JPH0232044A - アルケニルオキシ安息酸ハロゲノビフェニルエステル - Google Patents
アルケニルオキシ安息酸ハロゲノビフェニルエステルInfo
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- JPH0232044A JPH0232044A JP63181618A JP18161888A JPH0232044A JP H0232044 A JPH0232044 A JP H0232044A JP 63181618 A JP63181618 A JP 63181618A JP 18161888 A JP18161888 A JP 18161888A JP H0232044 A JPH0232044 A JP H0232044A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規な不飽和アルキル安息香酸ハロゲノフェニ
ルエステル類、および該化合物を有効成分として含有す
る液晶組成物に関する。
ルエステル類、および該化合物を有効成分として含有す
る液晶組成物に関する。
液晶を利用した表示素子は時計、電卓等に広く使用され
ている。これらの液晶表示素子は液晶物質の光学異方性
および誘電異方性を利用したものである。液晶相にはネ
マチック液晶相、スメクチック液晶相、コレステリック
液晶相があり、そのうちネマチック液晶を利用したもの
が最も広く実用化されている。それらには液晶表示に応
用されている電気光学効果に対応して、TN(ねじれネ
マチック)型、DS(動的散乱)型、ゲスト・ホスト型
、DAP型等の表示素子があり、それぞれに使用される
液晶物質は自然界のなるべく広い温度範囲で液晶相を示
すものが望ましい、既に多くの液晶化合物が知られてい
るが、現在のところ単一の液晶物質でそのような条件を
みたす物質はなく、数種の液晶物質またはさらに非液晶
物質を温合して実用に供している。これらの物質は水分
、光、熱、空気等に対しても安定であることを要求され
ている。
ている。これらの液晶表示素子は液晶物質の光学異方性
および誘電異方性を利用したものである。液晶相にはネ
マチック液晶相、スメクチック液晶相、コレステリック
液晶相があり、そのうちネマチック液晶を利用したもの
が最も広く実用化されている。それらには液晶表示に応
用されている電気光学効果に対応して、TN(ねじれネ
マチック)型、DS(動的散乱)型、ゲスト・ホスト型
、DAP型等の表示素子があり、それぞれに使用される
液晶物質は自然界のなるべく広い温度範囲で液晶相を示
すものが望ましい、既に多くの液晶化合物が知られてい
るが、現在のところ単一の液晶物質でそのような条件を
みたす物質はなく、数種の液晶物質またはさらに非液晶
物質を温合して実用に供している。これらの物質は水分
、光、熱、空気等に対しても安定であることを要求され
ている。
前記のような液晶物質等の混合物すなわち液晶組成物は
その粘度が低く、しきい値電圧がΔεに比べ低いことが
望まれている。
その粘度が低く、しきい値電圧がΔεに比べ低いことが
望まれている。
本発明の目的は上述のような要求をみたす液晶化合物と
して有用な新規化合物及び該化合物を含有する液晶組成
物を提供することである。
して有用な新規化合物及び該化合物を含有する液晶組成
物を提供することである。
本発明の第1の発明は下記−数式(I)で表わされる不
飽和アルキル安息香酸ハロゲノフェニルエステル類であ
る。
飽和アルキル安息香酸ハロゲノフェニルエステル類であ
る。
(但し、上式中、Rは炭素数3〜15の二重結合を有す
る直鎖ないしは枝分れしたアルケニル基を示し、mは0
または1を示し、nは0,1または2を示し、XはFま
たはCIを示す。)本発明の第2の発明は、該化合物を
有効成分として含有する液晶組成物である。
る直鎖ないしは枝分れしたアルケニル基を示し、mは0
または1を示し、nは0,1または2を示し、XはFま
たはCIを示す。)本発明の第2の発明は、該化合物を
有効成分として含有する液晶組成物である。
本発明の化合物の製造方法としては、例えば下記反応式
によって示される反応によって製造し得る。
によって示される反応によって製造し得る。
(m、n、Xは前記と同じ)
すなわち、4−アルケニル安息香酸誘導体を塩化チオニ
ルと反応して、酸クロリドとし、これを4−ハロゲノフ
ェノール誘導体とピリジン存在下に反応を行わしめ、目
的の不飽和アルキル安息香酸ハロゲノフェニルエステル
類を製造し得る。
ルと反応して、酸クロリドとし、これを4−ハロゲノフ
ェノール誘導体とピリジン存在下に反応を行わしめ、目
的の不飽和アルキル安息香酸ハロゲノフェニルエステル
類を製造し得る。
また本発明の液晶組成物は前記の式仁示す本発明の化合
物を少なくとも一成分含有することを特徴とする。本発
明の液晶組成物の成分にできる本発明の化合物以外の他
の成分としては、例えばエステル系、シック塩基系、ビ
フェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系等の
化合物をあげることができる。
物を少なくとも一成分含有することを特徴とする。本発
明の液晶組成物の成分にできる本発明の化合物以外の他
の成分としては、例えばエステル系、シック塩基系、ビ
フェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系等の
化合物をあげることができる。
これらの化合物の具体例としては、エステル系液晶化合
物としては、トランス−4−アルキルシクロヘキサンカ
ルボン酸−4−アルキルフェニルエステル、トランス−
4−アルキルシクロヘキサンカルボン酸−4−アルコキ
シフェニルエステル、4−アルコキシ安息香酸−4−ア
ルキルフェニルエステル、4−アルキル安息香酸−4−
シアノフェニルエステル、4−(トランス−4−アルキ
ルシクロヘキシル)安息香酸−4−シアノフェニルエス
テル等、シップ塩基系液晶化合物としては、4−アルコ
キシベンジリデン−4−アルカノイルオキシアニリン、
4−アルコキシベンジリデン−4−アルキルアニリン、
4−アルコキシベンジリデン−4−シアノアニリン等、
ビフェニル系液晶化合物としては、4′ −アルキル−
4−シアノビフェニル、4′ −アルコキシ−4−シア
ノビフェニル、4′ −アルコキシ−4−アルキルビフ
ェニル等、フェニルシクロヘキサン系化合物としては、
トランス−4−アルキル−(4−シアノフェニル)シク
ロヘキサン、トランス−4−アルキル−(4アルコキシ
フエニル)シクロヘキサン等、複素環系液晶化合物とし
ては、5−アルキル−2−(4−シアノフェニル)−1
,3−ジオキサン、5−アルキル−2−(4−シアノフ
ェニル)ピリミジン、5−シアノ−2−(4−アルキル
フェニル)ピリミジン等をあげることができる。
物としては、トランス−4−アルキルシクロヘキサンカ
ルボン酸−4−アルキルフェニルエステル、トランス−
4−アルキルシクロヘキサンカルボン酸−4−アルコキ
シフェニルエステル、4−アルコキシ安息香酸−4−ア
ルキルフェニルエステル、4−アルキル安息香酸−4−
シアノフェニルエステル、4−(トランス−4−アルキ
ルシクロヘキシル)安息香酸−4−シアノフェニルエス
テル等、シップ塩基系液晶化合物としては、4−アルコ
キシベンジリデン−4−アルカノイルオキシアニリン、
4−アルコキシベンジリデン−4−アルキルアニリン、
4−アルコキシベンジリデン−4−シアノアニリン等、
ビフェニル系液晶化合物としては、4′ −アルキル−
4−シアノビフェニル、4′ −アルコキシ−4−シア
ノビフェニル、4′ −アルコキシ−4−アルキルビフ
ェニル等、フェニルシクロヘキサン系化合物としては、
トランス−4−アルキル−(4−シアノフェニル)シク
ロヘキサン、トランス−4−アルキル−(4アルコキシ
フエニル)シクロヘキサン等、複素環系液晶化合物とし
ては、5−アルキル−2−(4−シアノフェニル)−1
,3−ジオキサン、5−アルキル−2−(4−シアノフ
ェニル)ピリミジン、5−シアノ−2−(4−アルキル
フェニル)ピリミジン等をあげることができる。
本発明の化合物、特に3環からなるものは広い温度範囲
でネマチック液晶相を示し、がっ液晶から液体になる温
度(N−I点)が高い。また液晶組成物に少量添加する
ことにより、液晶組成物の液晶−液体点(N−I点)を
上昇させることができる。また粘度もそれ程高めること
はない。
でネマチック液晶相を示し、がっ液晶から液体になる温
度(N−I点)が高い。また液晶組成物に少量添加する
ことにより、液晶組成物の液晶−液体点(N−I点)を
上昇させることができる。また粘度もそれ程高めること
はない。
不飽和アルキル安息香酸ハロゲノフェニルエスチル類と
記載しているが、−数式<I)および実施例1で明らか
なようにハロゲノビフェニリルエステルも含んでおり、
類という表現はこれをも表わしている。
記載しているが、−数式<I)および実施例1で明らか
なようにハロゲノビフェニリルエステルも含んでおり、
類という表現はこれをも表わしている。
本発明の化合物は、多くの液晶化合物、すなわちエステ
ル系、シック塩素系、ビフェニル系、フェニルシクロヘ
キサン系、複素環系等との相溶性がよく、本発明の化合
物を液晶化合物に少量添加することによって低粘性にし
、Δε(=εI+−ε工即ち液晶軸方向に平行な誘電率
ε11と直角な誘電率ε上との差)に比べ、しきい値電
圧(以下vthと略記する)が低く、Δn(ミnil
−nよ即ち液晶軸方向に平行な屈折率と直角な屈折率と
の差)を小さくすることができる。
ル系、シック塩素系、ビフェニル系、フェニルシクロヘ
キサン系、複素環系等との相溶性がよく、本発明の化合
物を液晶化合物に少量添加することによって低粘性にし
、Δε(=εI+−ε工即ち液晶軸方向に平行な誘電率
ε11と直角な誘電率ε上との差)に比べ、しきい値電
圧(以下vthと略記する)が低く、Δn(ミnil
−nよ即ち液晶軸方向に平行な屈折率と直角な屈折率と
の差)を小さくすることができる。
また不飽和二重結合を有することにより、STN (ス
ーパートウイステッドネマチック)型標示方式に対して
、有利に利用することができる。
ーパートウイステッドネマチック)型標示方式に対して
、有利に利用することができる。
以下実施例によって、本発明を更に具体的に説明するが
、本発明はこの実施例によって同等限定されるものでは
ない。
、本発明はこの実施例によって同等限定されるものでは
ない。
(実施例1)
(4−アリルオキシ安息香酸−4=フルオロ−4′−ビ
フェニリルエステルの製造) 4アリルオキシ安息香酸1.8g (0,01モル)と
大過剰の塩化チオニルをマントルヒーター上で4時間還
流下に加熱しな。ついで水流ポンプで減圧にして、過剰
の塩化チオニルを留去した。
フェニリルエステルの製造) 4アリルオキシ安息香酸1.8g (0,01モル)と
大過剰の塩化チオニルをマントルヒーター上で4時間還
流下に加熱しな。ついで水流ポンプで減圧にして、過剰
の塩化チオニルを留去した。
残った油状物が4−アリルオキシ安息香酸クロリドであ
る。
る。
別のフラスコに4−フルオロ−4′ −ヒドロキシビフ
ェニル1.9g (0,01モル)をピリジン10m1
に溶解した溶液を準備し、これに先に製造した酸クロリ
ドを加え、更にトルエン100 mlを加え、よく撹拌
した。
ェニル1.9g (0,01モル)をピリジン10m1
に溶解した溶液を準備し、これに先に製造した酸クロリ
ドを加え、更にトルエン100 mlを加え、よく撹拌
した。
一晩放置してから、水100m1中にあけ、トルエン5
0m1を加えて抽出した。トルエン層を2N苛性ソーダ
水溶液で洗浄した後、中性になるまで水洗した。
0m1を加えて抽出した。トルエン層を2N苛性ソーダ
水溶液で洗浄した後、中性になるまで水洗した。
ついで無水iJK酸ナトリウムで乾燥後、トルエンを減
圧で留去し、残った油状物を活性アルミナのカラムを用
いて、トルエン溶媒でクロマト処理を行った。溶出した
トルエン溶液を減圧にて、トルエンを留去し、残った油
状物をエタノールで再結晶を行って、目的とする4−ア
リルオキシ安息香酸−4−フルオロ−4′ −ビフェニ
リルエステルを製造した。
圧で留去し、残った油状物を活性アルミナのカラムを用
いて、トルエン溶媒でクロマト処理を行った。溶出した
トルエン溶液を減圧にて、トルエンを留去し、残った油
状物をエタノールで再結晶を行って、目的とする4−ア
リルオキシ安息香酸−4−フルオロ−4′ −ビフェニ
リルエステルを製造した。
収量は1.5g(収率43%)、結晶一液晶転移点(C
−N点)113.8〜114.5℃、81点211.6
℃であった。
−N点)113.8〜114.5℃、81点211.6
℃であった。
(実施例2〜7)
実施例1において、4−アリルオキシ安息香酸の代りに
種々の4−アルゲニルオキシ安息香酸誘導体を、また4
−フルオロ−4′ −ヒトキロキシビフェニルの代りに
各種のハロゲンフェノールを用いるか、また4−アルゲ
ニルオキシ安息香酸にハロゲン化りんを反応させて(n
=0の場合)目的のエステル誘導体を製造した結果を第
1表に実施例1の結果と共に示した。
種々の4−アルゲニルオキシ安息香酸誘導体を、また4
−フルオロ−4′ −ヒトキロキシビフェニルの代りに
各種のハロゲンフェノールを用いるか、また4−アルゲ
ニルオキシ安息香酸にハロゲン化りんを反応させて(n
=0の場合)目的のエステル誘導体を製造した結果を第
1表に実施例1の結果と共に示した。
(実施例8)
なる組成の液晶組成物(A>のN−I点は52.1℃、
Δεは+11.2.20℃における粘度は23.4cp
である。
Δεは+11.2.20℃における粘度は23.4cp
である。
液晶セルとして酸化ケイ素をコーティングし、ラビング
処理した酸化スズ透明電極を有する基板を対向させて組
立てた、電極間距離が10μmのものを用意し、上記の
液晶混合物(A>を封入して20゛Cで、その特性を測
定したところ、Vthは1.56V、飽和電圧(以下”
satと略記する)は2.74Vであった。
処理した酸化スズ透明電極を有する基板を対向させて組
立てた、電極間距離が10μmのものを用意し、上記の
液晶混合物(A>を封入して20゛Cで、その特性を測
定したところ、Vthは1.56V、飽和電圧(以下”
satと略記する)は2.74Vであった。
この液晶組成物(A)85重量%に本発明の実施例1で
製造した4−゛アリルオキシ安息香酸−4フルオO−4
′ −ビフェニリルエステル15.1量%を溶解した組
成物のN−I点は65.7°C1Δεは+10.3.2
0℃における粘度は27.6cpであった。
製造した4−゛アリルオキシ安息香酸−4フルオO−4
′ −ビフェニリルエステル15.1量%を溶解した組
成物のN−I点は65.7°C1Δεは+10.3.2
0℃における粘度は27.6cpであった。
そして該組成物を用いて前述と同じ液晶セルに封入した
ものの特性については、Vthが1.62” Vsat
が2.84Vであり、粘度をそれ程上昇させずに、N−
1点を大巾に高くすることができた。
ものの特性については、Vthが1.62” Vsat
が2.84Vであり、粘度をそれ程上昇させずに、N−
1点を大巾に高くすることができた。
本発明の化合物は、特に3環からなるものは、広い温度
範囲でネマチック液晶相を示し、且つ高いN−I点を示
し、液晶組成物に少量添加することにより、粘度をそれ
程高めることなく、液晶組成物のN−I点を上昇させる
ことができる。
範囲でネマチック液晶相を示し、且つ高いN−I点を示
し、液晶組成物に少量添加することにより、粘度をそれ
程高めることなく、液晶組成物のN−I点を上昇させる
ことができる。
多くの液晶化合物、すなわちエステル系、シップ塩基系
、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系
等との相溶性が良好であり、本発明の化合物を液晶組成
物に少量添加することによって低粘性にし、Δεに比べ
Vthが低く、Δnを小さくすることができる。
、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系
等との相溶性が良好であり、本発明の化合物を液晶組成
物に少量添加することによって低粘性にし、Δεに比べ
Vthが低く、Δnを小さくすることができる。
本発明の化合物は不飽和二重結合を有しているので、S
TN (スーパートウィステッドネマチックン型陣示素
子に有利に応用できる。
TN (スーパートウィステッドネマチックン型陣示素
子に有利に応用できる。
実用上の効果の大きい発明である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記一般式( I )で表わされる不飽和アルキル安
息香酸ハロゲノフェニルエステル類。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・( I
) (但し、上式中、Rは炭素数3〜15の二重結合を有す
る直鎖ないしは枝分れしたアルケニル基を示し、mは0
または1を示し、nは0、1または2を示し、XはFま
たはClを示す。) 2、請求項1記載の不飽和アルキル安息香酸ハロゲノフ
ェニルエステル類を有効成分として含有する液晶組成物
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63181618A JP2633314B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | アルケニルオキシ安息酸ハロゲノビフェニルエステル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63181618A JP2633314B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | アルケニルオキシ安息酸ハロゲノビフェニルエステル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0232044A true JPH0232044A (ja) | 1990-02-01 |
JP2633314B2 JP2633314B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=16103945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63181618A Expired - Fee Related JP2633314B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | アルケニルオキシ安息酸ハロゲノビフェニルエステル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2633314B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02225444A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-07 | Seimi Chem Kk | アルケニル化合物及びそれを含有する液晶組成物 |
JPH11100579A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Dainippon Ink & Chem Inc | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置 |
JP2002338518A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-27 | Chisso Corp | 酸フッ化物誘導体およびそれを含む液晶組成物 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6178753A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Asahi Glass Co Ltd | トランス−エチレン誘導体化合物及びそれを含有する液晶組成物 |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP63181618A patent/JP2633314B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6178753A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Asahi Glass Co Ltd | トランス−エチレン誘導体化合物及びそれを含有する液晶組成物 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02225444A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-07 | Seimi Chem Kk | アルケニル化合物及びそれを含有する液晶組成物 |
JPH11100579A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Dainippon Ink & Chem Inc | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置 |
JP2002338518A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-27 | Chisso Corp | 酸フッ化物誘導体およびそれを含む液晶組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2633314B2 (ja) | 1997-07-23 |
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