JP2610467B2 - 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 - Google Patents
液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子Info
- Publication number
- JP2610467B2 JP2610467B2 JP63039459A JP3945988A JP2610467B2 JP 2610467 B2 JP2610467 B2 JP 2610467B2 JP 63039459 A JP63039459 A JP 63039459A JP 3945988 A JP3945988 A JP 3945988A JP 2610467 B2 JP2610467 B2 JP 2610467B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- cyano
- added
- acid
- benzene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D239/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings
- C07D239/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings
- C07D239/24—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings having three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
- C07D239/26—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings having three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to ring carbon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C255/00—Carboxylic acid nitriles
- C07C255/01—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to acyclic carbon atoms
- C07C255/11—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to acyclic carbon atoms containing cyano groups and singly-bound oxygen atoms bound to the same saturated acyclic carbon skeleton
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C255/00—Carboxylic acid nitriles
- C07C255/01—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to acyclic carbon atoms
- C07C255/19—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to acyclic carbon atoms containing cyano groups and carboxyl groups, other than cyano groups, bound to the same saturated acyclic carbon skeleton
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/10—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings
- C09K19/20—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings linked by a chain containing carbon and oxygen atoms as chain links, e.g. esters or ethers
- C09K19/2007—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings linked by a chain containing carbon and oxygen atoms as chain links, e.g. esters or ethers the chain containing -COO- or -OCO- groups
- C09K19/2021—Compounds containing at least one asymmetric carbon atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
- C09K19/3001—Cyclohexane rings
- C09K19/3003—Compounds containing at least two rings in which the different rings are directly linked (covalent bond)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/34—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring
- C09K19/3441—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having nitrogen as hetero atom
- C09K19/345—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having nitrogen as hetero atom the heterocyclic ring being a six-membered aromatic ring containing two nitrogen atoms
- C09K19/3458—Uncondensed pyrimidines
- C09K19/3463—Pyrimidine with a carbon chain containing at least one asymmetric carbon atom, i.e. optically active pyrimidines
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、新規な液晶性化合物、それを含有する液晶
組成物および該液晶組成物を使用する液晶素子に関する
ものである。
組成物および該液晶組成物を使用する液晶素子に関する
ものである。
［従来の技術］ 従来の液晶素子としては、例えばエム・シャット（M.
Schadt）とダブリュー・ヘルフリヒ（W.Helfrich）著、
“アプライド・フィジックス・レターズ"18巻４号（“A
pplied Physics Letters",Vol.18,No.4）（1971.2.15）
127〜128頁の「捩れネマチック液晶の電圧依存光学挙
動」（“Voltage−Dependent Optical Activity of a T
wisted Nematic Liquid Crystal"）に記載されたTN（ツ
イステッド・ネマチック）液晶を用いたものが知られて
いる。しかしながら、このTN液晶は、画素密度を高くし
たマトリクス電極構造を用いた時分割駆動の時、クロス
トークを発生する問題点があるため、画素数が制限され
ていた。また、電界応答が遅く視野角特性が悪いために
ディスプレイとしての用途は限定されていた。
Schadt）とダブリュー・ヘルフリヒ（W.Helfrich）著、
“アプライド・フィジックス・レターズ"18巻４号（“A
pplied Physics Letters",Vol.18,No.4）（1971.2.15）
127〜128頁の「捩れネマチック液晶の電圧依存光学挙
動」（“Voltage−Dependent Optical Activity of a T
wisted Nematic Liquid Crystal"）に記載されたTN（ツ
イステッド・ネマチック）液晶を用いたものが知られて
いる。しかしながら、このTN液晶は、画素密度を高くし
たマトリクス電極構造を用いた時分割駆動の時、クロス
トークを発生する問題点があるため、画素数が制限され
ていた。また、電界応答が遅く視野角特性が悪いために
ディスプレイとしての用途は限定されていた。
更に、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチング
素子を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示
素子が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形
成する工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成
することが難しい問題点がある このような従来型の液晶素子の欠点を改善するものと
して、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク
（Clark）およびラガウェル（Lagerwall）により提案さ
れている（特開昭56−107216号公報、米国特許第436792
4号明細書等）。双安定性を有する液晶としては、一般
に、カイラルスメクチックＣ相（SmC＊）又はＨ相（SmH
＊）を有する強誘電性液晶が用いられる。
素子を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示
素子が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形
成する工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成
することが難しい問題点がある このような従来型の液晶素子の欠点を改善するものと
して、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク
（Clark）およびラガウェル（Lagerwall）により提案さ
れている（特開昭56−107216号公報、米国特許第436792
4号明細書等）。双安定性を有する液晶としては、一般
に、カイラルスメクチックＣ相（SmC＊）又はＨ相（SmH
＊）を有する強誘電性液晶が用いられる。
この強誘電性液晶は自発分極を有するために非常に速
い応答速度を有する上に、メモリー性のある双安定状態
を発展させることができ、さらに視野角特性も優れてい
ることから、大容量大画面のディスプレイとして適して
いる。
い応答速度を有する上に、メモリー性のある双安定状態
を発展させることができ、さらに視野角特性も優れてい
ることから、大容量大画面のディスプレイとして適して
いる。
また強誘電性液晶として用いられる材料は不斉炭素を
有しているために、そのカイラルスメクチック相を利用
した強誘電性液晶として使用する以外に、次のような光
学素子としても使用することができる。
有しているために、そのカイラルスメクチック相を利用
した強誘電性液晶として使用する以外に、次のような光
学素子としても使用することができる。
１）液晶状態においてコレステリック・ネマチック相転
移効果を利用するもの（ジェイ ジェイ ウィソキ，エ
イ，アダムス，ダブリュ ハアース「フィジックス レ
ヴュー レターズ」（J.J.Wysoki,A.Adams and W.Haas;
Phys.Rev.Lett.）20,1024（1968）〕 ２）液晶状態においてホワイト・テイラー形ゲスト・ホ
スト効果を利用するもの〔デー エル ホワイト，ジー
エム テエイラー「ジャーナル オブ アプライド
フィジックス」（D.L.White and G. N.Taylor;J. Appl.
Phys.），45,4718（1974）〕、等が知られている。個々
の方式についての詳細な説明は省略するが、表示素子や
変調素子として重要である。
移効果を利用するもの（ジェイ ジェイ ウィソキ，エ
イ，アダムス，ダブリュ ハアース「フィジックス レ
ヴュー レターズ」（J.J.Wysoki,A.Adams and W.Haas;
Phys.Rev.Lett.）20,1024（1968）〕 ２）液晶状態においてホワイト・テイラー形ゲスト・ホ
スト効果を利用するもの〔デー エル ホワイト，ジー
エム テエイラー「ジャーナル オブ アプライド
フィジックス」（D.L.White and G. N.Taylor;J. Appl.
Phys.），45,4718（1974）〕、等が知られている。個々
の方式についての詳細な説明は省略するが、表示素子や
変調素子として重要である。
このような液晶の電界応答光学効果を用いる方法にお
いては、液晶の応答性を高めるために極性基を導入する
ことが好ましいとされている。とくに強誘電性液晶にお
いては、応答速度は自発分極に比例することが知られて
おり、高速化のためには自発分極を増加させることが望
まれている。このような点から、ピー ケラー（P.Kell
er）らは、不斉炭素に直接塩素基を導入することで自発
分極を増加させ応答速度の高速化が可能であることを示
した〔シー アール アカデミー サイエンス（C.R.S
c.Paris），282C,639（1976）〕 しかしながら、不斉炭素に導入された塩素基は化学的
に不安定であるうえに、原子半径が大きいことから液晶
相の安定性が低下するという欠点を有しており、その改
善が望まれている。
いては、液晶の応答性を高めるために極性基を導入する
ことが好ましいとされている。とくに強誘電性液晶にお
いては、応答速度は自発分極に比例することが知られて
おり、高速化のためには自発分極を増加させることが望
まれている。このような点から、ピー ケラー（P.Kell
er）らは、不斉炭素に直接塩素基を導入することで自発
分極を増加させ応答速度の高速化が可能であることを示
した〔シー アール アカデミー サイエンス（C.R.S
c.Paris），282C,639（1976）〕 しかしながら、不斉炭素に導入された塩素基は化学的
に不安定であるうえに、原子半径が大きいことから液晶
相の安定性が低下するという欠点を有しており、その改
善が望まれている。
他方、光学活性を有することを特徴とする光学素子に
必要な機能性材料は、それ自体光学活性の中間体を経て
合成されることが多いが、従来から用いられる光学活性
中間体としては、２−メチルブタノール、２級オクチル
アルコール、２級ブチルアルコール、塩化ｐ−（２−メ
チルブチル）安息香酸、２級フェネチルアルコール、ア
ミノ酸誘導体、ショウノウ誘導体、コレステロール誘導
体等が挙げられるので、この光学活性中間体に極性基が
導入されることはほとんどなかった。このためもあっ
て、不斉炭素原子に直接極性基を導入することにより自
発分極を増加する方法は、余り有効に利用されていなか
った。
必要な機能性材料は、それ自体光学活性の中間体を経て
合成されることが多いが、従来から用いられる光学活性
中間体としては、２−メチルブタノール、２級オクチル
アルコール、２級ブチルアルコール、塩化ｐ−（２−メ
チルブチル）安息香酸、２級フェネチルアルコール、ア
ミノ酸誘導体、ショウノウ誘導体、コレステロール誘導
体等が挙げられるので、この光学活性中間体に極性基が
導入されることはほとんどなかった。このためもあっ
て、不斉炭素原子に直接極性基を導入することにより自
発分極を増加する方法は、余り有効に利用されていなか
った。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明は上記の点に鑑みなされたものである。すなわ
ち、本発明は不斉炭素原子に直接、安定で且つ双極子モ
ーメントの大きいシアノ基を導入することにより極性を
高め、液晶の電界応答性を高めた液晶性化合物、それを
少なくとも１種類含有する液晶組成物およびそれを使用
した液晶素子を提供することを目的とする。
ち、本発明は不斉炭素原子に直接、安定で且つ双極子モ
ーメントの大きいシアノ基を導入することにより極性を
高め、液晶の電界応答性を高めた液晶性化合物、それを
少なくとも１種類含有する液晶組成物およびそれを使用
した液晶素子を提供することを目的とする。
本発明はアルキル基の長さを変更することが容易で、
このことによりエッチ アーノルド，ザイトシュリフト
フュア フィジカリツシエ シェミー（H.Arnold,Z.P
hys.Chem.,）226,146（1964）に示されるように、液晶
状態において発現する液晶相の種類や温度範囲を制御す
ることが可能な液晶性化合物、それを少なくとも１種類
配合成分として含有する液晶組成物およびそれを使用し
た液晶素子を提供することを目的とする。
このことによりエッチ アーノルド，ザイトシュリフト
フュア フィジカリツシエ シェミー（H.Arnold,Z.P
hys.Chem.,）226,146（1964）に示されるように、液晶
状態において発現する液晶相の種類や温度範囲を制御す
ることが可能な液晶性化合物、それを少なくとも１種類
配合成分として含有する液晶組成物およびそれを使用し
た液晶素子を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］および［作用］ 本発明は、上述の目的を達成するためになされたもの
であり、第一の発明は下記一般式［１］で表わされる液
晶性化合物に係わるものである。
であり、第一の発明は下記一般式［１］で表わされる液
晶性化合物に係わるものである。
（式中、R1は炭素原子数１〜16のアルキル基、R2は炭素
原子数２〜10のアルキル基、Ｘは単結合または−Ｏ−、
Ｙは−OCH2− Ｚは はそれぞれ独立に の中から選ばれ、ｋ、ｌ、ｎは１である。Ｃ＊は不斉炭
素原子を示す） また、第二の発明は、前記一般式［１］で表わされる
液晶性化合物を少なくとも１種類含有することを特徴と
する液晶組成物に係わる。
原子数２〜10のアルキル基、Ｘは単結合または−Ｏ−、
Ｙは−OCH2− Ｚは はそれぞれ独立に の中から選ばれ、ｋ、ｌ、ｎは１である。Ｃ＊は不斉炭
素原子を示す） また、第二の発明は、前記一般式［１］で表わされる
液晶性化合物を少なくとも１種類含有することを特徴と
する液晶組成物に係わる。
さらに、第三の発明は、前記一般式［１］で表わされ
る液晶性化合物を含有する液晶組成物を使用することを
特徴とする液晶素子に係わる。
る液晶性化合物を含有する液晶組成物を使用することを
特徴とする液晶素子に係わる。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の一般式［１］で表わされる液晶性化合物は、
好ましくは本出願人等による特願昭62−283079号および
特許願（特願昭63−38617号、出願日 昭和63年２月23
日、発明の名称 光学活性物質、その製造方法およびそ
れを含む液晶組成物）の明細書に示される下記一般式
［２］の光学活性な中間体から合成される。
好ましくは本出願人等による特願昭62−283079号および
特許願（特願昭63−38617号、出願日 昭和63年２月23
日、発明の名称 光学活性物質、その製造方法およびそ
れを含む液晶組成物）の明細書に示される下記一般式
［２］の光学活性な中間体から合成される。
（式中、R2は炭素原子数２〜10のアルキル基、Y1は あるいは−CH2O−を、Ｃ＊は不斉炭素原子を示す） 合成工程は以下に例示する。
ここで、R1、R2、 ｋ、ｌ、ｎは、前記定義の通りである。
以上の様にして得られる化合物の代表例は以下に示
す。
す。
本発明の液晶組成物は、前記一般式［１］で表わされ
る液晶性化合物を少なくとも１種類合成分として含有す
るものである。
る液晶性化合物を少なくとも１種類合成分として含有す
るものである。
上記液晶組成物のうち下記の式（１）〜（13）で示さ
れるような強誘電性液晶を配合成分とするものは、自発
分極を増大させることが可能であり、応答速度を改善す
ることができるので好ましい。
れるような強誘電性液晶を配合成分とするものは、自発
分極を増大させることが可能であり、応答速度を改善す
ることができるので好ましい。
このような場合においては、本発明の一般式［１］で
示される液晶性化合物を、得られる液晶組成物の0.1〜9
9重量％、特に１〜90重量％となる割合で使用すること
が望ましい。
示される液晶性化合物を、得られる液晶組成物の0.1〜9
9重量％、特に１〜90重量％となる割合で使用すること
が望ましい。
ｐ−デシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチルシンナメート（DOBAMBC） ｐ−ヘキシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−ク
ロルプロピルシンナメート（HOBACPC） ｐ−デシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチル−α−シアノシンナメート（DOBAMBCC） ｐ−テトラデシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２
−メチルブチル−α−シアノシンナメート（TDOBAMBC
C） ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−α−クロロシンナメート（OOBAMBCC） ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−α−メチルシルナメート 4,4′−アゾキシシンナミックアシッド−ビス（２−メ
チルブチル）エステル ４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリデン−４′
−オクチルアニリン（MBRA8） ４−（２′−メチルブチル）フェニル−４′オクチルオ
キシビフェニル−４−カルボキシレート ４−ヘキシルオキシフェニル−４−（２″−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート ４−オクチルオキシフェニル−４−（２″−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート ４−ヘプチルフェニル−４−（４″−メチルヘキシル）
ビフェニル−４′−カルボキシレート ４−（２″−メチルブチル）フェニル−４−（４″−メ
チルヘキシル）ビフェニル−４′−カルボキシレート また、本発明の一般式［１］で表わされる光学活性な
液晶性化合物を、下記の式（14）〜（18）で示されるよ
うな、それ自体はカイラルでないスメクチック液晶に配
合することにより、強誘電性液晶として使用可能な液晶
組成物が得られる。
ルブチルシンナメート（DOBAMBC） ｐ−ヘキシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−ク
ロルプロピルシンナメート（HOBACPC） ｐ−デシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチル−α−シアノシンナメート（DOBAMBCC） ｐ−テトラデシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２
−メチルブチル−α−シアノシンナメート（TDOBAMBC
C） ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−α−クロロシンナメート（OOBAMBCC） ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−α−メチルシルナメート 4,4′−アゾキシシンナミックアシッド−ビス（２−メ
チルブチル）エステル ４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリデン−４′
−オクチルアニリン（MBRA8） ４−（２′−メチルブチル）フェニル−４′オクチルオ
キシビフェニル−４−カルボキシレート ４−ヘキシルオキシフェニル−４−（２″−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート ４−オクチルオキシフェニル−４−（２″−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート ４−ヘプチルフェニル−４−（４″−メチルヘキシル）
ビフェニル−４′−カルボキシレート ４−（２″−メチルブチル）フェニル−４−（４″−メ
チルヘキシル）ビフェニル−４′−カルボキシレート また、本発明の一般式［１］で表わされる光学活性な
液晶性化合物を、下記の式（14）〜（18）で示されるよ
うな、それ自体はカイラルでないスメクチック液晶に配
合することにより、強誘電性液晶として使用可能な液晶
組成物が得られる。
この場合、一般式［１］で示される本発明の液晶性化
合物を、得られる液晶組成物の0.1〜99重量％、特に１
〜90重量％で使用することが好ましい。
合物を、得られる液晶組成物の0.1〜99重量％、特に１
〜90重量％で使用することが好ましい。
このような液晶組成物は、本発明の液晶性化合物の含
有量に応じて、これに起因する大きな自発分極を得るこ
とができる。
有量に応じて、これに起因する大きな自発分極を得るこ
とができる。
（４−ノニルオキシフェニル）−４′−オクチルオキシ
ビフェニル−４−カルボキシレート 4,4′−デシルオキシアゾキシベンゼン ２−（４′−ヘキシルオキシフェニル）−５−（４−ヘ
キシルオキシフェニル）ピリミジン ２−（４′−オクチルオキシフェニル）−５−ノニルピ
リミジン ４′−ペンチルオキシフェニル−４−オクチルオキシベ
ンゾエート ここで、記号は、それぞれ以下の相を示す。
ビフェニル−４−カルボキシレート 4,4′−デシルオキシアゾキシベンゼン ２−（４′−ヘキシルオキシフェニル）−５−（４−ヘ
キシルオキシフェニル）ピリミジン ２−（４′−オクチルオキシフェニル）−５−ノニルピ
リミジン ４′−ペンチルオキシフェニル−４−オクチルオキシベ
ンゾエート ここで、記号は、それぞれ以下の相を示す。
Cryst.:結晶相、SmA:スメクチックＡ相、 SmB:スメクチックＢ相、SmC:スメクチックＣ相、 N:ネマチック相、Iso.:等方相。
［実施例］ 以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。
実施例１ 下記工程１）,2）,3）によりｐ−（ｐ−デシルオキシ
ビフェニルカルボニルオキシ）安息香酸−２−シアノ−
２−メチルヘキシルを合成した。
ビフェニルカルボニルオキシ）安息香酸−２−シアノ−
２−メチルヘキシルを合成した。
工程１） ｐ−アセトキシ安息香酸２−シアノ−２−メチルヘキ
シルの合成 アセトキシ安息香酸360mg（2mM）と塩化チオニル4ml
を２時間加熱環流した後、過剰の塩化チオニルを減圧で
留去し、生成した酸塩化物に、（＋）−２−シアノ−２
−メチルヘキサノール282mg（2mM）とトリエチレンジア
ミン448mg（4mM）を乾燥ベンゼン5mlに溶かしたものを
加え、50℃で２時間加熱撹拌した。さらに水素化ナトリ
ウム94mg（4mM）を乾燥ベンゼン2mlに溶かして加え、２
時間加熱環流を行なった。反応終了後、室温にて放冷
し、1N塩酸8ml、蒸留水20mlを加えた。有機層を分離
し、水層をエーテル抽出したものを加え蒸留水で洗浄し
た後、硫酸ナトリウムで乾燥した。
シルの合成 アセトキシ安息香酸360mg（2mM）と塩化チオニル4ml
を２時間加熱環流した後、過剰の塩化チオニルを減圧で
留去し、生成した酸塩化物に、（＋）−２−シアノ−２
−メチルヘキサノール282mg（2mM）とトリエチレンジア
ミン448mg（4mM）を乾燥ベンゼン5mlに溶かしたものを
加え、50℃で２時間加熱撹拌した。さらに水素化ナトリ
ウム94mg（4mM）を乾燥ベンゼン2mlに溶かして加え、２
時間加熱環流を行なった。反応終了後、室温にて放冷
し、1N塩酸8ml、蒸留水20mlを加えた。有機層を分離
し、水層をエーテル抽出したものを加え蒸留水で洗浄し
た後、硫酸ナトリウムで乾燥した。
これを溶媒留去して、薄層クロマトグラフィー（展開
溶媒；酢酸エチル：塩化メチレン−1:14）を用いて精製
して光学活性ｐ−アセトキシ安息香酸２−シアノ−２−
メチルヘキシル345mgを得た（収率56.9％）。
溶媒；酢酸エチル：塩化メチレン−1:14）を用いて精製
して光学活性ｐ−アセトキシ安息香酸２−シアノ−２−
メチルヘキシル345mgを得た（収率56.9％）。
工程２） ｐ−ヒドロキシ安息香酸２−シアノ−２−メチルヘキ
シルの合成 工程１）で得られたｐ−アセトキシ安息香酸２−シア
ノ−２−メチルヘキシル482mg（1.6mM）を乾燥エーテル
1.5mlに溶かしたものに、ベンジルアミン188m（16mM）
をエーテル1mlに溶かして加え、室温で24時間撹拌し
た。反応終了後、溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィ
ー（展開溶媒；酢酸エチル：塩化メチレン＝1:5）を用
いて精製し、ｐ−ヒドロキシ安息香酸２−シアノ−２−
メチルヘキシル339mgを得た（収率73.7％）。
シルの合成 工程１）で得られたｐ−アセトキシ安息香酸２−シア
ノ−２−メチルヘキシル482mg（1.6mM）を乾燥エーテル
1.5mlに溶かしたものに、ベンジルアミン188m（16mM）
をエーテル1mlに溶かして加え、室温で24時間撹拌し
た。反応終了後、溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィ
ー（展開溶媒；酢酸エチル：塩化メチレン＝1:5）を用
いて精製し、ｐ−ヒドロキシ安息香酸２−シアノ−２−
メチルヘキシル339mgを得た（収率73.7％）。
工程３） ｐ−（ｐ−デシルオキシビフェニルカルボニルオキ
シ）安息香酸２−シアノ−２−メチルヘキシルの合成 デシルオキシビフェニルカルボン酸211mg（1.18mM）
と塩化チオニル2.5mlを２時間加熱環流した後、過剰の
塩化チオニルを減圧留去した。生成したこの酸塩化物の
中に、ｐ−ヒドロキシ安息香酸２−シアノ−２−メチル
ヘキシル339mg（1.18mM）とトリエチレンジアミン263mg
（2.36mM）を乾燥ベンゼン5mlに溶かして加え、50℃で
２時間加熱撹拌した。さらに、水素化ナトリウム56.5mg
（2.36mM）を乾燥ベンゼン2mlの溶液として加え、２時
間加熱環流した。反応終了後、室温まで放冷し、1N塩酸
を5ml、蒸留水12mlを加え、エーテルを用いて抽出し
た。このエーテル溶液を硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒
を留去し、薄層クロマトグラフィーにより精製した（展
開溶媒；ベンゼン：塩化メチレン＝1:3）。ｐ−（ｐ−
デシルオキシビフェニルカルボニルオキシ）安息香酸２
−シアノ−２−メチルヘキシルが収量230mg,収率32.1％
で得られた。［α］Ｄ−4.6゜（C1,塩化メチレン） 相転移温度（℃） 参考例１ ２−シアノ−２−メチルヘキサン酸［ｐ−（５−ｎ−
デシル−２−ピリミジルフェニル）］の合成 乾燥させたフラスコに（−）−２−シアノ−２−メチ
ルヘキサン酸（［α］Ｄ−6.15゜（C1,メタノール））1
55mg（1mM）と塩化チオニル2mlを入れ、窒素下で２時間
加熱還流した後、過剰の塩化チオニルを減圧下に留去
し、生成した酸塩化物に、５−ｎ−デシル−２−ピリミ
ジルフェノール312mg（1mM）とトリエチレンジアミン24
0mg（2mM）を乾燥ベンゼン2.5mlに溶かした溶液を加
え、50℃で２時間反応させた。さらに、水素化ナトリウ
ム80mg（2mM）を乾燥ベンゼンに溶かして加え、２時間
反応させた。反応終了後、室温まで冷やし、1N塩酸、蒸
留水を加えて、エーテルで抽出した。このエーテル層を
硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去し、薄層クロマト
グラフィーにより精製した（展開溶媒；塩化メチレ
ン）。２−シアノ−２−メチルヘキサン酸［ｐ−（5n−
デシル−２−ピリミジルフェニル）］が収量59mg,収率1
1.3％で得られ、［α］Ｄ−3.5゜（C1,塩化メチレ
ン）、融点38〜43℃を示した。
シ）安息香酸２−シアノ−２−メチルヘキシルの合成 デシルオキシビフェニルカルボン酸211mg（1.18mM）
と塩化チオニル2.5mlを２時間加熱環流した後、過剰の
塩化チオニルを減圧留去した。生成したこの酸塩化物の
中に、ｐ−ヒドロキシ安息香酸２−シアノ−２−メチル
ヘキシル339mg（1.18mM）とトリエチレンジアミン263mg
（2.36mM）を乾燥ベンゼン5mlに溶かして加え、50℃で
２時間加熱撹拌した。さらに、水素化ナトリウム56.5mg
（2.36mM）を乾燥ベンゼン2mlの溶液として加え、２時
間加熱環流した。反応終了後、室温まで放冷し、1N塩酸
を5ml、蒸留水12mlを加え、エーテルを用いて抽出し
た。このエーテル溶液を硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒
を留去し、薄層クロマトグラフィーにより精製した（展
開溶媒；ベンゼン：塩化メチレン＝1:3）。ｐ−（ｐ−
デシルオキシビフェニルカルボニルオキシ）安息香酸２
−シアノ−２−メチルヘキシルが収量230mg,収率32.1％
で得られた。［α］Ｄ−4.6゜（C1,塩化メチレン） 相転移温度（℃） 参考例１ ２−シアノ−２−メチルヘキサン酸［ｐ−（５−ｎ−
デシル−２−ピリミジルフェニル）］の合成 乾燥させたフラスコに（−）−２−シアノ−２−メチ
ルヘキサン酸（［α］Ｄ−6.15゜（C1,メタノール））1
55mg（1mM）と塩化チオニル2mlを入れ、窒素下で２時間
加熱還流した後、過剰の塩化チオニルを減圧下に留去
し、生成した酸塩化物に、５−ｎ−デシル−２−ピリミ
ジルフェノール312mg（1mM）とトリエチレンジアミン24
0mg（2mM）を乾燥ベンゼン2.5mlに溶かした溶液を加
え、50℃で２時間反応させた。さらに、水素化ナトリウ
ム80mg（2mM）を乾燥ベンゼンに溶かして加え、２時間
反応させた。反応終了後、室温まで冷やし、1N塩酸、蒸
留水を加えて、エーテルで抽出した。このエーテル層を
硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去し、薄層クロマト
グラフィーにより精製した（展開溶媒；塩化メチレ
ン）。２−シアノ−２−メチルヘキサン酸［ｐ−（5n−
デシル−２−ピリミジルフェニル）］が収量59mg,収率1
1.3％で得られ、［α］Ｄ−3.5゜（C1,塩化メチレ
ン）、融点38〜43℃を示した。
参考例２ 下記反応工程１）,2）によりｐ−（５−ｎ−デシル−
２−ピリミジルフェニル）２−シアノ−２−メチルヘキ
シルエーテルを合成した。
２−ピリミジルフェニル）２−シアノ−２−メチルヘキ
シルエーテルを合成した。
工程１） ｐ−トルエンスルホン酸２−シアノ−２−メチルヘキ
シルの合成 （＋）−２−シアノ−２−メチルヘキサノール（▲
［α］26 D▼＋0.66゜（C1.823,エーテル））535mg（3.8
mM）と乾燥ピリジン911mg（11.4mM）を室温で撹拌しな
がら、これにｐ−トルエンスルホン酸クロリド724mg
（3.8mM）を加え、７時間反応させた。反応終了後、こ
れに2N塩酸3mlを加えた後、ジエチルエーテルで抽出し
た。この有機層を少量の2N塩酸および蒸留水で洗浄して
から硫酸ナトリウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。
これをシリカゲルカラムクロマトグラム（展開溶媒：塩
化メチレン）を用いて精製し、748mgのｐ−トルエンス
ルホン酸２−シアノ−２−メチルヘキシルを得た。（収
率63.3％） 工程２） ｐ−（５−ｎ−デシル−２−ピリミジルフェニル）２
−シアノ−２−メチルヘキシルエーテルの合成 水素化ナトリウム28mg（0.7mM）にジメチルホルムア
ミド1.5mlを加え撹拌しておき、これにｐ−（５−ｎ−
デシル−２−ピリミジル）フェノール220mg（0.7mM）を
加え、10分間撹拌した。さらにｐ−トルエンスルホン酸
２−シアノ−２−メチルヘキシル218mg（0.7mM）をジメ
チルホルムアミドと共に加え、100℃で６時間加熱撹拌
した。反応終了後、溶媒留去してから蒸留水を加えジエ
チルエーテルで抽出した。有機層を蒸留水で洗浄してか
ら硫酸ナトリウムを用いて乾燥した。溶媒留去後、薄層
クロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン：塩化メチレ
ン＝1:5）により精製し149mgのｐ−（５−ｎ−デシル−
２−ピリミジルフェニル）２−シアノ−２−メチルヘキ
シルエーテルを得た。収率48.8％、▲［α］25 D▼−1.4
7（C1.494,塩化メチレン）、融点43℃であった。
シルの合成 （＋）−２−シアノ−２−メチルヘキサノール（▲
［α］26 D▼＋0.66゜（C1.823,エーテル））535mg（3.8
mM）と乾燥ピリジン911mg（11.4mM）を室温で撹拌しな
がら、これにｐ−トルエンスルホン酸クロリド724mg
（3.8mM）を加え、７時間反応させた。反応終了後、こ
れに2N塩酸3mlを加えた後、ジエチルエーテルで抽出し
た。この有機層を少量の2N塩酸および蒸留水で洗浄して
から硫酸ナトリウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。
これをシリカゲルカラムクロマトグラム（展開溶媒：塩
化メチレン）を用いて精製し、748mgのｐ−トルエンス
ルホン酸２−シアノ−２−メチルヘキシルを得た。（収
率63.3％） 工程２） ｐ−（５−ｎ−デシル−２−ピリミジルフェニル）２
−シアノ−２−メチルヘキシルエーテルの合成 水素化ナトリウム28mg（0.7mM）にジメチルホルムア
ミド1.5mlを加え撹拌しておき、これにｐ−（５−ｎ−
デシル−２−ピリミジル）フェノール220mg（0.7mM）を
加え、10分間撹拌した。さらにｐ−トルエンスルホン酸
２−シアノ−２−メチルヘキシル218mg（0.7mM）をジメ
チルホルムアミドと共に加え、100℃で６時間加熱撹拌
した。反応終了後、溶媒留去してから蒸留水を加えジエ
チルエーテルで抽出した。有機層を蒸留水で洗浄してか
ら硫酸ナトリウムを用いて乾燥した。溶媒留去後、薄層
クロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン：塩化メチレ
ン＝1:5）により精製し149mgのｐ−（５−ｎ−デシル−
２−ピリミジルフェニル）２−シアノ−２−メチルヘキ
シルエーテルを得た。収率48.8％、▲［α］25 D▼−1.4
7（C1.494,塩化メチレン）、融点43℃であった。
実施例２ 下記反応工程１）,2）,3）により（−）−４−（４′
−ｎ−デシルオキシフェニル）安息香酸４−（２′−シ
アノ−２′−メチルヘキシルオキシ）フェニルエステル
を合成した。
−ｎ−デシルオキシフェニル）安息香酸４−（２′−シ
アノ−２′−メチルヘキシルオキシ）フェニルエステル
を合成した。
工程１） （＋）−ｐ−トルエンスルホン酸２−シアノ−２−メ
チルヘキシルの合成 （−）−２−シアノ−２−メチルヘキサノール
（［α］435−1.9゜（C2.393,塩化メチレン））535mg
（3.8mM）と乾燥ピリジン911mg（11.4mM）を室温で撹拌
しながら、これにｐ−トルエンスルホン酸クロリド724m
g（3.8mM）を加え、７時間反応させた。反応終了後、2M
塩酸6mlを加えた後、エーテルで抽出した。この有機層
を少量の2M塩酸および蒸留水で洗浄してから硫酸ナトリ
ウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。これを薄層クロ
マトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：塩化メチレン＝
1:5）で精製し、748mgの（＋）ｐ−トルエンスルホン酸
２−シアノ−２−メチルヘキシルを得た。（収率63.3
％） ［α］Ｄ＋10.7゜（C2.182,ベンゼン） 工程２） （−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルヘキシルオキ
シ）フェノールの合成。
チルヘキシルの合成 （−）−２−シアノ−２−メチルヘキサノール
（［α］435−1.9゜（C2.393,塩化メチレン））535mg
（3.8mM）と乾燥ピリジン911mg（11.4mM）を室温で撹拌
しながら、これにｐ−トルエンスルホン酸クロリド724m
g（3.8mM）を加え、７時間反応させた。反応終了後、2M
塩酸6mlを加えた後、エーテルで抽出した。この有機層
を少量の2M塩酸および蒸留水で洗浄してから硫酸ナトリ
ウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。これを薄層クロ
マトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：塩化メチレン＝
1:5）で精製し、748mgの（＋）ｐ−トルエンスルホン酸
２−シアノ−２−メチルヘキシルを得た。（収率63.3
％） ［α］Ｄ＋10.7゜（C2.182,ベンゼン） 工程２） （−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルヘキシルオキ
シ）フェノールの合成。
（＋）−ｐ−トルエンスルホン酸２−シアノ−２−メ
チルヘキシル480mg（1.6mM）、ハイドロキノン357mg
（3.2mM）,n−ブタノール1.5mlを窒素下で撹拌しなが
ら、これに水酸化ナトリウム83.3mg（2.1mM）をｎ−ブ
タノール（2.2ml）に溶かしたナトリウムブトキシンド
を滴下し、120℃で20時間加熱撹拌した。反応終了後、
飽和塩化ナトリウム水溶液5mlを加え、エーテルを抽出
した。エーテル層を蒸留水で洗浄し、硫酸ナトリウムを
用いて乾燥した後、溶媒留去することにより粗生成物29
6mgを得た。これを薄層クロマトグラフィー（展開溶
媒：塩化メチレン）で精製し、（−）−ｐ−（２−シア
ノ−２−メチルヘキシルオキシ）フェノール81.3mgを得
た。（収率19.1％） ［α］Ｄ−1.8゜（C0.836,ベンゼン） 工程３） （−）−４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）安
息香酸 ４−（２′−シアノ−２′−メチルヘキシルオ
キシ）フェニルエステルの合成。
チルヘキシル480mg（1.6mM）、ハイドロキノン357mg
（3.2mM）,n−ブタノール1.5mlを窒素下で撹拌しなが
ら、これに水酸化ナトリウム83.3mg（2.1mM）をｎ−ブ
タノール（2.2ml）に溶かしたナトリウムブトキシンド
を滴下し、120℃で20時間加熱撹拌した。反応終了後、
飽和塩化ナトリウム水溶液5mlを加え、エーテルを抽出
した。エーテル層を蒸留水で洗浄し、硫酸ナトリウムを
用いて乾燥した後、溶媒留去することにより粗生成物29
6mgを得た。これを薄層クロマトグラフィー（展開溶
媒：塩化メチレン）で精製し、（−）−ｐ−（２−シア
ノ−２−メチルヘキシルオキシ）フェノール81.3mgを得
た。（収率19.1％） ［α］Ｄ−1.8゜（C0.836,ベンゼン） 工程３） （−）−４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）安
息香酸 ４−（２′−シアノ−２′−メチルヘキシルオ
キシ）フェニルエステルの合成。
４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）安息香酸12
1mg（0.34mM）に塩化チオニル1mlを加え、窒素下で２時
間加熱還流した。過剰の塩化チオニルを減圧留去した
後、生成した酸塩化物の中にトリエチレンジアミン76.2
mg（0.68mM）と工程２）で得られた（−）−ｐ−（２−
シアノ−２−メチルヘキシルオキシ）フェノール81.3mg
（0.31mM）を乾燥ベンゼン2mlと共に加え、50℃で２時
間加熱撹拌した。次に、水素化ナトリウム16.3mg（0.68
mM）を乾燥ベンゼン1mlと共に加え、さらに２時間加熱
還流した。反応終了後、室温まで放冷し、2M塩酸2mlを
加えてからエーテル抽出した。エーテル層を飽和塩化ナ
トリウム水溶液で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し
てから溶媒留去し、粗生成物217mgを得た。これを薄層
クロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：塩化メチレ
ン＝1:2）で精製し、（−）−４−（４′−ｎ−デシル
オキシフェニル）安息香酸４−（２′−シアノ−２′−
メチルヘキシルオキシ）フェニルエステル71.7mgを得
た。（収率38.6％）［α］Ｄ−2.1゜（C0.840,ベンゼ
ン） 相転移温度（℃） ［S3,S4,S5は SmA,SmC＊以外のスメクチック相（未同
定）］ 実施例３ （＋）−４−（ｎ−オクチルオキシビフェニル）−
４″−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルヘキシルオ
キシ） フェニルエステルの製造 下記工程１）〜４）に従い（＋）−４−（ｎ−オクチ
ルオキシビフェニル）−４″−カルボン酸（２−シアノ
−２−メチルヘキシルオキシ）フェニルエステルを製造
した。
1mg（0.34mM）に塩化チオニル1mlを加え、窒素下で２時
間加熱還流した。過剰の塩化チオニルを減圧留去した
後、生成した酸塩化物の中にトリエチレンジアミン76.2
mg（0.68mM）と工程２）で得られた（−）−ｐ−（２−
シアノ−２−メチルヘキシルオキシ）フェノール81.3mg
（0.31mM）を乾燥ベンゼン2mlと共に加え、50℃で２時
間加熱撹拌した。次に、水素化ナトリウム16.3mg（0.68
mM）を乾燥ベンゼン1mlと共に加え、さらに２時間加熱
還流した。反応終了後、室温まで放冷し、2M塩酸2mlを
加えてからエーテル抽出した。エーテル層を飽和塩化ナ
トリウム水溶液で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し
てから溶媒留去し、粗生成物217mgを得た。これを薄層
クロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：塩化メチレ
ン＝1:2）で精製し、（−）−４−（４′−ｎ−デシル
オキシフェニル）安息香酸４−（２′−シアノ−２′−
メチルヘキシルオキシ）フェニルエステル71.7mgを得
た。（収率38.6％）［α］Ｄ−2.1゜（C0.840,ベンゼ
ン） 相転移温度（℃） ［S3,S4,S5は SmA,SmC＊以外のスメクチック相（未同
定）］ 実施例３ （＋）−４−（ｎ−オクチルオキシビフェニル）−
４″−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルヘキシルオ
キシ） フェニルエステルの製造 下記工程１）〜４）に従い（＋）−４−（ｎ−オクチ
ルオキシビフェニル）−４″−カルボン酸（２−シアノ
−２−メチルヘキシルオキシ）フェニルエステルを製造
した。
工程１） （＋）−ｐ−トルエンスルホン酸（２−シアノ−２−
メチルヘキシル）の製造 （−）−２−シアノ−２−メチルヘキサノール1.739g
（12.3mM）（［α］Ｄ−0.91゜，［α］435−2.2゜
（C1.10 CH2Cl2）を乾燥ビリジン2.962g（37.0mM）とと
もに撹拌しておき、これにｐ−トルエンスルホン酸クロ
ライド2.588g（13.6mM）を加え、常温で７時間撹拌し
た。反応後、これを2N塩酸20mlに徐々に加えてビリジン
を除き、これをジエチルエーテルで抽出し、エーテル層
を蒸留水で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。溶
媒を留去した後、ジクロロメタン２に対してヘキサン１
の混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製し、目的物2.690gを得た。
メチルヘキシル）の製造 （−）−２−シアノ−２−メチルヘキサノール1.739g
（12.3mM）（［α］Ｄ−0.91゜，［α］435−2.2゜
（C1.10 CH2Cl2）を乾燥ビリジン2.962g（37.0mM）とと
もに撹拌しておき、これにｐ−トルエンスルホン酸クロ
ライド2.588g（13.6mM）を加え、常温で７時間撹拌し
た。反応後、これを2N塩酸20mlに徐々に加えてビリジン
を除き、これをジエチルエーテルで抽出し、エーテル層
を蒸留水で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。溶
媒を留去した後、ジクロロメタン２に対してヘキサン１
の混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製し、目的物2.690gを得た。
収 量 2.690g（70.3％） 比旋光度 ［α］589＋12.8゜（C1.166 ベンゼン） ［α］435＋26.9゜（C1.166 ベンゼン） 工程２） （＋）−４−（２−シアノ−２−メチルヘキシルオキ
シ）フェニルベンジルエーテルの製造 ナス型フラスコに60％水素化ナトリウム111.0mg（2.8
mM）を入れ、少量の乾燥ベンゼンで洗いベンゼンを除き
代りに乾燥N,N−ジメチルホルムアミド4mlを入れ、ｐ−
ヒドロキシベンジルエーテル483mg（2.4mM）を加えて発
泡しなくなるまで撹拌した。次いで、（＋）−ｐ−トル
エンスルホン酸（２−シアノ−２−メチルヘキシル）71
4mg（2.3mM）を入れて、120℃で２時間半撹拌した。反
応後溶媒を留去し、少量の蒸留水を加えて、余剰の水素
化ナトリウムをつぶし、これをジエチルエーテルで抽出
し、ジエチルエーテル層を少量の蒸留水で洗って硫酸ナ
トリウムで乾燥させた。溶媒を留去した後、ジクロロメ
タン２に対してヘキサン１の混合溶媒を用いて、カラム
クロマトグラフィーで精製し、目的物640mgを得た。
シ）フェニルベンジルエーテルの製造 ナス型フラスコに60％水素化ナトリウム111.0mg（2.8
mM）を入れ、少量の乾燥ベンゼンで洗いベンゼンを除き
代りに乾燥N,N−ジメチルホルムアミド4mlを入れ、ｐ−
ヒドロキシベンジルエーテル483mg（2.4mM）を加えて発
泡しなくなるまで撹拌した。次いで、（＋）−ｐ−トル
エンスルホン酸（２−シアノ−２−メチルヘキシル）71
4mg（2.3mM）を入れて、120℃で２時間半撹拌した。反
応後溶媒を留去し、少量の蒸留水を加えて、余剰の水素
化ナトリウムをつぶし、これをジエチルエーテルで抽出
し、ジエチルエーテル層を少量の蒸留水で洗って硫酸ナ
トリウムで乾燥させた。溶媒を留去した後、ジクロロメ
タン２に対してヘキサン１の混合溶媒を用いて、カラム
クロマトグラフィーで精製し、目的物640mgを得た。
収 量 640mg（86.1％） 比旋光度 ［α］589＋3.3゜（C1.152 ベンゼン） ［α］Ｄ ＋6.8゜（C1.152 ベンゼン） 工程３） （＋）−４−（２−シアノ−２−メチルヘキシルオキ
シ）フェノールの製造 ナス型フラスコに、（＋）−４−（２−シアノ−２−
メチルヘキシルオキシ）フェニルベンジルエーテル640m
g（1.98mM）とエタノール30mlを入れて、40℃に加熱し
て良くとかしておき、これにバラジウム活性炭200mgを
入れ常圧水添装置に取り付け、そして、40℃で50.8ml水
添を行ない、反応後、ろ紙を用いてバラジウム活性炭を
除去して、さらに溶媒を留去した後ジエチルエーテルで
抽出した。エーテル層を少量の蒸留水で洗った後、硫酸
ナトリウムで乾燥させた。そして溶媒を留去し、酢酸エ
チル２に対してヘキサン５の混合溶媒でシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーを用いて精製して、目的物306mg
を得た。
シ）フェノールの製造 ナス型フラスコに、（＋）−４−（２−シアノ−２−
メチルヘキシルオキシ）フェニルベンジルエーテル640m
g（1.98mM）とエタノール30mlを入れて、40℃に加熱し
て良くとかしておき、これにバラジウム活性炭200mgを
入れ常圧水添装置に取り付け、そして、40℃で50.8ml水
添を行ない、反応後、ろ紙を用いてバラジウム活性炭を
除去して、さらに溶媒を留去した後ジエチルエーテルで
抽出した。エーテル層を少量の蒸留水で洗った後、硫酸
ナトリウムで乾燥させた。そして溶媒を留去し、酢酸エ
チル２に対してヘキサン５の混合溶媒でシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーを用いて精製して、目的物306mg
を得た。
収 量 306mg（66.3％） 比旋光度 ［α］589＋3.4゜（C1.048 ベンゼン） ［α］435＋7.2゜（C1.048 ベンゼン） 工程４） （＋）−４−（ｎ−オクチルオキシビフェニル）−
４″−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルヘキシルオ
キシ）フェニルエステルの製造 ナス型フラスコに、４−（ｎ−オクチルオキシビフェ
ニル）カルボン酸88mg（0.27mM）と塩化チオニル2mlを
入れ、1.5時間加熱還流し、反応後、余剰の塩化チオニ
ルを留去した。さらに乾燥ベンゼンを加えてこれを留去
した。ここにトリエチレンジアミン61mg（0.54mM）を乾
燥ベンゼン1.5mlと共に加え、次に（＋）−４−（２−
シアノ−２−メチルヘキシルオキシ）フェノール63mg
（0.27mM）を加え、50℃で、２時間加熱撹拌した。さら
に60％水素化ナトリウム21.8mg（0.54mM）を乾燥ベンゼ
ン1mlと共に加え、２時間加熱還流した。反応後常温ま
で放冷し１規定塩酸を少しずつ加え、余剰の水素化ナト
リウムを除去した。これをジエチルエーテルで抽出し
て、エーテル層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗い、硫
酸ナトリウムで乾燥させた。溶媒を留去して、ジクロロ
メタン２に対してヘキサン１の混合溶媒でシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらにこれを
べンゼン0.2mlに溶かし、これにヘキサン1.0mlを加え再
結晶して目的物59mgを得た。
４″−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルヘキシルオ
キシ）フェニルエステルの製造 ナス型フラスコに、４−（ｎ−オクチルオキシビフェ
ニル）カルボン酸88mg（0.27mM）と塩化チオニル2mlを
入れ、1.5時間加熱還流し、反応後、余剰の塩化チオニ
ルを留去した。さらに乾燥ベンゼンを加えてこれを留去
した。ここにトリエチレンジアミン61mg（0.54mM）を乾
燥ベンゼン1.5mlと共に加え、次に（＋）−４−（２−
シアノ−２−メチルヘキシルオキシ）フェノール63mg
（0.27mM）を加え、50℃で、２時間加熱撹拌した。さら
に60％水素化ナトリウム21.8mg（0.54mM）を乾燥ベンゼ
ン1mlと共に加え、２時間加熱還流した。反応後常温ま
で放冷し１規定塩酸を少しずつ加え、余剰の水素化ナト
リウムを除去した。これをジエチルエーテルで抽出し
て、エーテル層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗い、硫
酸ナトリウムで乾燥させた。溶媒を留去して、ジクロロ
メタン２に対してヘキサン１の混合溶媒でシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらにこれを
べンゼン0.2mlに溶かし、これにヘキサン1.0mlを加え再
結晶して目的物59mgを得た。
収 量 59mg（40.4％） 比旋光度 ［α］589＋1.1゜（C0.872 CHCl3） ［α］435＋3.7゜（C0.872 CHCl3） 実施例４ （＋）−４−（ｎ−ドデシルオキシビフェニル）−
４″−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルヘキシルオ
キシ）フェニルエステルの製造 実施例３の工程４）で４−（ｎ−オクチルオキシビフ
ェニル）カルボン酸の代わりに４−（ｎ−ドデシルオキ
シビフェニル）カルボン酸214mg（0.56mM）を用い、他
は同様の操作を行うことにより、（＋）−４−（２−シ
アノ−２−メチルヘキシルオキシ）フェノール129mg
（0.56mM）と反応させた。得られた粗生成物をジクロロ
メタン５に対してヘキサン２の混合溶媒で分取用薄層ク
ロマトグラフィーを用いて精製し、さらにこれにべンゼ
ン0.3mlを加えて溶かし、ヘキサン2.0mlを追加して再沈
殿を行った。
４″−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルヘキシルオ
キシ）フェニルエステルの製造 実施例３の工程４）で４−（ｎ−オクチルオキシビフ
ェニル）カルボン酸の代わりに４−（ｎ−ドデシルオキ
シビフェニル）カルボン酸214mg（0.56mM）を用い、他
は同様の操作を行うことにより、（＋）−４−（２−シ
アノ−２−メチルヘキシルオキシ）フェノール129mg
（0.56mM）と反応させた。得られた粗生成物をジクロロ
メタン５に対してヘキサン２の混合溶媒で分取用薄層ク
ロマトグラフィーを用いて精製し、さらにこれにべンゼ
ン0.3mlを加えて溶かし、ヘキサン2.0mlを追加して再沈
殿を行った。
収 量 147mg（44.0％） 比旋光度 ［α］589＋1.3゜（C1.274 CHCl3） ［α］435＋3.1゜ 相転移温度（℃） 参考例３ （−）−４−ｎ−デシルオキシ安息香酸４′−（２−
シアノ−２−メチルヘキシルオキシ）フェニルエステル
の製造 実施例３の工程４）で４−（ｎ−オクチルオキシビフ
ェニル）カルボン酸の代わりに、４−ｎ−デシルオキシ
安息香酸91.8mg（0.33mM）を用い、他は同様の操作を行
い、（−）−４−（２−シアノ−２−メチルヘキシルオ
キシ）フェノール78.9mg（0.3mM）と反応させた。得ら
れた粗生成物をジクロロメタン２に対してヘキサン１の
混合溶媒で分取用薄層クロマトグラフィーを用いて精製
し、さらにこれをカラムクロマトグラフィーを用いて精
製し、目的物69.3mgを得た。
シアノ−２−メチルヘキシルオキシ）フェニルエステル
の製造 実施例３の工程４）で４−（ｎ−オクチルオキシビフ
ェニル）カルボン酸の代わりに、４−ｎ−デシルオキシ
安息香酸91.8mg（0.33mM）を用い、他は同様の操作を行
い、（−）−４−（２−シアノ−２−メチルヘキシルオ
キシ）フェノール78.9mg（0.3mM）と反応させた。得ら
れた粗生成物をジクロロメタン２に対してヘキサン１の
混合溶媒で分取用薄層クロマトグラフィーを用いて精製
し、さらにこれをカラムクロマトグラフィーを用いて精
製し、目的物69.3mgを得た。
収 量 69.3mg（44.1％） 比旋光度 ［α］589−2.6゜（C1.094 CHCl3） ［α］435−1.6゜（C1.094 CHCl3） 相転移温度（℃） 実施例５ （−）−４−（５−デシル−２−ピリミジル）安息香
酸−（２−シアノ−２−メチルヘキシルオキシ）フェニ
ルエステルの製造 実施例３の工程４）における４−（ｎ−オクチルオキ
シビフェニル）カルボン酸の代わりに、４−（５−デシ
ル−２−ピリミジル）安息香酸101mg（0.34mM）を用
い、他は同様の操作を行って、（−）−４−（２−シア
ノ−２−メチルヘキシルオキシ）フェノール72mg（0.30
mM）を反応させた。
酸−（２−シアノ−２−メチルヘキシルオキシ）フェニ
ルエステルの製造 実施例３の工程４）における４−（ｎ−オクチルオキ
シビフェニル）カルボン酸の代わりに、４−（５−デシ
ル−２−ピリミジル）安息香酸101mg（0.34mM）を用
い、他は同様の操作を行って、（−）−４−（２−シア
ノ−２−メチルヘキシルオキシ）フェノール72mg（0.30
mM）を反応させた。
これをジクロロメタンでシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーを用いて精製し、さらにこれをヘキサンで洗浄
し、目的物96mgを得た。
ラフィーを用いて精製し、さらにこれをヘキサンで洗浄
し、目的物96mgを得た。
収 量 96mg（60.7％） 比旋光度 ［α］589−1.7゜（C1.362 CHCl3） ［α］435−2.8゜ 実施例６ （−）−４−（２−シアノ−２−メチルヘキシルオキ
シ）安息香酸−４−（４″−ｎ−オクチルオキシ）ビフ
ェニルエステルの製造 下記１）〜３）の工程により、（−）−４−（２−シ
アノ−２−メチルヘキシルオキシ）安息香酸−４−
（４″−ｎ−オクチルオキシ）ビフェニルエステルを製
造した。
シ）安息香酸−４−（４″−ｎ−オクチルオキシ）ビフ
ェニルエステルの製造 下記１）〜３）の工程により、（−）−４−（２−シ
アノ−２−メチルヘキシルオキシ）安息香酸−４−
（４″−ｎ−オクチルオキシ）ビフェニルエステルを製
造した。
工程１） （−）−４−（２−シアノ−２−メチルヘキシルオキ
シ）安息香酸エチルの製造 ナス型フラスコに60％水素化ナトリウム192.9mg（4.8
mM）を入れ、少量の乾燥べンゼンで洗い、べンゼンを除
き代りに乾燥N,N−ジメチルホルムアミド4mlを入れ、ｐ
−ヒドロキシ安息香酸エチル664mg（4mM）を加えて発泡
しなくなるまで撹拌した。次いで、実施例３工程１）と
同様の操作により得られた（−）−ｐ−トルエンスルホ
ン酸（２−シアノ−２−メチルヘキシル）1244mg（4m
M）を入れて、120℃で６時間撹拌した。反応後溶媒を留
去し、少量の蒸留水を加えて、余剰の水素化ナトリウム
をつぶし、これをジエチルエーテルで抽出し、エーテル
層を少量の蒸留水で洗って硫酸ナトリウムで乾燥させ
た。溶媒を留去した後、ジクロロメタンを展開溶媒にし
て、カラムクロマトグラフィーで精製し、目的物890mg
を得た。（収率77.0％） 工程２） （−）−４−（２−シアノ−２−メチルヘキシルオキ
シ）安息香酸の製造 （−）−４−（２−シアノ−２−メチルヘキシルオキ
シ）安息香酸エチル890mg（3.1mM）をスリナスに入れ、
これに水酸化ナトリウム372mg（9.3mM）を蒸留水6mlに
溶かしたものを加え、さらにメタノール6mlを入れて常
温で一晩撹拌した。反応後、溶媒を留去し２規定塩酸を
加えてpH1にする。これをジエチルエーテルで抽出し
た。エーテル層を少量の蒸留水で洗い、硫酸ナトリウム
で乾燥した。溶媒を留去し、粗生成物を0.3mlのべンゼ
ンに溶かしてから0.5mlのヘキサンを加え、冷蔵庫中で
再結晶を行い結晶をろ過し精製物707mgを得た。
シ）安息香酸エチルの製造 ナス型フラスコに60％水素化ナトリウム192.9mg（4.8
mM）を入れ、少量の乾燥べンゼンで洗い、べンゼンを除
き代りに乾燥N,N−ジメチルホルムアミド4mlを入れ、ｐ
−ヒドロキシ安息香酸エチル664mg（4mM）を加えて発泡
しなくなるまで撹拌した。次いで、実施例３工程１）と
同様の操作により得られた（−）−ｐ−トルエンスルホ
ン酸（２−シアノ−２−メチルヘキシル）1244mg（4m
M）を入れて、120℃で６時間撹拌した。反応後溶媒を留
去し、少量の蒸留水を加えて、余剰の水素化ナトリウム
をつぶし、これをジエチルエーテルで抽出し、エーテル
層を少量の蒸留水で洗って硫酸ナトリウムで乾燥させ
た。溶媒を留去した後、ジクロロメタンを展開溶媒にし
て、カラムクロマトグラフィーで精製し、目的物890mg
を得た。（収率77.0％） 工程２） （−）−４−（２−シアノ−２−メチルヘキシルオキ
シ）安息香酸の製造 （−）−４−（２−シアノ−２−メチルヘキシルオキ
シ）安息香酸エチル890mg（3.1mM）をスリナスに入れ、
これに水酸化ナトリウム372mg（9.3mM）を蒸留水6mlに
溶かしたものを加え、さらにメタノール6mlを入れて常
温で一晩撹拌した。反応後、溶媒を留去し２規定塩酸を
加えてpH1にする。これをジエチルエーテルで抽出し
た。エーテル層を少量の蒸留水で洗い、硫酸ナトリウム
で乾燥した。溶媒を留去し、粗生成物を0.3mlのべンゼ
ンに溶かしてから0.5mlのヘキサンを加え、冷蔵庫中で
再結晶を行い結晶をろ過し精製物707mgを得た。
収 量 707mg（87.4％） 比旋光度 ［α］589−1.0゜（C1.080アセトン） ［α］435−2.9゜（C1.080アセトン） 工程３） （−）−４−（２−シアノ−２−メチルヘキシルオキ
シ）安息香酸−４−（４″−ｎ−オクチルオキシ）ビフ
ェニルエステルの製造 ナス型フラスコに、（−）−４−（２−シアノ−２−
メチルヘキシルオキシ）安息香酸157mg（0.6mM）と塩化
チオニル2mlを入れ、1.5時間加熱還流した。反応後、余
剰の塩化チオニルを留去した。さらに乾燥べンゼンを加
えてこれを留去し、ここにトリエチレンジアミン135mg
（1.2mM）を乾燥べンゼン2mlと共に加え、次にｐ−ｎ−
オクチルオキシビフェニルカルボン酸179mg（0.6mM）を
入れ、50℃で２時間加熱撹拌し、さらに60％水素化ナト
リウム48.2mg（1.2mM）を乾燥べンゼン1mlと共に加え、
２時間加熱還流した。反応後常温まで放冷し１規定塩酸
を少しずつ加え、余剰の水素化ナトリウムを除去し、こ
れをジエチルエーテルで抽出して、エーテル層を飽和塩
化ナトリウム水溶液で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥させ
た。溶媒を留去して、ジクロロメタンでシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらにこれにエ
タノール2mlを用いて再結晶して目的物を得た。
シ）安息香酸−４−（４″−ｎ−オクチルオキシ）ビフ
ェニルエステルの製造 ナス型フラスコに、（−）−４−（２−シアノ−２−
メチルヘキシルオキシ）安息香酸157mg（0.6mM）と塩化
チオニル2mlを入れ、1.5時間加熱還流した。反応後、余
剰の塩化チオニルを留去した。さらに乾燥べンゼンを加
えてこれを留去し、ここにトリエチレンジアミン135mg
（1.2mM）を乾燥べンゼン2mlと共に加え、次にｐ−ｎ−
オクチルオキシビフェニルカルボン酸179mg（0.6mM）を
入れ、50℃で２時間加熱撹拌し、さらに60％水素化ナト
リウム48.2mg（1.2mM）を乾燥べンゼン1mlと共に加え、
２時間加熱還流した。反応後常温まで放冷し１規定塩酸
を少しずつ加え、余剰の水素化ナトリウムを除去し、こ
れをジエチルエーテルで抽出して、エーテル層を飽和塩
化ナトリウム水溶液で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥させ
た。溶媒を留去して、ジクロロメタンでシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらにこれにエ
タノール2mlを用いて再結晶して目的物を得た。
収 量 137mg（42.2％） 比旋光度 ［α］589−1.1゜（C1.096 CHCl3） ［α］435−2.4゜ 実施例７ （＋）−４−（２−シアノ−２−メチルヘキシルオキ
シ）安息香酸−４−（４″−ｎ−デシルオキシ）ビフェ
ニルエステルの製造 （＋）−ｐ−トルエンスルホン酸−２−シアノ−２−
メチルヘキシルを原料に用い、実施例９の工程１）,2）
と同様の操作により得られた（＋）−４−（２−シアノ
−２−メチルヘキシルオキシ）安息香酸153mg（0.59m
M）とｐ−ｎ−デシルオキシビフェニルカルボン酸192mg
（0.59mM）を実施例６の工程３）と同様の方法で反応さ
せた。得られた粗生成物をジクロロメタン２に対してヘ
キサン１の混合溶媒でシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーを用いて精製し、さらにこれにエタノール2mlを用
いて再結晶を行ない目的物163mgを得た。
シ）安息香酸−４−（４″−ｎ−デシルオキシ）ビフェ
ニルエステルの製造 （＋）−ｐ−トルエンスルホン酸−２−シアノ−２−
メチルヘキシルを原料に用い、実施例９の工程１）,2）
と同様の操作により得られた（＋）−４−（２−シアノ
−２−メチルヘキシルオキシ）安息香酸153mg（0.59m
M）とｐ−ｎ−デシルオキシビフェニルカルボン酸192mg
（0.59mM）を実施例６の工程３）と同様の方法で反応さ
せた。得られた粗生成物をジクロロメタン２に対してヘ
キサン１の混合溶媒でシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーを用いて精製し、さらにこれにエタノール2mlを用
いて再結晶を行ない目的物163mgを得た。
収 量 163mg（48.6％） 比旋光度 ［α］435＋1.9゜（C2.38 CHCl3） 相転移温度（℃） 実施例８ （＋）−５−ｎ−オクチル−２−｛４−［４−（２−
シアノ−２−メチルヘキシルオキシ）ベンゾイルオキ
シ］フェニル｝ピリミジンの製造 実施例６の工程１）,2）と同様の操作を行うことによ
り得られた（＋）−４−（２−シアノ−２−メチルヘキ
シルオキシ）安息香酸183mg（0.70mM）と５−ｎ−オク
チル−２−ピリミジルフェノール220mg（0.70mM）を実
施例６の工程３）と同様の操作で反応させた。
シアノ−２−メチルヘキシルオキシ）ベンゾイルオキ
シ］フェニル｝ピリミジンの製造 実施例６の工程１）,2）と同様の操作を行うことによ
り得られた（＋）−４−（２−シアノ−２−メチルヘキ
シルオキシ）安息香酸183mg（0.70mM）と５−ｎ−オク
チル−２−ピリミジルフェノール220mg（0.70mM）を実
施例６の工程３）と同様の操作で反応させた。
得られた粗生成物は酢酸エチル１に対してヘキサン１
の混合溶媒でシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用
いて精製し、さらにこれをエタノールで再結晶し、目的
物209mgを得た。
の混合溶媒でシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用
いて精製し、さらにこれをエタノールで再結晶し、目的
物209mgを得た。
収 量 209mg（53.6％） 比旋光度 ［α］589−1.0゜（C1.001 CHCl3） ［α］435−2.7゜ 実施例９ （−）−４（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）安息香酸４−（４″−デシルオキシ）ビフェニルエ
ステルの製造 下記工程１）〜４）に従い（−）−４−（２−シアノ
−２−メチルペンチルオキシ）安息香酸４−（４″−デ
シルオキシ）ビフェニルを製造した。
シ）安息香酸４−（４″−デシルオキシ）ビフェニルエ
ステルの製造 下記工程１）〜４）に従い（−）−４−（２−シアノ
−２−メチルペンチルオキシ）安息香酸４−（４″−デ
シルオキシ）ビフェニルを製造した。
工程１） （−）−ｐ−トルエンスルホン酸（２−シアノ−２−
メチルペンチル）の製造 ナス型フラスコ中で（−）−２−シアノ−２−メチル
ペンタノール1.35g（10.6mM）を乾燥ピリジン2.52g（3
1.8mM）に溶解させた。氷浴につけ塩化ｐ−トルエンス
ルホニル2.22g（11.7mM）を加えた後、室温で６時間撹
拌した。反応終了後、6N塩酸10ml加え、ジエチルエーテ
ル15mlで３回で抽出した。これを無水硫酸ナトリウムで
一晩乾燥し、溶媒を留去した後、シリカゲル80g、溶媒
としてジクロロメタン−ベンゼン（2:1）を用い、カラ
ムクロマトグラフィーによって精製し、（−）−ｐ−ト
ルエンスルホン酸（２−シアノ−２−メチルペンチル）
を得た。
メチルペンチル）の製造 ナス型フラスコ中で（−）−２−シアノ−２−メチル
ペンタノール1.35g（10.6mM）を乾燥ピリジン2.52g（3
1.8mM）に溶解させた。氷浴につけ塩化ｐ−トルエンス
ルホニル2.22g（11.7mM）を加えた後、室温で６時間撹
拌した。反応終了後、6N塩酸10ml加え、ジエチルエーテ
ル15mlで３回で抽出した。これを無水硫酸ナトリウムで
一晩乾燥し、溶媒を留去した後、シリカゲル80g、溶媒
としてジクロロメタン−ベンゼン（2:1）を用い、カラ
ムクロマトグラフィーによって精製し、（−）−ｐ−ト
ルエンスルホン酸（２−シアノ−２−メチルペンチル）
を得た。
収 量 2.57（9.1mM） 収 率 86％ 比旋光度 ［α］Ｄ−15.1゜，［α］435−30.3゜（C1 ベンゼ
ン） 工程２） （−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）安息香酸エチルの製造 窒素雰囲気下で20mlスリ付ナス型フラスコに60％水素
化ナトリウム172mg（4.3mM）を量りとり、べンゼン1ml
を加え30秒間撹拌した。静置して水素化ナトリウムを沈
降させ、シリンジを用いてベンゼンを取り除き、ジメチ
ルホルムアミドを4ml加えた。そこへ、ｐ−ヒドロキシ
安息香酸エチル0.99g（3.6mM）を加え、水素の発生がお
さまるまで撹拌した。泡が発生しなくなった後、（−）
−ｐ−トルエンスルホン酸（２−シアノ−２−メチルペ
ンチル）を1.03g（3.6mM）加えて、120℃で６時間撹拌
した。反応後、ジメチルホルムアミドを減圧留去し、蒸
留水5mlを加え、エーテル5mlで３回で抽出した。これを
無水硫酸ナトリウムで一晩乾燥させて溶媒を留去した
後、シリカゲル40g、溶媒にジクロロメタンを用い、カ
ラムクロマトグラフィーによって精製し、（−）−ｐ−
（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ）安息香酸エ
チルを得た。
ン） 工程２） （−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）安息香酸エチルの製造 窒素雰囲気下で20mlスリ付ナス型フラスコに60％水素
化ナトリウム172mg（4.3mM）を量りとり、べンゼン1ml
を加え30秒間撹拌した。静置して水素化ナトリウムを沈
降させ、シリンジを用いてベンゼンを取り除き、ジメチ
ルホルムアミドを4ml加えた。そこへ、ｐ−ヒドロキシ
安息香酸エチル0.99g（3.6mM）を加え、水素の発生がお
さまるまで撹拌した。泡が発生しなくなった後、（−）
−ｐ−トルエンスルホン酸（２−シアノ−２−メチルペ
ンチル）を1.03g（3.6mM）加えて、120℃で６時間撹拌
した。反応後、ジメチルホルムアミドを減圧留去し、蒸
留水5mlを加え、エーテル5mlで３回で抽出した。これを
無水硫酸ナトリウムで一晩乾燥させて溶媒を留去した
後、シリカゲル40g、溶媒にジクロロメタンを用い、カ
ラムクロマトグラフィーによって精製し、（−）−ｐ−
（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ）安息香酸エ
チルを得た。
収 量 7.1g（2.6mM） 収 率 71％ ［α］Ｄ −2.4゜（C1ジエチルエーテル） 工程３） （−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）安息香酸の製造 ナス型フラスコに（−）−ｐ−（２−シアノ−２−メ
チルペンチルオキシ）安息香酸エチル0.71g（2.6mM）と
メタノール13mlを入れ撹拌し、そこへ水酸化ナトリウム
0.45g（10.8mM）を蒸留水5mlに溶かした水溶液を加え、
室温で22時間撹拌した。反応後、メタノールを減圧留去
し、3N塩酸をpH1になるまで加えた。白い結晶が析出し
てくるので、これを過し、デシケーター中で乾燥させ
た後、ベンゼン−ヘキサン混合溶媒で再結晶し目的物を
得た。
シ）安息香酸の製造 ナス型フラスコに（−）−ｐ−（２−シアノ−２−メ
チルペンチルオキシ）安息香酸エチル0.71g（2.6mM）と
メタノール13mlを入れ撹拌し、そこへ水酸化ナトリウム
0.45g（10.8mM）を蒸留水5mlに溶かした水溶液を加え、
室温で22時間撹拌した。反応後、メタノールを減圧留去
し、3N塩酸をpH1になるまで加えた。白い結晶が析出し
てくるので、これを過し、デシケーター中で乾燥させ
た後、ベンゼン−ヘキサン混合溶媒で再結晶し目的物を
得た。
収 量 0.48g（1.9mM） 収 率 75％ 比旋光度 ［α］Ｄ−0.5゜，［α］435−3.5゜（C1 CHCl3） 工程４） （−）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）安息香酸４−（４″−デシルオキシ）ビフェニルエ
ステルの製造 （−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）安息香酸240mg（0.97mM）に塩化チオニル2mlを加え
て油浴で80℃に加熱還流しながら２時間撹拌した。反応
後、ドライ（dry）べンゼン2mlを加え溶媒を留去する操
作を３回くり返し、塩化チオニルをできるだけ除いた。
これに、dryべンゼン1mlにトリエチレンジアミン217mg
（1.94mM）を溶かし水酸化カリウムで乾燥した溶液にｐ
−デシルオキシビフェノール220mg（0.97mM）を溶解さ
せ、これを乾燥べンゼン4mlと共に加えた。これを50℃
で２時間撹拌し、次に、60％水素化ナトリウム46mg（1.
16mM）を加え、加熱還流を２時間行った。反応終了後、
反応液を放冷し室温に戻し、3N塩酸をpH1になるまで加
えた。べンゼンで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥さ
せた後、溶媒を留去し、カラムクロマトグラフィー（移
動相：べンゼン／ヘキサン＝1/1である混合溶媒）で精
製した。
シ）安息香酸４−（４″−デシルオキシ）ビフェニルエ
ステルの製造 （−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）安息香酸240mg（0.97mM）に塩化チオニル2mlを加え
て油浴で80℃に加熱還流しながら２時間撹拌した。反応
後、ドライ（dry）べンゼン2mlを加え溶媒を留去する操
作を３回くり返し、塩化チオニルをできるだけ除いた。
これに、dryべンゼン1mlにトリエチレンジアミン217mg
（1.94mM）を溶かし水酸化カリウムで乾燥した溶液にｐ
−デシルオキシビフェノール220mg（0.97mM）を溶解さ
せ、これを乾燥べンゼン4mlと共に加えた。これを50℃
で２時間撹拌し、次に、60％水素化ナトリウム46mg（1.
16mM）を加え、加熱還流を２時間行った。反応終了後、
反応液を放冷し室温に戻し、3N塩酸をpH1になるまで加
えた。べンゼンで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥さ
せた後、溶媒を留去し、カラムクロマトグラフィー（移
動相：べンゼン／ヘキサン＝1/1である混合溶媒）で精
製した。
収 量 0.35g（0.63mM） 収 率 65％ 比旋光度 ［α］Ｄ−1.0゜，［α］435−0.4゜（C1 CH2Cl2） 実施例10 （−）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）安息香酸−４−（４″−オクチルオキシ）ビフェニ
ルエステルの製造 実施例９の工程４）のｐ−デシルオキシビフェノール
の代わりにｐ−オクチルオキシビフェノールを用いる以
外は、実施例９と同様の操作を行うことにより、（−）
−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ）安息
香酸−４−（４″−オクチルオキシ）ビフェニルエステ
ルを得た。
シ）安息香酸−４−（４″−オクチルオキシ）ビフェニ
ルエステルの製造 実施例９の工程４）のｐ−デシルオキシビフェノール
の代わりにｐ−オクチルオキシビフェノールを用いる以
外は、実施例９と同様の操作を行うことにより、（−）
−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ）安息
香酸−４−（４″−オクチルオキシ）ビフェニルエステ
ルを得た。
収 率 53％ 比旋光度 ［α］Ｄ−0.8゜，［α］435−0.2゜（C1 CHCl3） 実施例11 （＋）−４−（ｎ−ドデシルオキシビフェニル）−
４″−カルボン酸−（２−シアノ−２−メチルペンチル
オキシ）フェニルエステルの製造 下記工程１）〜３）に従い（＋）−４−（ｎ−ドデシ
ルオキシビフェニル）−４″−カルボン酸−（２−シア
ノ−２−メチルペンチルオキシ）フェニルエステルを製
造した。
４″−カルボン酸−（２−シアノ−２−メチルペンチル
オキシ）フェニルエステルの製造 下記工程１）〜３）に従い（＋）−４−（ｎ−ドデシ
ルオキシビフェニル）−４″−カルボン酸−（２−シア
ノ−２−メチルペンチルオキシ）フェニルエステルを製
造した。
工程１） （＋）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）フェニルベンジルエーテルの製造 実施例３の工程２）の（＋）−ｐ−トルエンスルホン
酸（２−シアノ−２−メチルヘキシル）の代わりに、実
施例12の工程１）で得た（−）−ｐ−トルエンスルホン
酸（２−シアノ−２−メチルペンチル）を用い、他は実
施例３の工程２）と同様の操作を行うことにより、
（＋）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）フェニルベンジルエーテルを得た。
シ）フェニルベンジルエーテルの製造 実施例３の工程２）の（＋）−ｐ−トルエンスルホン
酸（２−シアノ−２−メチルヘキシル）の代わりに、実
施例12の工程１）で得た（−）−ｐ−トルエンスルホン
酸（２−シアノ−２−メチルペンチル）を用い、他は実
施例３の工程２）と同様の操作を行うことにより、
（＋）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）フェニルベンジルエーテルを得た。
収 率 81％ 比旋光度 ［α］Ｄ＋0.6゜，［α］435＋1.2゜（C1メタノール） 工程２） （＋）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）フェノールの製造 実施例３の工程３）の（＋）−４−（２−シアノ−２
−メチルヘキシルオキシ）フェニルベンジルエーテルの
代わりに、上記で得られた（＋）−４−（２−シアノ−
２−メチルペンチルオキシ）フェニルべンジンエーテル
を用い、実施例３の工程３）と同様の操作を行うことに
より、（＋）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチル
オキシ）フェノールを得た。
シ）フェノールの製造 実施例３の工程３）の（＋）−４−（２−シアノ−２
−メチルヘキシルオキシ）フェニルベンジルエーテルの
代わりに、上記で得られた（＋）−４−（２−シアノ−
２−メチルペンチルオキシ）フェニルべンジンエーテル
を用い、実施例３の工程３）と同様の操作を行うことに
より、（＋）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチル
オキシ）フェノールを得た。
収 率 97％ 比旋光度 ［α］Ｄ＋0.8゜，［α］435＋2.4゜（C1べンゼン） 工程３） （＋）−４−（ｎ−ドデシルオキシビフェニル）−
４″−カルボン酸−（２−シアノ−２−メチルペンチル
オキシ）フェニルエステルの製造 窒素雰囲気下で20mlのスリ付ナス型フラスコにｐ−ド
デシルオキシ−ｐ“−ビフェニルカルボン酸を382mg
（1.0mM）取り、塩化チオニル2mlを加えて油浴で80℃に
加熱還流しながら２時間撹拌した。反応後、dryベンゼ
ン2mlを加え、溶媒を留去する操作を３回くり返し、塩
化チオニルをできるだけ除いた。これに、乾燥べンゼン
1mlにトリエチレンジアミン224mg（2.0mM）を溶かし水
酸化カリウムで乾燥した溶液に（＋）−ｐ−（２−シア
ノ−２−メチルペンチルオキシ）フェノールを溶かし、
これを乾燥べンゼン4mlを用いて加えた。これを50℃で
２時間撹拌した。反応後、60％水素化ナトリウム48mg
（1.2mM）を乾燥べンゼン1mlを用いて加え、80℃で加熱
還流しながら２時間撹拌した。反応後、3N塩酸を加えpH
1以下とし、べンゼンで抽出した。得られた溶液は無水
硫酸ナトリウムで乾燥させ、溶媒を留去した後、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ジクロロメタ
ン／ベンゼン＝1/1の混合溶媒）で精製した。
４″−カルボン酸−（２−シアノ−２−メチルペンチル
オキシ）フェニルエステルの製造 窒素雰囲気下で20mlのスリ付ナス型フラスコにｐ−ド
デシルオキシ−ｐ“−ビフェニルカルボン酸を382mg
（1.0mM）取り、塩化チオニル2mlを加えて油浴で80℃に
加熱還流しながら２時間撹拌した。反応後、dryベンゼ
ン2mlを加え、溶媒を留去する操作を３回くり返し、塩
化チオニルをできるだけ除いた。これに、乾燥べンゼン
1mlにトリエチレンジアミン224mg（2.0mM）を溶かし水
酸化カリウムで乾燥した溶液に（＋）−ｐ−（２−シア
ノ−２−メチルペンチルオキシ）フェノールを溶かし、
これを乾燥べンゼン4mlを用いて加えた。これを50℃で
２時間撹拌した。反応後、60％水素化ナトリウム48mg
（1.2mM）を乾燥べンゼン1mlを用いて加え、80℃で加熱
還流しながら２時間撹拌した。反応後、3N塩酸を加えpH
1以下とし、べンゼンで抽出した。得られた溶液は無水
硫酸ナトリウムで乾燥させ、溶媒を留去した後、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ジクロロメタ
ン／ベンゼン＝1/1の混合溶媒）で精製した。
収 量 517mg（0.81mM） 収 率 89％ 比旋光度 ［α］Ｄ＋0.1゜，［α］435＋0.7゜（C1 CH2Cl2） 実施例12 （＋）−４−（ｎ−デシルオキシビフェニル）−４″
−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）フェニルエステルの製造 実施例11の工程３）のｐ−ドデシルオキシ−ｐ″−ビ
フェニルカルボン酸の代わりにｐ−デシルオキシ−ｐ″
−ビフェニルカルボン酸を用いる以外は実施例11と同様
の操作を行ない（＋）−４−（ｎ−デシルオキシビフェ
ニル）−４″−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルペ
ンチルオキシ）フェニルエステルを製造した。
−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）フェニルエステルの製造 実施例11の工程３）のｐ−ドデシルオキシ−ｐ″−ビ
フェニルカルボン酸の代わりにｐ−デシルオキシ−ｐ″
−ビフェニルカルボン酸を用いる以外は実施例11と同様
の操作を行ない（＋）−４−（ｎ−デシルオキシビフェ
ニル）−４″−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルペ
ンチルオキシ）フェニルエステルを製造した。
［α］Ｄ＋0.2゜，［α］435＋0.7゜（C1 CH2Cl2） 実施例13 （＋）−４−（ｎ−オクチルオキシビフェニル）−
４″−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルペンチルオ
キシ）フェニルエステルの製造 実施例11の工程３）のｐ−ドデシルオキシ−ｐ″−ビ
フェニルカルボン酸の代わりにｐ−デシルオキシ−ｐ″
−ビフェニルカルボン酸を用いる以外は実施例11と同様
の操作を行ない（＋）−４−（ｎ−オクチルオキシビフ
ェニル）−４″−カルボン酸（２−シアノ−２−メチル
ペンチルオキシ）フェニルエステルを製造した。
４″−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルペンチルオ
キシ）フェニルエステルの製造 実施例11の工程３）のｐ−ドデシルオキシ−ｐ″−ビ
フェニルカルボン酸の代わりにｐ−デシルオキシ−ｐ″
−ビフェニルカルボン酸を用いる以外は実施例11と同様
の操作を行ない（＋）−４−（ｎ−オクチルオキシビフ
ェニル）−４″−カルボン酸（２−シアノ−２−メチル
ペンチルオキシ）フェニルエステルを製造した。
［α］Ｄ＋0.1゜，［α］435＋0.4゜（C1.5 CH2Cl2） 実施例９〜13に掲げられた液晶性化合物の相転移温度
を表１に示す。
を表１に示す。
実施例14 次に、２枚の0.7mm厚のガラス板を用意し、それぞれ
のガラス板上にITO（インジウム チン オキサイド;In
dium Tin Oxide）膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上にSiO2を蒸着させ絶縁層とした。ガラス板
上にシランカップリン剤〔信越化学（株）KBU−602〕0.
2％イソプロピルアルコール溶液を回転数2000r.p.mのス
ピードで15秒間塗布し、表面処理を施した。この後120
℃にて20分間加熱乾燥処理を施した。
のガラス板上にITO（インジウム チン オキサイド;In
dium Tin Oxide）膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上にSiO2を蒸着させ絶縁層とした。ガラス板
上にシランカップリン剤〔信越化学（株）KBU−602〕0.
2％イソプロピルアルコール溶液を回転数2000r.p.mのス
ピードで15秒間塗布し、表面処理を施した。この後120
℃にて20分間加熱乾燥処理を施した。
さらに、表面処理を行なったITO膜付きのガラス板上
にポリイミド樹脂前駆体〔東レ（株）、SP−510〕２％
ジメチルアセトアミド溶液を回転数2000r.p.mのスピン
ナーで15秒間塗布した。成膜後、60分間、300℃加熱縮
合焼成処理を施した。この時の塗膜の膜厚は約700Åで
あった。
にポリイミド樹脂前駆体〔東レ（株）、SP−510〕２％
ジメチルアセトアミド溶液を回転数2000r.p.mのスピン
ナーで15秒間塗布した。成膜後、60分間、300℃加熱縮
合焼成処理を施した。この時の塗膜の膜厚は約700Åで
あった。
この焼成後の被膜に、アセテート植毛布によるラビン
グ処理を施した。
グ処理を施した。
その後、イソプロピルアルコール液で洗浄し、平均粒
径２μｍのアルミナビーズを一方のガラス板上に散布し
た後、それぞれのラビング処理軸が互いに平行となる様
にし、接着シール剤〔リクソンボンド、チッソ（株）
製〕を用いてガラス板を貼り合わせ、100℃にて60分間
加熱乾燥しセルを作成した。このセルのセル厚をベレッ
ク位相板によって測定したところ、約２μｍであった。
径２μｍのアルミナビーズを一方のガラス板上に散布し
た後、それぞれのラビング処理軸が互いに平行となる様
にし、接着シール剤〔リクソンボンド、チッソ（株）
製〕を用いてガラス板を貼り合わせ、100℃にて60分間
加熱乾燥しセルを作成した。このセルのセル厚をベレッ
ク位相板によって測定したところ、約２μｍであった。
次に、実施例１で製造した液晶製化合物Ａと下記構造
式で示される強誘電性液晶化合物B,Cを下記の重量部で
混合し、等方相下均一混合液体状態で、前出の方法で作
成したセル内に注入した。等方相から５℃/hで25℃まで
徐冷することにより、強誘電性液相素子を作成した。
式で示される強誘電性液晶化合物B,Cを下記の重量部で
混合し、等方相下均一混合液体状態で、前出の方法で作
成したセル内に注入した。等方相から５℃/hで25℃まで
徐冷することにより、強誘電性液相素子を作成した。
この強誘電性液晶素子を使ってピーク・トウ・ピーク
電圧20Vの電圧印加により、直交ニコル下での光学的な
応答（透過光量変化０〜90％）を検知して応答速度（以
後、光学応答速度という）を測定した。その結果を第２
表に示す。
電圧20Vの電圧印加により、直交ニコル下での光学的な
応答（透過光量変化０〜90％）を検知して応答速度（以
後、光学応答速度という）を測定した。その結果を第２
表に示す。
比較例１ 実施例14で使用した液晶性化合物Ａを、強誘電性液晶
化合物に含有させなかった他は実施例14と同様の方法で
強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度を測定した。
その結果を第３表に示す。
化合物に含有させなかった他は実施例14と同様の方法で
強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度を測定した。
その結果を第３表に示す。
［発明の効果］ 以上説明した様に、本発明によれば、液晶性化合物の
分子鎖の長さを変更することが可能で、また極性が高め
られているので、それを含有する液晶組成物の自発分極
は増加し、また該液晶組成物を使用した液晶素子は応答
速度が極めて速く、さらにリバースドメインの発生を防
止することが可能となる。
分子鎖の長さを変更することが可能で、また極性が高め
られているので、それを含有する液晶組成物の自発分極
は増加し、また該液晶組成物を使用した液晶素子は応答
速度が極めて速く、さらにリバースドメインの発生を防
止することが可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｋ 19/20 9279−4Ｈ Ｃ０９Ｋ 19/20 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００
Claims (3)
- 【請求項１】下記一般式［１］で表わされる液晶性化合
物。 アルキル基、Ｘは単結合または−Ｏ−、Ｙは−OCH2−、 の中から選ばれ、ｋ、ｌ、ｎは１である。Ｃ＊は不斉炭
素原子を示す） - 【請求項２】下記一般式［１］で表わされる液晶性化合
物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組
成物。 （式中、R1は炭素原子数１〜16のアルキル基、R2は炭素
原子数２〜10のアルキル基、Ｘは単結合または−Ｏ−、
Ｙは−OCH2−、 の中から選ばれ、ｋ、ｌ、ｎは１である。Ｃ＊は不斉炭
素原子を示す） - 【請求項３】下記一般式［１］で表わされる液晶性化合
物を含有する液晶組成物を使用することを特徴とする液
晶素子。 （式中、R1は炭素原子数１〜16のアルキル基、R2は炭素
原子数２〜10のアルキル基、Ｘは単結合または−Ｏ−、
Ｙは−OCH2−、 の中から選ばれ、ｋ、ｌ、ｎは１である。Ｃ＊は不斉炭
素原子を示す）
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63039459A JP2610467B2 (ja) | 1987-11-12 | 1988-02-24 | 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 |
| AT88118848T ATE103891T1 (de) | 1987-11-12 | 1988-11-11 | Mesomorphe verbindung und diese enthaltende fluessigkristalline zusammensetzung. |
| EP88118848A EP0316011B1 (en) | 1987-11-12 | 1988-11-11 | Mesomorphic compound and liquid crystal composition containing same |
| DE3888923T DE3888923T2 (de) | 1987-11-12 | 1988-11-11 | Mesomorphe Verbindung und diese enthaltende flüssigkristalline Zusammensetzung. |
| US07/456,198 US5075031A (en) | 1987-11-12 | 1989-12-20 | Mesomorphic compound and liquid crystal composition containing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-284251 | 1987-11-12 | ||
| JP28425187 | 1987-11-12 | ||
| JP63039459A JP2610467B2 (ja) | 1987-11-12 | 1988-02-24 | 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260A JPH02260A (ja) | 1990-01-05 |
| JP2610467B2 true JP2610467B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=26378855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63039459A Expired - Fee Related JP2610467B2 (ja) | 1987-11-12 | 1988-02-24 | 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5075031A (ja) |
| EP (1) | EP0316011B1 (ja) |
| JP (1) | JP2610467B2 (ja) |
| DE (1) | DE3888923T2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5064564A (en) * | 1989-12-22 | 1991-11-12 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Optically active compound, intermediate therefor, process for producing the intermediate, and liquid-crystal composition |
| DE4030579A1 (de) * | 1990-09-27 | 1992-04-02 | Hoechst Ag | Cyclohexylphenylpyrimidine, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung in fluessigkristallinen mischungen |
| JP2952053B2 (ja) * | 1991-01-30 | 1999-09-20 | キヤノン株式会社 | 光学活性化合物、これを含む液晶組成物、およびその使用方法、それを使用した液晶素子、表示装置 |
| JP2952075B2 (ja) * | 1991-06-12 | 1999-09-20 | キヤノン株式会社 | 液晶素子の製造法 |
| JP2952141B2 (ja) * | 1993-01-08 | 1999-09-20 | キヤノン株式会社 | 液晶性化合物、それを含む液晶組成物、及びこれを用いた液晶素子 |
| GB9325438D0 (en) | 1993-12-13 | 1994-02-16 | Secr Defence | Ferroelectric liquid crystal devices |
| CN1315974C (zh) * | 2004-12-24 | 2007-05-16 | 安泰科技股份有限公司 | 自蓄热功能复合体及其制造方法与应用 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4367924A (en) * | 1980-01-08 | 1983-01-11 | Clark Noel A | Chiral smectic C or H liquid crystal electro-optical device |
| US4613209A (en) * | 1982-03-23 | 1986-09-23 | At&T Bell Laboratories | Smectic liquid crystals |
| DE3377219D1 (en) * | 1982-11-26 | 1988-08-04 | Hitachi Ltd | Smectic liquid crystal compounds and liquid crystal compositions |
| DE3332692A1 (de) * | 1983-09-10 | 1985-03-28 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Anisotrope verbindungen und fluessigkristallmischungen |
| US4592856A (en) | 1983-11-14 | 1986-06-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Liquid detergent composition |
| JPS60218358A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Ajinomoto Co Inc | 液晶 |
| EP0191860B1 (en) * | 1984-06-07 | 1990-04-18 | Seiko Instruments Inc. | Liquid crystal compound |
| FR2567877B1 (fr) * | 1984-07-17 | 1986-11-14 | Thomson Csf | Compose organique a structure chirale, son utilisation dans un melange de cristaux liquides et son procede de fabrication |
| GB8428653D0 (en) * | 1984-11-13 | 1984-12-19 | Secr Defence | Diesters |
| EP0191600B1 (en) * | 1985-02-08 | 1991-12-27 | Ajinomoto Co., Inc. | Polyphenyl-based ester compounds and liquid crystal compositions containing same |
| DE3515373A1 (de) * | 1985-04-27 | 1986-11-06 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Stickstoffhaltige heterocyclen |
| DE3518734A1 (de) * | 1985-05-24 | 1986-11-27 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Smektische fluessigkristalline phasen |
| DE3667052D1 (en) * | 1985-07-01 | 1989-12-28 | Ajinomoto Kk | Biphenyl carbonic acid ester compounds and liquid crystal composition containing the same |
| US4798680A (en) * | 1985-10-18 | 1989-01-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Optically active compound, process for producing same and liquid crystal composition containing same |
| WO1987005017A2 (fr) * | 1986-02-17 | 1987-08-27 | MERCK Patent Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Composes optiquement actifs |
| FR2595098B1 (fr) * | 1986-02-28 | 1988-09-16 | Thomson Csf | Cristal liquide ferroelectrique, son procede de fabrication et son utilisation dans un melange de cristaux liquides |
| JPS6322042A (ja) * | 1986-03-10 | 1988-01-29 | Canon Inc | フルオロアルカン誘導体 |
| GB8608115D0 (en) * | 1986-04-03 | 1986-05-08 | Secr Defence | Smectic liquid crystal devices |
| DE3765842D1 (de) * | 1986-05-30 | 1990-12-06 | Hoechst Ag | Chirale ester aus alpha-substituierten carbonsaeuren und mesogenen pyrimidin-5-yl-phenolen und ihre verwendung als dotierstoff in fluessigkristall-phasen. |
| US4777280A (en) * | 1986-07-01 | 1988-10-11 | University Patents, Inc. | Phenylbenzoate 1-cyanoalkoxy compounds |
| US4695650A (en) * | 1986-09-24 | 1987-09-22 | University Of Colorado Foundation | Liquid crystal compounds and compositions containing same |
| JPS63104949A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-10 | Canon Inc | フルオロアルカン誘導体及びこれを含む液晶組成物及び液晶素子 |
| DE3638026A1 (de) * | 1986-11-07 | 1988-05-11 | Merck Patent Gmbh | Chirale verbindungen |
| GB8629322D0 (en) * | 1986-12-08 | 1987-01-14 | Secr Defence | Cyano-terpenoid esters |
| JPH0684356B2 (ja) * | 1986-12-26 | 1994-10-26 | 旭電化工業株式会社 | ピリミジン化合物 |
| DE3730859A1 (de) * | 1987-04-16 | 1989-03-30 | Merck Patent Gmbh | Thiazol- und thiadiazol-derivate enthaltende medien mit smektischer fluessigkristalliner phase |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP63039459A patent/JP2610467B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-11 DE DE3888923T patent/DE3888923T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-11 EP EP88118848A patent/EP0316011B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-12-20 US US07/456,198 patent/US5075031A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3888923D1 (de) | 1994-05-11 |
| DE3888923T2 (de) | 1994-08-04 |
| EP0316011B1 (en) | 1994-04-06 |
| EP0316011A3 (en) | 1991-02-06 |
| JPH02260A (ja) | 1990-01-05 |
| US5075031A (en) | 1991-12-24 |
| EP0316011A2 (en) | 1989-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2660551B2 (ja) | 光学活性化合物及びそれを含む液晶組成物、液晶素子 | |
| JPH0533943B2 (ja) | ||
| JP2610467B2 (ja) | 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 | |
| JP2899064B2 (ja) | 液晶性化合物、これを含む液晶組成物およびこれを使用した液晶素子 | |
| JPH05194378A (ja) | 対掌性アゼチジノン誘導体および液晶混合物におけるドーピング剤としてのその使用 | |
| JP3039750B2 (ja) | キノキサリン化合物、これを含む液晶組成物、それを有する液晶素子、それらを用いた表示装置及び表示方法 | |
| JP3308626B2 (ja) | 液晶性化合物、これを含む液晶組成物、それを有する液晶素子、それらを用いた表示方法、および表示装置 | |
| US5679792A (en) | Derivatives of 3-cyclohexylpropionic acid, and the use thereof in ferroelectric liquid-crystal mixtures | |
| JPH03193774A (ja) | 光学活性液晶化合物、これを含む液晶組成物およびこれを利用した液晶素子 | |
| JP2819332B2 (ja) | 液晶性化合物およびそれを含有する液晶組成物 | |
| JPH0759566B2 (ja) | フルオロアルカン誘導体およびそれを含む液晶組成物 | |
| US5478495A (en) | Ferroelectric liquid crystal composition | |
| US5525258A (en) | Trifluorophenylene compounds, process for their preparation, and their use in liquid-crystalline mixtures | |
| JPH0784402B2 (ja) | 新規光学活性液晶性ビフエニル化合物 | |
| JP2670814B2 (ja) | 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物および液晶素子 | |
| JP2510668B2 (ja) | 液晶性化合物およびそれを含む液晶組成物、液晶素子 | |
| JPH01121244A (ja) | 光学活性な液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 | |
| JPH08151578A (ja) | 光学活性化合物、それを含有する液晶組成物、それを有する液晶素子及びそれらを用いた表示方法、液晶装置 | |
| JP3044820B2 (ja) | ピリミジン誘導体とそれを含む強誘電性液晶組成物 | |
| JP2692986B2 (ja) | 液晶性化合物、これを含む液晶組成物およびこれを使用した液晶素子 | |
| JPS63303951A (ja) | 光学活性な化合物およびそれを含む液晶組成物 | |
| JPS63218647A (ja) | 液晶性化合物およびそれを含む液晶組成物 | |
| JP2761909B2 (ja) | フツ素置換フエニルピリミジンのアルケニルエステル誘導体 | |
| JP2989324B2 (ja) | 新規なナフチルピリジン化合物、これを含む液晶組成物および光スイッチング素子 | |
| JP2865891B2 (ja) | 新規なエステル化合物、これを含む液晶組成物および光スイッチング素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |