JP3257006B2 - 不飽和エステル類 - Google Patents
不飽和エステル類Info
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Description
類および該不飽和エステル類を含有する液晶組成物に関
する。
などに広く使用されているが、これらの液晶表示素子は
液晶物質の光学異方性および誘電異方性を利用したもの
である。液晶相はネマチック液晶相、スメクチック液晶
相、コレステリック液晶相があり、そのうちネマチック
液晶相を利用したものが最も広く実用化されて、スメク
チック液晶の応用開発もさかんに行なわれている。
気光学効果に対応して、TN(ねじれネマチック)型、
DS(動的散乱)型、ゲスト・ホスト型、DAP型など
の表示素子がある。それぞれに使用される液晶物質は自
然界のなるべく広い温度範囲で液晶相を示すものが望ま
しい。現在のところ、単一の液晶物質で、そのような条
件をみたす物質はなく、数種の液晶物質、またはさらに
非液晶物質を混合して実用に供している。これらの物質
はまた水分、光、熱、空気などに安定であることが要求
されている。
が、従来のTN型方式では表示品位が劣るため、新たに
一連のSTN(スーパーツイスト)型表示素子がM.シ
ャット、F.リーンフーツ(Appl. Phys. Lett., 50, 23
6 (1987))により開発されいる。これは大型化しても表
示品位が劣らないものである。この方式に望まれる液晶
の性質はK3 /K1 が大きく、K2 /K1 は小さ
く、Δε/εは小さい値が望まれている。(M. Schadt,
F. Leenhouts:Societyfor Information Display Inter
national Symposium Digest of Technical Papars Vo
l. X VIII,New Orleans, Lousiana,May 12-14(1987) 37
2-375 )。たゞし、K1 は広がりの弾性定数、K2 は
ねじれの弾性定数、K3 は曲がりの弾性定数であり、
一様に配向したセルに磁界あるいは電界を印加した時の
しきい値から求められる。また、△εは誘電率異方性を
示し、配向ベクトルに垂直な方向の誘電率をε⊥、配向
ベクトルに平行する方向の誘電率をε‖とすると、△ε
=ε‖−ε⊥により求められる値である。
晶化合物との相溶性に優れており、液晶組成物に加える
ことにより、K3 /K1 およびN‐I点を上昇させる
性質を有する新規化合物を提供することである。他の目
的は、該化合物を含有する液晶組成物を提供することで
ある。
解決するため鋭意研究を重ねた結果、液晶組成物に加え
ると該組成物のK3 /K1 およびN‐I点が上昇する
不飽和エステル類を見出し、本発明を完成するに至っ
た。すなわち
5のアルキル基、R2は直鎖もしくは枝分れした炭素数
2〜15のアルケニル基またはアルキニル基を示し、A
は
ル−4,4’−ジイル基である場合は、R 2 は2−プロ
ピニルではない。)で表わされることを特徴とする。
5のアルキル基、R 2 は直鎖もしくは枝分れした炭素数
2〜15のアルケニル基またはアルキニル基を示し、A
は
ル−4,4’−ジイル基である場合は、R 2 は2−プロ
ピニルではない。)で表わされる不飽和エステル類を少
なくとも一種類含有することを特徴とする。
の式によって示される反応によって製造できる。
ボン酸(a)を過剰の塩化チオニルと反応し、酸クロリ
ド(b)とし、ついでこの酸クロリドをピリジンの存在
下アルコールと反応して目的の不飽和エステル類を得
る。
れる不飽和エステル類を少くとも一成分として含有す
る。本発明の液晶組成物の成分にできる本発明の不飽和
エステル類以外の成分としては、例えばエステル系、シ
ッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン
系、複素環系などの化合物をあげることができる。
すことができる。エステル系の液晶化合物としては、ト
ランス‐4‐アルキルシクロヘキサンカルボン酸‐4‐
アルキルフェニルエステル、トランス‐4‐アルキルシ
クロヘキサンカルボン酸‐4‐アルコキシフェニルエス
テル、4‐アルコキシ安息香酸‐4‐アルキルフェニル
エステル、4‐アルキル安息香酸‐4‐シアノフェニル
エステル、4‐(トランス‐4‐アルキルシクロヘキシ
ル)安息香酸‐4‐シアノフェニルエステルなど、
ルコキシベンジリデン‐4‐アルカノイルオキシアニリ
ン、4‐アルコキシベンジリデン‐4‐アルアルキルア
ニリン4‐アルコキシベンジリデン‐4‐シアノアニリ
ンなど、ビフェニル系液晶化合物としては、4′‐アル
キル‐4‐シアノビフェニル、4′‐アルコキシ‐4‐
シアノビフェニル、4′‐アルコキシ‐4‐アルキルビ
フェニルなど、フェニルシクロヘキサン系化合物として
は、トランス‐4‐アルキル‐(4‐シアノフェニル)
シクロヘキサン、トランス‐4‐アルキル‐(4‐アル
コキシフェニル)シクロヘキサンなど、
ル‐2‐(4‐シアノフェニル)‐1,3‐ジオキサ
ン、5‐アルキル‐2‐(4‐シアノフェニル)ピリジ
ン、5‐シアノ‐2‐(4‐アルキルフェニル)ピリジ
ンなどをあげることができる。
説明する。 実施例1 下記の式で示される4´‐(トランス‐4‐ペンチルシ
クロヘキシル)ビフェニル‐4‐カルボン酸 2‐ブチ
ニルの製造:
ェニル‐4‐カルボン酸の3.5gを塩化チオニル10
ミリリットルとともに80℃に加熱し、反応液は2時間
で均一になる。さらに1.5時間反応をつづけて後、過
剰の塩化チオニルを減圧にて留去して、油状の上記カル
ボン酸の塩化物を得た。一方、2‐ブチニルアルコール
(2‐ブチン‐1‐オールもしくは3‐メチル‐プロパ
ルギルアルコール)の2gをピリジンの20ミリリット
ルに混合した液に、上記の酸塩化物を加えたのちトルエ
ン100ミリリットルを加え、一晩放置する。このトル
エン溶液を分液漏斗で、まず6N塩酸で、ついで2N水
酸化ナトリウム溶液で、最後に水で中性になるまで洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。その後、トルエン
を減圧で留去し、残った油状物をエタノールで再結晶し
て目的の4´‐(トランス‐4‐ペンチルシクロヘキシ
ル)ビフェニル‐4‐カルボン酸2‐ブチニルを得た。
収量は3.1g(収率77%)であった。結晶‐スメク
チック相転移温度(C‐S点)は94〜95℃、スメク
チック相‐透明転移温度(S‐I点)は149℃であっ
た。
ル(2‐ペンテン‐1‐オール)2.5gにかえ他は実
施例1と同様に行ない次式で示される化合物を得た。相
転移点を表1に示す。
ル(3‐ペンテン‐1‐オール)2.5gにかえ他は実
施例1と同様に行ない、次式で示される化合物を得た。
相転移点を表1に示す。
ェニル‐4‐カルボン酸の3.5gを2‐フルオロ‐4
(トランス‐4‐エチルシクロヘキシル‐トランス‐4
‐シクロヘキシル)フェニルカルボン酸3.2gにかえ
他は実施例1と同様に行ない、次式で示される化合物を
得た。相転移点を表1に示す。
ェニル‐4‐カルボン酸の3.5gをトランス、トラン
ス‐4´‐プロピルビシクロヘキサン‐4‐カルボン酸
3.0gにかえ他は実施例1と同様に行ない、次式で示
される化合物を得た。相転移点を表1に示す。
‐ビフェニルカルボン酸の3.5gをトランス、トラン
ス4′‐ペンチルビシクロヘキサン‐4‐カルボン酸
3.2gにかえ他は実施例1と同様に行ない、次式で示
される化合物を得た。相転移点を表1に示す。
コール(3‐ヘキシン‐1‐オール)2.5gにかえ他
は実施例5と同様に行ない、次式で示される化合物を得
た。相転移点を表1に示す。
ェニル‐4‐カルボン酸の3.5gを4´´‐ペンチル
テルフェニル‐4‐カルボン酸3.5gに、2‐ブチニ
ルアルコール2gを3‐ブチニルアルコール(3‐ブチ
ン‐1‐オール)2.0gにかえる以外は実施例1と同
様に行ない、次式で示される化合物を得た。相転移点を
表1に示す。
コール(3‐ペンチン‐1‐オール)2.5gにかえる
以外は実施例8と同様に行ない、次式で示される化合物
を得た。相転移点を表1に示す。
ール2.0gにかえる以外は実施例8と同様に行った。
相転移点を表1に示す。
における屈折異方性Δn(=n‖−n⊥であり、配向ベ
クトルに平行な方向の屈折率と垂直な方向の屈折率の
差)は0.119、粘度は21.7c.p.であった。K3
/K1 は1.82である。
ーティングしてラビング処理した酸化スズ透明電極を有
する基板を電極間距離10μmに対向させて組立てた。
この液晶セルに前記の液晶混合物(A)を封入して、2
0℃で、その特性を測定したところ、誘電率異方性Δε
(=ε‖−ε⊥であり、配向ベクトルに平行な誘電率と
配向ベクトルに垂直な誘電率との差)は+10.7、し
きい値電圧Vthは1.60Vであった。
に、実施例4で製造した2‐フルオロ‐4(トランス‐
4‐エチルシクロヘキシル‐トランス‐4‐シクロヘキ
シル)フェニルカルボン酸2‐ブチニルを10重量%溶
解した組成物のN‐I点は53.1℃、誘電率異方性Δ
εは11.5、屈折率異方性Δnは0.115、しきい
値電圧Vthは1.65Vであった。K3 /K1 は
1.91であった。参考例の組成物とくらべてK3 /
K1 の値は大きくなり、N‐I点も上昇しSTN型表
示素子用として好適な液晶組成物を得た。
の液晶化合物、すなわちエステル系、シッフ塩基系、ビ
フェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系など
の液晶化合物との相溶性がよい。他の液晶組成物は、本
発明の不飽和エステル類を加えることにより、Δnを小
さく保持でき、しきい値電圧をそれ程上昇させることが
なく、K3 /K1 の値を大きくできる。そのためST
N型表示素子用の液晶組成物に好適な化合物である。
Claims (2)
- 【請求項1】 一般式 【化1】 (こゝで、R1は直鎖もしくは枝分れした炭素数1〜1
5のアルキル基、R2は直鎖もしくは枝分れした炭素数
2〜15のアルケニル基またはアルキニル基を示し、A
は 【化2】 【化3】 【化4】 【化5】 【化6】 【化7】 【化8】 【化9】 を示し、XはHもしくはFを示す。但し、Aがビフェニ
ル−4,4’−ジイル基である場合は、R 2 は2−プロ
ピニルではない。)で表わされる不飽和エステル類。 - 【請求項2】 一般式 【化10】 (こゝで、R 1 は直鎖もしくは枝分れした炭素数1〜1
5のアルキル基、R 2 は直鎖もしくは枝分れした炭素数
2〜15のアルケニル基またはアルキニル基を示し、A
は 【化11】 【化12】 【化13】 【化14】 【化15】 【化16】 【化17】 【化18】 を示し、XはHもしくはFを示す。但し、Aがビフェニ
ル−4,4’−ジイル基である場合は、R 2 は2−プロ
ピニルではない。)で表わされる不飽和エステル類を少
なくとも一種類含有する液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33553791A JP3257006B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 不飽和エステル類 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33553791A JP3257006B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 不飽和エステル類 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05140042A JPH05140042A (ja) | 1993-06-08 |
JP3257006B2 true JP3257006B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=18289686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33553791A Expired - Lifetime JP3257006B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 不飽和エステル類 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3257006B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5417885A (en) * | 1993-08-03 | 1995-05-23 | Showa Shell Sekiyu Kabushiki Kaisha | Antiferroelectric liquid crystal compound |
JP4075100B2 (ja) * | 1996-10-16 | 2008-04-16 | チッソ株式会社 | アルキニル基を側鎖として有する液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子 |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP33553791A patent/JP3257006B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05140042A (ja) | 1993-06-08 |
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