JPH01121244A - 光学活性な液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、新規な光学活性な液晶性化合物、それを含有
する液晶組成物および該液晶組成物を使用する液晶素子
に関するものである。

［従来の技術］ 従来の液晶素子としては、例えばエム・シャツ）　（Ｍ
、　５ｃｈａｄｔ）とダブりニー・ヘルフリヒ（Ｗ。

Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ）著、′アプライド・フィジックス・
レターズ”１８巻４号（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ″。

Ｖｏｌ、　１８．　Ｎｏ、　４）　（１９７１，２，１
５）　１２７〜１２８頁の「捩れネマチック液晶の電圧
依存光学挙動」じＶｏｌｔａｇｅ　−Ｄｅｐｅｎｄｅｎ
ｔ　０ｐｔｉｃａｌ　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ａＴｗ
ｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓ
ｔａ１″）に記載されたＴＮ（ツィステッド・ネマチッ
ク）液晶を用いたものが知られている。しかしながら、
このＴＮ液晶は、画素密度を高くしたマトリクス電極構
造を用いた時分割駆動の時、クロストークを発生する問
題点があるため、画素数か制限されていた。また、電界
応答が遅く視野角特性が悪いためにデイスプレィとして
の用途は限定されていた。

更に、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチンク素
子を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素
子が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成
する工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成す
ることが難しい問題点がある。

このような従来型の液晶素子の欠点を改善するものとし
て、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク（Ｃ
１ａｒｋ）およびラガウェル（ｌａｇｅｒｗａｌｌ）に
より提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報
、米国特許第４３６７９２４号明細書等）。双安定性を
有する液晶としては、一般に、カイラルスメクチックＣ
相（Ｓａｃ”）又はＨ相（ＳｍＨ”）を有する強誘電性
液晶が用いられる。

この強誘電性液晶は自発分極を有するために非常に速い
応答速度を有する上に、メモリー性のある双安定状態を
発現させることができ、さらに視野角特性も優れている
ことから、大容量大画面のデイスプレィとして適してい
る。

また強誘電性液晶として用いられる材料は不斉炭素を有
しているために、そのカイラルスメクチック相を利用し
た強誘電性液晶として使用する以外に、次のような光学
素子としても使用することができる。

１）液晶状態においてコレステリック・ネマチック相転
移効果を利用するもの（ジェイ　ジェイウィソキ、エイ
　アダムス、ダブリュ　ハアース［フィジックス　レヴ
ユー　レターズＪ　（Ｊ、　Ｊ。

Ｗｙｓｏｋｉ、　　Ａ、　　Ａｄａｔａｓ　　ａｎｄ　
　Ｗ、　　Ｈａａｓ；　　Ｐｈｙｓ、　　Ｒｅｖ。

Ｌｅｔｔ、）、　２０．１０２４　（１９６８）　）、
２）液晶状態においてホワイト・ティラー形ゲスト・ホ
スト効果を利用するもの（デー　エル　ホワイト、ジー
　エム　テエイラー「ジャーナルオブ　アプライド　フ
ィジッスクＪ　（Ｄ、　Ｌ、　Ｗｈｉｔｅａｎｄ　Ｇ、
　Ｎ、Ｔａｙｌｏｒ；　Ｊ、　Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、
）、　４５．４７１８（１９７４））　、等が知られて
いる。個々の方式についての詳細な説明は省略するが、
表示素子や変調素子として重要である。

このような液晶の電界応答光学効果を用いる方法におい
ては、液晶の応答性を高めるために極性基を導入するこ
とが好ましいとされている。とくに強誘電性液晶におい
ては、応答速度は自発分極に比例することが知られてお
り、高速化のためには自発分極を増加させることが望ま
れている。このような点から、ピー　ケラ−（Ｐ、　Ｋ
ｅｐｌｅｒ）　　らは、不斉炭素に直接塩素基を導入す
ることて自発分極を増加させ応答速度の高速化が可能で
あることを示した（シー　アール　アカデミ−サイエン
ス　（Ｃ，Ｒ，Ａｃａｄ、　Ｓｃ、　Ｐａｒｉｓ）、　
２８２　Ｃ，６３９（１９７６）　）。

しかしながら、不斉炭素に導入された塩素基は化学的に
不安定であるうえに、原子半径が大きいことから液晶相
の安定性が低下するという欠点を有しており、その改善
が望まれている。

他方、光学活性を有することを特徴とする光学素子に必
要な機能性材料は、それ自体光学活性の中間体を経て合
成されることが多いが、従来から用いられる光学活性中
間体としては、２−メチルブタノール、２級オクチルア
ルコール、２級ブチルアルコール、塩化ｐ−（２−メチ
ルブチル）安息香酸、２級フェネチルアルコール、アミ
ノ酸誘導体、ショウノウ誘導体、コレステロール誘導体
等が挙げられるのみて、この光学活性中間体に極性基が
導入されることはほとんどなかった。このためもあって
、不斉炭素原子に直接極性基を導入することにより自発
分極を増加する方法は、余り有効に利用されていなかっ
た。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は上記の点に鑑みなされたものである。

すなわち、本発明は不斉炭素原子に直接、安定て且つ双
極子モーメントの大きいフッ素基を導入することにより
極性を高め、液晶の電界応答性を高めた液晶性化合物、
それを少なくとも１種類含有する液晶組成物およびそれ
を使用した液晶素子を提供することを目的とする。

本発明はアルキル基の長さを変更することが容易て、こ
のことによりエッチ　アーノルド、［ザイトシュリフト
　フユア　フィジカリシェ　ヘミ−Ｊ　（Ｈ，Ａｒｎｏ
ｌｄ、　Ｚ、　Ｐｈｙｓ、　Ｃｈｅｍ、、）　２２６．
１４５（１９６４）に示されるように、液晶状態におい
て発現する液晶相の種類や温度範囲を制御することか可
能な液晶性化合物、それを少なくとも１種類配合成分と
して含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子
を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］および［作用］本発明
は、上述の目的を達成するためになされたものであり、
第一の発明は下記一般式［１］（式中、Ｒ□は炭素原子
数１〜１６のアルキル基、Ｒ２は炭素原子数１〜１８の
置換基を有してもよいアルを示す） で表わされる光学活性な液晶性化合物に係わるものであ
る。

また、第二の発明は、前記一般式［１］て表わされる光
学活性な液晶性化合物を少なくとも１種類含有すること
を特徴とする液晶組成物に係わるものである。

さらに、第三の発明は、前記一般式［１］て表わされる
光学活性な液晶性化合物を少なくとも１種類含有する液
晶組成物を使用することを特徴とする液晶素子に係わる
ものである。

以下、本発明の詳細な説明する。

不斉炭素原子にフッ素基を導入したものとして、光学活
性な２−フルオロアルカン酸が知られている。これは、
ジ　エイ　オラー（Ｇ、　Ａ、　０ＬＡＨ）らにより、
α−アミノ酸をフッ化水素／ピリジン中てジアゾ化する
方法（ジャーナル　オツ　オルガニック　ケミストリー
（Ｊ、　Ｏｒｇ、　Ｃｈｅｗ、）　、　４４゜３８７２
〜３８８１　（１９７９）　）が報告されているが、２
−フルオロアルカン酸のアルカン部分は、出発物質とし
て光学活性なα−アミノ酸を使用しているため、メチル
基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、　５ｅ
Ｃ−ブチル基等が用いられている。しかしながら、これ
らアルカン部分はいずれも短く直線性に欠けるため、光
学活性な機能性材料あるいは光学活性な中間体として使
用される場合、大きな制約となっていた。

本発明の一般式［１］て表わされる液晶性化合物におい
ては、光学活性物質は２−フルオロアルカン酸のアルカ
ン部分の炭素原子数を変化させることにより、Ｒ１を幅
広く変更させることが可能であるが、本発明ではＲ１が
特に炭素原子数１〜１６のアルキル基が好ましい。

本発明の一般式［ｌ］で表わされる液晶性化合物は、好
ましくは本出願人等による出願（特願昭６２−７７６９
９号）の明細書に示される下記一般式［２］の光学活性
な２−フルオロアルカノイック酸等の光学活性中間体 から合成される。

例えば、これらの光学活性な２−フルオロアルカノイッ
ク酸から、次に示す合成経路により、一般式［ｌ］に示
される液晶性化合物が得られる。

（式中、Ｒ，、Ｒ２，Ｘは前記定義の通りである）この
ようにして得られる本発明の一般式［１］て表わされる
光学的活性な液晶性化合物の例を下記に示す。

・４−（２−フルオロブチリルオキシ）安息香酸−４−
ヘキシルオキシフェニルエステル ・４−（２−フルオロヘキサノイルオキシ）安息香酸−
４−オクチルフェニルエステル ・４−（２−フルオロオクタノイルオキシ）安息香酸−
４−ブトキシフェニルエステル ・４−（２−フルオロオクタノイルオキシ）安息香酸−
４−エチルフェニルエステル ・４−（２−フルオロドデカノイルオキシ）安息香酸−
４−オクチルフェニルエステル ・４−（２−フルオロオクタノイルオキシ）安息香酸−
４−ドデシルオキシフェニルエステル・４−（２−フル
オロオクタデカノイルオキシ）安息香酸−４−ドデシル
フェニルエステル・４−（２−フルオロオクタノイルオ
キシ）安息香酸−４−ヘキサデシルオキシフェニルエス
テル−４−（２−フルオロオクタノイルオキシ）安息香
酸−４−へキシルオキシフェニルエステル・４−ヘキシ
ルオキシ安息香酸−４−（２−フルオロオクタノイルオ
キシ）フェニルエステル ・４−プロピル安息香酸−４−（２−フルオロブチリル
オキシ）フェニルエステル ・４−オクチルオキシ安息香酸−４−（２−フルオロド
デカノイルオキシ）フェニルエステル ・４−ヘキシル安息香酸−４−（２−フルオロオフタデ
カッイルオキシ）フェニルエステル ・４−ドデシルオキシ安息香酸−４−（２−フルオロオ
クタノイルオキシ）フェニルエステル ・４−ヘキサデシル安息香酸−４−（２−フルオロブチ
リルオキシ）フェニルエステル ・４−オクタデシルオキシ安息香酸−４−（２−フルオ
ロオクタノイルオキシ）フェニルエステル・４−エトキ
シ安息香酸−４−（２−フルオロオクタノイルオキシ）
フェニルエステル ・４−オクチルオキシ安息香酸−４−（２−フルオロオ
クタノイルオキシ）フェニルエステル 本発明の一般式［１］で示される光学活性な液晶性化合
物は出発物質としての２−フルオロアルカノイック酸の
アルカン部分の炭素原子数を変化させることにより、Ｒ
１を幅広く変更することが可能であるが、本発明ではＲ
１が、特に炭素原子数１〜１６のアルキル基であるもの
が与えられる。

次に、本発明の液晶組成物は、前記一般式［１］で表わ
される光学活性な液晶性化合物であるフルオロアルカン
誘導体を少なくとも１種類圧金成分として含有するもの
である。例えば、前記光学活性な液晶性化合物を、下記
の式（１）〜（１３）で示されるような強誘電性液晶と
組合わせると、自発分極が増大し、応答速度を改善する
ことができる。

このような場合においては、本発明の一般式［１１で示
される液晶性化合物を、得られる液晶組成物の０．１〜
９９重量％、特に１〜９０重量％となる割合で使用する
ことが好ましい。

Ｐ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチルシンナメート　（ｏｏｕＡＭｕｃ）Ｐ−へキシ
ロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−クロルプロピ
ルシンナメート　（ＨＯＢＡＣＰＣ）Ｐ−デシロキシベ
ンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチルプチルーα−シ
アノシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣＣ）メチルブチル−
α−シアノシンナメート（ＴＤＯＢＡＭＢＣＣ）メチル
ブチル−α−クロロシンナメー）　　（ＯＯＢＡＭＢＣ
Ｃ）−２−メチルブチル−α−メチルシンナメート（２
−メチルブチル）エステル 一４′−オクチルアニリン　（ＭＢＲＡ　Ｓ）オキシビ
フェニル−４−カルボキシレート４−ヘキシルオキシフ
ェニル−４−（２″−メチルブチル）ビフェニル−４′
−カルボキシレート４−オクチルオキシフェニル−４−
（２”−メチルブチル）ビフェニル−４′−カルボキシ
レート４−へブチルフェニル−４−（４″−メチルヘキ
シル）ビフェニル−４′−カルボキシレート（Ｉ３） ４−（２”−メチルブチル）フェニル−４〜（４′−メ
チルヘキシル）ビフェニル−４′−カルボキシレートま
た、本発明の一般式［１１で表わされる光学活性な液晶
性化合物を、下記の式（１４）〜（１８）て示されるよ
うな、それ自体はカイラＪしでないスメクチック液晶に
配合することにより、強誘電性液晶として使用可能な液
晶組成物が得られる。

この場合、一般式［１］で示される光学活性な液晶性化
合物を、得られる液晶組成物の０．１〜９９重量％、特
に１〜９０重量％で使用することが好ましい。

このような液晶組成物は、本発明の光学活性な液晶性化
合物の含有量に応じて、これに起因する大きな自発分極
を得ることができる。

ＣａＨｓ　ｙＯＷＣＯＯ（（沢０Ｃ９Ｈ□９（４−ノニ
ルオキシフェニル）−４′−才クチルオキシビフェニル
−４−カルボキシレート υ ４．４′−デシルオキシアゾキシベンゼン２−（４’−
へキシルオキシフェニル）−５−（４−へキシルオキシ
フェニル）ピリミジン２−（４’−オクチルオキシフェ
ニル）−５−ノニルピリミジン ３３°Ｃ６０℃　　　　７５℃ Ｃｒｙｓｔ、−ンＳ＋ａＣ←−−→ＳｍＡ←−−→Ｉｓ
ｏ。

ＣａＨ＋７０　Ｗ沢ｃｏｏ　（トｏｃ５＋＋、　１４′
−ペンチルオキシフェニル−４− オクチルオキシベンゾエート ５８℃　　　６４９Ｃ６６℃　　　８５°ＣＣｒｙｓｔ
、−ン５ｒｓＣ−）ＳｍＡ−〉Ｎ　　−〉Ｉｓｏ。

ここで、記号は、それぞれ以下の相を示す。

Ｃｒｙｓｔ、　：結晶相、　　　　　５ＬＩＩＡ：スメ
クチックＡ相、Ｓｎ＋Ｂ　：スメクチックＢ相、　Ｓｍ
Ｃ：スメクチックＣ相、Ｎ：ネマチック相、　　　Ｉｓ
ｏ、　：等吉相。

また、一般式［１］て表わされる液晶性化合物は、ネマ
チック液晶に添加することにより、ＴＮ型セルにおける
リバースドメインの発生を防止することに有効である。

この場合、得られる液晶組成物の０．０１〜５０重量％
の割合となるように一般式［１］の液晶性化合物を使用
することが好ましい。

また、ネマチック液晶もしくはカイラルネマチック液晶
に添加することにより、カイラルネマチック液晶として
、相転移型液晶素子やホワイト・ティラー形ゲスト・ホ
スト型液晶素子に液晶組成物として使用することが可能
である。この場合、得られる液晶組成物の０．０１〜８
０重量％の割合となるように一般式［１］で表わされる
液晶性化合物を用いることが好ましい。

［実施例］ 以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。

実施例１ 上記式で表わされる４−（２−フルオロオクタノイルオ
キシ）安息香酸−４−へキシルオキシフェニルエステル
を以下の工程により製造した。

２−フルオロオクタン酸５６７ｍｇ　（３，５ｍｍｏｉ
’）と塩化チオニル５　ｒｓ’ｆ！て酸塩化物を合成し
、これにトリエチレンジアミン７８４Ｂ　（７ｍｍｏｆ
りと４−ヒドロキシ安息香酸（４−へキシルオキシ）フ
ェニル１．１０ｇ（３，５ｍｍｏｆ）のベンゼン溶液を
加え、５０°Ｃで２時間加熱攪拌した。反応液を室温ま
で冷却した後、水素化ナトリウム８４ｍｇを無水ベンゼ
ン２ｎ＋ｊ）とともに加え、２時間加熱還流した。反応
液を室温まで冷却し、ＩＮ塩酸８ＩＩＩ！を滴下し、続
いて水１ｈＩ！を加えた。有機層を分離し、水層なベン
ゼンで抽出した。有機層とベンゼン層を合わせ、ＩＮ炭
酸ナトリウム水溶液で洗浄した後、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、ベンゼンを減圧留去して粗生成物１．３８
ｇを得た。これを分取薄層クロマトグラフィーて精製し
た後、ベンゼン、ヘキサンの混合溶媒で再結晶して４−
（２−フルオロオクタノイルオキシ）安息香酸−４−へ
キシルオキシフェニルエステル５２０ｍｇを得た。

収率３１．４％　［（ｘ　］　ｎ０＋　０．９°（０２
８口、　ＣＨ２Ｃｌ’２）相転移温度 実施例２ ４−オクチルオキシ安息香酸４−（２−フルオロオクタ
ノイルオキシ）フェニルエステルの合成（−）−２−フ
ルオロオクタン酸０．２４ｇ　（１，５ｍｍｏｉ））を
塩化チオニル２ｔｊ）に加え、９０６Ｃで２時間還流し
た。過剰の塩化チオニルを留去し、あらかじめ乾燥ベン
ゼン５ｍＲにトリエチレンジアミン０．３４ｇ（３，０
＋ｉ■ｏＲ）と４−オクチルオキシ安息香酸４−ヒドロ
キシフェニル０．４８ｇ　（１，４ｍｍｏｉ’）を溶解
させて調製しておいた混合液を速やかに加え、５０℃て
２時間攪拌した。

その後水素化ナトリウム（ａｂｔ、　６０％、ｉｎｏ目
）０．０６ｇ　（１，５Ｉ１ｍｏｊ））を加え、さらに
９０℃で２時間還流した。反応終了後、２Ｎ−塩酸を加
えベンゼンで抽出したのち、乾燥、溶媒留去、カラムク
ロマトグラフィー（展開溶媒；ベンゼン：ヘキサン＝２
＝１）により精製し、４−才クチルオキシ安息香酸４−
（２−フルオロオクタノイルオキシ）フェニルエステル
０．３９ｇ　（０，８０ｍｍｏｐ）を得た。

収率５３％ ［α］：４°８＋０．４４＠（ＣＯ，９１６，ＣＨａＣ
ｊ！２）相転移温度（℃） （３ｍ＋３．ＳＩｌ’４；５ＩＩＡ相、Ｓａｃ相以外の
スメクチック相）実施例３ 実施例１で製造した液晶性化合物を配合成分とする液晶
組成物Ａを調製した。また比較例として実施例１の液晶
性化合物を含有しない液晶組成物Ｂも調製した。

下記に液晶組成物Ａ、Ｂ各々の相転移温度、および第１
表に自発分極を示す。

〈液晶組成物Ａ〉 ７２．０ｗｔ％ １８．０ｗｔ％ １０、口ｗｔ％ 相転移温度（０Ｃ） 〈液晶組成物Ｂ〉 ２０．０ｗｔ％ 相転移温度（℃） 第１表 次に、２枚の０．７ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞ
れのガラス板上にＩＴＯ（インジウム　チンオキサイド
；　Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）膜を形成し、
電圧印加電極を作成し、さらにこの上に５ｉｎ２を蒸着
させ絶縁層とした。ガラス板上にシランカップリング剤
〔信越化学輛製、ＫＢＭ−６０２）　０．２％イソプロ
ピルアルコール溶液を回転数２００Ｏｒ、ｐ、＋ｏ、の
スピードて１５秒間塗布し、表面処理を施した。この後
、１２０℃にて２０分間加熱乾燥処理を施した。

さらに、表面処理を行なったＩＴＯ膜付きのガラス板上
にポリイミド樹脂前駆体〔東し輛、５Ｐ−５１０）　２
％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２００Ｏｒ、ｐ、
＋１．のスピンナーで１５秒間塗布した。成膜後、６０
分間、３００℃で加熱縮合焼成処理を施した。この時の
塗膜の膜厚は約７００人であった。

この焼成後の被膜に、アセテート植毛布によるラビング
処理を施した。

その後、イソプロピルアルコール液て洗浄し、平均粒径
２ル■のアルミナビーズな一方のガラス板上に散布した
後、それぞれのラビング処理軸が互いに平行となる様に
し、接着シール剤〔リクソンボント、チッソ■製〕を用
いてガラス板を貼り合わせ、ＩｏｏｏＣにて６０分間加
熱乾燥しセルを作成した。このセルのセル厚をベレック
位相板によって測定したところ、約２ｐｍであった。

ここて、先に調製した強誘電性液晶組成物Ａ。

Ｂを、各々等吉相下の均一混合液体状態て、作製したセ
ル内に真空注入した。等吉相から０．５°Ｃ／ｈて徐冷
することにより、強誘電性液晶素子を作成した。

この強誘電性液晶素子を使ってピーク・トウ・ピーク電
圧３０Ｖの電圧印加により、直交ニコル下での光学的な
応答（透過光量変化０〜９０％）を検知して応答速度を
測定した。その結果を第２表に示す。

第２表 実施例４ 透明電極としてＩＴＯ膜を形成したガラス基板上に、ポ
リイミド樹脂前駆体〔東し■製、５Ｐ−５１０）を用い
、スピンナー塗布により成膜した後、３００°Ｃで６０
分間焼成してポリイミド膜を形成した。次に、この被膜
をラビングにより配向処理を行ない、ラビング処理軸が
直交するようにしてセルを作製した（セル間隔８ＪＬ１
１）。

上記セルにネマチック液晶組成物（リクソンＧＲ−６３
：チッソ■製、ビフェニル液晶混合物）を注入し、ＴＮ
（ツィステッド・ネマチック）型セルとし、これを偏光
顕微鏡て観察したところ、リバースドメイン（しま模様
）が生じていることがわかった。

前記リクソンＧＲ−６３（９９重量部）に対して、本発
明の実施例１の液晶性化合物（１重量部）を加えた液晶
混合物を用い、上記と同様にしてＴＮセルとして観察し
たところ、リバースドメインはみられず均一性のよいネ
マチック相となっていた。このことから、本発明の液晶
性化合物はリバース・ドメインの防止に有効であること
が認められた。

［発明の効果］ １メ上説明した様に、本発明によれば、不斉炭素原子に
直接フッ素基を導入し、液晶性化合物の分子鎖の長さを
変更することが可能てあり、また極性が高められている
ので、それを含有する液晶組成物の自発分極は増加し、
また該液晶組成物を使用した液晶素子は応答速度が速く
、さらにリバーストメインの発生を防止することが可能
となる。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式［１］ ▲数式、化学式、表等があります▼［１］ （式中、Ｒ＿１は炭素原子数１〜１６のアルキル基、Ｒ
   ＿２は炭素原子数１〜１８の置換基を有してもよいアル
   キル基またはアルコキシ基、Ｘは▲数式、化学式、表等
   があります▼または▲数式、化学式、表等があります▼
   を示す） で表わされる光学活性な液晶性化合物。
2. （２）下記一般式［１］ ▲数式、化学式、表等があります▼［１］ （式中、Ｒ＿１は炭素原子数１〜１６のアルキル基、Ｒ
   ＿２は炭素原子数１〜１８の置換基を有してもよいアル
   キル基またはアルコキシ基、Ｘは▲数式、化学式、表等
   があります▼または▲数式、化学式、表等があります▼
   を示す） で表わされる光学活性な液晶性化合物を少なくとも１種
   類含有することを特徴とする液晶組成物。
3. （３）下記一般式［１］ ▲数式、化学式、表等があります▼［１］ （式中、Ｒ＿１は炭素原子数１〜１６のアルキル基、Ｒ
   ＿２は炭素原子数１〜１８の置換基を有してもよいアル
   キル基またはアルコキシ基、Ｘは▲数式、化学式、表等
   があります▼または▲数式、化学式、表等があります▼
   を示す） で表わされる光学活性な液晶性化合物を少なくとも１種
   類含有する液晶組成物を使用することを特徴とする液晶
   素子。