JP2633314B2 - アルケニルオキシ安息酸ハロゲノビフェニルエステル - Google Patents
アルケニルオキシ安息酸ハロゲノビフェニルエステルInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規なアルケニルオキシ安息香酸ハロゲノビ
フェニルエステル、および該化合物を有効成分として含
有する液晶組成物に関する。
フェニルエステル、および該化合物を有効成分として含
有する液晶組成物に関する。
液晶を利用した表示素子は時計、電卓等に広く使用さ
れている。これらの液晶表示素子は液晶物質の光学異方
性および誘電異方性を利用したものである。液晶相には
ネマチック液晶相、スメクチック液晶相、コレステリッ
ク液晶相があり、そのうちネマチック液晶を利用したも
のが最も広く実用化されている。それらには液晶表示に
応用されている電気光学効果に対応して、TN（ねじれネ
マチック）型、DS（動的散乱）型、ゲスト・ホスト型、
DAP型等の表示素子があり、それぞれに使用される液晶
物質は自然界のなるべく広い温度範囲で液晶相を示すも
のが望ましい。既に多くの液晶化合物が知られている
が、現在のところ単一の液晶物質でそのような条件をみ
たす物質はなく、数種の液晶物質またはさらに非液晶物
質を混合して実用に供している。これらの物質は水分、
光、熱、空気等に対しても安定であることを要求されて
いる。
れている。これらの液晶表示素子は液晶物質の光学異方
性および誘電異方性を利用したものである。液晶相には
ネマチック液晶相、スメクチック液晶相、コレステリッ
ク液晶相があり、そのうちネマチック液晶を利用したも
のが最も広く実用化されている。それらには液晶表示に
応用されている電気光学効果に対応して、TN（ねじれネ
マチック）型、DS（動的散乱）型、ゲスト・ホスト型、
DAP型等の表示素子があり、それぞれに使用される液晶
物質は自然界のなるべく広い温度範囲で液晶相を示すも
のが望ましい。既に多くの液晶化合物が知られている
が、現在のところ単一の液晶物質でそのような条件をみ
たす物質はなく、数種の液晶物質またはさらに非液晶物
質を混合して実用に供している。これらの物質は水分、
光、熱、空気等に対しても安定であることを要求されて
いる。
〔発明が解決しようとする課題〕 前記のような液晶物質等の混合物すなわち液晶組成物
はその粘度が低く、しきい値電圧がΔεに比べ低いこと
が望まれている。
はその粘度が低く、しきい値電圧がΔεに比べ低いこと
が望まれている。
本発明の目的は上述のような要求をみたす液晶化合物
として有用な新規化合物及び該化合物を含有する液晶組
成物を提供することである。
として有用な新規化合物及び該化合物を含有する液晶組
成物を提供することである。
本発明の第１の発明は下記一般式（Ｉ）で表わされる
アルケニルオキシ安息香酸ハロゲノビフェニルエステル
である。
アルケニルオキシ安息香酸ハロゲノビフェニルエステル
である。
（但し、上式中、Ｒは炭素数３〜15の二重結合を有する
直鎖ないしは枝分れしたアルケニル基を示し、ｍは１を
示し、ｎは２を示し、ＸはＦまたはClを示す。） 本発明の第２の発明は、該化合物を有効成分として含
有する液晶組成物である。
直鎖ないしは枝分れしたアルケニル基を示し、ｍは１を
示し、ｎは２を示し、ＸはＦまたはClを示す。） 本発明の第２の発明は、該化合物を有効成分として含
有する液晶組成物である。
本発明の化合物の製造方法としては、例えば下記反応
式によって示される反応によって製造し得る。
式によって示される反応によって製造し得る。
（m,n,Xは前記と同じ） すなわち、４−アルケニル安息香酸、４−アルケニル
オキシ安息香酸を塩化チオニルと反応して、酸クロリド
とし、これを４−ハロゲノフェノール誘導体、４−ハロ
ゲノフェニルフェノール誘導体とピリジンの存在下に反
応を行わしめ、目的のアルケニルオキシ安息香酸ハロゲ
ノビフェニルエステルを製造し得る。
オキシ安息香酸を塩化チオニルと反応して、酸クロリド
とし、これを４−ハロゲノフェノール誘導体、４−ハロ
ゲノフェニルフェノール誘導体とピリジンの存在下に反
応を行わしめ、目的のアルケニルオキシ安息香酸ハロゲ
ノビフェニルエステルを製造し得る。
また本発明の液晶組成物は前記の式に示す本発明の化
合物を少なくとも一成分含有することを特徴とする。本
発明の液晶組成物の成分にできる本発明の化合物以外の
他の成分としては、例えばエステル系、シッフ塩基系、
ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系等
の化合物をあげることができる。
合物を少なくとも一成分含有することを特徴とする。本
発明の液晶組成物の成分にできる本発明の化合物以外の
他の成分としては、例えばエステル系、シッフ塩基系、
ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系等
の化合物をあげることができる。
これらの化合物の具体例としては、エステル系液晶化
合物としては、トランス−４−アルキルシクロヘキサン
カルボン酸−４−アルキルフェニルエステル、トランス
−４−アルキルシクロヘキサンカルボン酸−４−アルコ
キシフェニルエステル、４−アルコキシ安息香酸−４−
アルキルフェニルエステル、４−アルキル安息香酸−４
−シアノフェニルエステル、４−（トランス−４−アル
キルシクロヘキシル）安息香酸−４−シアノフェニルエ
ステル等、シッフ塩基系液晶化合物としては、４−アル
コキシベンジリデン−４−アルカノイルオキシアニリ
ン、４−アルコキシベンジリデン−４−アルキルアニリ
ン、４−アルコキシベンジリデン−４−シアノアニリン
等、ビフェニル系液晶化合物としては、４′−アルキル
−４−シアノビフェニル、４′−アルコキシ−４−シア
ノビフェニル、４′−アルコキシ−４−アルキルビフェ
ニル等、フェニルシクロヘキサン系化合物としては、ト
ランス−４−アルキル−（４−シアノフェニル）シクロ
ヘキサン、トランス−４−アルキル−（４−アルコキシ
フェニル）シクロヘキサン等、複素環系液晶化合物とし
ては、５−アルキル−２−（４−シアノフェニル）−1,
3−ジオキサン、５−アルキル−２−（４−シアノフェ
ニル）ピリミジン、５−シアノ−２−（４−アルキルフ
ェニル）ピリミジン等をあげることができる。
合物としては、トランス−４−アルキルシクロヘキサン
カルボン酸−４−アルキルフェニルエステル、トランス
−４−アルキルシクロヘキサンカルボン酸−４−アルコ
キシフェニルエステル、４−アルコキシ安息香酸−４−
アルキルフェニルエステル、４−アルキル安息香酸−４
−シアノフェニルエステル、４−（トランス−４−アル
キルシクロヘキシル）安息香酸−４−シアノフェニルエ
ステル等、シッフ塩基系液晶化合物としては、４−アル
コキシベンジリデン−４−アルカノイルオキシアニリ
ン、４−アルコキシベンジリデン−４−アルキルアニリ
ン、４−アルコキシベンジリデン−４−シアノアニリン
等、ビフェニル系液晶化合物としては、４′−アルキル
−４−シアノビフェニル、４′−アルコキシ−４−シア
ノビフェニル、４′−アルコキシ−４−アルキルビフェ
ニル等、フェニルシクロヘキサン系化合物としては、ト
ランス−４−アルキル−（４−シアノフェニル）シクロ
ヘキサン、トランス−４−アルキル−（４−アルコキシ
フェニル）シクロヘキサン等、複素環系液晶化合物とし
ては、５−アルキル−２−（４−シアノフェニル）−1,
3−ジオキサン、５−アルキル−２−（４−シアノフェ
ニル）ピリミジン、５−シアノ−２−（４−アルキルフ
ェニル）ピリミジン等をあげることができる。
本発明の化合物、特に３環からなるので広い温度範囲
でネマチック液晶相を示し、かつ液相から液体になる温
度（Ｎ−Ｉ点）が高い。また液晶組成物に少量添加する
ことにより、液晶組成物の液晶−液体点（Ｎ−Ｉ点）を
上昇させることができる。また粘度もそれ程高めること
はない。
でネマチック液晶相を示し、かつ液相から液体になる温
度（Ｎ−Ｉ点）が高い。また液晶組成物に少量添加する
ことにより、液晶組成物の液晶−液体点（Ｎ−Ｉ点）を
上昇させることができる。また粘度もそれ程高めること
はない。
本発明の化合物は、多くの液晶化合物、すなわちエス
テル系、シッフ塩素系、ビフェニル系、フェニルシクロ
ヘキサン系、複素環系等との相溶性がよく、本発明の化
合物を液晶化合物に少量添加することによって低粘性に
し、Δε（≡ε‖−ε⊥即ち液晶軸方向に平行な誘電率
ε‖と直角な誘電率ε⊥との差）に比べ、しきい値電圧
（以下Vthと略記する）が低く、Δｎ（≡ｎ‖−ｎ⊥即
ち液晶軸方向に平行な屈折率と直角な屈折率との差）を
小さくすることができる。
テル系、シッフ塩素系、ビフェニル系、フェニルシクロ
ヘキサン系、複素環系等との相溶性がよく、本発明の化
合物を液晶化合物に少量添加することによって低粘性に
し、Δε（≡ε‖−ε⊥即ち液晶軸方向に平行な誘電率
ε‖と直角な誘電率ε⊥との差）に比べ、しきい値電圧
（以下Vthと略記する）が低く、Δｎ（≡ｎ‖−ｎ⊥即
ち液晶軸方向に平行な屈折率と直角な屈折率との差）を
小さくすることができる。
また不飽和二重結合を有することにより、STN（スー
パートウィステッドネマチック）型表示方式に対して、
有利に利用することができる。
パートウィステッドネマチック）型表示方式に対して、
有利に利用することができる。
以下実施例によって、本発明を更に具体的に説明する
が、本発明はこの実施例によって何等限定されるもので
はない。
が、本発明はこの実施例によって何等限定されるもので
はない。
（実施例１） （４−アリルオキシ安息香酸−４−フルオロ−４′−ビ
フェニリルエステルの製造） ４−アリルオキシ安息香酸1.8g（0.01モル）と大過剰
の塩化チオニルをマントルヒーター上で４時間還流下に
加熱した。ついで水流ポンプで減圧にして、過剰の塩化
チオニルを留去した。残った油状物が４−アリルオキシ
安息香酸クロリドである。
フェニリルエステルの製造） ４−アリルオキシ安息香酸1.8g（0.01モル）と大過剰
の塩化チオニルをマントルヒーター上で４時間還流下に
加熱した。ついで水流ポンプで減圧にして、過剰の塩化
チオニルを留去した。残った油状物が４−アリルオキシ
安息香酸クロリドである。
別のフラスコに４−フルオロ−４′−ヒドロキシビフ
ェニル1.9g（0.01モル）をピリジン10mlに溶解した溶液
を準備し、これを先に製造した酸クロリドを加え、更に
トルエン100mlを加え、よく撹拌した。
ェニル1.9g（0.01モル）をピリジン10mlに溶解した溶液
を準備し、これを先に製造した酸クロリドを加え、更に
トルエン100mlを加え、よく撹拌した。
一晩放置してから、水100ml中にあけ、トルエン50ml
を加えて抽出した。トルエン層を2N水酸化ナトリウム水
溶液で洗浄した後、中性になるまで水洗した。
を加えて抽出した。トルエン層を2N水酸化ナトリウム水
溶液で洗浄した後、中性になるまで水洗した。
ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥後、トルエンを減圧
で留去し、残った油状物を活性アルミナのカラムを用い
て、トルエン溶媒でクロマト処理を行った。溶出したト
ルエン溶液を減圧にて、トルエンを留去し、残った油状
物をエタノールで再結晶を行って、目的とする４−アリ
ルオキシ安息香酸−４−フルオロ−４′−ビフェニリル
エステルを製造した。
で留去し、残った油状物を活性アルミナのカラムを用い
て、トルエン溶媒でクロマト処理を行った。溶出したト
ルエン溶液を減圧にて、トルエンを留去し、残った油状
物をエタノールで再結晶を行って、目的とする４−アリ
ルオキシ安息香酸−４−フルオロ−４′−ビフェニリル
エステルを製造した。
収量は1.5g（収率43％）、結晶−液晶転移点（Ｃ−Ｎ
点）113.8〜114.5℃、Ｎ−Ｉ点211.6℃であった。
点）113.8〜114.5℃、Ｎ−Ｉ点211.6℃であった。
（実施例２、３） 実施例１において、４−アリルオキシ安息香酸1.8g
（0.01モル）の代りに種々の４−アルケニルオキシ安息
香酸誘導体（0.01モル）を用いて、目的のエステル誘導
体を製造した結果を第１表に実施例１の結果と共に示し
た。
（0.01モル）の代りに種々の４−アルケニルオキシ安息
香酸誘導体（0.01モル）を用いて、目的のエステル誘導
体を製造した結果を第１表に実施例１の結果と共に示し
た。
（比較例１、２） 実施例１において、４−フルオロ−４′−ヒドロキシ
ビフェニル1.9g（0.01モル）の代りに種々の４−ハロゲ
ノ−４′−ヒドロキシフェニル（0.01モル）を用いて、
目的のエステル誘導体を製造した結果を第１表に実施例
１の結果と共に示した。
ビフェニル1.9g（0.01モル）の代りに種々の４−ハロゲ
ノ−４′−ヒドロキシフェニル（0.01モル）を用いて、
目的のエステル誘導体を製造した結果を第１表に実施例
１の結果と共に示した。
（実施例８） なる組成の液相組成物（Ａ）のＮ−Ｉ点は52.1℃、Δε
は＋11.2、20℃における粘度は23.4cpである。
は＋11.2、20℃における粘度は23.4cpである。
液晶セルとして酸化ケイ素をコーティングし、ラビン
グ処理した酸化スズ透明電極を有する基板を対向させて
組立てた、電極間距離が10μｍのものを用意し、上記の
液晶混合物（Ａ）を封入して20℃で、その特性を測定し
たところ、Vthは1.56V、飽和電圧（以下Vsatと略記す
る）は2.74Vであった。
グ処理した酸化スズ透明電極を有する基板を対向させて
組立てた、電極間距離が10μｍのものを用意し、上記の
液晶混合物（Ａ）を封入して20℃で、その特性を測定し
たところ、Vthは1.56V、飽和電圧（以下Vsatと略記す
る）は2.74Vであった。
この液晶組成物（Ａ）85重量％に本発明の実施例１で
製造した４−アリルオキシ安息香酸−４−フルオロ−
４′−ビフェニリルエステル15重量％を溶解した組成物
のＮ−Ｉ点は65.7℃、Δεは＋10.3、20℃における粘度
は27.6cpであった。
製造した４−アリルオキシ安息香酸−４−フルオロ−
４′−ビフェニリルエステル15重量％を溶解した組成物
のＮ−Ｉ点は65.7℃、Δεは＋10.3、20℃における粘度
は27.6cpであった。
そして該組成物を用いて前述と同じ液晶セルに封入し
たものの特性については、Vthが1.62V、Vsatが2.84Vで
あり、粘度をそれ程上昇させずに、Ｎ−Ｉ点を大巾に高
くすることができた。
たものの特性については、Vthが1.62V、Vsatが2.84Vで
あり、粘度をそれ程上昇させずに、Ｎ−Ｉ点を大巾に高
くすることができた。
本発明の化合物は、特に３環からなるので、広い温度
範囲でネマチック液晶相を示し、且つ高いＮ−Ｉ点を示
し、液晶組成物に少量添加することにより、粘度をそれ
程高めることなく、液晶組成物のＮ−Ｉ点を上昇させる
ことができる。
範囲でネマチック液晶相を示し、且つ高いＮ−Ｉ点を示
し、液晶組成物に少量添加することにより、粘度をそれ
程高めることなく、液晶組成物のＮ−Ｉ点を上昇させる
ことができる。
多くの液晶化合物、すなわちエステル系、シッフ塩基
系、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環
系等との相溶性が良好であり、本発明の化合物を液晶組
成物に少量添加することによって低粘性にし、Δεに比
べVthが低く、Δｎを小さくすることができる。
系、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環
系等との相溶性が良好であり、本発明の化合物を液晶組
成物に少量添加することによって低粘性にし、Δεに比
べVthが低く、Δｎを小さくすることができる。
本発明の化合物は不飽和二重結合を有しているので、
STN（スーパートウィステッドネマチック）型標示素子
に有利に応用できる。
STN（スーパートウィステッドネマチック）型標示素子
に有利に応用できる。
実用上の効果の大きい発明である。
Claims (2)
- 【請求項１】下記一般式（Ｉ）で表わされるアルケニル
オキシ安息香酸ハロゲノビフェニルエステル （ただし、上式中、Ｒは炭素数３〜15の二重結合を有す
る直鎖ないしは枝分れしたアルケニル基を示し、ｍは１
を示し、ｎは２を示し、ＸはＦまたはClを示す。）。 - 【請求項２】請求項１記載のアルケニルオキシ安息香酸
ハロゲノビフェニルエステルを有効成分として含有する
液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181618A JP2633314B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | アルケニルオキシ安息酸ハロゲノビフェニルエステル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181618A JP2633314B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | アルケニルオキシ安息酸ハロゲノビフェニルエステル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0232044A JPH0232044A (ja) | 1990-02-01 |
| JP2633314B2 true JP2633314B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=16103945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63181618A Expired - Fee Related JP2633314B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | アルケニルオキシ安息酸ハロゲノビフェニルエステル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2633314B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02225444A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-07 | Seimi Chem Kk | アルケニル化合物及びそれを含有する液晶組成物 |
| JP4186133B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2008-11-26 | Ｄｉｃ株式会社 | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置 |
| JP4742210B2 (ja) * | 2001-05-16 | 2011-08-10 | Ｊｎｃ株式会社 | 酸フッ化物誘導体およびそれを含む液晶組成物 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6178753A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Asahi Glass Co Ltd | トランス−エチレン誘導体化合物及びそれを含有する液晶組成物 |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP63181618A patent/JP2633314B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6178753A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Asahi Glass Co Ltd | トランス−エチレン誘導体化合物及びそれを含有する液晶組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0232044A (ja) | 1990-02-01 |
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