JP2019215467A - フォトマスク及びフォトマスクブランクス - Google Patents
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Abstract
Description
当該図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりして示している場合がある。本明細書等において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。
第1実施形態に係るフォトマスクについて説明する。図1は、第1実施形態に係るフォトマスクの概略構成を示す断面図である。
第2実施形態に係るフォトマスク1について説明する。図2は、第2実施形態に係るフォトマスクの概略構成を示す断面図である。なお、第2実施形態において、第1実施形態に係るフォトマスク1と同様の構成には同一の符号を付して、その詳細な説明を省略するものとする。
第3実施形態に係るフォトマスク1について説明する。図3は、第3実施形態に係るフォトマスクの概略構成を示す断面図である。なお、第3実施形態において、第1実施形態及び第2実施形態に係るフォトマスク1と同様の構成には同一の符号を付して、その詳細な説明を省略するものとする。
なお、第3実施形態において、遮光部31を構成するアルミニウム(Al)の蒸散等が生じない又は蒸散等が生じたとしても遮光部31の機能を損なわないのであれば、蒸散防止層7が設けられていなくてもよい。
上述した第1〜第3実施形態に係るフォトマスク1を製造する方法について説明する。図4は、第1実施形態に係るフォトマスクの製造方法の各工程を断面にて示す工程フロー図であり、図5は、第2実施形態に係るフォトマスクの製造方法の各工程を断面にて示す工程フロー図であり、図6は、第3実施形態に係るフォトマスクの製造方法の各工程を断面にて示す工程フロー図である。
<マスクブランクス準備工程>
第1面21及びそれに対向する第2面22を有する透明ガラス基板2を準備し、当該透明ガラス基板2の第1面21上に遮光膜30を形成してフォトマスクブランクス10を準備し、フォトマスクブランクス10の遮光膜30上に感光性レジスト層80を形成する(図4(A)参照)。
感光性レジスト層80を所定のフォトマスクを介して露光・現像して、レジストパターン81を形成する(図4(B)参照)。レジストパターン81の寸法は、第1実施形態に係るフォトマスク1の遮光部31の寸法と実質的に同一であればよい。
次に、上述のようにして形成したレジストパターン81をエッチングマスクとして、所定のエッチングガスを用いて遮光膜30をドライエッチングし、遮光部31及び開口部32を有する遮光パターン3を形成する(図4(C)参照)。その後、残存するレジストパターン81を剥離する。
最後に、遮光部31及び開口部32を有する遮光パターン3、並びに透明ガラス基板2の第2面22及び側面を被覆する酸化防止層4を形成する(図4(D)参照)。
<マスクブランクス準備工程>
第1面21及びそれに対向する第2面22を有する透明ガラス基板2を準備し、当該透明ガラス基板2の第1面21上に、クロム(Cr)系材料であるクロム(Cr)等により構成される遮光膜30を形成してフォトマスクブランクス10を準備し、フォトマスクブランクス10の遮光膜30上に感光性レジスト層80を形成する(図5(A)参照)。
感光性レジスト層80を所定のフォトマスクを介して露光・現像して、レジストパターン81を形成する(図5(B)参照)。レジストパターン81の寸法は、第2実施形態に係るフォトマスク1の遮光部31の寸法と実質的に同一であればよい。
次に、上述のようにして形成したレジストパターン81をエッチングマスクとして、所定のエッチングガスを用いて遮光膜30をドライエッチングし、遮光部31及び開口部32を有する遮光パターン3を形成する(図5(C)参照)。その後、残存するレジストパターン81を剥離する。
続いて、遮光部31及び開口部32を有する遮光パターン3を被覆するようにして、拡散防止層5を形成する(図5(D)参照)。
最後に、遮光部31及び開口部32を有する遮光パターン3上の拡散防止層5、並びに透明ガラス基板2の第2面22及び側面を被覆する酸化防止層4を形成する(図5(E)参照)。このようにして、図2に示す構成を有する第2実施形態に係るフォトマスク1を製造することができる。
<マスクブランクス準備工程>
第1面21及びそれに対向する第2面22を有する透明ガラス基板2を準備し、当該透明ガラス基板2の第1面21上に、反応防止層6と、アルミニウム(Al)系材料であるアルミニウム(Al)等により構成される遮光膜30とをこの順に形成してフォトマスクブランクス10を準備し、フォトマスクブランクス10の遮光膜30上に感光性レジスト層80を形成する(図6(A)参照)。
感光性レジスト層80を所定のフォトマスクを介して露光・現像して、レジストパターン81を形成する(図6(B)参照)。レジストパターン81の寸法は、第3実施形態に係るフォトマスク1の遮光部31の寸法と実質的に同一であればよい。
次に、上述のようにして形成したレジストパターン81をエッチングマスクとして、所定のエッチングガスを用いて遮光膜30をドライエッチングし、遮光部31及び開口部32を有する遮光パターン3を形成する(図6(C)参照)。その後、残存するレジストパターン81を剥離する。
続いて、遮光部31及び開口部32を有する遮光パターン3上、並びに透明ガラス基板2の第2面22及び側面を被覆する酸化防止層4を形成する(図6(D)参照)。
最後に、酸化防止層4上に、遮光部31を構成するアルミニウム(Al)の蒸散を防止可能な蒸散防止層7を形成する(図6(E)参照)。
2…透明ガラス基板
3…遮光パターン
31…遮光部
32…開口部
4…酸化防止層
5…拡散防止層
6…反応防止層
7…蒸散防止層
Claims (11)
- 第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する透明ガラス基板と、
遮光部及び開口部を有し、前記透明ガラス基板の前記第1面に設けられてなる遮光パターンと、
少なくとも前記遮光部を被覆し、前記遮光部を構成する材料の酸化を防止可能な酸化防止層と
を備え、
前記酸化防止層は、Al2O3により構成されるフォトマスク。 - 前記遮光部を構成する材料が、クロム(Cr)である請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記遮光部と前記酸化防止層との間に、前記遮光部を構成する材料である前記クロム(Cr)の拡散を防止可能な拡散防止層が設けられており、
前記拡散防止層は、4価の金属の酸化物を含む請求項2に記載のフォトマスク。 - 前記4価の金属が、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)又はハフニウム(Hf)である請求項3に記載のフォトマスク。
- 前記遮光部を構成する材料が、モリブデンシリサイド(MoSi)系材料である請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記遮光部を構成する材料が、アルミニウム(Al)であり、
前記遮光部と前記透明ガラス基板の前記第1面との間に、前記遮光部を構成する材料である前記アルミニウム(Al)と前記透明ガラス基板との反応を防止可能な反応防止層が設けられている請求項1に記載のフォトマスク。 - 前記反応防止層が、Al2O3により構成される請求項6に記載のフォトマスク。
- 第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する透明サファイア基板と、
遮光部及び開口部を有し、前記透明サファイア基板の前記第1面に設けられてなる遮光パターンと、
少なくとも前記遮光部を被覆し、前記遮光部を構成する材料の酸化を防止可能な酸化防止層と
を備え、
前記遮光部を構成する材料が、アルミニウム(Al)であり、
前記酸化防止層は、Al2O3により構成されるフォトマスク。 - 前記酸化防止層上に、前記遮光部を構成する前記アルミニウム(Al)の蒸散を防止可能な蒸散防止層が設けられている請求項6〜8のいずれかに記載のフォトマスク。
- 第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する透明ガラス基板と、
前記透明ガラス基板の前記第1面側に設けられてなる、アルミニウム(Al)により構成される遮光層と、
前記遮光層と前記透明ガラス基板の前記第1面との間に設けられてなる、前記アルミニウム(Al)と前記透明ガラス基板との反応を防止可能な反応防止層と
を備えるフォトマスクブランクス。 - 前記反応防止層が、Al2O3により構成される請求項10に記載のフォトマスクブランクス。
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