JP2761909B2 - フツ素置換フエニルピリミジンのアルケニルエステル誘導体 - Google Patents

フツ素置換フエニルピリミジンのアルケニルエステル誘導体

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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規なフツ素置換フエニルピリミジンのア
ルケニルエステルおよび該化合物を含有する液晶組成物
に関する。
〔従来の技術とその問題点〕
液晶を利用した表示素子は時計、電卓等に広く使用さ
れている。これらの液晶表示素子は液晶物質の光学異方
性および誘電異方性を利用したものである。液晶相には
ネマチツク液晶相、スメクチツク液晶相、コレステリツ
ク液晶相があり、そのうちネマチツク液晶を利用したも
のが最も広く実用化されている。
それらには液晶表示に応用されている電気光学効果に
対応して、TN(ねじれネマチツク)型、DS(動的散乱)
型、ゲスト・ホスト型、DAP型等の表示素子があり、そ
れぞれに使用される液晶物質は自然界のなるべく広い温
度範囲で液晶相を示すものが望ましい。
既に多くの液晶化合物が知られているが、現在のとこ
ろ単一の液晶物質でそのような条件をみたす物質はな
く、数種の液晶物質またはさらに非液晶物質を混合して
実用に供している。これらの物質は水分、光、熱、空気
等に対しても安定であることを要求されている。
上述のような液晶物質等の混合物すなわち、液晶組成
物はその使用温度範囲すなわちネマチツク温度範囲の上
限ができるだけ高いことが要求されており、その構成成
分として該液晶化合物に添加することにより、その粘度
を高くすることなく、そのネマチツク相−等方性液相転
移点(以下、N−I点と略記する)を上昇させるような
化合物が要求されている。
また、近年表示素子の多桁表示が望まれ、従来のTN方
式では表示品位が劣るため、新たに一連のスーパー・ツ
イスト型表示方式(STNと略す)かM.シヤツト(Schad
t)、F・リーンフーツ(Leenhouts)(Appl.Phys.Let
t.50,236(1987))により開発され、多桁駆動で高品位
表示が可能になることが報告されている。
この方式に望まれる液晶の性質はK3/K1が大きく、K2/
K1は小さく、Δε/ε⊥は小さい値が望まれる。
(M.Schadt,F.Leenhouts,Socicty for Information Dis
play Internatinal Sympojium Digest of Techmical Pa
pers Vol.XVIII New Orleans,Louisiana May 12−14,
(1987)372−375) 〔発明の目的〕 本発明はK3/K1が大きく、また粘度がそれ程大きくな
くΔnが0.15程度であり、高い温度まで液晶相を示す優
れた化合物で上述のSTN型表示素子に好適な新規化合物
及び該化合物を含有する液晶組成物を提供することであ
る。
〔発明の構成〕
本発明(二発明)は一般式 (上式中R1は水素又は炭素数1〜15の直鎖又は枝分れし
たアルキル基、R2は炭素数3〜15の直鎖又は枝分れした
二重結合を一つ有するアルケニル基又はアルケニルオキ
シ基を示し、nは1又は2を示す。) で表わされる新規なフツ素置換フエニルピリミジンのア
ルケニルエステル誘導体および該化合物を少くとも1種
含有する液晶組成物である。
本発明の液晶組成物の成分に使用できる本発明の化合
物以外の他の成分としては、例えばエステル系、シツフ
塩基系、ビフエニル系、フエニルシクロヘキサン系、複
素環系等の化合物をあげることができる。
〔発明の作用、効果〕
本発明の化合物は、ネマチツク液晶相を示し、また相
溶性がよく、本発明の化合物を液晶組成物に少量添加す
ることによつてそのN−I点を上昇し粘度もそれ程大き
くせずK3/K1の値を大きくできる。またΔnが0.15と比
較的大きいためSTN型表示素子用セルの厚さを薄くで
き、STN型表示素子用の液晶組成物に好適な化合物であ
る。
〔化合物の製造〕
本発明の(I)式の化合物の製造方法の例は、下記反
応式によつて示される。
(上式中R1、R2、nは前記に同じ) すなわち、4−アルケニル安息香酸誘導体を塩化チオ
ニルと反応して、酸クロリドとし、これをピリジン存在
下2−フルオロ−4−(5−アルキル−2−ピリミジニ
ル)フエノールと反応して目的のフツ素置換フエニルピ
リミジンのアルケニルエステルを製造した。
以下実施例によつて、本発明を更に具体的に説明する
が、本発明はこの実施例によつて何等限定されるもので
はない。
実施例1 〔4−アルキルオキシ安息香酸2−フルオロ−4−(5
−エチル−2−ピリミジニル)フエニルエステルの製
造〕 4−アルキルオキシ安息香酸3.6g(0.02モル)と大過
剰の塩化チオニルをマントルヒーター上で4時間加熱還
流した。ついで、水流ポンプで減圧にして、過剰の塩化
チオニルを留去した。残つた油状物が4−アリルオキシ
安息香酸クロリドである。別のフラスコに2−フロオロ
−4−(5−エチル−2−ピリミジニル)フエノール4.
4g(0.02モル)をピリジン10mlに溶解した溶液を準備
し、これに先に製造した酸クロリドを加え、更にトルエ
ン300mlを加えよく撹拌した。
一晩放置してから、水100ml中にあけ、トルエン100ml
加えて抽出を行つた。トルエン層を2N苛性ソーダで洗
い、ついで中性になるまで水洗した。トルエン層を無水
硫酸ナトリウムで乾燥後、トルエンを減圧で留去し、残
つた結晶物を活性アルミナのカラムを用いて、トルエン
溶媒でクロマト処理を行つた。溶出したトルエン溶液を
減圧にてトルエンを留去し、残つた結晶物をエタノール
で再結晶を行つて、目的とする4−アリルオキシ安息香
酸2−フルオロ−4−(5−エチル−2−ピリミジニ
ル)フエニルエステルを製造した。収量は1.6g(収率32
%)、結晶−ネマチツク転移点(C−N点)117.3〜11
8.2℃、ネマチツク−透明点(N−I点)197.8℃であつ
た。
実施例2〜4 実施例1において4−アリルオキシ安息香酸の代りに
種々の4−アルケニルオキシ又は4−アルケニル安息香
酸又はビフエニルカルボン酸を用い、又2−フルオロ−
4−(5−エチル−2−ピリミジニル)フエノールの代
りに2−フルオロ−4(5−アルキル−2−ピリミジニ
ル)フエノールを用いて目的のフツ素置換フエニルピリ
ミジンのアルケニルエステル誘導体を製造した結果を第
1表に実施例1の結果と共に示した。
実施例5(使用例1) なる液晶組成物(A)のN−I点は72.0℃、Δεは+1
1.0、20℃における粘度は28cp、Δnは0.140、K3/K1
1.82である。
液晶セルとして、酸化ケイ素をコーテイングし、ラビ
ング処理した酸化スズ透明電極を有する基板を対向させ
組立てた、電極間距離が10μmのものを用意し、上記の
液晶組成物(A)を封入して20℃でその特性を測定した
ところ、しきい電圧(以下、Vthと略記する)は1.82Vで
あつた。
この液晶組成物(A)85重量%に本発明の実施例1で
製造した4−アリルオキシ安息香酸2−フルオロ−4−
(5−エチル−2−ピリミジニル)フエニルエステル15
重量%を溶解した組成物のN−I点は85.5℃、Δεは+
10.5、Δnは0.141、粘度は30cpであつた。又K3/K1は1.
99で、STN用として好適である。
実施例6(使用例2) 使用例1で用いた液晶混合物(A)90重量%に本発明
実施例3で製造した4−アリルオキシビフエニル−4′
−カルボン酸2−フルオロ−4−(5−エチル−2−ピ
リミジニル)フエニルエステル10重量%を溶解した組成
物のN−I点は79.5℃、Δεは+10.6、Δnは0.139、
粘度は29cpであつた。又K3/K1は1.98でSTN用に好適であ
る。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 (上式中R1は水素又は炭素数1〜15の直鎖又は枝分れし
    たアルキル基、R2は炭素数3〜15の直鎖又は枝分れした
    二重結合を一つ有するアルケニル基又はアルケニルオキ
    シ基を示し、nは1又は2を示す。) で表わされるフツ素置換フエニルピリミジンのアルケニ
    ルエステル誘導体。
  2. 【請求項2】請求項1記載のフツ素置換フエニルピリミ
    ジンのアルケニルエステル誘導体を少くとも1種含有す
    る液晶組成物。
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