補正用
パターン5の連続的なイメージングを行い、前回のイメ
ージとの比較からドリフト量を算出し、加工用の探針1
の走査範囲に適宜フィードバックをかけドリフトを補正
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトマスクの欠陥
修正方法に関するものである。
修正方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】Si半導体集積回路の微細化はめざまし
く、それに伴って転写に用いるマスクのパターン寸法も
微細になってきている。縮小投影露光装置はこの要請に
対して高NA化と短波長化で対応してきた。微細化の前倒
しが求められる現在では、縮小投影露光装置はそのまま
で、解像力と焦点深度を向上させるために、超解像技術
の一種である位相シフトマスクも用いられるようになっ
てきている。マスクに欠陥が存在すると、欠陥がウェー
ハに転写されて歩留まりを減少する原因となるので、ウ
ェーハにマスクパターンを転写する前に欠陥検査装置に
よりマスクの欠陥の有無や存在場所が調べられ、欠陥が
存在する場合にはウェーハへ転写する前に欠陥修正装置
により欠陥修正処理が行われている。上記のような技術
的な趨勢により、マスクの欠陥修正にも小さな欠陥への
対応が求められている。従来マスクの欠陥修正は、レー
ザーやイオンビームを用いた修正装置で行われてきた
が、欠陥サイズの微小化や高精度化の要望から走査プロ
ーブ顕微鏡がマスクの欠陥修正にそのポテンシャルの高
さから試みられ始めている。
く、それに伴って転写に用いるマスクのパターン寸法も
微細になってきている。縮小投影露光装置はこの要請に
対して高NA化と短波長化で対応してきた。微細化の前倒
しが求められる現在では、縮小投影露光装置はそのまま
で、解像力と焦点深度を向上させるために、超解像技術
の一種である位相シフトマスクも用いられるようになっ
てきている。マスクに欠陥が存在すると、欠陥がウェー
ハに転写されて歩留まりを減少する原因となるので、ウ
ェーハにマスクパターンを転写する前に欠陥検査装置に
よりマスクの欠陥の有無や存在場所が調べられ、欠陥が
存在する場合にはウェーハへ転写する前に欠陥修正装置
により欠陥修正処理が行われている。上記のような技術
的な趨勢により、マスクの欠陥修正にも小さな欠陥への
対応が求められている。従来マスクの欠陥修正は、レー
ザーやイオンビームを用いた修正装置で行われてきた
が、欠陥サイズの微小化や高精度化の要望から走査プロ
ーブ顕微鏡がマスクの欠陥修正にそのポテンシャルの高
さから試みられ始めている。
【0003】走査プローブ顕微鏡を用いた黒欠陥修正に関し
ては、被加工材質よりも硬い探針を用いて物理的に削り
取る方法(例えばSPIE Proceedings 4186, 670(2001))や
近接場光顕微鏡によるレーザーアブレーションにより除
去する方法(例えばSPIEProceedings 2793, 481(1996))
が報告されている。白欠陥修正に関して走査プローブ顕
微鏡を用いた報告はないものの、走査トンネル顕微鏡を
用いて金属有機物ガスを探針と基板の間の電界により分
解して直径数10nmの微細な金属膜が生成できることが報
告されており(例えばProc.IEEE 85,589(1997)、Appl. P
hys. Lett.6 8, 2210(1997))、この金属膜を遮蔽膜とし
て用いれば白欠陥の修正も可能である。電界以外にも近
接場光顕微鏡を用いて近接場光で有機金属ガスを分解し
て直径数10nmの微細な金属膜が形成できることが報告さ
れている(Appl. Phys. Lett. 76, 2173(2000))。
ては、被加工材質よりも硬い探針を用いて物理的に削り
取る方法(例えばSPIE Proceedings 4186, 670(2001))や
近接場光顕微鏡によるレーザーアブレーションにより除
去する方法(例えばSPIEProceedings 2793, 481(1996))
が報告されている。白欠陥修正に関して走査プローブ顕
微鏡を用いた報告はないものの、走査トンネル顕微鏡を
用いて金属有機物ガスを探針と基板の間の電界により分
解して直径数10nmの微細な金属膜が生成できることが報
告されており(例えばProc.IEEE 85,589(1997)、Appl. P
hys. Lett.6 8, 2210(1997))、この金属膜を遮蔽膜とし
て用いれば白欠陥の修正も可能である。電界以外にも近
接場光顕微鏡を用いて近接場光で有機金属ガスを分解し
て直径数10nmの微細な金属膜が形成できることが報告さ
れている(Appl. Phys. Lett. 76, 2173(2000))。
【0004】上記走査プローブ顕微鏡を用いたいずれの加工
においても、熱勾配が存在すると時間とともにドリフト
により加工位置がずれてしまうため、ドリフトを補正す
るかドリフトがおさまるのを待って加工を始めないと高
精度の加工は行えない。通常試料導入時には試料と試料
保持機構の温度差が事なっているので、熱ドリフトがお
さまるのを待って加工を始めることが行われている。特
にフォトマスクの場合、熱伝導性が良くないため、熱平
衡に達するまで時間がかり、長時間熱ドリフトしてしま
う。この場合当然のことながら待ち時間のためスループ
ットは低下してしまう。また加工を開始してもエッチレ
ートもしくは膜堆積速度が遅いため加工時間が長く、十
分待ってから加工をはじめても室温の変動等によるドリ
フトのために加工位置が変動してしまい、高精度の加工
を行うことができない。加工を定期的に中断してイメー
ジを観察して前回のイメージとの比較からドリフト量を
算出し、走査位置にフィードバックをかけて加工を再開
すれば、加工位置のずれは小さく高精度の加工が可能で
あるが、イメージングの回数を増やすと精度は向上する
もののスループットが低下するという問題がある。
においても、熱勾配が存在すると時間とともにドリフト
により加工位置がずれてしまうため、ドリフトを補正す
るかドリフトがおさまるのを待って加工を始めないと高
精度の加工は行えない。通常試料導入時には試料と試料
保持機構の温度差が事なっているので、熱ドリフトがお
さまるのを待って加工を始めることが行われている。特
にフォトマスクの場合、熱伝導性が良くないため、熱平
衡に達するまで時間がかり、長時間熱ドリフトしてしま
う。この場合当然のことながら待ち時間のためスループ
ットは低下してしまう。また加工を開始してもエッチレ
ートもしくは膜堆積速度が遅いため加工時間が長く、十
分待ってから加工をはじめても室温の変動等によるドリ
フトのために加工位置が変動してしまい、高精度の加工
を行うことができない。加工を定期的に中断してイメー
ジを観察して前回のイメージとの比較からドリフト量を
算出し、走査位置にフィードバックをかけて加工を再開
すれば、加工位置のずれは小さく高精度の加工が可能で
あるが、イメージングの回数を増やすと精度は向上する
もののスループットが低下するという問題がある。
【0005】試料保持機構の側面にミラーを設け、レーザー
インターフェロメータによる距離測定から、走査プロー
ブ顕微鏡探針の走査範囲にフィードバックをかけてドリ
フトを補正すれば、スループットの低下を伴わずにト゛リ
フトを補正できるが、試料と試料保持機構で温度が異な
っている場合や試料の近傍に熱源があるときの試料の局
所的な熱膨張による場合などの熱ドリフトに対しては補
正できないという問題がある。
インターフェロメータによる距離測定から、走査プロー
ブ顕微鏡探針の走査範囲にフィードバックをかけてドリ
フトを補正すれば、スループットの低下を伴わずにト゛リ
フトを補正できるが、試料と試料保持機構で温度が異な
っている場合や試料の近傍に熱源があるときの試料の局
所的な熱膨張による場合などの熱ドリフトに対しては補
正できないという問題がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、走査プロー
ブ顕微鏡を用いてフォトマスク上の微細な黒欠陥もしく
は白欠陥の高スループットかつ高精度の欠陥修正を可能
にしようとするものである。
ブ顕微鏡を用いてフォトマスク上の微細な黒欠陥もしく
は白欠陥の高スループットかつ高精度の欠陥修正を可能
にしようとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】最近、2本以上の探針を
独立に駆動できる走査プローブ顕微鏡を用いた表面電気
伝導の研究が報告されている(例えば、応用物理67, 136
1(1998)、応用物理70,1165(2001))。この技術をフォト
マスクの欠陥修正に応用する。図1に示すように1本以上
の加工用の探針1をガラス基板3や正常パターン4と区別
された黒欠陥または白欠陥領域6のみ選択的に走査して
修正している間、並行して加工用の探針1と独立に駆動
できる探針2を非接触モードの原子間力顕微鏡探針とし
て用いてドリフト補正用パターン5の連続的なイメージ
ングを行い、前回のイメージとの比較からドリフト量を
算出し、加工用の探針1の走査範囲に適宜フィードバッ
クをかけドリフトを補正する。
独立に駆動できる走査プローブ顕微鏡を用いた表面電気
伝導の研究が報告されている(例えば、応用物理67, 136
1(1998)、応用物理70,1165(2001))。この技術をフォト
マスクの欠陥修正に応用する。図1に示すように1本以上
の加工用の探針1をガラス基板3や正常パターン4と区別
された黒欠陥または白欠陥領域6のみ選択的に走査して
修正している間、並行して加工用の探針1と独立に駆動
できる探針2を非接触モードの原子間力顕微鏡探針とし
て用いてドリフト補正用パターン5の連続的なイメージ
ングを行い、前回のイメージとの比較からドリフト量を
算出し、加工用の探針1の走査範囲に適宜フィードバッ
クをかけドリフトを補正する。
【0008】
【作用】走査プローブ顕微鏡による加工なので、最先端
マスクの微細な欠陥の修正に対応できる。非接触モード
の原子間力顕微鏡の連続的な高分解能イメージからドリ
フト量を算出し、加工用の探針の走査範囲に適宜フィー
ドバックをかけてドリフトを補正しているので、高精度
のドリフト補正が可能である。加工用走査と独立してド
リフト補正用の走査を行うので、ドリフト補正回数を増
やしてもイメージ取得に伴うスループットの低下は起こ
らない。加工初期のみ頻繁にドリフト補正を行えば、少
々熱ドリフトがあっても加工に大きな影響を及ぼさない
ため、マスク導入時の熱ドリフトが収まるのを待つ時間
を短くすることもできる。マスク上の加工領域の近傍で
得られたイメージによりドリフト補正を行うので、マス
クとマスク保持機構で温度が異なっている場合やマスク
の近傍に熱源があるときもドリフトを高精度に補正する
ことができる。
マスクの微細な欠陥の修正に対応できる。非接触モード
の原子間力顕微鏡の連続的な高分解能イメージからドリ
フト量を算出し、加工用の探針の走査範囲に適宜フィー
ドバックをかけてドリフトを補正しているので、高精度
のドリフト補正が可能である。加工用走査と独立してド
リフト補正用の走査を行うので、ドリフト補正回数を増
やしてもイメージ取得に伴うスループットの低下は起こ
らない。加工初期のみ頻繁にドリフト補正を行えば、少
々熱ドリフトがあっても加工に大きな影響を及ぼさない
ため、マスク導入時の熱ドリフトが収まるのを待つ時間
を短くすることもできる。マスク上の加工領域の近傍で
得られたイメージによりドリフト補正を行うので、マス
クとマスク保持機構で温度が異なっている場合やマスク
の近傍に熱源があるときもドリフトを高精度に補正する
ことができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下に、図2に示すような黒欠陥
除去を被加工材質よりも硬い探針の物理的な除去により
行った場合の本発明の実施例について説明する。黒欠陥
を含むフォトマスクを二本の探針を独立に駆動できる走
査プローブ顕微鏡を内臓した真空チャンバ内に導入し、
欠陥検査装置の座標情報に基づいて黒欠陥のある位置ま
でステージを移動する。まず黒欠陥を加工用の探針10を
原子間力顕微鏡探針として用いて観察し、ガラス基板3
や正常なパターン4から黒欠陥領域7の抽出を行う。欠陥
位置と補正用パターンの相対的な位置がずれないよう
に、同じタイミングで加工用の探針10と独立に駆動でき
る探針2を原子間力顕微鏡探針として用いて非接触モー
ドでドリフト補正に用いるパターン5のイメージを取得
する。加工は以下の手順で行う。 黒欠陥修正は、被加工材質よりも硬い加工用の探針10
の高さを固定して黒欠陥領域7のみ選択的に走査して物
理的に除去することにより行う。1回の走査が終わる
と、加工用の探針10の位置を少し下げて、黒欠陥領域7
のみ選択的に走査して物理的に除去することを繰り返
す。加工と並行して非接触モードの原子間力顕微鏡でド
リフト補正用のパターン5の高分解能観察を行う。 取得したイメージを前回のドリフト補正用パターンの
イメージと比較してドリフト量を算出する。 ドリフト量が求まったら加工を一時中断して、加工用
探針10の走査範囲にドリフト量を考慮した走査範囲の変
更を行い、加工を再開する。 黒欠陥除去が終わるまで〜の手順を繰り返す。走
査プローブ顕微鏡による高分解能かつ高い制御性を有す
る加工なので、最先端フォトマスクの微細な欠陥の修正
にも対応できる。分解能の高い原子間力顕微鏡イメージ
の比較でドリフト補正を行うため、高精度のドリフト補
正が可能である。また加工用走査と独立してドリフト補
正用の走査を行うので、ドリフト補正回数を増やしても
イメージ取得に伴うスループットの低下は起こらない。
さらに加工初期のみ頻繁にドリフト補正を行えば、少々
熱ドリフトがあっても加工に大きな影響を及ぼさないた
め、フォトマスク導入時の熱ドリフトがおさまるのを待
つ時間を短くすることもできる。フォトマスク上の加工
領域の近傍のイメージによりドリフト補正を行うので、
フォトマスクとフォトマスク保持機構で温度が異なって
いる場合や、フォトマスクの近傍に熱源があるときもド
リフトを高精度に補正することができる。以上のように
高精度なドリフト補正が行えるので、高精度な黒欠陥修
正が行える。
除去を被加工材質よりも硬い探針の物理的な除去により
行った場合の本発明の実施例について説明する。黒欠陥
を含むフォトマスクを二本の探針を独立に駆動できる走
査プローブ顕微鏡を内臓した真空チャンバ内に導入し、
欠陥検査装置の座標情報に基づいて黒欠陥のある位置ま
でステージを移動する。まず黒欠陥を加工用の探針10を
原子間力顕微鏡探針として用いて観察し、ガラス基板3
や正常なパターン4から黒欠陥領域7の抽出を行う。欠陥
位置と補正用パターンの相対的な位置がずれないよう
に、同じタイミングで加工用の探針10と独立に駆動でき
る探針2を原子間力顕微鏡探針として用いて非接触モー
ドでドリフト補正に用いるパターン5のイメージを取得
する。加工は以下の手順で行う。 黒欠陥修正は、被加工材質よりも硬い加工用の探針10
の高さを固定して黒欠陥領域7のみ選択的に走査して物
理的に除去することにより行う。1回の走査が終わる
と、加工用の探針10の位置を少し下げて、黒欠陥領域7
のみ選択的に走査して物理的に除去することを繰り返
す。加工と並行して非接触モードの原子間力顕微鏡でド
リフト補正用のパターン5の高分解能観察を行う。 取得したイメージを前回のドリフト補正用パターンの
イメージと比較してドリフト量を算出する。 ドリフト量が求まったら加工を一時中断して、加工用
探針10の走査範囲にドリフト量を考慮した走査範囲の変
更を行い、加工を再開する。 黒欠陥除去が終わるまで〜の手順を繰り返す。走
査プローブ顕微鏡による高分解能かつ高い制御性を有す
る加工なので、最先端フォトマスクの微細な欠陥の修正
にも対応できる。分解能の高い原子間力顕微鏡イメージ
の比較でドリフト補正を行うため、高精度のドリフト補
正が可能である。また加工用走査と独立してドリフト補
正用の走査を行うので、ドリフト補正回数を増やしても
イメージ取得に伴うスループットの低下は起こらない。
さらに加工初期のみ頻繁にドリフト補正を行えば、少々
熱ドリフトがあっても加工に大きな影響を及ぼさないた
め、フォトマスク導入時の熱ドリフトがおさまるのを待
つ時間を短くすることもできる。フォトマスク上の加工
領域の近傍のイメージによりドリフト補正を行うので、
フォトマスクとフォトマスク保持機構で温度が異なって
いる場合や、フォトマスクの近傍に熱源があるときもド
リフトを高精度に補正することができる。以上のように
高精度なドリフト補正が行えるので、高精度な黒欠陥修
正が行える。
【0010】次に、図3に示すような白欠陥修正を導電性の
探針の電界により遮蔽膜原料ガスを分解して行った場合
の実施例について説明する。上記同様、白欠陥を含むフ
ォトマスクを真空チャンバに導入し、導電性の探針11を
原子間力顕微鏡のモードで使用して、白欠陥を含む領域
の観察を行い、白欠陥領域8を認識する。加工は有機金
属ガスのような遮蔽膜原料ガスをガス銃13を通して流し
ながら、探針直下にのみ遮蔽膜原料ガスが分解して遮蔽
膜9を堆積することを利用して、認識した白欠陥領域8の
み高さを固定した導電性の加工用探針11にパルス電源14
でパルス電圧をかけながら選択的に走査して遮蔽膜9を
堆積する。1回の走査が終わると加工用探針11の高さを
少し上げてパルス電圧をかけながらの白欠陥領域8の選
択的な走査を繰り返し堆積した遮蔽膜9の上に更に遮蔽
膜を堆積する。この手順を所望の膜厚が得られるまで繰
り返して白欠陥を修正する。上記同様、加工と並行して
非接触モードの原子間力顕微鏡でドリフト補正用のパタ
ーン5を連続的に観察してドリフトを補正するので、上
記の実施例と同様に高スループットかつ高精度の白欠陥
修正が実現できる。
探針の電界により遮蔽膜原料ガスを分解して行った場合
の実施例について説明する。上記同様、白欠陥を含むフ
ォトマスクを真空チャンバに導入し、導電性の探針11を
原子間力顕微鏡のモードで使用して、白欠陥を含む領域
の観察を行い、白欠陥領域8を認識する。加工は有機金
属ガスのような遮蔽膜原料ガスをガス銃13を通して流し
ながら、探針直下にのみ遮蔽膜原料ガスが分解して遮蔽
膜9を堆積することを利用して、認識した白欠陥領域8の
み高さを固定した導電性の加工用探針11にパルス電源14
でパルス電圧をかけながら選択的に走査して遮蔽膜9を
堆積する。1回の走査が終わると加工用探針11の高さを
少し上げてパルス電圧をかけながらの白欠陥領域8の選
択的な走査を繰り返し堆積した遮蔽膜9の上に更に遮蔽
膜を堆積する。この手順を所望の膜厚が得られるまで繰
り返して白欠陥を修正する。上記同様、加工と並行して
非接触モードの原子間力顕微鏡でドリフト補正用のパタ
ーン5を連続的に観察してドリフトを補正するので、上
記の実施例と同様に高スループットかつ高精度の白欠陥
修正が実現できる。
【0011】次に、図4に示すような黒欠陥除去を近接場光
顕微鏡の近接場光によるレーザーアブレーションにより
行った場合の実施例について説明する。上記被加工材質
よりも硬い探針の物理的な除去により黒欠陥を除去する
場合同様、黒欠陥を含むフォトマスクを真空チャンバに
導入し、まず近接場光顕微鏡のシアフォースイメージで
黒欠陥を含む領域の観察を行い、黒欠陥領域7を認識す
る。黒欠陥除去は近接場光顕微鏡の探針12直下のみ近接
場光によるレーザーアブレーションが起こることを利用
して、高さを固定した探針12を黒欠陥領域7のみ選択的
に走査することで行う。上記被加工材質よりも硬い探針
の物理的な除去により黒欠陥を除去する場合と同様の探
針の高さ制御と選択的走査を黒欠陥がレーザーアブレー
ションにより除去できるまで繰り返し行う。加工と並行
して非接触モードの原子間力顕微鏡でドリフト補正用の
パターン5を連続的に観察してドリフトを補正するの
で、上記被加工材質よりも硬い探針の物理的な除去によ
り黒欠陥を除去する場合の実施例と同様に高スループッ
トかつ高精度の黒欠陥修正が実現できる。
顕微鏡の近接場光によるレーザーアブレーションにより
行った場合の実施例について説明する。上記被加工材質
よりも硬い探針の物理的な除去により黒欠陥を除去する
場合同様、黒欠陥を含むフォトマスクを真空チャンバに
導入し、まず近接場光顕微鏡のシアフォースイメージで
黒欠陥を含む領域の観察を行い、黒欠陥領域7を認識す
る。黒欠陥除去は近接場光顕微鏡の探針12直下のみ近接
場光によるレーザーアブレーションが起こることを利用
して、高さを固定した探針12を黒欠陥領域7のみ選択的
に走査することで行う。上記被加工材質よりも硬い探針
の物理的な除去により黒欠陥を除去する場合と同様の探
針の高さ制御と選択的走査を黒欠陥がレーザーアブレー
ションにより除去できるまで繰り返し行う。加工と並行
して非接触モードの原子間力顕微鏡でドリフト補正用の
パターン5を連続的に観察してドリフトを補正するの
で、上記被加工材質よりも硬い探針の物理的な除去によ
り黒欠陥を除去する場合の実施例と同様に高スループッ
トかつ高精度の黒欠陥修正が実現できる。
【0012】次に、図5に示すような白欠陥修正を近接場光
顕微鏡の近接場光により遮蔽膜原料ガスを分解して行っ
た場合の実施例について説明する。上記被加工材質より
も硬い探針の物理的な除去により黒欠陥を除去する場合
同様、白欠陥を含むフォトマスクを真空チャンバに導入
し、まず近接場光顕微鏡のシアフォースイメージで白欠
陥を含む領域の観察を行い、白欠陥領域8を認識する。
白欠陥修正は、探針13直下にのみ遮蔽膜原料ガスが近接
場光を吸収して分解し遮蔽膜9を堆積することを利用し
て、有機金属ガスのような遮蔽膜原料ガスをガス銃13を
通して流しながら、認識した白欠陥領域8のみ短波長レ
ーザー13を入射し高さを固定した近接場高顕微鏡探針12
で選択的に走査する。上記白欠陥修正を導電性の探針の
電界により遮蔽膜原料ガスを分解して行った場合と同様
の探針の制御と選択的走査を所望の膜厚が得られるまで
繰り返す。加工と並行して非接触モードの原子間力顕微
鏡でドリフト補正用のパターン5を連続的に観察してド
リフトを補正するので、上記被加工材質よりも硬い探針
の物理的な除去により黒欠陥を除去する場合の実施例と
同様に高スループットかつ高精度の白欠陥修正が実現で
きる。
顕微鏡の近接場光により遮蔽膜原料ガスを分解して行っ
た場合の実施例について説明する。上記被加工材質より
も硬い探針の物理的な除去により黒欠陥を除去する場合
同様、白欠陥を含むフォトマスクを真空チャンバに導入
し、まず近接場光顕微鏡のシアフォースイメージで白欠
陥を含む領域の観察を行い、白欠陥領域8を認識する。
白欠陥修正は、探針13直下にのみ遮蔽膜原料ガスが近接
場光を吸収して分解し遮蔽膜9を堆積することを利用し
て、有機金属ガスのような遮蔽膜原料ガスをガス銃13を
通して流しながら、認識した白欠陥領域8のみ短波長レ
ーザー13を入射し高さを固定した近接場高顕微鏡探針12
で選択的に走査する。上記白欠陥修正を導電性の探針の
電界により遮蔽膜原料ガスを分解して行った場合と同様
の探針の制御と選択的走査を所望の膜厚が得られるまで
繰り返す。加工と並行して非接触モードの原子間力顕微
鏡でドリフト補正用のパターン5を連続的に観察してド
リフトを補正するので、上記被加工材質よりも硬い探針
の物理的な除去により黒欠陥を除去する場合の実施例と
同様に高スループットかつ高精度の白欠陥修正が実現で
きる。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、2
本以上の探針を独立に駆動できる走査プローブ顕微鏡を
用いて、加工用探針の選択的走査と並行して非接触モー
ドの原子間力顕微鏡でドリフト補正を行えば、高スルー
プットかつ高精度でフォトマスクの欠陥修正を実現でき
る。
本以上の探針を独立に駆動できる走査プローブ顕微鏡を
用いて、加工用探針の選択的走査と並行して非接触モー
ドの原子間力顕微鏡でドリフト補正を行えば、高スルー
プットかつ高精度でフォトマスクの欠陥修正を実現でき
る。
【図１】本発明の特徴を最も良くあらわす概念図であ
る。
る。
【図２】黒欠陥除去を被加工材質よりも硬い探針の物理
的な除去により行った場合の実施例を説明する概念図で
ある。
的な除去により行った場合の実施例を説明する概念図で
ある。
【図３】白欠陥修正を導電性の探針の電界により遮蔽膜
原料ガスを分解して行った場合の実施例を説明する概念
図である。
原料ガスを分解して行った場合の実施例を説明する概念
図である。
【図４】黒欠陥除去を近接場光顕微鏡の近接場光による
レーザーアブレーションにより行った場合の実施例を説
明する概念図である。
レーザーアブレーションにより行った場合の実施例を説
明する概念図である。
【図５】白欠陥修正を近接場光顕微鏡の近接場光により
遮蔽膜原料ガスを分解して行った場合の実施例を説明す
る概念図である。
遮蔽膜原料ガスを分解して行った場合の実施例を説明す
る概念図である。
1 加工用走査プローブ顕微鏡探針
2 原子間力顕微鏡探針
3 ガラス基板
4 正常なパターン
5 ドリフト補正用のパターン
6 欠陥領域
7 黒欠陥領域
8 白欠陥領域
9 堆積した遮蔽膜
10 被加工材質よりも硬い探針
11 導電性の探針
12 近接場光顕微鏡探針
13 遮蔽膜原料用ガス銃
14 パルス電源
15 短波長レーザー
Claims (6)
- 【請求項１】 ２つの独立に動作できる探針を備えた走
査プローブ顕微鏡を用いたフォトマスクの欠陥修正方法
において、黒欠陥除去や白欠陥修正といった加工とドリ
フト補正を別々の探針で行うことを特徴とするフォトマ
スクの欠陥修正方法。 - 【請求項２】 ２つ以上の独立に動作できる探針を備え
た走査プローブ顕微鏡を用いたフォトマスクの欠陥修正
方法において、前記探針のうち1本は原子間力顕微鏡探
針とし加工と並行して非接触モードの原子間力顕微鏡イ
メージでドリフトを補正し、残りの探針で黒欠陥除去や
白欠陥修正加工を行うことを特徴とするフォトマスクの
欠陥修正方法。 - 【請求項３】 ２つの独立に動作できる探針を備えた原
子間力顕微鏡を用いたフォトマスクの欠陥修正方法にお
いて、黒欠陥除去は被加工材質よりも硬い探針で物理的
な除去により行い、ドリフト補正はもう一つの探針を用
いて非接触モードの原子間力顕微鏡イメージで行うこと
を特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。 - 【請求項４】 ２つの独立に動作できる探針を備えた走
査プローブ顕微鏡を用いたフォトマスクの欠陥修正方法
において、白欠陥修正は導電性の探針の電界により遮蔽
膜原料ガスを分解して行い、ドリフト補正はもう一つの
探針を用いて非接触モードの原子間力顕微鏡イメージで
行うことを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。 - 【請求項５】 ２つの独立に動作できる探針を備えた走
査プローブ顕微鏡を用いたフォトマスクの欠陥修正方法
において、黒欠陥除去は近接場光顕微鏡の近接場光によ
るレーザーアブレーションにより行い、ドリフト補正は
もう一つの探針を用いて非接触モードの原子間力顕微鏡
イメージで行うことを特徴とするフォトマスクの欠陥修
正方法。 - 【請求項６】 ２つの独立に動作できる探針を備えた走
査プローブ顕微鏡を用いたフォトマスクの欠陥修正方法
において、白欠陥修正は近接場光顕微鏡の近接場光によ
り遮蔽膜原料ガスを分解して行い、ドリフト補正はもう
一つの探針を用いて非接触モードの原子間力顕微鏡イメ
ージで行うことを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001375785A JP3908526B2 (ja) | 2001-12-10 | 2001-12-10 | フォトマスクの欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001375785A JP3908526B2 (ja) | 2001-12-10 | 2001-12-10 | フォトマスクの欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003177513A true JP2003177513A (ja) | 2003-06-27 |
| JP3908526B2 JP3908526B2 (ja) | 2007-04-25 |
Family
ID=19184096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001375785A Expired - Fee Related JP3908526B2 (ja) | 2001-12-10 | 2001-12-10 | フォトマスクの欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3908526B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005084582A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Sii Nanotechnology Inc | フォトマスクのパーティクル除去方法 |
| JP2007034219A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Sii Nanotechnology Inc | フォトマスク欠陥修正方法及びそれに用いる原子間力顕微鏡微細加工装置 |
| JP2007184575A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-07-19 | Asml Netherlands Bv | 多数のミラーからなるコントラストデバイスにレーザトリミングを用いる露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2009172703A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Seiko Instruments Inc | 微小加工装置用プローブおよび微小加工装置 |
| JP2010122302A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスク等の欠陥修正方法 |
-
2001
- 2001-12-10 JP JP2001375785A patent/JP3908526B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005084582A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Sii Nanotechnology Inc | フォトマスクのパーティクル除去方法 |
| JP2007034219A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Sii Nanotechnology Inc | フォトマスク欠陥修正方法及びそれに用いる原子間力顕微鏡微細加工装置 |
| JP2007184575A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-07-19 | Asml Netherlands Bv | 多数のミラーからなるコントラストデバイスにレーザトリミングを用いる露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP4705008B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2011-06-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 多数のミラーからなるコントラストデバイスにレーザトリミングを用いる露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2009172703A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Seiko Instruments Inc | 微小加工装置用プローブおよび微小加工装置 |
| JP2010122302A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスク等の欠陥修正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3908526B2 (ja) | 2007-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4440647B2 (ja) | 欠陥を修復する方法およびシステム | |
| KR102508759B1 (ko) | 마스크 블랭크의 결함을 보상하기 위한 방법 및 장치 | |
| KR100873154B1 (ko) | 포토 마스크의 수리장치 및 이를 이용한 수리방법 | |
| JP4652725B2 (ja) | フォトマスク欠陥修正方法 | |
| JP5009550B2 (ja) | 加工観察方法及び加工観察装置 | |
| JP3908526B2 (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法 | |
| JP2009006378A (ja) | 微細加工方法及び微細加工装置 | |
| JP2007320017A (ja) | 原子間力顕微鏡微細加工装置を用いた加工方法 | |
| JP7320416B2 (ja) | フォトマスク基板の修正方法、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスク基板の処理方法、フォトマスク基板、フォトマスクの製造方法、及び基板処理装置 | |
| JP2008185931A (ja) | 集束イオンビーム微細加工装置を用いたフォトマスクの欠陥修正方法 | |
| Yasaka et al. | Nanoscale Imaging, Material Removal and Deposition for Fabrication of Cutting-edge Semiconductor Devices | |
| Edinger et al. | A novel electron-beam-based photomask repair tool | |
| JP2004279461A (ja) | 荷電粒子マスク欠陥修正装置によるフォトマスク欠陥修正個所の二次処理方法 | |
| KR20200026906A (ko) | 결함 최적화를 위한 레티클 배치의 제어 | |
| White et al. | Use of nanomachining as a technique to reduce scrap of high-end photomasks | |
| JP2000010260A (ja) | マスク修正装置の黒欠陥修正方法 | |
| JP2004287321A (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法 | |
| JP5168100B2 (ja) | フォトマスク等の欠陥修正方法 | |
| JP2008158499A (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法 | |
| CN110967924B (zh) | 光掩模基板的修正方法、制造方法和处理方法、光掩模的制造方法以及基板处理装置 | |
| TWI838399B (zh) | 光罩基板之修正方法、光罩基板之製造方法、光罩基板之處理方法、光罩之製造方法及基板處理裝置 | |
| JP3908524B2 (ja) | マスクの欠陥修正方法 | |
| Kern et al. | Future beam-controlled processing technologies for microelectronics | |
| Treyger et al. | Advanced femtosecond DUV laser mask repair tool for large area photomasks | |
| JP5080378B2 (ja) | 高さ制御性に優れた原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040304 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20040526 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040707 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060706 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060808 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061006 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070116 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070118 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126 Year of fee payment: 4 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |