JP6972312B2 - 荷電粒子ビーム装置及びその装置を動作させるシステム及び方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム装置及びその装置を動作させるシステム及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6972312B2 JP6972312B2 JP2020512575A JP2020512575A JP6972312B2 JP 6972312 B2 JP6972312 B2 JP 6972312B2 JP 2020512575 A JP2020512575 A JP 2020512575A JP 2020512575 A JP2020512575 A JP 2020512575A JP 6972312 B2 JP6972312 B2 JP 6972312B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beamlets
- beamlet
- scan
- sample
- level
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 58
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 87
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 73
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 187
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 89
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/21—Means for adjusting the focus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
- H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
[001] 本願は、2017年9月19日に提出された米国出願第62/560,622号の優先権を主張するものであり、同出願は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
ビームレットのアレイによって形成されたサンプルの画像を検出するように構成されたディテクタと、
検出された画像に基づいて焦点面とサンプルとの間の離間のレベルを推定し、その後、推定されたレベルに基づいて離間のレベルを減少させるように構成されたプロセッサと、
を備える、荷電粒子ビーム装置。
ビームレット形成ユニットを制御して、ビームレットのアレイのうち少なくともビームレットの第1のサブセットを用いてサンプルの第1のスキャンを実施してサンプルの画像を形成し、
サンプルの画像に基づいて離間のレベルを減少させ、
ビームレット形成ユニットを制御して、ビームレットのアレイのうち少なくともビームレットの第2のサブセットを用いてサンプルの第2のスキャンを実施する、
ように構成されている、条項1から5のいずれか一項の装置。
ビームレットのアレイの第1の部分は焦点面上に合焦され、ビームレットのアレイの第2の部分は焦点面に対してデフォーカスレベルを有する少なくとも1つのビームレットを有するところ、サンプル上でームレットのアレイを形成することと、
ビームレットのアレイによって形成されたサンプルの画像を検出することと、
検出された画像に基づいて焦点面とサンプルとの間の離間のレベルを推定することと、
推定されたレベルに基づいて離間のレベルを減少させることと、
を備える、方法。
ビームレットの第1のサブセットによって形成されたサンプルの画像に基づいて離間のレベルを減少させることと、
ビームレットのアレイのうち少なくともビームレットの第2のサブセットを用いてサンプルの第2のスキャンを実施することと、
を更に備える、条項24の方法。
ビームレットのアレイの第1の部分は焦点面上に合焦され、ビームレットのアレイの第2の部分は焦点面に対してデフォーカスレベルを有する少なくとも1つのビームレットを有するところ、ビームレットのアレイによって形成されたサンプルの画像に基づいて焦点面とサンプルとの間の離間のレベルを推定することと、
推定されたレベルに基づいて離間のレベルを調節することと、
を備える、方法。
ビームレットのアレイの第1の部分は焦点面上に合焦され、ビームレットのアレイの第2の部分は焦点面に対してデフォーカスレベルを有する少なくとも1つのビームレットを有するところ、ビームレットのアレイによって形成されたサンプルの画像に基づいて焦点面とサンプルとの間の離間のレベルを推定することと、
推定されたレベルに基づいて離間のレベルを調節することと、
を備える、非一時的コンピュータ可読媒体。
Claims (15)
- サンプル上でビームレットのアレイを形成及びスキャンするように構成されたビームレット形成ユニットであって、前記ビームレットのアレイの第1の部分は焦点面上に合焦され、前記ビームレットのアレイの第2の部分は前記焦点面に対してデフォーカスレベルを有する少なくとも1つのビームレットを有する、ビームレット形成ユニットと、
前記ビームレットのアレイによって形成された前記サンプルの画像を検出するように構成されたディテクタと、
前記検出された画像に基づいて前記焦点面と前記サンプルとの間の離間のレベルを推定し、その後、前記推定されたレベルに基づいて前記離間のレベルを減少させるように構成されたプロセッサと、
を備える、荷電粒子ビーム装置。 - 前記ディテクタは、前記ビームレットのアレイによって形成された前記画像の信号をそれぞれ検出する検出素子のアレイを含む、請求項1の装置。
- 前記プロセッサは更に、前記ビームレット形成ユニットの合焦素子の合焦パワーを調節して前記離間のレベルを減少させるように構成されている、請求項1の装置。
- 前記プロセッサは更に、前記サンプルを移動させて前記離間のレベルを減少させるように構成されている、請求項1のシステム。
- 前記ビームレットのアレイの前記第2の部分の1つのビームレットが前記焦点面上に合焦される、請求項1の装置。
- 前記プロセッサは更に、
前記ビームレット形成ユニットを制御して、前記ビームレットのアレイのうち少なくともビームレットの第1のサブセットを用いて前記サンプルの第1のスキャンを実施して前記サンプルの画像を形成し、
前記サンプルの画像に基づいて前記離間のレベルを減少させ、
前記ビームレット形成ユニットを制御して、前記ビームレットのアレイのうち少なくともビームレットの第2のサブセットを用いて前記サンプルの第2のスキャンを実施する
ように構成されている、請求項1の装置。
- 前記ビームレットの第1のサブセットが前記第2の部分のビームレットのサブセットを含むか、
前記ビームレットの第1のサブセットが、前記第1の部分の前記ビームレットと、前記第2の部分のビームレットのサブセットとを含むか、
前記ビームレットの第2のサブセットが前記第1の部分の前記ビームレットを含むか、
前記ビームレットの第2のサブセットが、前記第1の部分の前記ビームレットと、前記第2の部分のビームレットのサブセットとを含むか、又は
前記ビームレットの第2のサブセットが前記第1の部分の前記ビームレットを含む、請求項6の装置。 - 前記第2の部分の各ビームレットのスキャン条件は、前記第1の部分の各ビームレットのスキャン条件とは異なる、請求項6の装置。
- 前記スキャン条件は、スキャンエリアである、請求項8の装置。
- 前記第2の部分の各ビームレットの前記スキャンエリアは、前記第1の部分の各ビームレットの前記スキャンエリアよりも小さい、請求項9の装置。
- 前記スキャン条件は、スキャン周波数である、請求項8の装置。
- 前記第2の部分の各ビームレットの前記スキャン周波数は、前記第1の部分の各ビームレットの前記スキャン周波数よりも高い、請求項11の装置。
- 前記スキャン条件は、スキャン方向である、請求項8の装置。
- コントローラによって実行される、荷電粒子ビームシステムを制御する方法であって、
ビームレットのアレイの第1の部分は焦点面上に合焦され、前記ビームレットのアレイの第2の部分は前記焦点面に対してデフォーカスレベルを有する少なくとも1つのビームレットを有するところ、前記ビームレットのアレイによって形成されたサンプルの画像に基づいて前記焦点面と前記サンプルとの間の離間のレベルを推定することと、
前記推定されたレベルに基づいて前記離間のレベルを調節することと、
を備える、方法。 - コントローラの少なくとも1つのプロセッサによって実行可能な命令のセットを記憶して、前記コントローラに、荷電粒子ビームシステムを制御する方法を実行させる、非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記方法は、
ビームレットのアレイの第1の部分は焦点面上に合焦され、前記ビームレットのアレイの第2の部分は前記焦点面に対してデフォーカスレベルを有する少なくとも1つのビームレットを有するところ、前記ビームレットのアレイによって形成されたサンプルの画像に基づいて前記焦点面と前記サンプルとの間の離間のレベルを推定することと、
前記推定されたレベルに基づいて前記離間のレベルを調節することと、
を備える、非一時的コンピュータ可読媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021179113A JP7244606B2 (ja) | 2017-09-19 | 2021-11-02 | 荷電粒子ビーム装置およびコンピュータ可読媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762560622P | 2017-09-19 | 2017-09-19 | |
US62/560,622 | 2017-09-19 | ||
PCT/EP2018/074985 WO2019057644A1 (en) | 2017-09-19 | 2018-09-14 | CHARGED PARTICLE BEAM APPARATUS, AND SYSTEMS AND METHODS OF OPERATING THE APPARATUS |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021179113A Division JP7244606B2 (ja) | 2017-09-19 | 2021-11-02 | 荷電粒子ビーム装置およびコンピュータ可読媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020534638A JP2020534638A (ja) | 2020-11-26 |
JP6972312B2 true JP6972312B2 (ja) | 2021-11-24 |
Family
ID=63586751
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020512575A Active JP6972312B2 (ja) | 2017-09-19 | 2018-09-14 | 荷電粒子ビーム装置及びその装置を動作させるシステム及び方法 |
JP2021179113A Active JP7244606B2 (ja) | 2017-09-19 | 2021-11-02 | 荷電粒子ビーム装置およびコンピュータ可読媒体 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021179113A Active JP7244606B2 (ja) | 2017-09-19 | 2021-11-02 | 荷電粒子ビーム装置およびコンピュータ可読媒体 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11798777B2 (ja) |
EP (1) | EP3685421A1 (ja) |
JP (2) | JP6972312B2 (ja) |
KR (1) | KR102378925B1 (ja) |
CN (1) | CN111213219B (ja) |
IL (1) | IL273309B1 (ja) |
TW (3) | TWI691804B (ja) |
WO (1) | WO2019057644A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG11201806100PA (en) * | 2016-01-27 | 2018-08-30 | Hermes Microvision Inc | Apparatus of plural charged-particle beams |
EP3977500A1 (en) * | 2019-05-31 | 2022-04-06 | ASML Netherlands B.V. | Multiple charged-particle beam apparatus and methods of operating the same |
US10928336B1 (en) * | 2019-07-29 | 2021-02-23 | Applied Materials Israel Ltd. | X-ray based evaluation of a status of a structure of a substrate |
DE102019005362A1 (de) | 2019-07-31 | 2021-02-04 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vielzahl-Teilchenstrahlsystems unter Veränderung der numerischen Apertur, zugehöriges Computerprogrammprodukt und Vielzahl-Teilchenstrahlsystem |
TWI834015B (zh) * | 2019-12-19 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 帶電粒子多射束系統及相關的非暫時性電腦可讀媒體 |
US11562879B2 (en) * | 2020-09-15 | 2023-01-24 | Nuflare Technology, Inc. | Low-blur electrostatic transfer lens for multi-beam electron gun |
DE102021200799B3 (de) * | 2021-01-29 | 2022-03-31 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren mit verbesserter Fokuseinstellung unter Berücksichtigung eines Bildebenenkipps in einem Vielzahl-Teilchenstrahlmikroskop |
EP4113570A1 (en) * | 2021-06-29 | 2023-01-04 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment system and method of aligning a sample in a charged particle assessment system |
KR20240034830A (ko) * | 2021-07-22 | 2024-03-14 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자 시스템의 전자 소스 안정화를 위한 시스템 및 장치 |
US20230245291A1 (en) * | 2022-01-28 | 2023-08-03 | Fei Company | Automatic particle beam focusing |
EP4303908A1 (en) * | 2022-07-05 | 2024-01-10 | ASML Netherlands B.V. | Assessment apparatus using a plurality of charged particle beams |
WO2024008493A1 (en) * | 2022-07-05 | 2024-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Assessment apparatus and methods |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3994691B2 (ja) * | 2001-07-04 | 2007-10-24 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置および自動非点収差調整方法 |
JP3684943B2 (ja) | 1999-10-19 | 2005-08-17 | 株式会社日立製作所 | ビーム走査形検査装置 |
JP2007087639A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Ebara Corp | 電子線装置及びパターン評価方法 |
WO2007067296A2 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-14 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
JP4995542B2 (ja) * | 2006-11-06 | 2012-08-08 | 株式会社トプコン | 荷電粒子ビーム装置のオートフォーカス方法、コンピュータプログラム、及び、記録媒体 |
JP4857101B2 (ja) | 2006-12-21 | 2012-01-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プローブ評価方法 |
JP2010244740A (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Hitachi High-Technologies Corp | レビュー装置、及びレビュー方法 |
WO2012112894A2 (en) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | Applied Materials Israel, Ltd. | Focusing a charged particle imaging system |
JP5890652B2 (ja) | 2011-10-28 | 2016-03-22 | 株式会社荏原製作所 | 試料観察装置及び試料観察方法 |
US10325753B2 (en) * | 2015-09-23 | 2019-06-18 | Kla Tencor Corporation | Method and system for focus adjustment of a multi-beam scanning electron microscopy system |
CN108027499B (zh) * | 2015-09-23 | 2021-02-12 | 科磊股份有限公司 | 用于多波束扫描式电子显微系统的聚焦调整的方法及系统 |
DE102015013698B9 (de) * | 2015-10-22 | 2017-12-21 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenmikroskops |
US11302511B2 (en) * | 2016-02-04 | 2022-04-12 | Kla Corporation | Field curvature correction for multi-beam inspection systems |
DE102016203094B4 (de) * | 2016-02-26 | 2022-02-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum dauerhaften Reparieren von Defekten fehlenden Materials einer photolithographischen Maske |
-
2018
- 2018-09-14 WO PCT/EP2018/074985 patent/WO2019057644A1/en unknown
- 2018-09-14 IL IL273309A patent/IL273309B1/en unknown
- 2018-09-14 CN CN201880060710.XA patent/CN111213219B/zh active Active
- 2018-09-14 JP JP2020512575A patent/JP6972312B2/ja active Active
- 2018-09-14 KR KR1020207007935A patent/KR102378925B1/ko active IP Right Grant
- 2018-09-14 EP EP18769713.1A patent/EP3685421A1/en active Pending
- 2018-09-18 TW TW107132735A patent/TWI691804B/zh active
- 2018-09-18 TW TW110139089A patent/TW202230428A/zh unknown
- 2018-09-18 TW TW109109852A patent/TWI747213B/zh active
-
2020
- 2020-03-19 US US16/824,499 patent/US11798777B2/en active Active
-
2021
- 2021-11-02 JP JP2021179113A patent/JP7244606B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3685421A1 (en) | 2020-07-29 |
TWI747213B (zh) | 2021-11-21 |
KR102378925B1 (ko) | 2022-03-25 |
JP2020534638A (ja) | 2020-11-26 |
JP7244606B2 (ja) | 2023-03-22 |
TW202046018A (zh) | 2020-12-16 |
CN111213219B (zh) | 2023-03-10 |
TW201921155A (zh) | 2019-06-01 |
US20200286707A1 (en) | 2020-09-10 |
TW202230428A (zh) | 2022-08-01 |
KR20200040290A (ko) | 2020-04-17 |
US11798777B2 (en) | 2023-10-24 |
WO2019057644A1 (en) | 2019-03-28 |
JP2022023964A (ja) | 2022-02-08 |
CN111213219A (zh) | 2020-05-29 |
IL273309B1 (en) | 2024-09-01 |
IL273309A (en) | 2020-04-30 |
TWI691804B (zh) | 2020-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6972312B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置及びその装置を動作させるシステム及び方法 | |
US10727026B2 (en) | Charged particle beam inspection method | |
US10768126B2 (en) | Multiple charged particle beam inspection apparatus and multiple charged particle beam inspection method | |
WO2013187115A1 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP2020009755A (ja) | マルチ電子ビーム照射装置、マルチ電子ビーム照射方法、及びマルチ電子ビーム検査装置 | |
JP7094782B2 (ja) | 電子ビーム検査装置及び電子ビーム検査方法 | |
US20190355546A1 (en) | Multiple electron beam image acquisition apparatus and multiple electron beam image acquisition method | |
JP2017216392A (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
JP2004342341A (ja) | ミラー電子顕微鏡及びそれを用いたパターン欠陥検査装置 | |
JP2020021733A (ja) | 電子光学系及びマルチビーム画像取得装置 | |
US11004193B2 (en) | Inspection method and inspection apparatus | |
TWI821618B (zh) | 藉由多光束裝置執行以形成樣本之影像的方法及相關的多光束裝置 | |
US20230077403A1 (en) | Multi-electron beam image acquisition apparatus, and multi-electron beam image acquisition method | |
US20180261424A1 (en) | Electron beam inspection apparatus and electron beam inspection method | |
JP7438388B2 (ja) | 荷電粒子ビーム検査における電荷蓄積低減に基づく画像向上 | |
US20220392741A1 (en) | Systems and methods of profiling charged-particle beams | |
KR20220106057A (ko) | 멀티 빔 화상 취득 장치 및 멀티 빔 화상 취득 방법 | |
WO2024061632A1 (en) | System and method for image resolution characterization | |
WO2023208496A1 (en) | System and method for improving image quality during inspection |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200415 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210324 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210628 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211004 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6972312 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |