JPH0640986A - ジアリルビフェノール類の誘導体およびその液晶組成物 - Google Patents
ジアリルビフェノール類の誘導体およびその液晶組成物Info
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- JPH0640986A JPH0640986A JP21845292A JP21845292A JPH0640986A JP H0640986 A JPH0640986 A JP H0640986A JP 21845292 A JP21845292 A JP 21845292A JP 21845292 A JP21845292 A JP 21845292A JP H0640986 A JPH0640986 A JP H0640986A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、熱、水分に対して安定かつ低粘性
の液晶化合物、また他の液晶混合物あるいは液晶化合物
と非液晶物質との混合物に少量添加することにより低粘
性の組成物ができる液晶化合物および該化合物を含有す
る液晶組成物を提供することである。 【構成】 （１）式［１］ 【化１】 で表されるジアリルビフェノール類の誘導体。 （２）式 ［１］で表されるジアリルビフェノール類の
誘導体を少なくとも１種類含有する液晶化合物。
の液晶化合物、また他の液晶混合物あるいは液晶化合物
と非液晶物質との混合物に少量添加することにより低粘
性の組成物ができる液晶化合物および該化合物を含有す
る液晶組成物を提供することである。 【構成】 （１）式［１］ 【化１】 で表されるジアリルビフェノール類の誘導体。 （２）式 ［１］で表されるジアリルビフェノール類の
誘導体を少なくとも１種類含有する液晶化合物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はジアリルビフェノール類
の誘導体および該化合物を有効成分として含有する液晶
組成物に関する。
の誘導体および該化合物を有効成分として含有する液晶
組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶を利用した表示素子は、時計、電卓
等に広く使用されている。これらの液晶表示素子は液晶
物質の光学異方性および誘電異方性を利用したものであ
る。液晶相にはネマチック液晶相、スメクチック液晶
相、コレステリック液晶相があり、そのうちネマチック
液晶相を利用したものが最も広く実用化されている。ネ
マチック液晶には、液晶表示に応用されている電気光学
効果に対応して、ＴＮ（ねじれネマチック）型、ＤＳ
（動的散乱）型、ゲスト・ホスト型、ＤＡＰ型等の表示
素子がある。それぞれに使用される液晶物質は自然界の
なるべく広い温度範囲で液晶相を示すものが望ましい。
しかし、現在のところ、単一の液晶物質でそのような条
件を満たす物質はなく、数種の液晶物質または非液晶物
質を混合して実用に供している。これらの物質は、水
分、光、熱、空気等に対しても安定であり、又粘性が低
いことも要求されている。そこで、本発明者等は特開平
２−８３３５５号において式［２］
等に広く使用されている。これらの液晶表示素子は液晶
物質の光学異方性および誘電異方性を利用したものであ
る。液晶相にはネマチック液晶相、スメクチック液晶
相、コレステリック液晶相があり、そのうちネマチック
液晶相を利用したものが最も広く実用化されている。ネ
マチック液晶には、液晶表示に応用されている電気光学
効果に対応して、ＴＮ（ねじれネマチック）型、ＤＳ
（動的散乱）型、ゲスト・ホスト型、ＤＡＰ型等の表示
素子がある。それぞれに使用される液晶物質は自然界の
なるべく広い温度範囲で液晶相を示すものが望ましい。
しかし、現在のところ、単一の液晶物質でそのような条
件を満たす物質はなく、数種の液晶物質または非液晶物
質を混合して実用に供している。これらの物質は、水
分、光、熱、空気等に対しても安定であり、又粘性が低
いことも要求されている。そこで、本発明者等は特開平
２−８３３５５号において式［２］
【化２】 で表されるジアリルビフェノール類のエステル誘導体を
開示した。これらの液晶化合物のネマチック−透明点
（以下Ｎ−Ｉ点と略記する）は３００℃以上を示すが、
エステル化合物であるため熱、水分に対して不安定であ
り、粘度も比較的高いといった問題点を有している。
開示した。これらの液晶化合物のネマチック−透明点
（以下Ｎ−Ｉ点と略記する）は３００℃以上を示すが、
エステル化合物であるため熱、水分に対して不安定であ
り、粘度も比較的高いといった問題点を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は上記問題点に鑑み、熱、水分に対して安定かつ低粘性
の液晶化合物及び液晶性化合物を提供することであり、
また該化合物を含有する液晶組成物を提供することであ
る。そして更には、不飽和二重結合を有することにより
スーパーツィステッドネマチック（ＳＴＮ）型標示素子
に有利に応用できる液晶化合物及び液晶性化合物を提供
することである。
は上記問題点に鑑み、熱、水分に対して安定かつ低粘性
の液晶化合物及び液晶性化合物を提供することであり、
また該化合物を含有する液晶組成物を提供することであ
る。そして更には、不飽和二重結合を有することにより
スーパーツィステッドネマチック（ＳＴＮ）型標示素子
に有利に応用できる液晶化合物及び液晶性化合物を提供
することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記問題
点を解決するために更に検討を重ねた結果、トリフルオ
ロメチル基を有するジアリルビフェノール類の誘導体が
熱、水分に対して安定な液晶性化合物であり、他の液晶
混合物あるいは液晶混合物と非液晶物質との混合物に少
量添加することにより低粘性の組成物とすることができ
ることを見い出し本発明を完成した。
点を解決するために更に検討を重ねた結果、トリフルオ
ロメチル基を有するジアリルビフェノール類の誘導体が
熱、水分に対して安定な液晶性化合物であり、他の液晶
混合物あるいは液晶混合物と非液晶物質との混合物に少
量添加することにより低粘性の組成物とすることができ
ることを見い出し本発明を完成した。
【０００５】すなわち、本発明は、（１）式［１］
【化３】 で表されるジアリルビフェノール類の誘導体、（２）式
［１］で表されるジアリルビフェノール類の誘導体を少
なくとも１種類含有する液晶組成物に関する。
［１］で表されるジアリルビフェノール類の誘導体を少
なくとも１種類含有する液晶組成物に関する。
【０００６】本発明の化合物の製造方法としては、式
［３］
［３］
【化４】 によって示される反応、または、式［４］
【化５】 によって示される反応等を用いることができる。例え
ば、過剰の無水炭酸カリウム存在下、４−置換臭化ベン
ジル２モルと３，３’−ジアリル４，４’−ジヒドロキ
シビフェニル１モルとをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
（以下ＤＭＦと略記する）中で反応させ、３，３’−ジ
アリル−４，４’−（４−置換ベンジルオキシ）ビフェ
ニルを製造することができる。また、非対称のエ−テル
化合物については、まず、過剰の無水炭酸カリウム存在
下、４−トリフルオロメチル臭化ベンジルまたは４−ト
リフルオロメトキシ塩化ベンジル１モルと３，３’−ジ
アリル−４，４’−ジヒドロキシビフェニル１モルとを
ＤＭＦ中で反応させた後３，３’−ジアリル−４−（４
−置換ベンジルオキシ）−４’−ヒドロキシビフェニル
を単離することができる。そして更に先の反応で使用し
た４−置換臭化ベンジルとは異なるベンジル体、例えば
先の反応で４−トリフルオロメチル臭化ベンジルを用い
た場合には４−トリフルオロメトキシ塩化ベンジルを、
また先の反応で４−トリフルオロメトキシ塩化ベンジル
を用いた場合には４−トリフルオロメチル臭化ベンジル
を、その単離した３，３’−ジアリル−４−（４−置換
ベンジルオキシ）−４’−ヒドロキシビフェニルに加え
反応を行い非対称の目的物を得ることができる。
ば、過剰の無水炭酸カリウム存在下、４−置換臭化ベン
ジル２モルと３，３’−ジアリル４，４’−ジヒドロキ
シビフェニル１モルとをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
（以下ＤＭＦと略記する）中で反応させ、３，３’−ジ
アリル−４，４’−（４−置換ベンジルオキシ）ビフェ
ニルを製造することができる。また、非対称のエ−テル
化合物については、まず、過剰の無水炭酸カリウム存在
下、４−トリフルオロメチル臭化ベンジルまたは４−ト
リフルオロメトキシ塩化ベンジル１モルと３，３’−ジ
アリル−４，４’−ジヒドロキシビフェニル１モルとを
ＤＭＦ中で反応させた後３，３’−ジアリル−４−（４
−置換ベンジルオキシ）−４’−ヒドロキシビフェニル
を単離することができる。そして更に先の反応で使用し
た４−置換臭化ベンジルとは異なるベンジル体、例えば
先の反応で４−トリフルオロメチル臭化ベンジルを用い
た場合には４−トリフルオロメトキシ塩化ベンジルを、
また先の反応で４−トリフルオロメトキシ塩化ベンジル
を用いた場合には４−トリフルオロメチル臭化ベンジル
を、その単離した３，３’−ジアリル−４−（４−置換
ベンジルオキシ）−４’−ヒドロキシビフェニルに加え
反応を行い非対称の目的物を得ることができる。
【０００７】また、本発明の液晶組成物は、前記の式
［１］に示す本発明のジアリルビフェノールの誘導体を
少なくとも１種類含有することを特徴とする。本発明の
液晶組成物の成分にできる本発明の化合物以外の他の成
分としては、エステル系、シッフ塩基系、ビフェニル
系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系等の化合物を
あげることができる。これらの具体例としては次の化合
物を示すことができる。エステル系の液晶化合物として
は、トランス−４−アルキルシクロヘキサンカルボン酸
−４−アルキルフェニルエステル、トランス−４−アル
キルシクロヘキサンカルボン酸−４−アルコキシフェニ
ルエステル、４−アルコキシ安息香酸−４−アルキルフ
ェニルエステル、４−アルキル安息香酸−４−シアノフ
ェニルエステル、４−（トランス−４−アルキルシクロ
ヘキシル）安息香酸−４−シアノフェニルエステルなど
が挙げられる。シッフ塩基系の液晶化合物としては、４
−アルコキシベンジリデン−４−アルカノイルオキシア
ニリン、４−アルコキシベンジリデン−４−アルアルキ
ルアニリン、４−アルコキシベンジリデン−４−シアノ
アニリンなどが挙げられる。ビフェニル系の液晶化合物
としては、４’−アルキル−４−シアノビフェニル、
４’−アルコキシ−４−シアノビフェニル、４’−アル
コキシ−４−アルキルビフェニルなどが挙げられる。フ
ェニルシクロヘキサン系の液晶化合物としては、トラン
ス−４−アルキル−（４−シアノフェニル）シクロヘキ
サン、トランス−４−アルキル−（４−アルコキシフェ
ニル）シクロヘキサンなどが挙げられる。複素環系液晶
化合物としては、５−アルキル−２−（４−シアノフェ
ニル）−１，３−ジオキサン、５−アルキル−２−（４
−シアノフェニル）ピリジン、５−シアノ−２−（４−
アルキルフェニル）ピリジンなどが挙げられる。
［１］に示す本発明のジアリルビフェノールの誘導体を
少なくとも１種類含有することを特徴とする。本発明の
液晶組成物の成分にできる本発明の化合物以外の他の成
分としては、エステル系、シッフ塩基系、ビフェニル
系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系等の化合物を
あげることができる。これらの具体例としては次の化合
物を示すことができる。エステル系の液晶化合物として
は、トランス−４−アルキルシクロヘキサンカルボン酸
−４−アルキルフェニルエステル、トランス−４−アル
キルシクロヘキサンカルボン酸−４−アルコキシフェニ
ルエステル、４−アルコキシ安息香酸−４−アルキルフ
ェニルエステル、４−アルキル安息香酸−４−シアノフ
ェニルエステル、４−（トランス−４−アルキルシクロ
ヘキシル）安息香酸−４−シアノフェニルエステルなど
が挙げられる。シッフ塩基系の液晶化合物としては、４
−アルコキシベンジリデン−４−アルカノイルオキシア
ニリン、４−アルコキシベンジリデン−４−アルアルキ
ルアニリン、４−アルコキシベンジリデン−４−シアノ
アニリンなどが挙げられる。ビフェニル系の液晶化合物
としては、４’−アルキル−４−シアノビフェニル、
４’−アルコキシ−４−シアノビフェニル、４’−アル
コキシ−４−アルキルビフェニルなどが挙げられる。フ
ェニルシクロヘキサン系の液晶化合物としては、トラン
ス−４−アルキル−（４−シアノフェニル）シクロヘキ
サン、トランス−４−アルキル−（４−アルコキシフェ
ニル）シクロヘキサンなどが挙げられる。複素環系液晶
化合物としては、５−アルキル−２−（４−シアノフェ
ニル）−１，３−ジオキサン、５−アルキル−２−（４
−シアノフェニル）ピリジン、５−シアノ−２−（４−
アルキルフェニル）ピリジンなどが挙げられる。
【０００８】また、本発明の液晶化合物は粘度も低く、
不飽和二重結合を有することにより、Ｍ．シャット、
Ｆ．リーンフーツ（Appl. Phys. Lett., 50, 236 (198
7)）により開発されたＳＴＮ（スーパーツイステッドネ
マチック）型標示素子に有利に応用できる。この方式の
液晶にはＫ3／Ｋ1の値が大きく、Ｋ2／Ｋ1の値が小さ
く、更には△ε／εの値が小さいことが望まれている
（M. Schadt, F. Leenhouts: Society for Information
Display International Symposium Digest of Technic
al Papars Vol. XVIII, New Orleans, Lousiana, May 1
2-14 (1987) 372-375）。このとき、Ｋ1は広がりの弾性
定数、Ｋ2はねじれの弾性定数、Ｋ3は曲がりの弾性定数
であり、一様に配向したセルに磁界あるいは電界を印加
したときのしきい値から求められる。εは誘電率であ
り、△εは液晶軸方向に平行な誘電率と直角な誘電率と
の差（△ε≡ε‖−ε⊥）である。
不飽和二重結合を有することにより、Ｍ．シャット、
Ｆ．リーンフーツ（Appl. Phys. Lett., 50, 236 (198
7)）により開発されたＳＴＮ（スーパーツイステッドネ
マチック）型標示素子に有利に応用できる。この方式の
液晶にはＫ3／Ｋ1の値が大きく、Ｋ2／Ｋ1の値が小さ
く、更には△ε／εの値が小さいことが望まれている
（M. Schadt, F. Leenhouts: Society for Information
Display International Symposium Digest of Technic
al Papars Vol. XVIII, New Orleans, Lousiana, May 1
2-14 (1987) 372-375）。このとき、Ｋ1は広がりの弾性
定数、Ｋ2はねじれの弾性定数、Ｋ3は曲がりの弾性定数
であり、一様に配向したセルに磁界あるいは電界を印加
したときのしきい値から求められる。εは誘電率であ
り、△εは液晶軸方向に平行な誘電率と直角な誘電率と
の差（△ε≡ε‖−ε⊥）である。
【０００９】
【実施例】以下実施例によって、本発明を更に具体的に
説明するが、本発明はこの実施例によって何等限定され
るものではない。 実施例１ ３，３’−ジアリル−４，４’−ビス（トリ
フルオロメチルベンジルオキシ）ビフェニルの製造（式
［１］においてＸ＝Ｙ＝ＣＦ3−の場合） ３，３’−ジアリル−４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル５．３ｇ（０．０１モル）に２００ｍｌのＤＭＦを加
え、これに無水炭酸カリウム２７．６ｇ（０．２モル）
を加えて室温にて良く攪拌しながら４−トリフルオロメ
チルベンジルブロミド７．２ｇ（０．０３モル）を加え
た。８０℃で７時間反応を行った後放冷し、反応液を１
０００ｍｌの水に注入した。析出した油状物をトルエン
で抽出し、無水硫酸ナトリウムでトルエン層を乾燥した
後トルエンを減圧にして留去した。そして残った結晶を
アセトンで再結晶した。この化合物の融点は１１８．０
℃〜１１９．５℃、収量は４．９ｇ（収率８４．０％）
であった。
説明するが、本発明はこの実施例によって何等限定され
るものではない。 実施例１ ３，３’−ジアリル−４，４’−ビス（トリ
フルオロメチルベンジルオキシ）ビフェニルの製造（式
［１］においてＸ＝Ｙ＝ＣＦ3−の場合） ３，３’−ジアリル−４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル５．３ｇ（０．０１モル）に２００ｍｌのＤＭＦを加
え、これに無水炭酸カリウム２７．６ｇ（０．２モル）
を加えて室温にて良く攪拌しながら４−トリフルオロメ
チルベンジルブロミド７．２ｇ（０．０３モル）を加え
た。８０℃で７時間反応を行った後放冷し、反応液を１
０００ｍｌの水に注入した。析出した油状物をトルエン
で抽出し、無水硫酸ナトリウムでトルエン層を乾燥した
後トルエンを減圧にして留去した。そして残った結晶を
アセトンで再結晶した。この化合物の融点は１１８．０
℃〜１１９．５℃、収量は４．９ｇ（収率８４．０％）
であった。
【００１０】実施例２ ３，３’−ジアリル−４，４’
−ビス（トリフルオロメトキシベンジルオキシ）ビフェ
ニルの製造（式［１］においてＸ＝Ｙ＝ＣＦ3Ｏ−の場
合） 実施例１と同様な方法で、４−トリフルオロメチルベン
ジルブロミドの代わりに４−トリフルオロメトキシベン
ジルブロミド７．７ｇ（０．０３モル）を用いて製造し
た。融点７５．７〜７６．４℃、Ｎ−Ｉ点４５．８℃の
モノトロピック液晶化合物であった。収量は４．５ｇ
（収率７３．０％）であった。
−ビス（トリフルオロメトキシベンジルオキシ）ビフェ
ニルの製造（式［１］においてＸ＝Ｙ＝ＣＦ3Ｏ−の場
合） 実施例１と同様な方法で、４−トリフルオロメチルベン
ジルブロミドの代わりに４−トリフルオロメトキシベン
ジルブロミド７．７ｇ（０．０３モル）を用いて製造し
た。融点７５．７〜７６．４℃、Ｎ−Ｉ点４５．８℃の
モノトロピック液晶化合物であった。収量は４．５ｇ
（収率７３．０％）であった。
【００１１】実施例３ 応用例 組成がトランス−４−プロピル−（４−シアノフェニ
ル）シクロヘキサン３０重量％、トランス−４−ペンチ
ル−（４−シアノフェニル）シクロヘキサン４０重量
％、トランス−４−ペプチル−（４−シアノフェニル）
シクロヘキサン３０重量％である液晶混合物（Ａ）を調
製した。この液晶混合物（Ａ）のＮ−Ｉ点は５２．１
℃、２０℃における粘度は２３．４ｃｐ、△ｎ（△ｎ≡
ｎ‖−ｎ⊥；液晶軸方向に平行な屈折率と直角な屈折率
との差）は０．１１９、Ｋ3／Ｋ1は１．８２であった。
液晶セルとして、酸化ケイ素をコーティングし、ラビン
グ処理した酸化スズ透明電極を有する基板を対向させ、
電極間距離が１０μｍのものを組立てた。このセルに上
述の液晶混合物（Ａ）を封入して２０℃でその特性を測
定したところ、△εは＋１１．２、しきい値電圧（以下
Ｖｔｈと略記する）は１．５５Ｖであった。液晶混合物
（Ａ）９５重量％に実施例２で製造した３，３’−ジア
リル−４，４’−ビス（４−トリフルオロメトキシベン
ジルオキシ）ビフェニル５重量％を溶解した液晶組成物
を調製した。この液晶組成物のＮ−Ｉ点は５３．２℃、
２０℃における粘度は２２．９ｃｐ、△ｎは０．１１
５、Ｋ3／Ｋ1は１．９３であった。また液晶セルで測定
したところ、△εは＋１０．９、Ｖｔｈは１．５０Ｖで
あった。
ル）シクロヘキサン３０重量％、トランス−４−ペンチ
ル−（４−シアノフェニル）シクロヘキサン４０重量
％、トランス−４−ペプチル−（４−シアノフェニル）
シクロヘキサン３０重量％である液晶混合物（Ａ）を調
製した。この液晶混合物（Ａ）のＮ−Ｉ点は５２．１
℃、２０℃における粘度は２３．４ｃｐ、△ｎ（△ｎ≡
ｎ‖−ｎ⊥；液晶軸方向に平行な屈折率と直角な屈折率
との差）は０．１１９、Ｋ3／Ｋ1は１．８２であった。
液晶セルとして、酸化ケイ素をコーティングし、ラビン
グ処理した酸化スズ透明電極を有する基板を対向させ、
電極間距離が１０μｍのものを組立てた。このセルに上
述の液晶混合物（Ａ）を封入して２０℃でその特性を測
定したところ、△εは＋１１．２、しきい値電圧（以下
Ｖｔｈと略記する）は１．５５Ｖであった。液晶混合物
（Ａ）９５重量％に実施例２で製造した３，３’−ジア
リル−４，４’−ビス（４−トリフルオロメトキシベン
ジルオキシ）ビフェニル５重量％を溶解した液晶組成物
を調製した。この液晶組成物のＮ−Ｉ点は５３．２℃、
２０℃における粘度は２２．９ｃｐ、△ｎは０．１１
５、Ｋ3／Ｋ1は１．９３であった。また液晶セルで測定
したところ、△εは＋１０．９、Ｖｔｈは１．５０Ｖで
あった。
【００１２】
【発明の効果】本発明の化合物は、他の液晶化合物との
相溶性がよく、本発明の化合物を他の液晶混合物に加え
ることにより、粘度を低くしかつ△ｎを小さく保持で
き、しきい値電圧をそれほど上昇させることがない。ま
た、Ｋ3／Ｋ1の値が大きくなるためＳＴＮ型表示素子用
の液晶組成物に好適な化合物である。本発明の液晶組成
物は、上記の化合物を含むためＳＴＮ型表示素子用に好
適である。
相溶性がよく、本発明の化合物を他の液晶混合物に加え
ることにより、粘度を低くしかつ△ｎを小さく保持で
き、しきい値電圧をそれほど上昇させることがない。ま
た、Ｋ3／Ｋ1の値が大きくなるためＳＴＮ型表示素子用
の液晶組成物に好適な化合物である。本発明の液晶組成
物は、上記の化合物を含むためＳＴＮ型表示素子用に好
適である。
【表１】
Claims (2)
- 【請求項１】 式［１］ 【化１】 で表されるジアリルビフェノール類の誘導体。
- 【請求項２】 請求項１に記載のジアリルビフェノール
類の誘導体を少なくとも１種類含有する液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21845292A JPH0640986A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | ジアリルビフェノール類の誘導体およびその液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21845292A JPH0640986A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | ジアリルビフェノール類の誘導体およびその液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0640986A true JPH0640986A (ja) | 1994-02-15 |
Family
ID=16720132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21845292A Pending JPH0640986A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | ジアリルビフェノール類の誘導体およびその液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0640986A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008542192A (ja) * | 2005-02-23 | 2008-11-27 | アービサー ジャック エル． | 増殖の障害の治療用のホノキオール誘導体 |
| US11209061B2 (en) | 2017-12-12 | 2021-12-28 | ZF Active Safety US Inc. | Brake piston for disc brake assembly |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP21845292A patent/JPH0640986A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008542192A (ja) * | 2005-02-23 | 2008-11-27 | アービサー ジャック エル． | 増殖の障害の治療用のホノキオール誘導体 |
| US11209061B2 (en) | 2017-12-12 | 2021-12-28 | ZF Active Safety US Inc. | Brake piston for disc brake assembly |
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