JP2003121992A - ハーフトーン型位相シフトマスクの白欠陥修正方法 - Google Patents
ハーフトーン型位相シフトマスクの白欠陥修正方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ハーフトーン型位相シフトマスクの遮光パター
ンの白欠陥を精度良く修正できるハーフトーン型位相シ
フトマスクの白欠陥の修正方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】ハーフトーン型位相シフトマスクの位相シ
フターに発生した白欠陥をＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉ
ｏｎ Ｂｅａｍ）修正機にて修正するハーフトーン型位
相シフトマスクの白欠陥修正方法であって、ＦＩＢ装置
を用いて白欠陥に相当する部分にイオンエッチングによ
り掘り込み部を形成し、掘り込み部の深さを露光波長に
応じたに深さに設定して位相シフト効果を発生させ、掘
り込み部の底部に位相シフターとほぼ同透過率の遮光薄
膜を形成することにより、位相シフターに発生した白欠
陥を修正する。
ンの白欠陥を精度良く修正できるハーフトーン型位相シ
フトマスクの白欠陥の修正方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】ハーフトーン型位相シフトマスクの位相シ
フターに発生した白欠陥をＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉ
ｏｎ Ｂｅａｍ）修正機にて修正するハーフトーン型位
相シフトマスクの白欠陥修正方法であって、ＦＩＢ装置
を用いて白欠陥に相当する部分にイオンエッチングによ
り掘り込み部を形成し、掘り込み部の深さを露光波長に
応じたに深さに設定して位相シフト効果を発生させ、掘
り込み部の底部に位相シフターとほぼ同透過率の遮光薄
膜を形成することにより、位相シフターに発生した白欠
陥を修正する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路等
の製造に際して使用されるハーフトーン型位相シフトマ
スクのマスクパターンの白欠陥修正方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイスの製造
において半導体ウェハに微細パターンを転写する際に使
用されるフォトマスクは、デバイスパターンの微細化が
進むにつれ、微細化、高精度化の要求が益々強くなって
いる。ステッパ等の投影露光装置に使用されるフォトマ
スクとして、そのフォトマスクを通過する投影露光光に
位相差を与えて高解像度のパターン転写を可能にした位
相シフトマスクは既に知られている。この位相シフトマ
スクには、従来より、種々の形式のものが提案されてお
り、例えば、マスク上でパターンを形成する隣り合う一
対の開口部のうちの一方に露光光の位相を反転させるよ
うな透明膜を設けた構造のレベンソン型位相シフトマス
クや、形成すべきパターンの周辺部に解像限界以下の位
相シフターを形成した構造の補助パターン付位相シフト
マスクや、マスク上のパターンに半透明の位相シフター
を設けたハーフトーン型位相シフトマスク等が知られて
いる。 【０００３】ハーフトーン型位相シフトマスクというの
は、投影露光光に対して部分透過性を有する半透明な位
相シフターパターンを基板上に形成して、その位相パタ
ーンの境界部において光強度がゼロの部分でパターンを
分離するようにした位相シフトマスクである。上記ハー
フトーン型位相シフトマスクはマスク作成後及びステッ
パ等の投影露光装置にて半導体ウェハ上にパターン焼付
け転写する前にマスク検査を行い、もし、欠陥が見つか
れば、欠陥の修正が行われる。特に、レチクルマスクで
はパターン欠陥が全くないことが要求され、この段階で
のマスク検査、修正技術が重要になっている。 【０００４】一般に、フォトマスクの欠陥としては、遮
光膜があるべきところに遮光膜がない白欠陥と、透過領
域に余分な遮光膜が残存してしまう黒欠陥とがある。こ
こでは、ハーフトーン型位相シフトマスクの位相シフタ
ーの一部分に発生した白欠陥の修正法について説明す
る。図３（ａ）に、位相シフター２１のパターンエッジ
に白欠陥３１が発生したハーフトーン型位相シフトマス
ク１０の模式平面図を、図３（ｂ）に、図３（ａ）の模
式平面図をＡ−Ａ’線で切断したハーフトーン型位相シ
フトマスク１０の模式構成断面図を、図４（ａ）に、Ｆ
ＩＢ装置を用いて白欠陥３１を修正したハーフトーン型
位相シフトマスク３０の模式平面図を、図４（ｂ）に、
図４（ａ）の模式平面図をＡ−Ａ’線で切断したハーフ
トーン型位相シフトマスク３０の模式構成断面図をそれ
ぞれ示す。 【０００５】まず、石英基板等からなる透明基板１１上
にジルコニウムシリサイド薄膜等からなる位相シフター
２１が形成されており、位相シフター２１のパターンエ
ッジに白欠陥３１が発生したハーフトーン型位相シフト
マスク１０がある（図３（ａ）及び（ｂ）参照）。次
に、ピレン（Ｃ16Ｈ10）、スチレン（Ｃ8Ｈ8）などの炭
化水素系ガスをハーフトーン型位相シフトマスク１０の
白欠陥３１の部分に放出した状態にしておき、ＦＩＢ
（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ：収束イオンビー
ム）装置を使って、白欠陥３１の修正したい形状にＧａ
イオンビームを照射することにより、白欠陥３１部に炭
素膜からなる遮光膜５１を形成し、白欠陥３１を修正す
ることができる（図４（ａ）及び（ｂ）参照）。ここ
で、遮光膜５１の光学濃度は位相シフター２１の光学濃
度とほぼ同じ値に調整することにより、遮光膜５１の透
過率を位相シフター２１とほぼ同じにすることはできる
が、遮光膜５１は位相シフター２１と別材料であるた
め、位相シフター２１と同じ位相差にすることはできな
い。さらに、炭素膜からなる遮光膜５１近傍に遮光膜５
１より光学濃度の低い炭素薄膜領域（以降ハローと呼
ぶ）５２が発生する。このハロー５２はある光学濃度を
有しているため、欠陥修正部の解像性が低下し、上記位
相シフター２１と同位相差にできないことと併せて、位
相シフター２１のパターン再現性及び解像性を低下させ
るという問題を有する。 【０００６】図３（ｃ）〜（ｄ）に、位相シフター２１
のパターンエッジに白欠陥３１が発生したハーフトーン
型位相シフトマスク１０の光学的挙動を示す。図３
（ｃ）は、白欠陥が存在するＡ−Ａ’部を透過する光の
位相振幅である。図３（ｄ）は、Ａ−Ａ’部を透過する
光の強度であり、白欠陥３１の存在により多くの光が透
過し、欠陥部の強度ＩDは、欠陥がない部分の強度Ｉ0よ
り大きくなる。 【０００７】図４（ｃ）〜（ｄ）に、ＦＩＢ装置を用い
て白欠陥を修正したハーフトーン型位相シフトマスク３
０の光学的挙動を示す。図４（ｃ）は、白欠陥部を炭素
膜にて修正したＡ−Ａ’部の位相振幅である。炭素膜５
１に相当する部分は位相シフト効果がなく、また、ハロ
ー５２の部分は振幅低下が見られる。図４（ｄ）は、Ａ
−Ａ’部を透過する光の強度であり、炭素膜５１の存在
で位相シフト効果が弱まり、遮光部の強度を見ると、修
正部の強度ＩR’は正常部の強度Ｉ0’より大きくなる。
また、ハロー５２の存在により強度の低下が起こり、Ｉ
RはＩ0より小さくなる。 【０００８】図５（ａ）に、白欠陥部にイオン照射によ
って形成した遮光膜５１及びハロー５２の模式平面図
を、図５（ｂ）に、図５（ａ）の模式平面図をＡ−Ａ’
線で切断した遮光膜５１及びハロー５２の模式構成断面
図を示す。図５（ｃ）〜（ｄ）に、上記遮光膜５１及び
ハロー５２の光学的挙動を示す。図５（ｃ）は、Ａ−
Ａ’部を透過する光の位相振幅であり、位相シフト効果
がないこと、ハロー５２エッジ部の振幅の低下があるこ
とを示している。図５（ｄ）は、Ａ−Ａ’部を透過する
透過光強度である。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑み考案されたもので、ハーフトーン型位相シフトマス
クの位相シフターの白欠陥を精度良く修正できるハーフ
トーン型位相シフトマスクの白欠陥の修正方法を提供す
ることを目的とする。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記問題
を解決するために、本発明では、ハーフトーン型位相シ
フトマスクの位相シフターパターンに発生した白欠陥を
ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）修正機に
て修正するハーフトーン型位相シフトマスクの白欠陥修
正方法であって、前記ＦＩＢ修正機により前記白欠陥に
相当する部分の石英基板からなる透明基板にＦＩＢエッ
チングにて掘り込み部を形成し、前記掘り込み部の深さ
を露光波長に応じたに深さに設定して位相シフト効果を
発生させ、前記掘り込み部の底部に位相シフターとほぼ
同透過率の遮光薄膜を形成することを特徴とするハーフ
トーン型位相シフトマスクの白欠陥修正方法としたもの
である。 【００１１】 【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの白
欠陥修正方法は、ＦＩＢ装置を用いて白欠陥に相当する
部分にイオンエッチングにより掘り込み部を形成し、掘
り込み部の深さを露光波長に応じたに深さに設定して位
相シフト効果を発生させ、掘り込み部の底部に位相シフ
ターとほぼ同透過率の遮光薄膜を形成することにより、
位相シフターに発生した白欠陥を修正するものである。
図１（ａ）及び（ｂ）に、位相シフター２１のパターン
エッジに白欠陥３１が発生したハーフトーン型位相シフ
トマスク１０の模式平面図及び模式構成断面図を、図１
（ｃ）に、本発明の白欠陥の修正方法にて修正したハー
フトーン型位相シフトマスク２０の模式構成断面図をそ
れぞれ示す。まず、石英基板等からなる透明基板１１上
にジルコニウムシリサイド薄膜等からなる位相シフター
２１が形成されたハーフトーン型位相シフトマスクを検
査して、位相シフター２１のパターンエッジに白欠陥３
１が発生したハーフトーン型位相シフトマスク１０を選
定する（図１（ａ）及び（ｂ）参照）。 【００１２】次に、ＦＩＢ装置（Ａｃｃｕｒａ８００：
ＦＥＩ社製）を用いて位相シフター２１のパターンエッ
ジの白欠陥３１に相当する部分に、Ｇａイオンを照射
し、イオンエッチングにて、深さ０．２５μｍの掘り込
み部４１を形成し、さらに、掘り込み部４１にピレン
（Ｃ16Ｈ10）、スチレン（Ｃ8Ｈ8）などの炭化水素系ガ
スを放出した状態にしておき、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ
Ｉｏｎ Ｂｅａｍ：収束イオンビーム）装置を使っ
て、掘り込み部４１にＧａイオンビームを照射すること
により、掘り込み部４１の底部に位相シフター２１とほ
ぼ同じ透過率の炭素膜からなる遮光薄膜４２を形成する
（図１（ｃ）参照）。ここで、掘り込み部４１の深さ
０．２５μｍは位相シフター２１と同じ位相シフト効果
を発生させ、遮光薄膜４２にて位相シフター２１と同じ
透過率を得ている。また、遮光薄膜４２と同等な透過率
は、イオン打ち込みよっても達成できる。それは、掘り
込み部４１の底部にイオンを打ち込むことにより、内部
に残留したイオンの存在により、透明（Ｑｚ）基板１１
の透過性をもたらすＳｉＯ2非晶質構造が部分的に損な
われるため、掘り込み部４１の底部の透過率は低下する このことにより、白欠陥３１の修正部分の透過率、位相
差をともに位相シフター２１と同じ状態に形成でき、位
相シフト効果を損なわない白欠陥修正を行うことができ
る。図１（ｄ）及び（ｅ）に、掘り込み部４１を含めた
位相シフター２１の光学的挙動を示す。図１（ｄ）は、
Ａ−Ａ’部の位相振幅であり、掘り込み部４１に相当す
る部分で位相シフト効果が発生していることを示してい
る図１（ｅ）は、Ａ−Ａ’部の透過光強度であり、掘り
込み部４１の位相シフト効果の影響で、修正部の光学特
性は正常部と同等になり、Ｉ0とＩR、Ｉ0’とＩR’は等
しくなる。 【００１３】図２（ａ）に、イオン照射によって形成さ
れた掘り込み部４１の模式平面図を、図２（ｂ）に、図
２（ａ）の模式平面図をＡ−Ａ’線で切断した掘り込み
部４１の模式構成断面図を示す。図２（ｃ）及び（ｄ）
に、掘り込み部４１の光学的挙動を示す。図２（ｃ）
は、Ａ−Ａ’部の位相振幅であり、掘り込み部４１と遮
光薄膜４２によって位相シフト膜と同等の光学特性を示
している。図２（ｄ）は、Ａ−Ａ’部の透過光強度であ
り、位相シフト効果によって、掘り込み部４１の境界部
に強度０点が形成され、解像性の向上をもたらす。 【００１４】 【発明の効果】本発明のハーフトーン型位相シフトマス
クの白欠陥修正方法を用いることにより、白欠陥の修正
部分の透過率、位相差をともに位相シフターと同じ状態
に形成でき、位相シフト効果を損なわない、欠陥のない
高精度のハーフトーン型位相シフトマスクを作製するこ
とができる。そのため、パターンの微細化や露光波長の
短波長化にも容易に対応できる。
の製造に際して使用されるハーフトーン型位相シフトマ
スクのマスクパターンの白欠陥修正方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイスの製造
において半導体ウェハに微細パターンを転写する際に使
用されるフォトマスクは、デバイスパターンの微細化が
進むにつれ、微細化、高精度化の要求が益々強くなって
いる。ステッパ等の投影露光装置に使用されるフォトマ
スクとして、そのフォトマスクを通過する投影露光光に
位相差を与えて高解像度のパターン転写を可能にした位
相シフトマスクは既に知られている。この位相シフトマ
スクには、従来より、種々の形式のものが提案されてお
り、例えば、マスク上でパターンを形成する隣り合う一
対の開口部のうちの一方に露光光の位相を反転させるよ
うな透明膜を設けた構造のレベンソン型位相シフトマス
クや、形成すべきパターンの周辺部に解像限界以下の位
相シフターを形成した構造の補助パターン付位相シフト
マスクや、マスク上のパターンに半透明の位相シフター
を設けたハーフトーン型位相シフトマスク等が知られて
いる。 【０００３】ハーフトーン型位相シフトマスクというの
は、投影露光光に対して部分透過性を有する半透明な位
相シフターパターンを基板上に形成して、その位相パタ
ーンの境界部において光強度がゼロの部分でパターンを
分離するようにした位相シフトマスクである。上記ハー
フトーン型位相シフトマスクはマスク作成後及びステッ
パ等の投影露光装置にて半導体ウェハ上にパターン焼付
け転写する前にマスク検査を行い、もし、欠陥が見つか
れば、欠陥の修正が行われる。特に、レチクルマスクで
はパターン欠陥が全くないことが要求され、この段階で
のマスク検査、修正技術が重要になっている。 【０００４】一般に、フォトマスクの欠陥としては、遮
光膜があるべきところに遮光膜がない白欠陥と、透過領
域に余分な遮光膜が残存してしまう黒欠陥とがある。こ
こでは、ハーフトーン型位相シフトマスクの位相シフタ
ーの一部分に発生した白欠陥の修正法について説明す
る。図３（ａ）に、位相シフター２１のパターンエッジ
に白欠陥３１が発生したハーフトーン型位相シフトマス
ク１０の模式平面図を、図３（ｂ）に、図３（ａ）の模
式平面図をＡ−Ａ’線で切断したハーフトーン型位相シ
フトマスク１０の模式構成断面図を、図４（ａ）に、Ｆ
ＩＢ装置を用いて白欠陥３１を修正したハーフトーン型
位相シフトマスク３０の模式平面図を、図４（ｂ）に、
図４（ａ）の模式平面図をＡ−Ａ’線で切断したハーフ
トーン型位相シフトマスク３０の模式構成断面図をそれ
ぞれ示す。 【０００５】まず、石英基板等からなる透明基板１１上
にジルコニウムシリサイド薄膜等からなる位相シフター
２１が形成されており、位相シフター２１のパターンエ
ッジに白欠陥３１が発生したハーフトーン型位相シフト
マスク１０がある（図３（ａ）及び（ｂ）参照）。次
に、ピレン（Ｃ16Ｈ10）、スチレン（Ｃ8Ｈ8）などの炭
化水素系ガスをハーフトーン型位相シフトマスク１０の
白欠陥３１の部分に放出した状態にしておき、ＦＩＢ
（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ：収束イオンビー
ム）装置を使って、白欠陥３１の修正したい形状にＧａ
イオンビームを照射することにより、白欠陥３１部に炭
素膜からなる遮光膜５１を形成し、白欠陥３１を修正す
ることができる（図４（ａ）及び（ｂ）参照）。ここ
で、遮光膜５１の光学濃度は位相シフター２１の光学濃
度とほぼ同じ値に調整することにより、遮光膜５１の透
過率を位相シフター２１とほぼ同じにすることはできる
が、遮光膜５１は位相シフター２１と別材料であるた
め、位相シフター２１と同じ位相差にすることはできな
い。さらに、炭素膜からなる遮光膜５１近傍に遮光膜５
１より光学濃度の低い炭素薄膜領域（以降ハローと呼
ぶ）５２が発生する。このハロー５２はある光学濃度を
有しているため、欠陥修正部の解像性が低下し、上記位
相シフター２１と同位相差にできないことと併せて、位
相シフター２１のパターン再現性及び解像性を低下させ
るという問題を有する。 【０００６】図３（ｃ）〜（ｄ）に、位相シフター２１
のパターンエッジに白欠陥３１が発生したハーフトーン
型位相シフトマスク１０の光学的挙動を示す。図３
（ｃ）は、白欠陥が存在するＡ−Ａ’部を透過する光の
位相振幅である。図３（ｄ）は、Ａ−Ａ’部を透過する
光の強度であり、白欠陥３１の存在により多くの光が透
過し、欠陥部の強度ＩDは、欠陥がない部分の強度Ｉ0よ
り大きくなる。 【０００７】図４（ｃ）〜（ｄ）に、ＦＩＢ装置を用い
て白欠陥を修正したハーフトーン型位相シフトマスク３
０の光学的挙動を示す。図４（ｃ）は、白欠陥部を炭素
膜にて修正したＡ−Ａ’部の位相振幅である。炭素膜５
１に相当する部分は位相シフト効果がなく、また、ハロ
ー５２の部分は振幅低下が見られる。図４（ｄ）は、Ａ
−Ａ’部を透過する光の強度であり、炭素膜５１の存在
で位相シフト効果が弱まり、遮光部の強度を見ると、修
正部の強度ＩR’は正常部の強度Ｉ0’より大きくなる。
また、ハロー５２の存在により強度の低下が起こり、Ｉ
RはＩ0より小さくなる。 【０００８】図５（ａ）に、白欠陥部にイオン照射によ
って形成した遮光膜５１及びハロー５２の模式平面図
を、図５（ｂ）に、図５（ａ）の模式平面図をＡ−Ａ’
線で切断した遮光膜５１及びハロー５２の模式構成断面
図を示す。図５（ｃ）〜（ｄ）に、上記遮光膜５１及び
ハロー５２の光学的挙動を示す。図５（ｃ）は、Ａ−
Ａ’部を透過する光の位相振幅であり、位相シフト効果
がないこと、ハロー５２エッジ部の振幅の低下があるこ
とを示している。図５（ｄ）は、Ａ−Ａ’部を透過する
透過光強度である。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑み考案されたもので、ハーフトーン型位相シフトマス
クの位相シフターの白欠陥を精度良く修正できるハーフ
トーン型位相シフトマスクの白欠陥の修正方法を提供す
ることを目的とする。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記問題
を解決するために、本発明では、ハーフトーン型位相シ
フトマスクの位相シフターパターンに発生した白欠陥を
ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）修正機に
て修正するハーフトーン型位相シフトマスクの白欠陥修
正方法であって、前記ＦＩＢ修正機により前記白欠陥に
相当する部分の石英基板からなる透明基板にＦＩＢエッ
チングにて掘り込み部を形成し、前記掘り込み部の深さ
を露光波長に応じたに深さに設定して位相シフト効果を
発生させ、前記掘り込み部の底部に位相シフターとほぼ
同透過率の遮光薄膜を形成することを特徴とするハーフ
トーン型位相シフトマスクの白欠陥修正方法としたもの
である。 【００１１】 【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの白
欠陥修正方法は、ＦＩＢ装置を用いて白欠陥に相当する
部分にイオンエッチングにより掘り込み部を形成し、掘
り込み部の深さを露光波長に応じたに深さに設定して位
相シフト効果を発生させ、掘り込み部の底部に位相シフ
ターとほぼ同透過率の遮光薄膜を形成することにより、
位相シフターに発生した白欠陥を修正するものである。
図１（ａ）及び（ｂ）に、位相シフター２１のパターン
エッジに白欠陥３１が発生したハーフトーン型位相シフ
トマスク１０の模式平面図及び模式構成断面図を、図１
（ｃ）に、本発明の白欠陥の修正方法にて修正したハー
フトーン型位相シフトマスク２０の模式構成断面図をそ
れぞれ示す。まず、石英基板等からなる透明基板１１上
にジルコニウムシリサイド薄膜等からなる位相シフター
２１が形成されたハーフトーン型位相シフトマスクを検
査して、位相シフター２１のパターンエッジに白欠陥３
１が発生したハーフトーン型位相シフトマスク１０を選
定する（図１（ａ）及び（ｂ）参照）。 【００１２】次に、ＦＩＢ装置（Ａｃｃｕｒａ８００：
ＦＥＩ社製）を用いて位相シフター２１のパターンエッ
ジの白欠陥３１に相当する部分に、Ｇａイオンを照射
し、イオンエッチングにて、深さ０．２５μｍの掘り込
み部４１を形成し、さらに、掘り込み部４１にピレン
（Ｃ16Ｈ10）、スチレン（Ｃ8Ｈ8）などの炭化水素系ガ
スを放出した状態にしておき、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ
Ｉｏｎ Ｂｅａｍ：収束イオンビーム）装置を使っ
て、掘り込み部４１にＧａイオンビームを照射すること
により、掘り込み部４１の底部に位相シフター２１とほ
ぼ同じ透過率の炭素膜からなる遮光薄膜４２を形成する
（図１（ｃ）参照）。ここで、掘り込み部４１の深さ
０．２５μｍは位相シフター２１と同じ位相シフト効果
を発生させ、遮光薄膜４２にて位相シフター２１と同じ
透過率を得ている。また、遮光薄膜４２と同等な透過率
は、イオン打ち込みよっても達成できる。それは、掘り
込み部４１の底部にイオンを打ち込むことにより、内部
に残留したイオンの存在により、透明（Ｑｚ）基板１１
の透過性をもたらすＳｉＯ2非晶質構造が部分的に損な
われるため、掘り込み部４１の底部の透過率は低下する このことにより、白欠陥３１の修正部分の透過率、位相
差をともに位相シフター２１と同じ状態に形成でき、位
相シフト効果を損なわない白欠陥修正を行うことができ
る。図１（ｄ）及び（ｅ）に、掘り込み部４１を含めた
位相シフター２１の光学的挙動を示す。図１（ｄ）は、
Ａ−Ａ’部の位相振幅であり、掘り込み部４１に相当す
る部分で位相シフト効果が発生していることを示してい
る図１（ｅ）は、Ａ−Ａ’部の透過光強度であり、掘り
込み部４１の位相シフト効果の影響で、修正部の光学特
性は正常部と同等になり、Ｉ0とＩR、Ｉ0’とＩR’は等
しくなる。 【００１３】図２（ａ）に、イオン照射によって形成さ
れた掘り込み部４１の模式平面図を、図２（ｂ）に、図
２（ａ）の模式平面図をＡ−Ａ’線で切断した掘り込み
部４１の模式構成断面図を示す。図２（ｃ）及び（ｄ）
に、掘り込み部４１の光学的挙動を示す。図２（ｃ）
は、Ａ−Ａ’部の位相振幅であり、掘り込み部４１と遮
光薄膜４２によって位相シフト膜と同等の光学特性を示
している。図２（ｄ）は、Ａ−Ａ’部の透過光強度であ
り、位相シフト効果によって、掘り込み部４１の境界部
に強度０点が形成され、解像性の向上をもたらす。 【００１４】 【発明の効果】本発明のハーフトーン型位相シフトマス
クの白欠陥修正方法を用いることにより、白欠陥の修正
部分の透過率、位相差をともに位相シフターと同じ状態
に形成でき、位相シフト効果を損なわない、欠陥のない
高精度のハーフトーン型位相シフトマスクを作製するこ
とができる。そのため、パターンの微細化や露光波長の
短波長化にも容易に対応できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、位相シフター２１のパターンエッジ
に白欠陥３１が発生したハーフトーン型位相シフトマス
ク１０の模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）の模式平
面図をＡ−Ａ’線で切断したハーフトーン型位相シフト
マスク１０の模式構成断面図である。（ｃ）は、本発明
の白欠陥の修正方法にて修正したハーフトーン型位相シ
フトマスク２０の模式構成断面図である。（ｄ）〜
（ｅ）は、本発明の白欠陥の修正方法にて得られたハー
フトーン型位相シフトマスク２０の掘り込み部４１含め
た位相シフター２１の光学的挙動を示す。 【図２】（ａ）は、本発明の白欠陥の修正方法を用いて
白欠陥部にイオン照射によって形成した掘り込み部４１
の模式平面図を示す。（ｂ）は、（ａ）の模式平面図を
Ａ−Ａ’線で切断した掘り込み部４１及び遮光剥膜４２
の模式構成断面図を示す。（ｃ）〜（ｄ）は、掘り込み
部４１の光学的挙動を示す。 【図３】（ａ）は、位相シフター２１のパターンエッジ
に白欠陥３１が発生したハーフトーン型位相シフトマス
ク１０の模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）の模式平
面図をＡ−Ａ’線で切断したハーフトーン型位相シフト
マスク１０の模式構成断面図を示す。（ｃ）〜（ｄ）
は、位相シフター２１のパターンエッジに白欠陥３１が
発生したハーフトーン型位相シフトマスク３０の光学的
挙動を示す。 【図４】（ａ）は、ＦＩＢ装置を用いて白欠陥３１を修
正した従来のハーフトーン型位相シフトマスク３０の模
式平面図である。（ｂ）は、（ａ）の模式平面図をＡ−
Ａ’線で切断した従来のハーフトーン型位相シフトマス
ク３０の模式構成断面図である。（ｃ）〜（ｄ）は、Ｆ
ＩＢ装置を用いて白欠陥３１を修正した従来のハーフト
ーン型位相シフトマスク３０の光学的挙動を示す。 【図５】（ａ）は、白欠陥部にイオン照射によって形成
した遮光膜５１及びハロー５２の模式平面図を示す。
（ｂ）は、（ａ）の模式平面図をＡ−Ａ’線で切断した
遮光膜５１及びハロー５２の模式構成断面図を示す。
（ｃ）〜（ｄ）は、遮光膜５１及びハロー５２の光学的
挙動を示す。 【符号の説明】 １０、２０、３０……ハーフトーン型位相シフトマスク １１……透明基板 ２１……位相シフター ３１……白欠陥 ４１……掘り込み部 ４２……遮光薄膜 ５１……遮光膜 ５２……ハロー
に白欠陥３１が発生したハーフトーン型位相シフトマス
ク１０の模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）の模式平
面図をＡ−Ａ’線で切断したハーフトーン型位相シフト
マスク１０の模式構成断面図である。（ｃ）は、本発明
の白欠陥の修正方法にて修正したハーフトーン型位相シ
フトマスク２０の模式構成断面図である。（ｄ）〜
（ｅ）は、本発明の白欠陥の修正方法にて得られたハー
フトーン型位相シフトマスク２０の掘り込み部４１含め
た位相シフター２１の光学的挙動を示す。 【図２】（ａ）は、本発明の白欠陥の修正方法を用いて
白欠陥部にイオン照射によって形成した掘り込み部４１
の模式平面図を示す。（ｂ）は、（ａ）の模式平面図を
Ａ−Ａ’線で切断した掘り込み部４１及び遮光剥膜４２
の模式構成断面図を示す。（ｃ）〜（ｄ）は、掘り込み
部４１の光学的挙動を示す。 【図３】（ａ）は、位相シフター２１のパターンエッジ
に白欠陥３１が発生したハーフトーン型位相シフトマス
ク１０の模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）の模式平
面図をＡ−Ａ’線で切断したハーフトーン型位相シフト
マスク１０の模式構成断面図を示す。（ｃ）〜（ｄ）
は、位相シフター２１のパターンエッジに白欠陥３１が
発生したハーフトーン型位相シフトマスク３０の光学的
挙動を示す。 【図４】（ａ）は、ＦＩＢ装置を用いて白欠陥３１を修
正した従来のハーフトーン型位相シフトマスク３０の模
式平面図である。（ｂ）は、（ａ）の模式平面図をＡ−
Ａ’線で切断した従来のハーフトーン型位相シフトマス
ク３０の模式構成断面図である。（ｃ）〜（ｄ）は、Ｆ
ＩＢ装置を用いて白欠陥３１を修正した従来のハーフト
ーン型位相シフトマスク３０の光学的挙動を示す。 【図５】（ａ）は、白欠陥部にイオン照射によって形成
した遮光膜５１及びハロー５２の模式平面図を示す。
（ｂ）は、（ａ）の模式平面図をＡ−Ａ’線で切断した
遮光膜５１及びハロー５２の模式構成断面図を示す。
（ｃ）〜（ｄ）は、遮光膜５１及びハロー５２の光学的
挙動を示す。 【符号の説明】 １０、２０、３０……ハーフトーン型位相シフトマスク １１……透明基板 ２１……位相シフター ３１……白欠陥 ４１……掘り込み部 ４２……遮光薄膜 ５１……遮光膜 ５２……ハロー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】ハーフトーン型位相シフトマスクの位相シ
フターパターンに発生した白欠陥をＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓ
ｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）修正機にて修正するハーフト
ーン型位相シフトマスクの白欠陥修正方法であって、前
記ＦＩＢ修正機により前記白欠陥に相当する部分の石英
基板からなる透明基板にＦＩＢエッチングにて掘り込み
部を形成し、前記掘り込み部の深さを露光波長に応じた
に深さに設定して位相シフト効果を発生させ、前記掘り
込み部の底部に位相シフターとほぼ同透過率の遮光薄膜
を形成することを特徴とするハーフトーン型位相シフト
マスクの白欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001316459A JP2003121992A (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | ハーフトーン型位相シフトマスクの白欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001316459A JP2003121992A (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | ハーフトーン型位相シフトマスクの白欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003121992A true JP2003121992A (ja) | 2003-04-23 |
Family
ID=19134477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001316459A Pending JP2003121992A (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | ハーフトーン型位相シフトマスクの白欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003121992A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170101149A (ko) * | 2016-02-26 | 2017-09-05 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 포토리소그래피 마스크의 재료 부재의 결함을 영구적으로 수리하는 방법 및 장치 |
| JP2018124466A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | 位相シフトマスクの欠陥修正方法 |
-
2001
- 2001-10-15 JP JP2001316459A patent/JP2003121992A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170101149A (ko) * | 2016-02-26 | 2017-09-05 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 포토리소그래피 마스크의 재료 부재의 결함을 영구적으로 수리하는 방법 및 장치 |
| KR101997960B1 (ko) | 2016-02-26 | 2019-07-08 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 포토리소그래피 마스크의 재료 부재의 결함을 영구적으로 수리하는 방법 및 장치 |
| JP2018124466A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | 位相シフトマスクの欠陥修正方法 |
| KR102077904B1 (ko) * | 2017-02-02 | 2020-02-14 | 가부시키가이샤 에스케이 일렉트로닉스 | 위상 시프트 마스크의 결함 수정 방법 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061206 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061226 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070424 |