JPH01293635A - バンプめっき用レジストパターンの形成方法 - Google Patents
バンプめっき用レジストパターンの形成方法Info
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- JPH01293635A JPH01293635A JP12551388A JP12551388A JPH01293635A JP H01293635 A JPH01293635 A JP H01293635A JP 12551388 A JP12551388 A JP 12551388A JP 12551388 A JP12551388 A JP 12551388A JP H01293635 A JPH01293635 A JP H01293635A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フリップチップボンディング等に使用される
バンプ付ＩＣの製造方法に関する。
バンプ付ＩＣの製造方法に関する。
本発明は電気めっき、無電解めっきなどの湿式めっきに
よるバンプの製造において、特にめっきのマスキング部
に特徴を有するものでマスキングを二層とし、下層にポ
ジ型のフォトレジストをコートし露光してから、その上
層にネガ型のドライフィルムフォトレジストをコートし
露光し、その後ネガ型ドライフィルムフォトレジストの
現像とポジ型フォトレジストの現像を連続して行ない、
マスキング層を形成することによってめっきしようとす
る面にレジスト残さ（スカム）が発生しないようにした
ものである。
よるバンプの製造において、特にめっきのマスキング部
に特徴を有するものでマスキングを二層とし、下層にポ
ジ型のフォトレジストをコートし露光してから、その上
層にネガ型のドライフィルムフォトレジストをコートし
露光し、その後ネガ型ドライフィルムフォトレジストの
現像とポジ型フォトレジストの現像を連続して行ない、
マスキング層を形成することによってめっきしようとす
る面にレジスト残さ（スカム）が発生しないようにした
ものである。
バンプ付ＩＣは、フリップチップボンディングやインナ
ーリードボンディングのような実装方式により種々のＩ
Ｃに応用され、最近ではサーマルヘッドのドライバーＩ
Ｃ，イメージセンサ（ライン型）の読み取り用ＩＣにも
応用されている。また、コスト及び実装上チップサイズ
を小さくし、集積度を上げる傾向にあり、バンプも高密
度になりバンプ内のビッヂが小さくなる傾向にある。
ーリードボンディングのような実装方式により種々のＩ
Ｃに応用され、最近ではサーマルヘッドのドライバーＩ
Ｃ，イメージセンサ（ライン型）の読み取り用ＩＣにも
応用されている。また、コスト及び実装上チップサイズ
を小さくし、集積度を上げる傾向にあり、バンプも高密
度になりバンプ内のビッヂが小さくなる傾向にある。
前記高密度バンプを電気めっき、無電解めっきなど湿式
めっきで製造するには、めっき厚みを厚くし、バンプ体
積を確保する必要がでてくるが、めっき厚みを厚くして
いきレジスト厚みより厚くなるとめっぎが横にも成長す
るのでこの横への成長を押えるため従来は、レジストパ
ターン形成方法を二層のマスキング層で構成し、下層の
マスキング層をポジまたはネガ型フォトレジストとし、
レジストコーテイング後露光、現像して下層部分のパタ
ーンを形成してから、さらにその上にポジ又はネガ型フ
ォトレジストをコーティングし、露光、現像を繰り返し
行なってバンプめつき用レジストパターンを形成する方
法が提案されている。
めっきで製造するには、めっき厚みを厚くし、バンプ体
積を確保する必要がでてくるが、めっき厚みを厚くして
いきレジスト厚みより厚くなるとめっぎが横にも成長す
るのでこの横への成長を押えるため従来は、レジストパ
ターン形成方法を二層のマスキング層で構成し、下層の
マスキング層をポジまたはネガ型フォトレジストとし、
レジストコーテイング後露光、現像して下層部分のパタ
ーンを形成してから、さらにその上にポジ又はネガ型フ
ォトレジストをコーティングし、露光、現像を繰り返し
行なってバンプめつき用レジストパターンを形成する方
法が提案されている。
しかし乍ら、従来の方法には、次のような問題があった
。
。
下層のレジストパターンを形成した後に上層のレジスト
をコーティングすると下層のレジストパターンの中に上
層のレジストが入り込み、この状態で上層のレジストを
露光、現像すると下層のレジストパターン中に入り込ん
だ上層レジストが凹部に埋め込まれたようになり、レジ
スト残さくスカム）として発生し易くなり、これが原因
でバンプ密着強度が低下する場合があった。
をコーティングすると下層のレジストパターンの中に上
層のレジストが入り込み、この状態で上層のレジストを
露光、現像すると下層のレジストパターン中に入り込ん
だ上層レジストが凹部に埋め込まれたようになり、レジ
スト残さくスカム）として発生し易くなり、これが原因
でバンプ密着強度が低下する場合があった。
本発明は、このような欠点を除去し、バンプの高密度化
が可能なレジストパターンの形成方法を容易に提供する
ことにある。
が可能なレジストパターンの形成方法を容易に提供する
ことにある。
本発明は、上記問題点を解決するため、レジストパター
ン形成方法を下記のようにした。
ン形成方法を下記のようにした。
マスキング層を二層とし、下層のレジストにポジ型フォ
トレジストをコーティングし露光した後、その上層にネ
ガ型ドライフィルムフォトレジストをコーティングし露
光し、その後ネガ型ドライフィルムフォトレジストの現
像、ポジ型フォトレジストの現像を連続して行ない、バ
ンプめつき用のレジストパターンを形成するようにした
。
トレジストをコーティングし露光した後、その上層にネ
ガ型ドライフィルムフォトレジストをコーティングし露
光し、その後ネガ型ドライフィルムフォトレジストの現
像、ポジ型フォトレジストの現像を連続して行ない、バ
ンプめつき用のレジストパターンを形成するようにした
。
上記のような方法でバンプめつき用レジストパターンを
形成することにより、バンプめつきパターン面にレジス
ト残さ（スカム）の発生がなくなり、バンプ密着強度が
低下することがなく、かつ高密度のバンプが製造できる
ようにした。また、上層のネガ型ドライフィルムフォト
レジストを露光した時光が上層レジストを通して、下層
のポジ型フォトレジストまで届き露光され現像液でレジ
ストが溶けてしまう状態になるが、上層のレジストにド
ライフィルムレジストを用いているため、パターン以外
の部分はこのドライフィルムレジストの厚みでポジ型フ
ォトレジストが現像液で溶かされないよう保護膜の役目
を果してくれるようになっている。
形成することにより、バンプめつきパターン面にレジス
ト残さ（スカム）の発生がなくなり、バンプ密着強度が
低下することがなく、かつ高密度のバンプが製造できる
ようにした。また、上層のネガ型ドライフィルムフォト
レジストを露光した時光が上層レジストを通して、下層
のポジ型フォトレジストまで届き露光され現像液でレジ
ストが溶けてしまう状態になるが、上層のレジストにド
ライフィルムレジストを用いているため、パターン以外
の部分はこのドライフィルムレジストの厚みでポジ型フ
ォトレジストが現像液で溶かされないよう保護膜の役目
を果してくれるようになっている。
以下、実施例により本発明を説明する。第１図（ａ）に
示すようにＩＣウェハ１上にポジ型のフォトレジスト２
をコーティングし、その後（ｂ）に示すようにポジ用フ
ォトマスク３を用いて露光し、その１１ （Ｃ）に示す
ように、ネガ型ドライフィルムフォトレジストをラミネ
ートコーティングした後（ｄ）に示すようにネガ用フォ
トマスク４を用い露光してから、（ｅ）に示すようにネ
ガ型ドライフィルムフォトレジスト現像液で現像しパタ
ーン形成し、その後（ｆ）に示すようにポジ型フォトレ
ジスト現像液で現像を行ないバンプめっき用レジストパ
ターンを形成する。なお、上記においてネガ型ドライフ
ィルムフォトレジスト用フォトマスクのパターンサイズ
はポジ型フォトレジスト用フォトマスクのパターンサイ
ズと同じかもしくは大きければさしつかえない。このよ
うにしてバンプめっき用レジストパターンを形成したウ
ェハにまず硫１１１ｒＡめっき浴等の電気めっき浴ある
いは無電解銅めっき浴により、銅バンプを数〜１０ミク
ロン程度めっきし、次にはんだバンプの電気めっきある
いは無電解めっき浴により必要とされるバンプ体積分の
めっぎ８を行ない、この後ネガ型ドライフィルムレジス
トとポジ型フォトレジストの剥離をし、めっき用導電膜
エツチング〜バリヤ被膜エツチング等を行なった後バン
プのウェットバック処理を行なって第２図に示すような
バンプを得た。
示すようにＩＣウェハ１上にポジ型のフォトレジスト２
をコーティングし、その後（ｂ）に示すようにポジ用フ
ォトマスク３を用いて露光し、その１１ （Ｃ）に示す
ように、ネガ型ドライフィルムフォトレジストをラミネ
ートコーティングした後（ｄ）に示すようにネガ用フォ
トマスク４を用い露光してから、（ｅ）に示すようにネ
ガ型ドライフィルムフォトレジスト現像液で現像しパタ
ーン形成し、その後（ｆ）に示すようにポジ型フォトレ
ジスト現像液で現像を行ないバンプめっき用レジストパ
ターンを形成する。なお、上記においてネガ型ドライフ
ィルムフォトレジスト用フォトマスクのパターンサイズ
はポジ型フォトレジスト用フォトマスクのパターンサイ
ズと同じかもしくは大きければさしつかえない。このよ
うにしてバンプめっき用レジストパターンを形成したウ
ェハにまず硫１１１ｒＡめっき浴等の電気めっき浴ある
いは無電解銅めっき浴により、銅バンプを数〜１０ミク
ロン程度めっきし、次にはんだバンプの電気めっきある
いは無電解めっき浴により必要とされるバンプ体積分の
めっぎ８を行ない、この後ネガ型ドライフィルムレジス
トとポジ型フォトレジストの剥離をし、めっき用導電膜
エツチング〜バリヤ被膜エツチング等を行なった後バン
プのウェットバック処理を行なって第２図に示すような
バンプを得た。
この時のバンプは、従来のレジストパターン形成方法で
ある第３図（ａ）〜（ｄ）において、バンプ密着強度不
良が１０％程度発生するのに対して５％程度以下の不良
率に軽減できた。
ある第３図（ａ）〜（ｄ）において、バンプ密着強度不
良が１０％程度発生するのに対して５％程度以下の不良
率に軽減できた。
以上述べてきたように、本発明によれば、マスキング層
を下層にポジ型フォトレジストを用い、上層にネガ型の
ドライフィルムフォトレジストのマスキング構成とし、
かつ上層と下層のパターンサイズを同じか又は下層より
上層のパターンサイズを大ぎくする方法をとることによ
りめっきパターン内のレジスト残さ（スカム）の発生を
防ぎ、パターン密着強度低下を防ぐことを可能にした。
を下層にポジ型フォトレジストを用い、上層にネガ型の
ドライフィルムフォトレジストのマスキング構成とし、
かつ上層と下層のパターンサイズを同じか又は下層より
上層のパターンサイズを大ぎくする方法をとることによ
りめっきパターン内のレジスト残さ（スカム）の発生を
防ぎ、パターン密着強度低下を防ぐことを可能にした。
また、パターン形成方法が従来より単純にできるため、
従来方法に比ベバンプを製造する能率を下げないことが
可能となった。
従来方法に比ベバンプを製造する能率を下げないことが
可能となった。
なお本発明は、実施例に述べたはんだバンプだけでなく
、他のバンプ形成にも応用可能である。
、他のバンプ形成にも応用可能である。
第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の方法によるレジト形
成工程断面図である。 １・・・ＩＣウェハ、 ２・・・ポジ型フォトレジスト、 ３・・・ポジ用フォトマスク、 ４・・・ネガ型ドライフィルムフォトレジスト、５・・
・ネガ用フォトマスク、 ６・・・銅バンプ、 ７・・・バンプ、 ８・・・ポジ又はネガ型フォトレジスト。 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助 （α）「〒１〒＝〒〒了〒でに丁 で□：Ｈ”、：’：
ｌｊ？オドしリスト本翌明の方法１てよるしし゛スト形
へ工程許面図第１図 本ｖ：、咽の１汰で得た１はＬばバンプ餅面図第２図 従来の１／″；ズト１ｔ′２人工程計面図第３図
成工程断面図である。 １・・・ＩＣウェハ、 ２・・・ポジ型フォトレジスト、 ３・・・ポジ用フォトマスク、 ４・・・ネガ型ドライフィルムフォトレジスト、５・・
・ネガ用フォトマスク、 ６・・・銅バンプ、 ７・・・バンプ、 ８・・・ポジ又はネガ型フォトレジスト。 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助 （α）「〒１〒＝〒〒了〒でに丁 で□：Ｈ”、：’：
ｌｊ？オドしリスト本翌明の方法１てよるしし゛スト形
へ工程許面図第１図 本ｖ：、咽の１汰で得た１はＬばバンプ餅面図第２図 従来の１／″；ズト１ｔ′２人工程計面図第３図
Claims (1)
- 電気めっき、無電解めっきなどの湿式めっきによるバ
ンプの製造において、バンプめっきのためのマスキング
層を二層とし、下層にポジ型フォトレジストをコートし
露光してから、その上層にネガ型のドライフィルムフォ
トレジストをラミネートし露光し、その後ネガ型フォト
レジストとポジ型フォトレジストを連続して現像し、マ
スキング層を形成することを特徴とするバンプめっき用
レジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12551388A JPH01293635A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | バンプめっき用レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12551388A JPH01293635A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | バンプめっき用レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293635A true JPH01293635A (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=14911999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12551388A Pending JPH01293635A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | バンプめっき用レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01293635A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06252151A (ja) * | 1993-02-08 | 1994-09-09 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体チップバンプの製造方法 |
| JP2017092256A (ja) * | 2015-11-10 | 2017-05-25 | 富士電機株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
-
1988
- 1988-05-23 JP JP12551388A patent/JPH01293635A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06252151A (ja) * | 1993-02-08 | 1994-09-09 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体チップバンプの製造方法 |
| US5496770A (en) * | 1993-02-08 | 1996-03-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor chip bump having improved contact characteristics |
| JP2017092256A (ja) * | 2015-11-10 | 2017-05-25 | 富士電機株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
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