TWI664312B - 用於永久修復光罩上材料缺損的缺陷的方法和裝置 - Google Patents
用於永久修復光罩上材料缺損的缺陷的方法和裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI664312B TWI664312B TW106105551A TW106105551A TWI664312B TW I664312 B TWI664312 B TW I664312B TW 106105551 A TW106105551 A TW 106105551A TW 106105551 A TW106105551 A TW 106105551A TW I664312 B TWI664312 B TW I664312B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- carbon
- defect
- precursor gas
- containing precursor
- oxidant
- Prior art date
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 208
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 159
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 102
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 95
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 94
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 69
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 66
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 50
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 150
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 45
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 27
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 23
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 10
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 4
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NQZFAUXPNWSLBI-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;ruthenium Chemical group [Ru].[Ru].[Ru].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] NQZFAUXPNWSLBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;tungsten Chemical group [W].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims 3
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 53
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 48
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 37
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 31
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 16
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 8
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 5
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100022117 Abnormal spindle-like microcephaly-associated protein Human genes 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000900939 Homo sapiens Abnormal spindle-like microcephaly-associated protein Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPCCSZFPOXBNDL-ZSTSFXQOSA-N [(4r,5s,6s,7r,9r,10r,11e,13e,16r)-6-[(2s,3r,4r,5s,6r)-5-[(2s,4r,5s,6s)-4,5-dihydroxy-4,6-dimethyloxan-2-yl]oxy-4-(dimethylamino)-3-hydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-10-[(2r,5s,6r)-5-(dimethylamino)-6-methyloxan-2-yl]oxy-5-methoxy-9,16-dimethyl-2-oxo-7-(2-oxoe Chemical compound O([C@H]1/C=C/C=C/C[C@@H](C)OC(=O)C[C@H]([C@@H]([C@H]([C@@H](CC=O)C[C@H]1C)O[C@H]1[C@@H]([C@H]([C@H](O[C@@H]2O[C@@H](C)[C@H](O)[C@](C)(O)C2)[C@@H](C)O1)N(C)C)O)OC)OC(C)=O)[C@H]1CC[C@H](N(C)C)[C@@H](C)O1 ZPCCSZFPOXBNDL-ZSTSFXQOSA-N 0.000 description 1
- KUWFERPIOIZKRW-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[Mo] Chemical compound [Si]=O.[Mo] KUWFERPIOIZKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000007786 electrostatic charging Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- GALOTNBSUVEISR-UHFFFAOYSA-N molybdenum;silicon Chemical compound [Mo]#[Si] GALOTNBSUVEISR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000002311 subsequent effect Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N xenon difluoride Chemical compound F[Xe]F IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/048—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/085—Oxides of iron group metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/10—Glass or silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/221—Ion beam deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/548—Controlling the composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5873—Removal of material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/16—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal carbonyl compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using ion beam radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3178—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for applying thin layers on objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/485—Adaptation of interconnections, e.g. engineering charges, repair techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/006—Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30466—Detecting endpoint of process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31742—Etching microareas for repairing masks
- H01J2237/31744—Etching microareas for repairing masks introducing gas in vicinity of workpiece
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本發明揭示一種用於永久修復光罩(105、210、220)的材料缺損的缺陷(260、270、280)的方法。該方法包括以下步驟：(a)提供至少一含碳前驅氣體和在所述光罩(105、210、220)的待修復位置處的至少一氧化劑；(b)在材料缺損的位置處借助於至少一能量源(127)引發所述至少一含碳前驅氣體的反應，使其在材料缺損的位置處沉積材料，其中所述沉積材料(460、670、880)包括反應的至少一含碳前驅氣體的至少一反應產物；以及(c)控制所述至少一氧化劑的氣體體積流速，以使沉積材料(460、670、880)的碳比例達最小化。
Description
本發明係關於一種用於永久修復光罩的材料缺損的缺陷的方法和裝置。
在微電子技術中，不斷增進的積體密度的結果導致微影光罩必須對在晶圓的光阻層中變得越來越小的結構元件進行成像。為了滿足這些要求，曝光波長正移動向更短的波長領域。於此刻，主要用於曝光目的氟化氬(ArF)準分子雷射，這些雷射機台發射193nm的波長。正持續進行深入的工作是有關於在極紫外光(EUV)波長範圍(10nm至15nm)的發射光源和相應的EUV光罩。為了增進晶圓曝光製程的解析能力，已經同時開發許多類型的常規二元微影光罩，其實例是相位光罩或相位移光罩和用於多重曝光的光罩。
隨著結構元件的尺寸不斷縮小，微影光罩、光罩或單純的遮罩總是不可能製造出未在晶片上可印刷或可辨識的缺陷。歸咎於昂貴的光罩生產成本，僅可能的是將有缺陷的光罩修復。微影光罩缺陷的兩個重要的類型，首先是暗缺陷(dark defects)。這些缺陷是位在吸收劑或相移材料所存在位置，但是所述位置並不應該含有這類材料。修復這些缺陷可透過局部蝕刻製程將多餘的材料移除。
其次，正是所謂的明缺陷(clear defects)。這些是光罩上的缺陷，在晶圓步進器或晶圓掃描器中的光學曝光時，這些缺陷相較於相同的無缺陷參考位置具有更大的光透射率。在光罩的修復製程中，可透過沉積具有合適光學性質的材料來消除這些缺陷。理想地，用於修復的材料的光學性質應對應於吸收劑或相位移材料的光學性質。修復位置的膜層厚度可調整以適應於周圍的吸收器或相位移材料膜層的尺寸。
用於修復而沉積的材料應該滿足至少兩個進一步的要求。首先，其應該承受預定數量的光罩清潔循環，而實質上並不改變其構造，亦即光學性能和尺寸。其次，應當能夠用沉積材料實施給定數量的晶圓曝光，而相對所述相鄰吸收體或相位移材料，沉積材料的所述性質並未經歷顯著變化。
WO 2012/146 647 A1揭示一種藉助粒子束、處理氣體和可以是氧化氣體的輔助氣體而在光罩上沉積參考標記。
WO 2005/017 949 A21揭示一種藉助電子束和四乙氧基矽烷(TEOS)或有機或無機前驅氣體在光罩上沉積材料。
美國專利編號US 7,727,682 B2揭示一種藉助電子束和沉積氣體TEOS修復相位移層。為了保護修復的位置，在第二處理步驟中，再次藉助電子束和六羰基鉻在整個區域上將鉻保護層沉積在相位移光罩上。
申請人已經確定的是，明缺陷的修復位置可為改變使用修復的光罩方向的主體。最後所引用的文獻揭示了透過沉積合適的材料所修復的位置必須設有保護層。
然而，在欲修復的光罩上塗布全區域的保護層以覆蓋一或多個修復位置是時間和成本密集的附加製程步驟。再者，沉積此附加層將帶來風險，亦即不夠完美均勻的膜層將造成在修復的光罩上產生新的缺陷。
有鑒於此，本發明解決了特定方法和裝置的問題，使其能夠永久修復微影光罩的材料缺損的缺陷並避免上述所討論的至少一些缺點。
根據本發明之一示例性的實施例，所述問題係透過如申請專利範圍第1項所述之方法來解決。在一個實施例中，用於永久修復微影光罩的材料缺損的缺陷的方法包括以下步驟：(a)提供至少一含碳前驅氣體和至少一氧化劑在所述微影光罩的待修復的位置處；(b)在材料缺損的位置處藉助於至少一能量源引發所述至少一含碳前驅氣體的反應，以便在所述材料缺損的位置處沉積材料，其中所述沉積材料包括所述至少一含碳前驅氣體的至少一反應產物；以及(c)控制所述至少一氧化劑的氣體體積流速，以使沉積材料的碳比例達最小化。
自含碳前驅氣體沉積材料的時候，根據部分的習知技術的方法和裝置中，包含於前驅氣體中或包含於一或多種碳化合物的碳無意間地被併入沉積材料中。在具有一或多個明缺陷的相應修復位置的光罩的曝光期間中，用於曝光的深紫外光(DUV)輻射及/或在曝光製程期間由環境氣體產生的臭氧，提取部分的碳結合到沉積材料中。此外，清除該修復的光罩的重複過程可同樣地釋放存在於沉積材料中的部分碳。這兩種製程在光罩修復過程中皆改變了沉積的材料的性質，特別是光學性質，及/或沉積的材料的結構。
根據本發明的解決此問題的方法，其透過在由能量源所引發的前驅氣體的化學反應期間，控制前驅氣體的氧化。其結果為，可離開反應位點的揮發性含碳化合物的比例則顯著地增加。則其後續效應為，結合進入沉積材料中的碳的分率則顯著降低。以降低的碳比例的結果而言，用於修復明缺陷的沉積材料具有顯著增加的長期穩定性。其可承受預定數量的曝光和清潔循環，而實質上不會改變其光學性能和尺寸。
在本專利申請中，反應或化學反應係表示一種過程，於其中一或多種化合物轉化成為一或多種其它的化合物。在本申請的內文中，化
合物的解讀則被認為是反應或化學反應的一種特殊情況。
在這裡所表述的“實質上”，如同在本說明書中的這些位置，則表示當使用根據習知技術的計量時在常規誤差的極限內測量變量的指標。
根據另一方面，沉積材料包含一碳比例<20原子百分比(atom%)，較佳者為<15atom%，更佳者為<10atom%，最佳者為<5atom%。
在由含碳前驅氣體所組成的沉積層的期間，沉積材料中的碳比例係位於20atom%或更高的範圍內。在含碳材料的化學反應期間，藉由額外地提供氧化劑可顯著地降低沉積材料的碳比例。就其結果而言，沉積材料的時效過程(ageing process)則急劇地趨緩。
根據另一方面，所述至少一含碳前驅氣體包含至少一羰基金屬及/或至少一主族元素醇鹽。
金屬羰基化合物可用於修正二元光罩的明缺陷。以主族元素醇鹽為形式的前驅氣體則可用於修復透射式光罩的基材缺陷及/或用於修復EUV光罩。包含羰基金屬和主族醇鹽的含碳前驅氣體可用於修正存在於相位光罩上的明缺陷。
根據另一方面，所述至少一羰基金屬包含選自以下群組中的至少一元素：六羰基合鉻(Cr(CO)6)、六羰基鉬(Mo(CO)6)、六羰基鎢(W(CO)6)、二羰基鈷(Co2(CO)8)、十二羰基三釕(Ru3(CO)12)及五羰基鐵(Fe(CO)5)。
根據另一方面，所述至少一種主族元素醇鹽包括選自以下的至少一種元素：四乙氧基矽烷(Si(OC2H5)4，TEOS)，四甲氧基矽烷(Si(OCH3)4，TMOS)及四異丙氧基鈦(Ti(OCH(CH3)2)4)。
根據一有利的觀點，所述至少一氧化劑包括選自以下群組中的至少一元素：氧氣(O2)、臭氧(O3)、水蒸氣(H2O)、過氧化氫(H2O2)、一氧化氮(NO)、二氧化氮(NO2)及硝酸(HNO3)。
氧化劑可以獨立地使用，無論所述含碳前驅氣體是否包含羰基金屬、主族元素醇鹽或羰基金屬和主族元素醇鹽的組合。
根據另一方面，所述至少一能量源包括至少一粒子束。根據另一個有利的觀點，所述至少一粒子束包括電子束及/或光子束。
電子束和光子束二者皆可精細地聚焦，使得電子束及/或光子束所引發至少一含碳前驅氣體的化學反應的區域變得非常小。當修復局部明缺陷時，空間解析率因此變得很高。
電子束可具有一解析率，其範圍藉於0.4nm至10nm，較佳者為介於0.5nm至8nm，更佳者為介於0.6nm至6nm，最佳者為介於0.7nm至4nm。此外，電子束可具有一能量，其範圍介於0.05keV至5keV，較佳者為介於0.1keV至4keV，更佳者為介於0.2keV至3keV，最佳者為介於0.4keV至2keV。此外，電子束可具有一束電流，其範圍介於5pA至100pA，較佳者為介於10pA至80pA，更佳者為介於15pA至70pA，最佳者為介於20pA至60pA。
在另一方面，電子束在待修復位置處具有一駐留時間，其範圍介於30ns至1s，較佳者為介於50ns至100ms，更佳者為介於50ns至10μs，最佳者為介於50ns至5μs。根據另一個有利的觀點，電子束具有一重複時間，其範圍介於1μs至10s，較佳者為介於10μs至1s，更佳者為介於50μs至300ms，並且最較佳者為介於100μs至100ms。
材料缺損可包括選自以下群組中的至少一元素：二元光罩的至少一結構元素的材料缺損，相位光罩的至少一結構元素的材料缺損，用於極紫外光波長範圍的光罩的至少一結構元素的材料缺損，透射式微影光罩的基底的材料缺損及/或奈米壓印技術遮罩的材料缺損。
根據本發明的方法可以有利地用於修正當前使用中和開發中的各種光罩的明缺陷。
在材料缺損的位置處提供至少一含碳前驅氣體和至少一氧
化劑可以混合比為1：100，較佳者為1：50，更佳者為1：25，最佳者為1：10實施。
較有利的是，在光罩上所欲修復的位置處提供比前驅氣體的顆粒數目至少大十倍的氧化劑顆粒數目。由氧化劑所提供氧氣可確保在前驅氣體的化學反應期間形成最高可能比例的揮發性含碳化合物。
提供至少一羰基金屬和至少一主族元素醇鹽可以混合比為1：20，較佳者為1：10，更佳者為1：7，最佳者為1：5實施。
就前驅材料的氧化的結果而言，在用於修復相位光罩的明缺陷的沉積製程期間，與習知技術的沉積材料相比，沉積材料中的碳比例降低。對碳反應性遮罩的清潔製程的足夠穩定性亦因此得以實現。基於相同的理由，相對於在晶圓步進器或晶圓掃描器中修復的光罩的曝光，可以實現足夠的耐久性。為此之故，在透過相應的氧化劑的作用所修復相位移光罩的情況下，金屬羰基化合物與由主族元素醇鹽組成的前驅氣體的少量混合物即已足夠。
根據一有利的觀點，在材料缺損的位置處提供至少一主族元素醇鹽和至少一氧化劑是以混合比1：100，較佳者為1：50，更佳者為1：25，最佳者為1：10實施。
以類似於羰基金屬相對氧化劑的比例的方式，較有利的是在光罩修復的位置處提供相較包含主族元素醇鹽的前驅氣體的顆粒數目明顯更多的氧化劑顆粒數目。
在一有利的觀點中，提供至少一氧化劑，在氣體體積流速範圍介於0.3sccm至10sccm，較佳者為0.5sccm至7sccm，更佳者為1sccm至5sccm，最佳者為2sccm至4sccm實施。
氧化劑的氣體體積流速可以藉助於計量閥及/或通過儲存的氧化劑的溫度變化來設定。計量閥可以以質量流量控制器的形式實現。
根據一較佳的觀點，在材料缺損的位置處提供至少一羰基金
屬，在壓力範圍介於10-6毫巴至10-4毫巴內實施，提供至少一主族醇鹽在壓力範圍介於10-6毫巴至10-4毫巴實施，及/或提供所述至少一氧化劑在壓力範圍介於10-5毫巴至10-2毫巴實施。
根據再另一方面，在材料缺損的位置處提供至少一羰基金屬在溫度範圍介於-50℃至+35℃，較佳者為介於-40℃至+30℃，更佳者為介於-30℃至+25℃，最佳者為介於-20℃至+20℃實施。較有利的是，調整溫度範圍用以提供至少一羰基金屬至所使用的金屬羰基。
在材料缺損的位置處提供至少一主族元素醇鹽，可在溫度範圍介於-40℃至+15℃，較佳者為介於-30℃至+5℃，更佳者為介於-20℃至-5℃，最佳者為介於-15℃至-10℃實施。
可將材料以速率範圍介於0.01nm/s至1.0nm/s，較佳者為介於0.02nm/s至0.5nm/s，更佳者為介於0.04nm/s至0.3nm/s，最佳者為介於0.05nm/s至0.15nm/s沉積。
微影光罩可包括相位光罩，並且提供至少一前驅氣體可包括同時提供六羰基鉻(Cr(CO)6)和四乙氧基矽烷(Si(OC2H5)4，TEOS)。
包含六羰基鉻和TEOS的前驅氣體可被用來修正相位光罩，特別是衰減相位移光罩的明缺陷。與沉積步驟產生關聯，大幅呈現長期穩定性的缺陷修復可藉著使用此前驅氣體的組合而實現。在修復處並且同時在整個光罩上沉積保護層因此不再是必要的。
根據又一方面，一種用於永久修復微影光罩的材料缺損的缺陷的裝置，包括：(a)用於在微影光罩的待修復位置處提供至少一含碳前驅氣體和至少一氧化劑的裝置；(b)至少一能量源，用於在材料缺損的位置處引發所述至少一含碳前驅氣體的反應，以便在所述材料缺損的位置處沉積材料，其中所述沉積材料包括至少一含碳前驅氣體反應的至少一反應產物；以及(c)用於控制所述至少一氧化劑的氣體體積流速以使沉積材料的碳比例達到最小化的裝置。
根據本發明的裝置，使其能夠在光罩上實現局部沉積材料，而呈現出長期穩定性，該材料實質上再現了圍繞所述缺陷的材料的光學性質。可藉此調整沉積材料以適應缺陷的尺寸。
根據另一方面，用於提供至少一含碳前驅氣體和至少一氧化劑的裝置包括至少三個供應容器，各個供應容器具有至少一計量閥和至少一氣體供應管線系統，該系統具有至少一噴嘴靠近待修復的位置，以便提供至少一第一和一第二含碳前驅氣體和至少一氧化劑。
最後，用於控制至少一氧化劑的氣體體積流量的裝置可包括一控制單元，其被配置用以控制至少一含碳前驅氣體和至少一氧化劑的氣體體積流量。
100‧‧‧裝置
105‧‧‧樣品；光罩
110‧‧‧樣品台
115‧‧‧電子槍
120‧‧‧射束成像元件
125‧‧‧射束成型元件
127‧‧‧能量源；電子束
130‧‧‧檢測器
130‧‧‧離子槍
140‧‧‧計算機系統
145‧‧‧控制單元
150、155、160、165、170、175‧‧‧供應容器
151、156、161、166、171、176‧‧‧控制閥
152、157、162、167、172、177‧‧‧氣體供給管路系統
210‧‧‧二元光罩
220‧‧‧相位光罩
230‧‧‧基底
240、250‧‧‧圖案
260、270、280‧‧‧缺陷
360‧‧‧殘餘物
460、670、880‧‧‧沉積材料
900‧‧‧流程圖
905~930‧‧‧製程步驟
以下的詳細描述參考附圖所示描述了本發明的當下較佳的示例性實施例，其中：圖1示意性地顯示可用於修復光罩的明缺陷的裝置的一些重要構件的方塊圖；圖2示意性地顯示自具有基底材料缺損的缺陷的光罩的節錄；圖3為基底材料缺損的缺陷已被部分地修復之後再現圖2的節錄；圖4為表示在修補基底材料缺損的缺陷之後圖3的節錄；圖5示意性地顯示具吸收體材料缺損的缺陷的二元光罩的節錄；圖6示意性地顯示具有已修復缺陷的圖5；圖7示意性地表示具吸收體材料缺損的缺陷的相位移光罩及/或純石英光罩的節錄；
圖8示意性地顯示具已修正缺陷的圖7；以及圖9重現用於修復微影光罩的材料缺損的缺陷的方法的流程圖。
於下文中將以修飾的掃描式電子顯微鏡為示例更詳細地解釋根據本發明用於永久修復微影光罩的材料缺損的缺陷的裝置的較佳實施例。然而，根據本發明所述的裝置並不欲限定於下文中所描述的示例。如本技術領域具通常知識者將毫無困難地可認識到，代替所討論的掃描式電子顯微鏡，可採取使用例如聚焦離子束及/或聚焦光子束作為能量源的任何掃描粒子顯微鏡。此外，根據本發明所述的方法並不欲限定於使用通過以下實施例討論的光罩。相反地，該方法可以用於修復任何所欲修復的微影光罩。此外，根據本發明所述的方法的應用並不欲限定於應用於光罩。相反地，該方法可以用於修復奈米壓印技術的模板或者一般用於修正具有材料缺損的缺陷的光學元件。
圖1示意性地顯示一種裝置100的主要部件，該裝置可用於永久修復具有材料缺損的缺陷的樣品105。樣品105可以是任意的微結構部件或結構部件。以作為示例而言，樣品105可以包括透射或反射光罩及/或用於奈米壓印技術的模板。再者，裝置100可以用於修復例如具有材料缺損的缺陷的積體電路、微機電系統(MEMS)及/或光積體電路。在以下說明的實施例中，樣品105為一微影光罩105。
於圖1中所示例的裝置100是經修飾過的掃描式電子顯微鏡(SEM)。電子槍115產生電子束127，其透過元件120和125作為聚焦電子束127並將其導引到佈置在樣品台110上的微影光罩105上。
樣品台110具有一微操縱器(於圖1中未示出)，藉助於該微操縱器，光罩105的缺陷位置可以位於光罩105上的電子束127的入射
點之下。此外，樣品台110可以在高度上(即，在電子束127的束方向上)移位，使得電子束127的焦點位於光罩105的表面上(同樣地於圖1中未示出)。再者，樣品台110可包括用於設置和控制溫度的裝置，使得光罩105可達到預定的溫度並將其保持在該溫度(於圖1中未示出)。
於圖1中所述的裝置100使用電子束127作為能量源127，用於引發含碳前驅氣體的局部化學反應。電子束127可以聚焦在直徑小於10nm的小焦點上。此外，入射在光罩105表面上的電子幾乎不對光罩105造成任何損傷，即使它們的動能在大的能量範圍內變化。然而，裝置100和本說明所提出的方法並不欲限定於使用電子束127。相反地，可使用任何想要的粒子束，使其能夠在入射點處局部地引起前驅氣體的化學反應。可替代的粒子束的範例是離子束、原子束、分子束及/或光子束。再者，可並行使用兩個或更多個粒子束。尤其是，可同時使用電子束127和光子束(於圖1中未示出)作為能量源127。
電子束127可以用於記錄光罩105的圖像，特別是光罩105的缺陷位置。用於檢測背向散射電子及/或二次電子的檢測器130提供與光罩105表面輪廓及/或光罩105組成比例的信號。
透過藉助於控制單元145使電子束127在光罩105上掃描或柵欄式掃描，裝置100的計算機系統140可產生光罩105的圖像。控制單元145可以是計算機的一部分系統140，如圖1所示，或者可以將其實現為單獨的單元(於圖1中未示出)。計算機系統140可包括演算法，其具體實現為硬體、軟體、韌體或其組合，並且其使得從檢測器130的測量數據中提取圖像成為可能。計算機系統140的螢幕(於圖1中未示出)可表示計算的圖像。再者，計算機系統140可存儲檢測器130所測量的數據及/或計算的圖像。再者，計算機系統140的控制單元145可控制電子槍115以及射束成像和射束成型元件120和125。控制單元145的控制信號還可進一步透過微操縱器控制樣品台110的移動(於圖1中未示出)。
入射在光罩105上的電子束127可對光罩105進行靜電充電。其結果為，可將電子束127偏轉，並且當記錄缺陷和當修復缺陷時，可降低空間解析率。為了減少光罩105的靜電充電，可使用離子槍135，以具低動能的離子照射光罩105的表面。以作為範例而言，可使用具有數個100eV的動能的氬離子來中和該光罩105。
為了處理佈置在樣品台110上的光罩105，即修復所述光罩的缺陷，裝置100包括用於三種不同處理氣體的至少三個供應容器。第一供應容器150存儲第一前驅氣體，特別是第一含碳前驅氣體。例如，可將主族元素醇鹽，例如TEOS，儲存在第一供應容器中。第二供應容器155儲存第二含碳前驅氣體。存儲在第二供應容器155中的前驅氣體可以是例如六羰基鉻的羰基金屬。第三供應容器160儲存例如氧氣的氧化劑。氧化劑可包括例如選自以下群組中的至少一元素：氧氣(O2)、臭氧(O3)、水蒸氣(H2O)、過氧化氫(H2O2)、一氧化氮(NO)、二氧化氮(NO2)及硝酸(HNO3)及其他含氧化合物。
第四可供選擇的供應容器165可儲存例如NO2的第二氧化劑。第五同樣可供選擇的供應容器170可存儲另外的前驅氣體，例如第二羰基金屬或第二主族元素醇鹽。最後，第六可供選擇的供應容器175可容納蝕刻氣體。藉此之助，可修復光罩105上多餘材料的缺陷(暗缺陷)。再者，存儲在第六供應容器175中的蝕刻氣體可用於在缺陷修復期間再度移除沉積在光罩105上的過多材料。
每一個供應容器150、155、160、165、170、175具有自控式的控制閥151、156、161、166、171、176，以便監視或控制每單位時間提供的相應氣體的絕對值，即在電子束127的入射位置處的氣體體積流速。控制閥151、156、161、166、171和176由計算機系統140的控制單元145控制和監督。在處理位置處所提供氣體的偏壓率因此可在一寬的範圍內設定。
再者，在示例性的裝置100中，每個供給容器150、155、160、165、170、175具有自己的氣體供給管路系統152、157、162、167、172、177，其端點具有噴嘴位於電子束127在光罩105上的入射點的附近。在一替選的實施例(於圖1中未示出)中，使用氣體饋送線系統將多個或所有處理氣體以共同流的形式帶到樣品105的表面上。
在圖1所示的範例中，控制閥151、156、161、166、171、176佈置在相應的容器150、155、160、165、170、175的附近。在一替代佈置中，控制閥151、156、161、166、171、176可以在相應的噴嘴(於圖1中未示出)的附近處結合。與圖1所示的示例不同之處且在當下沒有較佳的情況下，亦可能在該裝置100的真空腔體102的下部中以非定向地提供一種或多種氣體存儲在容器150、155、160、165、170、175中。在此情況下，在裝置100中併入一停止件(圖1中未示出)為必需的，該停止件位於反應空間下部和裝置100的上部之間，其提供電子束127，以防止所述裝置100的上部發生過低的真空。
每個供應容器150、155、160、165、170和175可具有自己的溫度設定元件和控制元件，其致能相應的供應容器的冷卻和加熱。這將使得在相對最佳溫度(於圖1中未示出)下存儲和提供含碳前驅氣體、氧化劑和(如果合適的話)蝕刻氣體變的可能。再者，每個饋送系統152、157、162、167、172和177可包括自己的溫度設置元件和溫度控制元件，以便在光罩105上電子束127的入射點處(同樣未在圖1中示出)於其最佳處理溫度下提供的所有處理氣體。計算機系統140的控制單元145可控制供應容器150、155、160、165、170、175以及氣體供應管線系統152、157、162、167、172、177二者的溫度設定元件和溫度控制元件。
圖1中所示的裝置100包括用於產生和維持真空腔體102中所需的真空的泵系統(於圖1中未示出)。利用關閉的控制閥151、156、161、166、171、176，在裝置100的真空腔體102中可達到≦10-7毫巴的殘
餘氣體壓力。所述泵系統可包括位於裝置100上部的單獨的泵系統，其用以提供電子束127，以及該下部包括具有光罩105的樣品台110。再者，裝置100可包括位在電子束127的處理點附近的一抽吸裝置，為了能在光罩105的樣品的表面處定義出一限定的局部壓力條件(圖1中未示出)。使用附加的抽吸裝置可很大程度上防止一或多種含碳前驅氣體的一或多種揮發性反應產物，其並非在光罩105上局部沉積所述沉積材料的沉積過程中，及/或在真空腔體102中所需要的。再者，抽吸裝置可防止在蝕刻過程中所產生的顆粒分佈在裝置100的真空腔體102中。泵系統和附加抽吸提取裝置同樣地可藉由計算機系統140的控制單元145加以控制及/或監控。
最後，裝置100可包括一或多個掃描力顯微鏡，使得可以詳細地分析光罩的缺陷(於圖1中未示出)。
圖2示意性地顯示來自光罩105的節錄。在圖2的範例中，光罩105可包括二元光罩210或相位光罩220，例如衰減相位移光罩。再者，光罩105可包括純石英光罩或用於奈米壓印微影(NIL)的光罩。純石英光罩可用在以193nm波長範圍的輻射進行曝光。
於圖2的上部顯示光罩105的部分平面圖。其下部顯示該上部的節錄的側視圖。微影光罩105包括光學透明基底230，較佳者為石英基底或氟化鈣(CaF2)基底。倘若光罩105表示為二元光罩210，則將黑色或不透明圖案240佈置在基底230上。在圖2的範例中，圖案240係由線圖案240所表示。線圖案240的材料通常包括鉻，其通常塗覆有薄的氧化鉻層。替選地，可使用鋁或鈦來製造同樣被薄氧化物層(亦即，包括數個奈米)覆蓋的二元光罩210。典型的吸收體結構具有層厚度，其範圍介於10nm至100nm。
二元光罩210亦可利用其它吸收材料而製成，例如由厚的(d200nm)的鉬-矽不透明層製成。其它吸收劑材料的實例包含鉬、氮、矽和氧的化合物，在其技術領域中縮寫為OMOG，代表不透明的MoSi於玻璃
上，以及包含鉭、硼和氮的化合物。這些材料的層厚度通常在100nm或更小的範圍內。二元光罩的特徵在於吸收體圖案，其結構尺寸大於用於曝光的輻射的繞射極限，並且其在曝光波長下的光學透射率為<1%。
相位光罩220的吸收體構件，例如是在圖2中的線圖案250，通常由部分透明的氧化鉬矽(MoSiOx，0<x1)或鉬氮氧化矽(MoSiOxNy，0<x1，0<y1)。對於具有深紫外光波長範圍(248nm或193nm)的曝光波長的相位光罩，結構產生層的構件通常是由以個位數百分比範圍摻雜鉬和氧的氮化矽所產生。從下文中，這些相位移吸收體層被指定為MoSi層。
然而，亦可以使用氧化鉻(CrO)及/或氧氮化鉻(CrOxNy，0<x1，0<y1)作為相位光罩220的吸收體材料，例如衰減相位移光罩。調整相位光罩220的相為移和吸收體結構構件250的層厚度以適於所使用的曝光波長。另外的相位光罩的範例為具有不同高度的純石英結構，其在本技術領域中稱為CPL，代表無色相位移微影。再者，使用具二元吸收體的不同高度的石英結構所構成的相位光罩，其縮寫為APSM，代表交替相位移光罩。於本申請中所揭示的缺陷修正的過程可應用於所提及的所有光罩型態。
於圖2中所示的光罩105具有材料缺損的缺陷260。缺陷260表示光罩105的透明基底230中的凹陷，亦即基底230的材料在缺陷260的位置處並不存在。在藉助相應的計量工具(例如以雷射光系統)而找到缺陷260及/或額外的缺陷270、280(參見圖5和圖7)，在第一步驟中透過裝置100的電子束127掃描缺陷260或缺陷260、270、280。必要時，可使用掃描力顯微鏡額外地檢查缺陷260或缺陷260、270、280。
光罩通常具有6.35mm的厚度。缺陷260可具有深度從小於1奈米到幾百奈米的範圍。基底材料缺損的缺陷260的橫向尺寸可從個位數的奈米範圍延伸到兩位數的微米範圍。可透過在基底材料缺損的位置處沉
積二氧化矽(SiO2)來修正缺陷260。透過裂解配體，前驅氣體四乙氧基矽烷(TEOS)，四甲氧基矽烷(TMOS)可被用作SiO2的供應源。較佳地，用於修復缺陷260可使用氧(O2)或二氧化氮(NO2)作為氧化劑。在以下所描述的範例中，將TEOS用作前驅氣體，NO2用作氧化劑。
為了修復明缺陷260或基底缺陷260，透過控制閥151控制的方式，從供應容器150通過饋線系統152在缺陷260的位置處提供TEOS。然後，在缺陷位置的區域中，TEOS被吸附在基底230的表面上(物理吸附)。藉由控制閥151的幫助，缺陷位置處的壓力設定在10-5毫巴。這對應於大約0.05sccm(標準立方厘米)的氣體體積流速。在-10℃的溫度下在缺陷260的位置處提供前驅氣體TEOS。同時，在缺陷位置處，以控制閥161控制的方式，以4sccm的氣體體積流速從供給容器160經由氣體供給管線系統162供給氧化劑NO2。氧氣的氣體體積流速在缺陷位置產生10-3毫巴的壓力分壓。
裝置100的電子束127局部地在缺陷260的位置處提供用於引發局部化學反應的能量，該局部化學反應透過自前驅氣體TEOS的中心原子矽裂解該前驅氣體的至少一部分配體。在一方面，額外地提供的氧化劑NO2局部地支持將TEOS的中心原子氧化成為SiO2，在另一方面，氧化後裂解的配體或其節段成為揮發性組分，透過裝置100的抽吸裝置從真空腔體102中吸取抽離。與在沉積位置處不提供氧的製程實施相比較，過量的氧化劑NO2導致在缺陷位置處沉積更質純的SiO2層，並且結合了更少的碳。在缺陷位置處所沉積的層中，碳僅存在5atom%。
在實施沉積製程的期間，由電子束127供應動能高達1keV且束電流大約為50pA的電子。電子束在缺陷260的位置處以具有5nm直徑的焦點進行柵欄式掃描，重複持續時間為1ms，停留時間高達1μs。
視缺陷260的尺寸而定，沉積過程可在特定持續時間之後中斷，並且透過電子束127及/或掃描力顯微鏡分析缺陷260的剩餘殘餘物
360。此於圖3中顯示出。藉助於前驅氣體TEOS和氧化劑NO2在實質上修復缺陷260的沉積製程之後，可從剩餘的殘餘物360的測量數據可計算出持續的期間。
圖4表示在結束用以修復基底缺陷260的第二沉積製程步驟之後選自圖3的光罩105的節錄。所述沉積製程透過沉積SiO2層實質上消除了凹陷，即缺陷260。考量沉積層460具有低的碳比例，有利的是可選擇沉積層460的厚度，使得後者精確地填充缺陷260的凹陷。
在第二沉積製程步驟之後如果仍存在小部分的缺陷260，則可透過進一步暫時地限制SiO2沉積來修正。如果過多的材料被無意地橫向地及/或垂直地沉積在光罩210、220的基底230上，在分析新產生的缺陷之後，則可藉助於電子束127和存儲在供應容器175中例如二氟化氙(XeF2)蝕刻氣體將其移除。
在圖2至圖4中所討論的範例中，缺陷260所指的是二元光罩210或相位移光罩220的基底230的缺陷。然而，所述沉積製程也可用於將所缺損的材料沉積到相光罩，其不具有由吸收體材料所組成的結構構件，例如上述的CPL，ASPM和NIL光罩。
圖5顯示摘自具有吸收體結構構件240佈置在基底230上的二元相位光罩210的節錄。圖5表示在上部分圖中顯示摘自二元光罩210的平面圖，並且在下部分圖中顯示摘自二元光罩210的側視圖。在圖5的示例中，吸收體結構構件240是由在表面處包括薄氧化鉻層(包括數個奈米)的鉻層所製成。所述鉻層的厚度範圍為介於10nm至100nm。在圖5中，中央吸收體結構構件240具有缺陷270，此缺陷270表示吸收體材料缺損的位置。
以下討論圖5中的二元光罩210的缺陷270的修復。缺陷270的橫向尺寸範圍可從個位數奈米範圍到兩位數微米範圍。藉助於羰基金屬和氧化劑能可靠地修正吸收體結構240的缺陷270。在此所揭示的實施例
中，六羰基鉻用作前驅氣體，NO2用作氧化劑。
為了修復二元光罩210的吸收體結構構件240的缺陷270，從供應容器155，藉由氣體供應管線系統157將前驅氣體鉻六羰基(Cr(CO)6)供應到缺陷270的位置。在缺陷270的區域中，Cr(CO)6被吸附在基底230的表面上。計算機系統140的控制單元145打開供給容器155的控制閥156，以便在缺陷位置處處產生氣體壓力5×10-4mbar的Cr(CO)6。此對應於0.01sccm的氣體體積流速。同時，在缺陷位置處，從供給容器165經由氣體供給管線系統167並透過氣體供給管線系統167和控制閥166的控制以2sccm的氣體體積流速提供氧化劑NO2。所述NO2氣體體積流速在缺陷位置處產生5×10-2毫巴的壓力分壓。
裝置100的電子束127在缺陷270的位置處局部地提供能量，在局部化學反應中，此能量將前驅氣體Cr(CO)6的至少一部分的CO配體與前驅氣體的中心原子鉻(Cr)分離。額外地提供的氧化劑NO2局部地支持Cr(CO)6的配體的離解，促進其中心原子Cr氧化成CrO，特別是CrO2，並且促進離解的CO配體氧化成二氧化碳(CO2)，其作為揮發性組成可以通過裝置100的抽吸裝置從真空腔體102吸取而抽離。與在缺陷270的位置處並無額外地提供NO2的沉積製程相比，在缺陷位置處過量的NO2導致沉積更質純的Cr/CrO層。由於絕大多數裂解的CO配體可以CO2的形式從裝置100的真空腔體102中移除，僅絕少數的碳被引入到沉積層中。沉積層僅包含約5atom%的碳。
為了起始所述沉積製程，由電子束127提供具有1keV的動能且具有大約40pA的電流強度的電子。電子束127在焦點直徑為5nm的缺陷270的位置處進行柵欄式掃描，重複時間為1ms，停留時間為1μs。
如以上所解釋，修復過程可在多個連續的步驟中再次地實施。在各個沉積步驟之間，通過電子束127及/或掃描力顯微鏡分析仍然殘存的缺陷270的殘餘物，並藉此確定下一個沉積步驟的持續時間。圖6顯
示沉積在缺陷270的位置處的層670。調整沉積材料670的高度以適應於吸收體構件240的高度。基於吸收體結構構件240和沉積層670的材料具有類似的光學性質，此將導致有利的結果。
在各個修復步驟之間，可調整羰基金屬Cr(CO)6和氧化劑NO2的分壓比。再者，在沉積製程期間，在缺陷270的位置處可以連續地或以脈衝式提供前驅氣體及/或氧化劑。
由電子束127所供應的每個電子導致0.05Å3至0.25Å3的體積的沉積。此對應的沉積速率約為0.1nm/s。如以上所述，吸收體構件240的層厚度在10nm至100nm的範圍內。因此可在大約10分鐘的時間間隔內沉積厚度為60nm的Cr/CrO層。
在圖2至圖6的內文中所討論的範例係關於修復二元光罩210或移位相透射光罩220的材料缺損。然而，所揭示的修復製程亦可用於修復用於極端紫外光(EUV)波長範圍的光罩的吸收體構件的材料缺損。在EUV光罩的情況下，吸收體結構構件通常是由鉻或氮化鉭(TaN)所製成。通過選擇相應的金屬羰基和例如氧或二氧化氮的氧化劑，可以修復EUV光罩中吸收體材料缺損的缺陷。如上所述，例如藉助於前驅氣體六羰基鉭(Ta(CO)6)並透過例如使用前驅氣體六羰基鉻(Cr(CO)6)和氮化鉭層可將鉻層修復。
在另一應用例中，於圖7中所示的光罩220揭示一相位移光罩，其吸收體構件250包括薄的部分透射的MoSi層(衰減相位移光罩)。在圖7的範例中，吸收體構件250的MoSi層具吸收體材料缺損的缺陷280。可透過在吸收體材料缺損的位置處同時沉積二氧化矽(SiO2)和金屬來修正MoSi吸收體構件250的缺陷280。在這種情況下，TEOS及/或TMOS可以用作供應SiO2的前驅氣體，並且羰基金屬可以用作供應金屬的前驅氣體。較佳者為再次使用O2及/或NO2作為氧化劑，以修復MoSi吸收體構件250的缺陷280。
為了修正吸收體材料缺損的缺陷280，從供應容器150通過饋線系統152以控制閥151控制的方式在缺陷280的位置處提供TEOS。藉助於控制閥151，在缺陷位置處的壓力設定為10-5毫巴。前驅氣體TEOS在缺陷280的位置處係處於-10℃的溫度。同時，在缺陷位置處，從供應容器155以控制閥156和氣體饋送線系統157控制的方式將六羰基鉻帶到缺陷280的位置。在缺陷280的位置處，Cr(CO)6係處於-20℃的溫度。將控制閥156打開至使得前驅氣體Cr(CO)6的分壓達到5×10-6毫巴的程度。在所討論的實施例中，前驅氣體具有TEOS：Cr(CO)6的分壓比為5：1。兩種前驅氣體在相位移光罩220的基板230的表面上的缺陷280的區域中被共同吸收。
與前驅氣體TEOS和Cr(CO)6平行地，氧化劑NO2從供給容器165通過氣體供給管線系統167以控制閥166控制的方式以2.5sccm的氣體體積流速傳送到缺陷280的位置，由NO2的氣體體積流量在缺陷位置處產生10-2毫巴的壓力分壓。
裝置100的電子束127在缺陷280的位置處局部地引發化學反應，該化學反應將前驅氣體TEOS的配體的至少一部分自前驅氣體的中心原子矽切割開。再者，局部化學反應同時使CO配體自六羰基鉻的中心原子鉻處引發解離。額外提供的NO2局部地促進TEOS的矽中心原子氧化成為SiO2，Cr(CO)6的鉻中心原子的氧化，以及裂解的配體或配體節段的氧化。尤其是，過量存在的二氧化氮促進CO配體氧化成揮發性的CO2。在前驅氣體分解期間產生的揮發性的組成通過裝置100的抽吸裝置從真空腔體102中移除。
為了引發局部的化學反應，電子束127在焦點直徑為5nm的缺陷270的位置上掃描，重複時間為1ms，停留時間為1μs。電子束127的電子在缺陷位置處以1keV的動能撞擊在光罩220的基底230的表面上。電子束127的電流強度在大約50pA的範圍內。
圖8顯示在修復缺陷280後源自圖7的相位光罩220的截
圖。將層870沉積在所述缺陷的位置處。所沉積的層870的高度實質上對應於MoSi結構構件250的厚度。
與所使用的前驅氣體的碳比例相比，在沉積製程期間，前驅氣體的氧化導致沉積材料中的碳比例降低。其結果為，氧化劑NO2與前驅氣體TEOS和Cr(CO)6的組合導致在缺陷280的位置處沉積貧碳的SiO2/Cr層。在缺陷位置處的沉積層的碳比例為5atom%。
以上在圖2至圖4中所討論的內文中揭示了沉積製程的時間順序。
在圖7和8中解釋了相位光罩220的MoSi結構構件250的修復。如上所述，二元光罩210的吸收體結構構件240同樣可以由厚的非透明MoSi層製造。如圖7和8的內文中所解釋的修復部分透射的薄MoSi層的製程當然也可以用於修正厚的非透射MoSi層的材料缺損的缺陷。
在習知技術中，通過逐漸施加來自TEOS的SiO2層和來自Cr(CO)6的鉻來沉積相位移MoSi層250的缺陷280。根據該理論，相位移效應主要歸因於從前驅氣體TEOS沉積的層，且吸收效應主要歸因於從前驅氣體Cr(CO)6沉積的層。通常，在習知技術中，為了修復MoSi層的缺陷280，沉積具有顯著大於MoSi層周圍的層厚度的沉積材料。因此，在具有特徵尺寸<150nm的光罩220的情況下，與缺陷缺損的參考位置相比，在修復位置的區域可能發生晶圓曝光的偏差。
在反應位置處，亦即在缺陷280的位置處，利用所有反應物的相位移和吸收性質使相互混合的兩種前驅氣體同時被氧化劑氧化。其結果為，使相位移層和吸收層間的分離狀態消除。此外，兩種前驅氣體的氧化導致在修復位置處沉積材料具有非常低的碳比例。基於此原因，MoSi吸收體結構構件250的修復位置並不經歷顯著的時效化(ageing)，並且在與光罩清潔及在與使用修復後光罩210期間所發生的曝光劑量相關的製程尤其能表現出長期的穩定性。可省略在習知技術中所揭示在相位光罩220的吸
收體構件250的修復位置上方塗布金屬保護層的製程。其結果為，在本申請中所揭示的方法能顯著地簡化材料缺損缺陷的修復。
如果在不提供氧化劑的情況下實施上述圖2至圖8內文所討論的示例性修復製程，則沉積層將具有20atom%或更高的碳比例。在使用高能深紫外光(λ=193nm)曝光的期間，光罩承受巨大的負載。晶圓曝光期間的輻射劑量遠遠大於100kJ/cm2。作為極高曝光劑量的結果，在微影曝光設備(XCDA(eXtra Clean Dry Air)氣氛)的極乾淨和乾燥的環境中，可能發生臭氧的形成，臭氧被認為是碳或碳化合物特別好的氧化劑。在修復缺陷260、270、280處的沉積層中被併入的碳或被摻入的碳化合物(例如CO配體)與臭氧反應以形成CO2，CO2從沉積的材料中散逸，且因此削弱其結構。
再者，用於光罩210、220的現代清潔劑對含碳化合物特別有效。其結果為，在經常發生的光罩清潔的內容中，從用於修正缺陷所沉積的層中提取碳或含碳成分。這首先導致沉積材料的光學性質的改變，其次導致其結構的弱化。因此，如果在沒有額外的氧化劑的情況下沉積，則在光罩210、220上沉積材料整體上經歷時效效應。
在圖9中的流程圖900表示用於永久修復微影光罩105、210、220的材料缺損的缺陷260、270、280的方法的步驟。可選用的方法步驟由圖900中的虛線框表示。
所述方法開始於步驟905。步驟910涉及藉助於電子束127及/或掃描力顯微鏡的探針來檢查缺陷260、270、280或材料缺損的辨識缺陷260、270、280。步驟915包括在微影光罩105、210、220的缺陷位置260、270、280處提供至少一含碳前驅氣體和至少一種氧化劑。
在步驟920中，以能量源(例如電子束127)在材料缺損的位置處引發至少一含碳前驅氣體的局部化學反應，以便在缺陷位置處沉積所缺損的材料，其中沉積材料460、670、880包括使至少一含碳前驅氣體
反應的至少一反應產物。
步驟925包括控制至少一氧化劑的氣體體積流速，以使沉積材料460、670、880的碳比例達最小化。透過控制單元145結合控制閥151、156、161、166、171、176可實施控制氧化劑的氣體體積流速。
步驟930涉及檢查殘餘缺陷360。決定步驟935則涉及確定殘餘缺陷360是否小於或等於預定閾值。如果是這種情況，則該方法在步驟940結束。如果並非這種情況，則該方法進行到步驟915並開始第二沉積製程步驟。
Claims (20)
- 一種用於永久修復微影光罩(105、210、220)材料缺損的缺陷(260、270、280)的方法，其中該方法包括以下步驟：a.在所述光罩(105、210、220)的待修復的位置處提供至少一含碳前驅氣體和至少一氧化劑，其中所述至少一含碳前驅氣體包含至少一羰基金屬；b.在材料缺損的位置處藉助於至少一能量源(127)引發所述至少一含碳前驅氣體的反應，以便在材料缺損的位置處沉積材料，其中所述沉積材料(460、670、880)包括已反應的至少一含碳前驅氣體的至少一反應產物；以及c.控制所述至少一氧化劑的氣體體積流速，以使所述沉積材料(460、670、880)的碳比例最小化，其中所述沉積材料(460、670、880)包含一碳比例<20原子百分比(atom%)。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述沉積材料(460、670、880)包括一碳比例<15atom%。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中所述至少一含碳前驅氣體包含至少一羰基金屬及/或至少一主族元素醇鹽。
- 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中所述至少一羰基金屬包括選自六羰基合鉻(Cr(CO)6)、六羰基鉬(Mo(CO)6)、六羰基鎢(W(CO)6)、二羰基鈷(Co2(CO)8)、十二羰基三釕(Ru3(CO)12)及五羰基鐵(Fe(CO)5)。
- 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中所述至少一主族元素醇鹽包括選自以下群組中的至少一元素：四乙氧基矽烷(Si(OC2H5)4，TEOS)，四甲氧基矽烷(Si(OCH3)4，TMOS)及四異丙氧基鈦(Ti(OCH(CH3)2)4)。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述至少一氧化劑包括選自以下群組中的至少一元素：氧氣(O2)、臭氧(O3)、水蒸氣(H2O)、過氧化氫(H2O2)、一氧化氮(NO)、二氧化氮(NO2)及硝酸(HNO3)。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述至少一能量源(127)包括至少一粒子束(127)。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述材料缺損包括選自以下群組中的至少一元素：一二元光罩(210)的至少一結構元件(240)的材料缺損、一相位光罩(220)的至少一結構元件(250)的材料缺損、用於極紫外波長範圍的光罩的至少一結構元件的材料缺損、透射式微影光罩(105、210、220)的基底(230)的材料缺損、以及一奈米壓印微影光罩的至少一結構元件的材料缺損。
- 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中提供所述至少一羰基金屬和至少一主族元素醇鹽是以1：5的體積混合比例實施。
- 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中在所述材料缺損的位置所提供的至少一主族元素醇鹽和至少一氧化劑是以1：10的體積混合比例實施。
- 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中在所述材料缺損的位置處提供所述至少一羰基金屬是在10-6毫巴至10-4毫巴的壓力範圍內實施，提供所述至少一主族元素醇鹽是在10-6毫巴至10-4毫巴的壓力範圍內實施，及/或提供所述至少一氧化劑是在10-5毫巴至10-2毫巴的壓力範圍內實施。
- 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中在材料缺損的位置處提供所述至少一羰基金屬是在-50℃至+35℃的溫度範圍內實施。
- 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中在材料缺損的位置處提供所述至少一主族元素醇鹽是在-40℃至+15℃的溫度範圍內實施。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述微影光罩(105、210、220)包括一相位光罩(220)，並且提供所述至少一前驅氣體包括同時提供六羰基鉻(Cr(CO)6)及(Si(OC2H5)4)。
- 一種用於永久修復微影光罩(105、210、220)的材料缺損的缺陷(260、270、280)的裝置，包括：a.在所述微影光罩(105、210、220)的待修復的位置處提供至少一含碳前驅氣體和至少一氧化劑的裝置，其中所述至少一含碳前驅氣體包含至少一羰基金屬；b.至少一能量源(127)，用以在材料缺損的位置處引發所述至少一含碳前驅氣體的反應，以便沉積材料(460、670、880)在所述材料缺損的位置處，其中所述沉積材料(460、670、880)包括所述至少一含碳前驅氣體已反應的至少一反應產物；及c.用以控制所述至少一氧化劑的氣體體積流速以使所述沉積材料(460、670、880)的碳比例最小化的裝置，其中所述沉積材料(460、670、880)包含一碳比例<20atom%。
- 如申請專利範圍第15項所述之裝置，其中用以提供所述至少一含碳前驅氣體和至少一氧化劑的裝置包括至少三個供應容器(150、155、160、165、170、175)，各個所述供應容器具有至少一計量閥(151、156、161、166、171、176)和至少一氣體供給管線系統(152、157、162、167、172、177)，其具有在所述待修復位置附近的至少一噴嘴，以便提供至少一第一和一第二含碳前驅氣體和至少一氧化劑。
- 如申請專利範圍第15或16項所述之裝置，其中所述用以控制至少一氧化劑的氣體體積流速的裝置包括一控制單元(145)，將其配置以控制所述至少一含碳前驅氣體和至少一氧化劑的氣體體積流速。
- 一種用於永久修復微影光罩(105、210、220)的材料缺損的缺陷(260、270、280)的裝置，包括：a.在所述微影光罩(105、210、220)的待修復的位置處提供至少一含碳前驅氣體和至少一氧化劑的裝置，其中所述至少一含碳前驅氣體包含至少一羰基金屬，其中所述至少一含碳前驅氣體包含至少一主族元素醇鹽；b.至少一能量源(127)，用以在材料缺損的位置處引發所述至少一含碳前驅氣體的反應，以便沉積材料(460、670、880)在所述材料缺損的位置處，其中所述沉積材料(460、670、880)包括所述至少一含碳前驅氣體已反應的至少一反應產物；及c.用以控制所述至少一氧化劑的氣體體積流速以使所述沉積材料(460、670、880)的碳比例最小化的裝置，其中所述沉積材料(460、670、880)包含一碳比例<20atom%，以及在所述材料缺損的位置所提供的至少一主族元素醇鹽和至少一氧化劑是以1：10的體積混合比例實施。
- 一種用於永久修復微影光罩(105、210、220)的材料缺損的缺陷(260、270、280)的裝置，包括：a.在所述微影光罩(105、210、220)的待修復的位置處提供至少一含碳前驅氣體和至少一氧化劑的裝置，其中所述至少一含碳前驅氣體包含至少一羰基金屬，其中所述至少一含碳前驅氣體包含至少一主族元素醇鹽，以及在所述材料缺損的位置處提供所述至少一主族元素醇鹽是在10-6毫巴至10-4毫巴的壓力範圍內實施；b.至少一能量源(127)，用以在材料缺損的位置處引發所述至少一含碳前驅氣體的反應，以便沉積材料(460、670、880)在所述材料缺損的位置處，其中所述沉積材料(460、670、880)包括所述至少一含碳前驅氣體已反應的至少一反應產物；及c.用以控制所述至少一氧化劑的氣體體積流速以使所述沉積材料(460、670、880)的碳比例最小化的裝置，其中所述沉積材料(460、670、880)包含一碳比例<20atom%。
- 一種用於永久修復微影光罩(105、210、220)的材料缺損的缺陷(260、270、280)的裝置，包括：a.在所述微影光罩(105、210、220)的待修復的位置處提供至少一含碳前驅氣體和至少一氧化劑的裝置，其中所述至少一含碳前驅氣體包含至少一羰基金屬，其中所述至少一含碳前驅氣體包含至少一主族元素醇鹽，以及在所述材料缺損的位置處提供所述至少一主族元素醇鹽是在10-6毫巴至10-4毫巴的壓力範圍內實施；b.至少一能量源(127)，用以在材料缺損的位置處引發所述至少一含碳前驅氣體的反應，以便沉積材料(460、670、880)在所述材料缺損的位置處，其中所述沉積材料(460、670、880)包括所述至少一含碳前驅氣體已反應的至少一反應產物；及c.用以控制所述至少一氧化劑的氣體體積流速以使所述沉積材料(460、670、880)的碳比例最小化的裝置，其中所述沉積材料(460、670、880)包含一碳比例<20atom%，以及其中提供所述至少一氧化劑是在10-5毫巴至10-2毫巴的壓力範圍內實施。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ??102016203094.9 | 2016-02-26 | ||
| DE102016203094.9A DE102016203094B4 (de) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | Verfahren und Vorrichtung zum dauerhaften Reparieren von Defekten fehlenden Materials einer photolithographischen Maske |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201730368A TW201730368A (zh) | 2017-09-01 |
| TWI664312B true TWI664312B (zh) | 2019-07-01 |
Family
ID=59580324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106105551A TWI664312B (zh) | 2016-02-26 | 2017-02-20 | 用於永久修復光罩上材料缺損的缺陷的方法和裝置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10372032B2 (zh) |
| KR (1) | KR101997960B1 (zh) |
| CN (2) | CN116661237A (zh) |
| DE (1) | DE102016203094B4 (zh) |
| TW (1) | TWI664312B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11886126B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-01-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Apparatus and method for removing a single particulate from a substrate |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016203094B4 (de) | 2016-02-26 | 2022-02-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum dauerhaften Reparieren von Defekten fehlenden Materials einer photolithographischen Maske |
| JP6972312B2 (ja) * | 2017-09-19 | 2021-11-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 荷電粒子ビーム装置及びその装置を動作させるシステム及び方法 |
| CN109722632A (zh) * | 2017-10-31 | 2019-05-07 | 陕西南水汽车配件制造有限公司 | 一种铝合金控制臂锻件表面粗晶环控制方法 |
| DE102018206278A1 (de) | 2018-04-24 | 2019-10-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen eines Partikels von einer photolithographischen Maske |
| US11429027B2 (en) | 2018-08-17 | 2022-08-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photolithography method and apparatus |
| US10877378B2 (en) | 2018-09-28 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Vessel for extreme ultraviolet radiation source |
| DE102018128434A1 (de) * | 2018-11-13 | 2020-05-14 | Psc Technologies Gmbh | Verfahren zur Erzeugung von dreidimensionalen siliciumcarbidhaltigen Objekten |
| DE102019201468A1 (de) * | 2019-02-05 | 2020-08-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Reparieren einer fotolithographischen Maske |
| JP7244067B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2023-03-22 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | マスク欠陥修正装置、及びマスク欠陥修正方法 |
| CN111182347B (zh) * | 2020-01-07 | 2021-03-23 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 视频片段剪切方法、装置、计算机设备和存储介质 |
| DE102020208183A1 (de) | 2020-06-30 | 2021-12-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten einer lithographischen maske |
| DE102021203075A1 (de) | 2021-03-26 | 2022-09-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren, vorrichtung und computerprogramm zur reparatur eines maskendefekts |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW480660B (en) * | 1999-04-21 | 2002-03-21 | Seiko Instr Inc | Method of correcting phase shift mask and focused ion beam device |
| JP2005539273A (ja) * | 2002-09-18 | 2005-12-22 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | フォトリソグラフィ用マスクの修正 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5083033A (en) * | 1989-03-31 | 1992-01-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of depositing an insulating film and a focusing ion beam apparatus |
| US5104684A (en) * | 1990-05-25 | 1992-04-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Ion beam induced deposition of metals |
| US5807650A (en) | 1992-03-24 | 1998-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photo mask and apparatus for repairing photo mask |
| US5429730A (en) * | 1992-11-02 | 1995-07-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of repairing defect of structure |
| JP3238550B2 (ja) * | 1992-11-02 | 2001-12-17 | 株式会社東芝 | 構造体の欠陥修正方法 |
| US6042738A (en) * | 1997-04-16 | 2000-03-28 | Micrion Corporation | Pattern film repair using a focused particle beam system |
| JP2003121992A (ja) | 2001-10-15 | 2003-04-23 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスクの白欠陥修正方法 |
| DE10338019A1 (de) | 2003-08-19 | 2005-03-24 | Nawotec Gmbh | Verfahren zum hochaufgelösten Bearbeiten dünner Schichten mit Elektronenstrahlen |
| US7018683B2 (en) | 2004-06-15 | 2006-03-28 | Sii Nanotechnology Inc. | Electron beam processing method |
| US7220671B2 (en) * | 2005-03-31 | 2007-05-22 | Intel Corporation | Organometallic precursors for the chemical phase deposition of metal films in interconnect applications |
| US7727682B2 (en) | 2007-03-21 | 2010-06-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for providing phase shift mask passivation layer |
| US8303833B2 (en) | 2007-06-21 | 2012-11-06 | Fei Company | High resolution plasma etch |
| JP4719262B2 (ja) | 2008-09-30 | 2011-07-06 | 株式会社東芝 | フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの欠陥修正システム及びフォトマスクの欠陥修正プログラム |
| JP5507860B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2014-05-28 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
| DE102009033319B4 (de) * | 2009-07-15 | 2019-02-21 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Partikelstrahl-Mikroskopiesystem und Verfahren zum Betreiben desselben |
| KR101663173B1 (ko) | 2009-10-09 | 2016-10-07 | 삼성전자주식회사 | 알카리 세정에 내성을 갖는 위상 반전 마스크 및 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
| US8629407B2 (en) * | 2011-04-13 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Contamination inspection |
| JP5772185B2 (ja) * | 2011-04-25 | 2015-09-02 | 富士通セミコンダクター株式会社 | パターン欠陥修正方法及びパターン欠陥修正装置 |
| US9721754B2 (en) | 2011-04-26 | 2017-08-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and apparatus for processing a substrate with a focused particle beam |
| DE102011079382B4 (de) * | 2011-07-19 | 2020-11-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Analysieren und zum Beseitigen eines Defekts einer EUV Maske |
| US8605276B2 (en) * | 2011-11-01 | 2013-12-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Enhanced defect scanning |
| DE102013203995B4 (de) | 2013-03-08 | 2020-03-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Schützen eines Substrats während einer Bearbeitung mit einem Teilchenstrahl |
| JP2015194673A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-11-05 | 大日本印刷株式会社 | マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法 |
| US9494855B2 (en) * | 2014-03-12 | 2016-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography-oriented photomask repair |
| CN106200256B (zh) * | 2014-08-25 | 2020-07-10 | 株式会社 S&S Tech | 相位反转空白掩模及光掩模 |
| US9659768B2 (en) * | 2014-12-23 | 2017-05-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Focused radiation beam induced thin film deposition |
| US9625808B2 (en) | 2015-02-13 | 2017-04-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Durable metal film deposition for mask repair |
| US20160258053A1 (en) * | 2015-03-03 | 2016-09-08 | Joseph Robert Pickens | Machine and Process for building 3-Dimensional Metal and Composite Structures by Using Carbonyl and Other Gases |
| US9915866B2 (en) * | 2015-11-16 | 2018-03-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Focused radiation beam induced deposition |
| US9910350B2 (en) * | 2015-11-16 | 2018-03-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Method for repairing a mask |
| DE102016203094B4 (de) | 2016-02-26 | 2022-02-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum dauerhaften Reparieren von Defekten fehlenden Materials einer photolithographischen Maske |
-
2016
- 2016-02-26 DE DE102016203094.9A patent/DE102016203094B4/de active Active
-
2017
- 2017-02-20 TW TW106105551A patent/TWI664312B/zh active
- 2017-02-24 KR KR1020170024826A patent/KR101997960B1/ko active IP Right Grant
- 2017-02-24 CN CN202310546066.XA patent/CN116661237A/zh active Pending
- 2017-02-24 CN CN201710106325.1A patent/CN107132725A/zh active Pending
- 2017-02-24 US US15/441,678 patent/US10372032B2/en active Active
-
2019
- 2019-06-26 US US16/452,632 patent/US10732501B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW480660B (en) * | 1999-04-21 | 2002-03-21 | Seiko Instr Inc | Method of correcting phase shift mask and focused ion beam device |
| JP2005539273A (ja) * | 2002-09-18 | 2005-12-22 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | フォトリソグラフィ用マスクの修正 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11886126B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-01-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Apparatus and method for removing a single particulate from a substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10732501B2 (en) | 2020-08-04 |
| US10372032B2 (en) | 2019-08-06 |
| DE102016203094A1 (de) | 2017-08-31 |
| CN107132725A (zh) | 2017-09-05 |
| KR101997960B1 (ko) | 2019-07-08 |
| DE102016203094B4 (de) | 2022-02-10 |
| US20170248842A1 (en) | 2017-08-31 |
| US20190317395A1 (en) | 2019-10-17 |
| KR20170101149A (ko) | 2017-09-05 |
| CN116661237A (zh) | 2023-08-29 |
| TW201730368A (zh) | 2017-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI664312B (zh) | 用於永久修復光罩上材料缺損的缺陷的方法和裝置 | |
| JP5930022B2 (ja) | 集束粒子ビームを用いて基板を処理する方法及び装置 | |
| TWI286273B (en) | Methods for repairing an alternating phase-shift mask | |
| TW559939B (en) | Apparatus and method for fabricating and repairing a mask | |
| US6753538B2 (en) | Electron beam processing | |
| US20140255831A1 (en) | Method and apparatus for protecting a substrate during processing by a particle beam | |
| Liang et al. | Progress in extreme ultraviolet mask repair using a focused ion beam | |
| JP2022106773A (ja) | マスクブランクの欠陥を補償する方法及び装置 | |
| CN104516193A (zh) | 空白掩模和光掩模 | |
| Liang et al. | Damage-free mask repair using electron-beam-induced chemical reactions | |
| US20230109566A1 (en) | Method and apparatus for setting a side wall angle of a pattern element of a photolithographic mask | |
| KR102415776B1 (ko) | 포토리소그래피 마스크를 수리하기 위한 장치 및 방법 | |
| JP5053030B2 (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法、製造方法および欠陥修正装置 | |
| US20230152685A1 (en) | Method and apparatus for repairing a defect of a lithographic mask | |
| US20230305386A1 (en) | Method and apparatus for mask repair | |
| CN116057468A (zh) | 用于蚀刻光刻掩模的方法与设备 | |
| CN115793382A (zh) | 微光刻光掩模的缺陷的粒子束诱导处理方法 |