JPH0228630B2 - - Google Patents
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Description
［産業上の利用分野］
本発明は、新規な液晶性化合物、及び該液晶性
化合物を含有し、液晶表示素子や液晶―光シヤツ
タ等に使用するのに好適な液晶組成物に関する。 ［従来の技術］ 液晶性化合物として、光学活性基を含有する化
合物が注目されている。光学活性基を含有するこ
とを特徴とする化合物の機能としては、液晶状
態においてカイラルネマテイツク相を利用するホ
ワイト・テイラー型のゲストホスト形電気光学効
果を利用するもの、カイラルネマテイツク相か
らネマテイツク相への電界による相転移現象を利
用するもの、カイラルネマテイツク相とスメク
テイツク相の熱による相転移現象を利用するも
の、スメクチツク相の強誘電現象を利用するも
のなどが知られている。また、単分子累積膜と
することにより非線形光学素子として、マトリツ
クス中へ固定化することにより円偏光ビームスプ
リツター、フイルター等の光学素子として利用で
きる。そこで、光学活性基を含有する化合物を合
成し、その機能を調べ、上記種々の用途への適用
につき研究が積み重ねられている。 また従来より知られている液晶表示素子として
は、TN（Twisted Nematic）型、動的散乱型
（DS型）、ゲスト・ホスト型および熱光学効果を
利用するもの等が挙げられる。特にTN型液晶素
子は時計・電卓等に広く用いられているが、応答
が遅いため高速応答性が要求される液晶―光シヤ
ツタ、テレビ画像表示装置、コンピユーター端末
表示装置などに対して充分満足できないのが現状
である。 このような従来型の液晶素子の欠点を改善する
ものとして、双安定性を有する液晶素子の使用
が、ClarkおよびLagerwallにより提案されてい
る（特開昭58―107216号公報、米国特許第
4367924号明細書等）。双安定性液晶としては、一
般に、カイラルスメクテイツクＣ相（SmC＊）
Ｈ相（SmH＊）、Ｆ相（SmF＊）、Ｉ相（SmI
＊）、Ｇ相（SmG＊）などのカイラルスメクテイ
ツク相を有する強誘電液晶が用いられる。この液
晶は電界に対して第１の光学的安定状態と第２の
光学的安定状態からなる双安定状態を有し、例え
ば一方の電界ベクトルに対し第１の光学的安定状
態に液晶が配向し他の電界ベクトルに対しては第
２の光学的安定状態に液晶が配向される。またこ
の型の液晶は、加えられる電界に応答して、極め
て速やかに上記２つの安定状態のいずれかを取
り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持
する性質を有する。 次に強誘電性液晶の動作説明を第１図および第
２図を使つて行なう。第１図において１と、１ａ
は、In2O3、SnO2あるいはITO（Indium―
TinOxide）等の薄膜からなる透明電極で被覆さ
れた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子
層２がガラス面に垂直になるよう配向したSmC
＊相又はSmH＊相の液晶が封入されている。太
線で示した線３が液晶分子を表わしており、この
液晶分子３はその分子に直交した方向に双極子モ
ーメント（P⊥）４を有している。基板１と１ａ
上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加する
と、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モ
ーメント（P⊥）４がすべて電界方向に向くよ
う、液晶分子３は配向方向を変えることができ
る。液晶分子３は、細長い形状を有しており、そ
の長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従
つて例えばガラス面の上下に互いにクロスニコル
の偏光子を置けば、電圧印加極性によつて光学特
性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易
に理解される。そらに好ましく用いられる液晶セ
ルは、その厚さを充分に薄く（例えば10μ以下）
することができる。このように液晶層が薄くなる
にしたがい、第２図に示すように電界を印加して
いない状態でも液晶分子のらせん構造がほどけ、
非らせん構造となり、その双極子モーメントＰま
たはPaは上向き５又は下向き５ａのどちらかの
状態をとる。このようなセルに、第２図に示す如
く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はQa
を電圧印加手段６と６ａにより付与すると、双極
子モーメントは、電界Ｅ又はEaの電界ベクトル
に対応して上向き５又は下向き５ａと向きを変
え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態７
かあるいは第２の安定状態７ａの何れか一方に配
向する。 このような強誘電性を光学変調素子として用い
ることの利点は、先にも述べたが２つある。その
第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２
は液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第２の点を、例えば第２図によつて更に説明
すると、電界Ｅを印加すると液晶分子は第１の安
定状態７に配向するが、この状態は電界を切つて
も安定である。又、逆向きの電界Eaを印加する
と、液晶分子は第２の安定状態７ａに配向してそ
の分子の向きを変えるが、やはり電界を切つても
この状態に留つている。又、与える電界Ｅが一定
の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にや
はり維持されている。このような応答速度の速さ
と、双安定性が有効に実現されるにはセルとして
は出来るだけ薄い方が好ましい。 上述した強誘電性を示す液晶化合物の具体例と
しては、ｐ―デシルオキシベンジリデン―p′―ア
ミノ―２―メチルブチルシンナメート
（DOBAMBC）ｐ―ヘキシルオキシベンジリデ
ン―p′―アミノ―２―クロロプロピルシンナメー
ト（HOBACPC）、４―Ｄ―（２―メチル）―ブ
チルレゾルシリデン―4′―オクチルアニリン
（MBRA8）などが挙げられる。しかし該化合物
は液晶素子として繰り返し通電させると、劣化が
起こり易く、セルの気密性封入条件、動作条件な
どの点で注意を要し、液晶素子開発上の大きな難
点となつている。一方、安定な液晶化合物の探索
も行なわれているが、高速応答性と安定性を満足
し、実用化されているものは見出されていないの
が現状である。 ［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、上記〜に例示した種々の用途に
有効な光学活性基を含有する新規な液晶性化合
物、及び該新規化合物を強誘電性液晶中に含有せ
しめてなり、優れた動作寿命特性を有し、応答速
度が速く、双安定性に優れ、液晶表示素子や液晶
シヤツタ等に使用するのに好適な液晶組成物を提
供するためになされたものである。 ［問題点を解決するための手段及び作用］ 本発明によれば、 (1) 一般式（）： （式中Ｒは炭素数６〜12のアルキル基を示し、
＊は不斉炭素原子を示す） で表わされる化合物の少なくとも１種を配合成分
として含有することを特徴とする強誘電性液晶組
成物が提供される。 一般式（）中のアルキル基Ｒの鎖長が短かす
ぎるものは強誘電性液晶へ混合する場合に安定性
に欠ける欠点があり、相転移温度が高くなり、一
方鎖長が長すぎるものは融点が上昇することと粘
度が増加する欠点があり、そのバランスから、ア
ルキル基Ｒの炭素原子数は４〜20が好ましく、よ
り好ましくは炭素原子数６〜16、特に好ましくは
６〜12である。 上記一般式（）で表わされる４―（β―メチ
ルブチルオキシ）―4′―アルキルアゾキシベンゼ
ンの好ましい具体例としては、Ｓ―（＋）―４―
（β―メチルブチルオキシ）―4′―ヘキシルアゾ
キシベンゼン、Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブ
チルオキシ）―4′―ヘプチルアゾキシベンゼン、
Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブチルオキシ）―
4′―オクチルアゾキシベンゼン、Ｓ―（＋）―４
―（β―メチルブチルオキシ）―4′―ノニルアキ
シゾベンゼン、Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブ
チルオキシ）―4′―デシルアゾキシベンゼン、Ｓ
―（＋）―４―（β―メチルブチルオキシ）―
4′―ウンデシルアゾキシベンゼン、Ｓ―（＋）―
４―（β―メチルブチルオキシ）―4′―ドデシル
アゾキシベンゼンが挙げられる。 次に本発明の新規液晶性化合物の製造法につい
て示す。 まず、ｐ―アルキルアニリンを冷却下塩酸水溶
液にて滴下し、塩酸塩とする。次に亜硝酸ナトリ
ウム水溶液を滴下しジアゾニウム塩とする。この
ジアゾニウム塩水溶液をアルカリ条件にてフエノ
ールへ滴下し4′―アルキル―４―ハイドロキシア
ゾベンゼンを合成する。4′―アルキル―４―ハイ
ドロキシアゾベンゼンを精製後、過剰の水酸化カ
リウムと反応し、光学活性な2′―メチルブチルブ
ロマイドと反応させ４―（β―メチルブチルオキ
シ）4′―アルキルアゾベンゼンを得る。４―（β
―メチルブチルオキシ）―4′―アルキルベンゼン
を精製後氷酢酸に溶解し、60〜70℃に加熱し、過
酸化水素水を加えて反応させ、分離精製して４―
（β―メチルブチルオキシ）4′―アルキルアゾキ
シベンゼンを得る。 以上を化学式で示すと、以下の通りである。 本発明の４―（β―メチルブチルオキシ）―
4′―アルキルアゾキシベンゼンは光学活性物質で
あり、おもにコレステリツク相を示している。ネ
マチツク液晶に本発明の化合物を少量添加してホ
ワイト・テーラー型表示素子あるいはカイラルネ
マテイツク相からネマテイツク相への相転移型表
示素子で用いる液晶組成物とすることができ、又
TN表示素子で用いる液晶組成物に添加して、リ
バースドメインの発生を防止することができる。 又、本発明の一般式（）で示される化合物を
含有し、強誘電性を有する液晶組成物において使
用される液晶化合物としては、スメクテイツクＣ
相を有する液晶化合物、好ましくはSmC＊又は
カイラルスメクテイツク相を有する強誘電液晶化
合物が用いられる。 次に本発明の液晶組成物について説明する。 本発明の液晶組成物において使用される強誘電
性液晶化合物との具体例を以下に掲げる。 Schiff塩基型強誘電性液晶化合物： (1) DOBAMBC（ｐ―デシルオキシベンジリデ
ンp′―アミノ―２―メチルブチルシンナメー
ト） （この系統がｐ―ヘキシルオキシ乃至ｐ―デシ
ルオキシの炭素原子数のアルコキシ基を有する化
合物は強誘電性があり、本発明の組成物に使用で
きる。） (2) DOBAMBCC（ｐ―デシルオキシベンジリデ
ンp′―アミノ―２―メチルブチルα―シアノシ
ンナメート） （この系統でｐ―デシルオキシ基がｐ―テトラ
デシルオキシ基で置き換わつた化合物も強誘電性
がある。） (3) OOBAMBCC（ｐ―オクチルオキシベンジリ
デンp′―アミノ―２―アミノメチルブチルα―
クロロシンナメート） (4) HOBACPC（ｐ―ヘキシルオキシベンジリデ
ンp′―アミノ―２―クロロα―プロピルシンナ
メート） （この系統でｐ―ヘキシルオキシ乃至ｐ―ドデ
シルオキシの炭素原子数のアルコキシ基を有する
化合物は強誘電性がある。） (5) OOBAMBMC（ｐ―オクチルオキシベンジ
リデンp′―アミノ―２―メチルブチルα―メチ
ルシンナメート） (6) DOBMBA［ｐ―デシルオキシベンジリデン
p′―（２―メチルブチルオキシカルボニル）ア
ニリン］ （この系統でｐ―ヘプチルオキシ乃至ｐ―テト
ラデシルオキシの炭素原子数のアルコキシ基を有
する化合物は強誘電性がある。） エステル型強誘電性液晶化合物： (1) ４―ｎ―ヘキシルオキシフエニル４―（2″―
メチルブチル）ビフエニル―4′―カルボキシレ
ート (2) ４―（2′―メチルブチル）フエニル4′―オク
チルビフエニル―４―カルボキシレート (3) ４―（2′―メチルブチルオキシ）フエニル
4′―ドデシルオキシフエニル―４―カルボキシ
レート （上記の2′―メチルブチルオキシ基が4′―ノニ
ルオキシ基で置き換わつた化合物も強誘電性を示
す。） アゾキシ型強誘電性液晶化合物： (1) PACMB（ｐ―アゾキシシンナメートメチル
２ブタノール） 本発明の組成物においては、強誘電性液晶化合
物及び一般式（）で示される化合物は各々２種
以上混合して用いてもよい。 本発明の組成物においては、強誘電性液晶化合
物100重量部に対し、一般式（）で示される４
―（β―メチルブチルオキシ）―4′―アルキルア
ゾキシベンゼン0.01〜100重量部が配合される。
0.01重量部未満の場合は動作寿命を延ばす効果が
発現せず、100重量部を超える場合は強誘電性液
晶が希釈されるため強誘電性液晶としての特性が
低下する。 ［実施例］ 次に実施例を挙げて本発明を説明する。 なお、以下の実施例において、相転移温度は
DSC（セイコー電子SSC 580 DS）により測定を
行い、温度制御した銅ブロツク中でガラス板に封
入した液晶を挿入し、偏光顕微鏡で観察すること
で確認した。 実施例 １ ［Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブチルオキ
シ）4′―ヘプチルアゾキシベンゼンの製造］ ４―ヘプチルアニリン32.9ｇ（0.17M）を０℃
以下に冷却し10％塩酸水溶液85ｇを加え、次に亜
硝酸ナトリウム12.1ｇを70mlの水に溶解したもの
を加えた。滴下中は０℃以上とならないように冷
却した。滴下終了後30分間反応させたものを滴下
ロートへ移し、フエノール16ｇを含む８％
NaOH水溶液300mlへ滴下した。滴下中は５℃以
下に保つた。滴下終了後１時間攪拌を続け、その
後PH５〜６となるまで10％塩酸水溶液を加え、反
応物を析出させた。析出物を別し水にて洗浄後
減圧乾燥を１夜行つた。乾燥後石油エーテル500
mlで洗浄し、さらに減圧乾燥して34.7ｇ
（0.12M）の４―ハイドロキシ4′―ヘプチルアゾ
ベンゼンを得た。収率は71％であつた。４―ハイ
ドロキシ4′―ヘプチルアゾベンゼン10ｇ
（0.034M）を4.4ｇの水酸化カリウムとともに20
mlのエタノールに溶解し６時間加熱還流した。次
に10ｇのＳ―（＋）―２―メチルブチルブロマイ
ドを加え12時間加熱還流した。反応終了後過し
溶媒を留去した。残分をベンゼンに溶解しシリカ
ゲルにてカラムクロマトを行つた。ベンゼンを留
去し、減圧乾燥して5.0ｇ（0.014M）のＳ―
（＋）４―（β―メチルブチルオキシ）4′―ヘプ
チルアゾベンゼンを得た。収率は41％であつた。
33℃〜８℃にてモノトロピツクなコレステリツク
液晶相を示した。 Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブチルオキシ）
4′―ヘプチルアゾベンゼン2.0ｇ（0.0055M）を50
mlに氷酢酸に溶解し60〜70℃に加熱攪拌した。１
mlの30％過酸化水素水を加え１時間反応させた。
次に１mlの30％過酸化水素水を加え４時間反応さ
せた。その後８時間で４mlの30％過酸化水素水を
加え滴下終了後６時間反応させた。反応終了後ヘ
キサンにて抽出し、溶媒を留去した。ベンゼンに
溶解してシリカゲルにてカラムクロマトを行つ
た。ベンゼンを留去し減圧乾燥して1.8ｇ
（0.0047M）のＳ―（＋）―４―（β―メチルブ
チルオキシ）4′―ヘプチルアゾキシベンゼンを得
た。収率は85％であつた。 この化合物のIR，NMRデータ、及び相転移温
度を以下に示す。 IR：
化合物を含有し、液晶表示素子や液晶―光シヤツ
タ等に使用するのに好適な液晶組成物に関する。 ［従来の技術］ 液晶性化合物として、光学活性基を含有する化
合物が注目されている。光学活性基を含有するこ
とを特徴とする化合物の機能としては、液晶状
態においてカイラルネマテイツク相を利用するホ
ワイト・テイラー型のゲストホスト形電気光学効
果を利用するもの、カイラルネマテイツク相か
らネマテイツク相への電界による相転移現象を利
用するもの、カイラルネマテイツク相とスメク
テイツク相の熱による相転移現象を利用するも
の、スメクチツク相の強誘電現象を利用するも
のなどが知られている。また、単分子累積膜と
することにより非線形光学素子として、マトリツ
クス中へ固定化することにより円偏光ビームスプ
リツター、フイルター等の光学素子として利用で
きる。そこで、光学活性基を含有する化合物を合
成し、その機能を調べ、上記種々の用途への適用
につき研究が積み重ねられている。 また従来より知られている液晶表示素子として
は、TN（Twisted Nematic）型、動的散乱型
（DS型）、ゲスト・ホスト型および熱光学効果を
利用するもの等が挙げられる。特にTN型液晶素
子は時計・電卓等に広く用いられているが、応答
が遅いため高速応答性が要求される液晶―光シヤ
ツタ、テレビ画像表示装置、コンピユーター端末
表示装置などに対して充分満足できないのが現状
である。 このような従来型の液晶素子の欠点を改善する
ものとして、双安定性を有する液晶素子の使用
が、ClarkおよびLagerwallにより提案されてい
る（特開昭58―107216号公報、米国特許第
4367924号明細書等）。双安定性液晶としては、一
般に、カイラルスメクテイツクＣ相（SmC＊）
Ｈ相（SmH＊）、Ｆ相（SmF＊）、Ｉ相（SmI
＊）、Ｇ相（SmG＊）などのカイラルスメクテイ
ツク相を有する強誘電液晶が用いられる。この液
晶は電界に対して第１の光学的安定状態と第２の
光学的安定状態からなる双安定状態を有し、例え
ば一方の電界ベクトルに対し第１の光学的安定状
態に液晶が配向し他の電界ベクトルに対しては第
２の光学的安定状態に液晶が配向される。またこ
の型の液晶は、加えられる電界に応答して、極め
て速やかに上記２つの安定状態のいずれかを取
り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持
する性質を有する。 次に強誘電性液晶の動作説明を第１図および第
２図を使つて行なう。第１図において１と、１ａ
は、In2O3、SnO2あるいはITO（Indium―
TinOxide）等の薄膜からなる透明電極で被覆さ
れた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子
層２がガラス面に垂直になるよう配向したSmC
＊相又はSmH＊相の液晶が封入されている。太
線で示した線３が液晶分子を表わしており、この
液晶分子３はその分子に直交した方向に双極子モ
ーメント（P⊥）４を有している。基板１と１ａ
上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加する
と、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モ
ーメント（P⊥）４がすべて電界方向に向くよ
う、液晶分子３は配向方向を変えることができ
る。液晶分子３は、細長い形状を有しており、そ
の長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従
つて例えばガラス面の上下に互いにクロスニコル
の偏光子を置けば、電圧印加極性によつて光学特
性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易
に理解される。そらに好ましく用いられる液晶セ
ルは、その厚さを充分に薄く（例えば10μ以下）
することができる。このように液晶層が薄くなる
にしたがい、第２図に示すように電界を印加して
いない状態でも液晶分子のらせん構造がほどけ、
非らせん構造となり、その双極子モーメントＰま
たはPaは上向き５又は下向き５ａのどちらかの
状態をとる。このようなセルに、第２図に示す如
く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はQa
を電圧印加手段６と６ａにより付与すると、双極
子モーメントは、電界Ｅ又はEaの電界ベクトル
に対応して上向き５又は下向き５ａと向きを変
え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態７
かあるいは第２の安定状態７ａの何れか一方に配
向する。 このような強誘電性を光学変調素子として用い
ることの利点は、先にも述べたが２つある。その
第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２
は液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第２の点を、例えば第２図によつて更に説明
すると、電界Ｅを印加すると液晶分子は第１の安
定状態７に配向するが、この状態は電界を切つて
も安定である。又、逆向きの電界Eaを印加する
と、液晶分子は第２の安定状態７ａに配向してそ
の分子の向きを変えるが、やはり電界を切つても
この状態に留つている。又、与える電界Ｅが一定
の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にや
はり維持されている。このような応答速度の速さ
と、双安定性が有効に実現されるにはセルとして
は出来るだけ薄い方が好ましい。 上述した強誘電性を示す液晶化合物の具体例と
しては、ｐ―デシルオキシベンジリデン―p′―ア
ミノ―２―メチルブチルシンナメート
（DOBAMBC）ｐ―ヘキシルオキシベンジリデ
ン―p′―アミノ―２―クロロプロピルシンナメー
ト（HOBACPC）、４―Ｄ―（２―メチル）―ブ
チルレゾルシリデン―4′―オクチルアニリン
（MBRA8）などが挙げられる。しかし該化合物
は液晶素子として繰り返し通電させると、劣化が
起こり易く、セルの気密性封入条件、動作条件な
どの点で注意を要し、液晶素子開発上の大きな難
点となつている。一方、安定な液晶化合物の探索
も行なわれているが、高速応答性と安定性を満足
し、実用化されているものは見出されていないの
が現状である。 ［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、上記〜に例示した種々の用途に
有効な光学活性基を含有する新規な液晶性化合
物、及び該新規化合物を強誘電性液晶中に含有せ
しめてなり、優れた動作寿命特性を有し、応答速
度が速く、双安定性に優れ、液晶表示素子や液晶
シヤツタ等に使用するのに好適な液晶組成物を提
供するためになされたものである。 ［問題点を解決するための手段及び作用］ 本発明によれば、 (1) 一般式（）： （式中Ｒは炭素数６〜12のアルキル基を示し、
＊は不斉炭素原子を示す） で表わされる化合物の少なくとも１種を配合成分
として含有することを特徴とする強誘電性液晶組
成物が提供される。 一般式（）中のアルキル基Ｒの鎖長が短かす
ぎるものは強誘電性液晶へ混合する場合に安定性
に欠ける欠点があり、相転移温度が高くなり、一
方鎖長が長すぎるものは融点が上昇することと粘
度が増加する欠点があり、そのバランスから、ア
ルキル基Ｒの炭素原子数は４〜20が好ましく、よ
り好ましくは炭素原子数６〜16、特に好ましくは
６〜12である。 上記一般式（）で表わされる４―（β―メチ
ルブチルオキシ）―4′―アルキルアゾキシベンゼ
ンの好ましい具体例としては、Ｓ―（＋）―４―
（β―メチルブチルオキシ）―4′―ヘキシルアゾ
キシベンゼン、Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブ
チルオキシ）―4′―ヘプチルアゾキシベンゼン、
Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブチルオキシ）―
4′―オクチルアゾキシベンゼン、Ｓ―（＋）―４
―（β―メチルブチルオキシ）―4′―ノニルアキ
シゾベンゼン、Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブ
チルオキシ）―4′―デシルアゾキシベンゼン、Ｓ
―（＋）―４―（β―メチルブチルオキシ）―
4′―ウンデシルアゾキシベンゼン、Ｓ―（＋）―
４―（β―メチルブチルオキシ）―4′―ドデシル
アゾキシベンゼンが挙げられる。 次に本発明の新規液晶性化合物の製造法につい
て示す。 まず、ｐ―アルキルアニリンを冷却下塩酸水溶
液にて滴下し、塩酸塩とする。次に亜硝酸ナトリ
ウム水溶液を滴下しジアゾニウム塩とする。この
ジアゾニウム塩水溶液をアルカリ条件にてフエノ
ールへ滴下し4′―アルキル―４―ハイドロキシア
ゾベンゼンを合成する。4′―アルキル―４―ハイ
ドロキシアゾベンゼンを精製後、過剰の水酸化カ
リウムと反応し、光学活性な2′―メチルブチルブ
ロマイドと反応させ４―（β―メチルブチルオキ
シ）4′―アルキルアゾベンゼンを得る。４―（β
―メチルブチルオキシ）―4′―アルキルベンゼン
を精製後氷酢酸に溶解し、60〜70℃に加熱し、過
酸化水素水を加えて反応させ、分離精製して４―
（β―メチルブチルオキシ）4′―アルキルアゾキ
シベンゼンを得る。 以上を化学式で示すと、以下の通りである。 本発明の４―（β―メチルブチルオキシ）―
4′―アルキルアゾキシベンゼンは光学活性物質で
あり、おもにコレステリツク相を示している。ネ
マチツク液晶に本発明の化合物を少量添加してホ
ワイト・テーラー型表示素子あるいはカイラルネ
マテイツク相からネマテイツク相への相転移型表
示素子で用いる液晶組成物とすることができ、又
TN表示素子で用いる液晶組成物に添加して、リ
バースドメインの発生を防止することができる。 又、本発明の一般式（）で示される化合物を
含有し、強誘電性を有する液晶組成物において使
用される液晶化合物としては、スメクテイツクＣ
相を有する液晶化合物、好ましくはSmC＊又は
カイラルスメクテイツク相を有する強誘電液晶化
合物が用いられる。 次に本発明の液晶組成物について説明する。 本発明の液晶組成物において使用される強誘電
性液晶化合物との具体例を以下に掲げる。 Schiff塩基型強誘電性液晶化合物： (1) DOBAMBC（ｐ―デシルオキシベンジリデ
ンp′―アミノ―２―メチルブチルシンナメー
ト） （この系統がｐ―ヘキシルオキシ乃至ｐ―デシ
ルオキシの炭素原子数のアルコキシ基を有する化
合物は強誘電性があり、本発明の組成物に使用で
きる。） (2) DOBAMBCC（ｐ―デシルオキシベンジリデ
ンp′―アミノ―２―メチルブチルα―シアノシ
ンナメート） （この系統でｐ―デシルオキシ基がｐ―テトラ
デシルオキシ基で置き換わつた化合物も強誘電性
がある。） (3) OOBAMBCC（ｐ―オクチルオキシベンジリ
デンp′―アミノ―２―アミノメチルブチルα―
クロロシンナメート） (4) HOBACPC（ｐ―ヘキシルオキシベンジリデ
ンp′―アミノ―２―クロロα―プロピルシンナ
メート） （この系統でｐ―ヘキシルオキシ乃至ｐ―ドデ
シルオキシの炭素原子数のアルコキシ基を有する
化合物は強誘電性がある。） (5) OOBAMBMC（ｐ―オクチルオキシベンジ
リデンp′―アミノ―２―メチルブチルα―メチ
ルシンナメート） (6) DOBMBA［ｐ―デシルオキシベンジリデン
p′―（２―メチルブチルオキシカルボニル）ア
ニリン］ （この系統でｐ―ヘプチルオキシ乃至ｐ―テト
ラデシルオキシの炭素原子数のアルコキシ基を有
する化合物は強誘電性がある。） エステル型強誘電性液晶化合物： (1) ４―ｎ―ヘキシルオキシフエニル４―（2″―
メチルブチル）ビフエニル―4′―カルボキシレ
ート (2) ４―（2′―メチルブチル）フエニル4′―オク
チルビフエニル―４―カルボキシレート (3) ４―（2′―メチルブチルオキシ）フエニル
4′―ドデシルオキシフエニル―４―カルボキシ
レート （上記の2′―メチルブチルオキシ基が4′―ノニ
ルオキシ基で置き換わつた化合物も強誘電性を示
す。） アゾキシ型強誘電性液晶化合物： (1) PACMB（ｐ―アゾキシシンナメートメチル
２ブタノール） 本発明の組成物においては、強誘電性液晶化合
物及び一般式（）で示される化合物は各々２種
以上混合して用いてもよい。 本発明の組成物においては、強誘電性液晶化合
物100重量部に対し、一般式（）で示される４
―（β―メチルブチルオキシ）―4′―アルキルア
ゾキシベンゼン0.01〜100重量部が配合される。
0.01重量部未満の場合は動作寿命を延ばす効果が
発現せず、100重量部を超える場合は強誘電性液
晶が希釈されるため強誘電性液晶としての特性が
低下する。 ［実施例］ 次に実施例を挙げて本発明を説明する。 なお、以下の実施例において、相転移温度は
DSC（セイコー電子SSC 580 DS）により測定を
行い、温度制御した銅ブロツク中でガラス板に封
入した液晶を挿入し、偏光顕微鏡で観察すること
で確認した。 実施例 １ ［Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブチルオキ
シ）4′―ヘプチルアゾキシベンゼンの製造］ ４―ヘプチルアニリン32.9ｇ（0.17M）を０℃
以下に冷却し10％塩酸水溶液85ｇを加え、次に亜
硝酸ナトリウム12.1ｇを70mlの水に溶解したもの
を加えた。滴下中は０℃以上とならないように冷
却した。滴下終了後30分間反応させたものを滴下
ロートへ移し、フエノール16ｇを含む８％
NaOH水溶液300mlへ滴下した。滴下中は５℃以
下に保つた。滴下終了後１時間攪拌を続け、その
後PH５〜６となるまで10％塩酸水溶液を加え、反
応物を析出させた。析出物を別し水にて洗浄後
減圧乾燥を１夜行つた。乾燥後石油エーテル500
mlで洗浄し、さらに減圧乾燥して34.7ｇ
（0.12M）の４―ハイドロキシ4′―ヘプチルアゾ
ベンゼンを得た。収率は71％であつた。４―ハイ
ドロキシ4′―ヘプチルアゾベンゼン10ｇ
（0.034M）を4.4ｇの水酸化カリウムとともに20
mlのエタノールに溶解し６時間加熱還流した。次
に10ｇのＳ―（＋）―２―メチルブチルブロマイ
ドを加え12時間加熱還流した。反応終了後過し
溶媒を留去した。残分をベンゼンに溶解しシリカ
ゲルにてカラムクロマトを行つた。ベンゼンを留
去し、減圧乾燥して5.0ｇ（0.014M）のＳ―
（＋）４―（β―メチルブチルオキシ）4′―ヘプ
チルアゾベンゼンを得た。収率は41％であつた。
33℃〜８℃にてモノトロピツクなコレステリツク
液晶相を示した。 Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブチルオキシ）
4′―ヘプチルアゾベンゼン2.0ｇ（0.0055M）を50
mlに氷酢酸に溶解し60〜70℃に加熱攪拌した。１
mlの30％過酸化水素水を加え１時間反応させた。
次に１mlの30％過酸化水素水を加え４時間反応さ
せた。その後８時間で４mlの30％過酸化水素水を
加え滴下終了後６時間反応させた。反応終了後ヘ
キサンにて抽出し、溶媒を留去した。ベンゼンに
溶解してシリカゲルにてカラムクロマトを行つ
た。ベンゼンを留去し減圧乾燥して1.8ｇ
（0.0047M）のＳ―（＋）―４―（β―メチルブ
チルオキシ）4′―ヘプチルアゾキシベンゼンを得
た。収率は85％であつた。 この化合物のIR，NMRデータ、及び相転移温
度を以下に示す。 IR：
【式】1280cm-1
Ar―Ｏ―CH2 1260cm-1
NMR：Ar―ＣH2 ― 2.5（ｔ）
0.7〜2.0メチル、メチレン
Ar―Ｏ―ＣH2 ―3.7（ｑ）
Ar 7.7〜8.2
相転移温度：
Cryst９℃
−33℃Ch43℃
41℃Iso
各略語は以下の意味を有する（以後の実施例に
おいても同様）。 Cryst：結晶 Ch：コレステリツク相 Iso：等方性液体 実施例 ２ ［Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブチルオキ
シ）4′―ヘキシルアゾキシベンゼンの製造］ ４―ヘキシルアニリン30.1ｇ（0.17M）を０℃
以下に冷却し10％塩酸水溶液85ｇを加え、次に亜
硝酸ナトリウム11.6ｇを68ｇの水に溶解したもの
を加えた。滴下中は０℃以上とならないように冷
却した。滴下終了後30分間反応させたものを滴下
ロートへ移し、フエノール16ｇを含む８％
NaOH水溶液170ｇへ滴下した。滴下中は５℃以
下に保つた。滴下終了後0.5時間攪拌を続けその
後PH５〜６となるまで10％塩酸水溶液を加え、反
応物を析出させた。析出物を別し水にて洗浄
後、減圧乾燥を１夜行つた。乾燥後石油エーテル
500mlで洗浄し、さらに減圧乾燥して29.6ｇ
（0.10M）の４―ハイドロキシ4′―ヘキシルアゾ
ベンゼンを得た。収率は59％であつた。４―ハイ
ドロキシ―4′―ヘキシルアゾベンゼン8.6ｇ
（0.030M）を3.3ｇの水酸化カリウムとともに20
mlのエタノールに溶解し９時間加熱還流した。次
に9.0ｇのＳ―（＋）―２―メチルブチルブロマ
イドを加え12時間加熱還流した。反応終了後過
し溶媒を留去した。残分をベンゼンに溶解し、シ
リカゲルにてカラムクロマトを行つた。ベンゼン
を留去し、減圧乾燥して5.9ｇ（0.017M）のＳ―
（＋）４―（β―メチルブチルオキシ）4′―ヘキ
シルアゾベンゼンを得た。収率は57％であつた。
11〜13℃にてモノトロピツクなコレステリツク液
晶相を示した。Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブ
チルオキシ）4′ヘキシルアゾベンゼン2.5ｇ（7.1
×10-3M）を50mlの氷酢酸に溶解し60〜70℃に加
熱攪拌した。１mlの30％過酸化水素水を加え１時
間反応させた。次に１mlの30％過酸化水素水を加
え４時間反応させた。その後８時間で４mlの30％
過酸化水素水を加え滴下終了後６時間反応させ
た。反応終了後ヘキサンにて抽出し、溶媒を留去
した。ベンゼンに溶解してシリカゲルにてカラム
クロマトを行つた。ベンゼンを留去し減圧乾燥し
て1.7ｇ（4.6×10-3M）のＳ―（＋）―４―（β
―メチルブチルオキシ）4′―ヘキシルアゾキシベ
ンゼンを得た。収率は65％であつた。 この化合物のIR，NMRデータ及び相転移温度
を以下に示す。 IR：
おいても同様）。 Cryst：結晶 Ch：コレステリツク相 Iso：等方性液体 実施例 ２ ［Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブチルオキ
シ）4′―ヘキシルアゾキシベンゼンの製造］ ４―ヘキシルアニリン30.1ｇ（0.17M）を０℃
以下に冷却し10％塩酸水溶液85ｇを加え、次に亜
硝酸ナトリウム11.6ｇを68ｇの水に溶解したもの
を加えた。滴下中は０℃以上とならないように冷
却した。滴下終了後30分間反応させたものを滴下
ロートへ移し、フエノール16ｇを含む８％
NaOH水溶液170ｇへ滴下した。滴下中は５℃以
下に保つた。滴下終了後0.5時間攪拌を続けその
後PH５〜６となるまで10％塩酸水溶液を加え、反
応物を析出させた。析出物を別し水にて洗浄
後、減圧乾燥を１夜行つた。乾燥後石油エーテル
500mlで洗浄し、さらに減圧乾燥して29.6ｇ
（0.10M）の４―ハイドロキシ4′―ヘキシルアゾ
ベンゼンを得た。収率は59％であつた。４―ハイ
ドロキシ―4′―ヘキシルアゾベンゼン8.6ｇ
（0.030M）を3.3ｇの水酸化カリウムとともに20
mlのエタノールに溶解し９時間加熱還流した。次
に9.0ｇのＳ―（＋）―２―メチルブチルブロマ
イドを加え12時間加熱還流した。反応終了後過
し溶媒を留去した。残分をベンゼンに溶解し、シ
リカゲルにてカラムクロマトを行つた。ベンゼン
を留去し、減圧乾燥して5.9ｇ（0.017M）のＳ―
（＋）４―（β―メチルブチルオキシ）4′―ヘキ
シルアゾベンゼンを得た。収率は57％であつた。
11〜13℃にてモノトロピツクなコレステリツク液
晶相を示した。Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブ
チルオキシ）4′ヘキシルアゾベンゼン2.5ｇ（7.1
×10-3M）を50mlの氷酢酸に溶解し60〜70℃に加
熱攪拌した。１mlの30％過酸化水素水を加え１時
間反応させた。次に１mlの30％過酸化水素水を加
え４時間反応させた。その後８時間で４mlの30％
過酸化水素水を加え滴下終了後６時間反応させ
た。反応終了後ヘキサンにて抽出し、溶媒を留去
した。ベンゼンに溶解してシリカゲルにてカラム
クロマトを行つた。ベンゼンを留去し減圧乾燥し
て1.7ｇ（4.6×10-3M）のＳ―（＋）―４―（β
―メチルブチルオキシ）4′―ヘキシルアゾキシベ
ンゼンを得た。収率は65％であつた。 この化合物のIR，NMRデータ及び相転移温度
を以下に示す。 IR：
【式】1270cm-1
Ar―Ｏ―CH2 1245cm-1
NMR（Sppm）：Ar―ＣH2 ―2.6（ｔ）
0.7〜2.0メチル、メチレン
Ar―Ｏ―ＣH2 ―3.7
Ar 6.7〜8.3
相転移温度：
Cryst−２℃
−18℃Ch32℃
28℃Iso
実施例 ３
［Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブチルオキ
シ）4′―オクチルアゾキシベンゼンの製造］ ４―オクチルアニリン35ｇ（0.17M）を０℃以
下に冷却し10％塩酸水溶液85ｇを加え、次に亜硝
酸ナトリウム12.0ｇを68mlの水に溶解したものを
加えた。滴下中は０℃以上とならないように冷却
した。滴下終了後30分間反応させたものを滴下ロ
ートへ移し、フエノール16ｇを含む８％NAOH
水溶液170ｇへ滴下した。滴下中は５℃以下に保
つた。滴下終了後１時間攪拌を続け、その後PH５
〜６となるまで10％塩酸水溶液を加え、反応物を
析出させた。析出物を別し水にて洗浄後減圧乾
燥を１夜行つた。乾燥後石油エーテル500mlで洗
浄し、さらに減圧乾燥して30.8ｇ（0.10M）の４
―ハイドロキシ―4′―ヘプチルアゾベンゼンを得
た。収率は59％であつた。４―ハイドロキシ―
4′―オクチルアゾベンゼン10ｇ（0.032M）を3.6
ｇの水酸化カリウムとともに20mlのエタノールに
溶解し６時間加熱還流した。次に９ｇのＳ―
（＋）―２―メチルブチルブロマイドを加え、12
時間加熱還流した。反応終了後過し溶媒を留去
した。残分をベンゼンに溶解しシリカゲルにてカ
ラムクロマトを行つた。ベンゼンを留去し、減圧
乾燥して5.7ｇ（0.015M）のＳ―（＋）４―（β
―メチルブレルオキシ）4′―オクチルアゾベンゼ
ンを得た。収率は47％であつた。６℃〜26℃にて
モノトロピツクなコレステリツク液晶相を示し
た。Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブチルオキ
シ）4′オクチルアゾベンゼン2.1ｇ（5.5×10-3M）
を50mlの氷酢酸に溶解し60〜70℃に加熱攪拌し
た。１mlの30％過酸化水素水を加え１時間反応さ
せた。次に１mlの30％過酸化水素水を加え４時間
反応させた。その後８時間で４mlの30％過酸化水
素水を加え滴下終了後６時間反応させた。反応終
了後ヘキサンにて抽出し、溶媒を留去した。ベン
ゼンに溶解してシリカゲルにてカラムクロマトを
行つた。ベンゼンを留去し減圧乾燥して1.7ｇ
（4.3×10-3M）のＳ―（＋）―４―（β―メチル
ブレルオキシ）4′―オクチルアゾキシベンゼンを
得た。収率は78％であつた。 この化合物のIRデータ及び相転移温度を以下
に示す。 IR：
シ）4′―オクチルアゾキシベンゼンの製造］ ４―オクチルアニリン35ｇ（0.17M）を０℃以
下に冷却し10％塩酸水溶液85ｇを加え、次に亜硝
酸ナトリウム12.0ｇを68mlの水に溶解したものを
加えた。滴下中は０℃以上とならないように冷却
した。滴下終了後30分間反応させたものを滴下ロ
ートへ移し、フエノール16ｇを含む８％NAOH
水溶液170ｇへ滴下した。滴下中は５℃以下に保
つた。滴下終了後１時間攪拌を続け、その後PH５
〜６となるまで10％塩酸水溶液を加え、反応物を
析出させた。析出物を別し水にて洗浄後減圧乾
燥を１夜行つた。乾燥後石油エーテル500mlで洗
浄し、さらに減圧乾燥して30.8ｇ（0.10M）の４
―ハイドロキシ―4′―ヘプチルアゾベンゼンを得
た。収率は59％であつた。４―ハイドロキシ―
4′―オクチルアゾベンゼン10ｇ（0.032M）を3.6
ｇの水酸化カリウムとともに20mlのエタノールに
溶解し６時間加熱還流した。次に９ｇのＳ―
（＋）―２―メチルブチルブロマイドを加え、12
時間加熱還流した。反応終了後過し溶媒を留去
した。残分をベンゼンに溶解しシリカゲルにてカ
ラムクロマトを行つた。ベンゼンを留去し、減圧
乾燥して5.7ｇ（0.015M）のＳ―（＋）４―（β
―メチルブレルオキシ）4′―オクチルアゾベンゼ
ンを得た。収率は47％であつた。６℃〜26℃にて
モノトロピツクなコレステリツク液晶相を示し
た。Ｓ―（＋）―４―（β―メチルブチルオキ
シ）4′オクチルアゾベンゼン2.1ｇ（5.5×10-3M）
を50mlの氷酢酸に溶解し60〜70℃に加熱攪拌し
た。１mlの30％過酸化水素水を加え１時間反応さ
せた。次に１mlの30％過酸化水素水を加え４時間
反応させた。その後８時間で４mlの30％過酸化水
素水を加え滴下終了後６時間反応させた。反応終
了後ヘキサンにて抽出し、溶媒を留去した。ベン
ゼンに溶解してシリカゲルにてカラムクロマトを
行つた。ベンゼンを留去し減圧乾燥して1.7ｇ
（4.3×10-3M）のＳ―（＋）―４―（β―メチル
ブレルオキシ）4′―オクチルアゾキシベンゼンを
得た。収率は78％であつた。 この化合物のIRデータ及び相転移温度を以下
に示す。 IR：
【式】1280cm-1
Ar―Ｏ―CH2 1255cm-1
相転移温度：
Cryst10℃
−19℃Ch44℃
42℃Iso
実施例 ４
DOBAMBC100重量部に対してＳ―（＋）―
４―（β―メチルブチルオキシ）―４―オクチル
アゾベンゼンを５重量部加えて液晶組成物を調製
した。次いでピツチ100μmで幅62.5μmのストラ
イプ状のITO膜を電極として設けた正方形状ガラ
ス基板を用意し、これの電極となるITO膜が設け
られている側を下向きにして斜め蒸着装置にセツ
トし、次いでモリブデン製るつぼ内にSiO2の結
晶をセツトした。しかる後に蒸着装置内を
10-5Torr程度の真空状態としてから、所定の方
法でガラス基板上にSiO2を斜め蒸着し、800Åの
斜め蒸着膜を形成した（Ａ電極板）。 一方、同様のストライプ状のITO膜が形成され
たガラス基板上にポリイミド形成溶液（日立化成
工業(株)製の「PIQ」；不揮発分濃度14.5wt％）を
スピナー塗布機で塗布し、120℃で30分間、200℃
で60分間そして350℃で30分間加熱を行なつて800
Åの被膜を形成した（Ｂ電極板）。 次いでＡ電極板の周辺部に注入口となる個所を
除いて熱硬化型エポキシ接着剤をスクリーン印刷
法によつて塗布した後に、Ａ電極板とＢ電極板の
ストライプ状パターン電極が直交する様に重ね合
せ、２枚の電極板の間隔が2μとなるようポリイ
ミドスペーサで保持した。 こうして作成したセル内に等方相とした前記液
晶組成物を注入口から注入し、その注入口を封口
した。このセルを徐冷によつて降温させ、温度を
65℃で維持させた状態で、一対の偏光子をクロス
ニコル状態で設けてから顕微鏡観察したところモ
ノドメインのらせんのとけたSMC＊が形成され
ていることが確認できた。次にこの液晶セルを同
温度下で、40V（ピーク―ピーク）、100Hzの矩形
波を繰り返し印加した。初期の電流値と500時間
の連続動作後の電流値の比較によつて劣化をみ
た。その結果初期電流値0.5μAに対し、連続動作
後は0.7μAであつた。 実施例 ５ 実施例４の液晶セルを調製したときに用いた液
晶組成物に代えてDOBAMBCを100重量部、Ｓ
―（＋）―４―（β―メチルブチルオキシ）―
4′―デシルアゾキシベンゼンを３重量部およびＳ
―（＋）―４―（β―メチルブチルオキシ）―
4′―ドデシルアゾキシベンゼンを２重量部よりな
る液晶組成物を用いたほかは実施例４と全く同様
の方法で液晶セルを調製した。実施例４と同様に
して連続動作による劣化を電流値より調べた。初
期電流値0.6μAに対し、連続動作後0.7μAであつ
た。 比較例 １ 実施例４の液晶セルを調製したときに用いた液
晶組成物においてＳ―（＋）―４―（β―メチル
ブチルオキシ）―4′―オクチルアゾキシベンゼン
を除いた以外は実施例４と全く同様の方法で液晶
セルを調整した。実施例４と全く同様の方法で電
流値を測定した。初期電流値0.6μAに対し、連続
動作後は1.1μAであつた。 比較例 ２ 実施例４の液晶セルを調製したときに用いた液
晶組成物において、Ｓ―（＋）―４―（β―メチ
ルブチルオキシ）―4′―オクチルアゾキシベンゼ
ンを、Ｐ―β―メチルブチル―P′―β―メチルブ
チルオキシアゾキシベンゼンに変えた以外は実施
例４と全く同様の方法で液晶セルを調製した。実
施例４と全く同様の方法で電流値を測定した。初
期電流値0.6μAに対し、連続動作後は1.1μAであ
つた。 以上の実施例、比較例から明らかなように、一
般式で表わされる４―（β―メチルブチルオキ
シ）―4′―アルキルアゾキシベンゼンを液晶組成
物中へ添加することにより、液晶素子の寿命を格
段に延長させることができるものである。 ［発明の効果］ 本発明に係る新規な化合物４―（β―メチルブ
チルオキシ）4′―アルキルアゾキシベンゼンは、
液晶性を示し、また、強誘電性液晶化合物に４―
（β―メチルブチルオキシ）4′―アルキルアゾキ
シベンゼンを含有せしめてなる本発明の液晶組成
物は、強誘電性液晶化合物の有する特性を損なう
ことなく動作寿命が延長され、液晶表示素子の寿
命延長に寄与し、液晶表示素子や液晶光シヤツタ
等に使用するのに適しており、工業的意義は大き
い。
４―（β―メチルブチルオキシ）―４―オクチル
アゾベンゼンを５重量部加えて液晶組成物を調製
した。次いでピツチ100μmで幅62.5μmのストラ
イプ状のITO膜を電極として設けた正方形状ガラ
ス基板を用意し、これの電極となるITO膜が設け
られている側を下向きにして斜め蒸着装置にセツ
トし、次いでモリブデン製るつぼ内にSiO2の結
晶をセツトした。しかる後に蒸着装置内を
10-5Torr程度の真空状態としてから、所定の方
法でガラス基板上にSiO2を斜め蒸着し、800Åの
斜め蒸着膜を形成した（Ａ電極板）。 一方、同様のストライプ状のITO膜が形成され
たガラス基板上にポリイミド形成溶液（日立化成
工業(株)製の「PIQ」；不揮発分濃度14.5wt％）を
スピナー塗布機で塗布し、120℃で30分間、200℃
で60分間そして350℃で30分間加熱を行なつて800
Åの被膜を形成した（Ｂ電極板）。 次いでＡ電極板の周辺部に注入口となる個所を
除いて熱硬化型エポキシ接着剤をスクリーン印刷
法によつて塗布した後に、Ａ電極板とＢ電極板の
ストライプ状パターン電極が直交する様に重ね合
せ、２枚の電極板の間隔が2μとなるようポリイ
ミドスペーサで保持した。 こうして作成したセル内に等方相とした前記液
晶組成物を注入口から注入し、その注入口を封口
した。このセルを徐冷によつて降温させ、温度を
65℃で維持させた状態で、一対の偏光子をクロス
ニコル状態で設けてから顕微鏡観察したところモ
ノドメインのらせんのとけたSMC＊が形成され
ていることが確認できた。次にこの液晶セルを同
温度下で、40V（ピーク―ピーク）、100Hzの矩形
波を繰り返し印加した。初期の電流値と500時間
の連続動作後の電流値の比較によつて劣化をみ
た。その結果初期電流値0.5μAに対し、連続動作
後は0.7μAであつた。 実施例 ５ 実施例４の液晶セルを調製したときに用いた液
晶組成物に代えてDOBAMBCを100重量部、Ｓ
―（＋）―４―（β―メチルブチルオキシ）―
4′―デシルアゾキシベンゼンを３重量部およびＳ
―（＋）―４―（β―メチルブチルオキシ）―
4′―ドデシルアゾキシベンゼンを２重量部よりな
る液晶組成物を用いたほかは実施例４と全く同様
の方法で液晶セルを調製した。実施例４と同様に
して連続動作による劣化を電流値より調べた。初
期電流値0.6μAに対し、連続動作後0.7μAであつ
た。 比較例 １ 実施例４の液晶セルを調製したときに用いた液
晶組成物においてＳ―（＋）―４―（β―メチル
ブチルオキシ）―4′―オクチルアゾキシベンゼン
を除いた以外は実施例４と全く同様の方法で液晶
セルを調整した。実施例４と全く同様の方法で電
流値を測定した。初期電流値0.6μAに対し、連続
動作後は1.1μAであつた。 比較例 ２ 実施例４の液晶セルを調製したときに用いた液
晶組成物において、Ｓ―（＋）―４―（β―メチ
ルブチルオキシ）―4′―オクチルアゾキシベンゼ
ンを、Ｐ―β―メチルブチル―P′―β―メチルブ
チルオキシアゾキシベンゼンに変えた以外は実施
例４と全く同様の方法で液晶セルを調製した。実
施例４と全く同様の方法で電流値を測定した。初
期電流値0.6μAに対し、連続動作後は1.1μAであ
つた。 以上の実施例、比較例から明らかなように、一
般式で表わされる４―（β―メチルブチルオキ
シ）―4′―アルキルアゾキシベンゼンを液晶組成
物中へ添加することにより、液晶素子の寿命を格
段に延長させることができるものである。 ［発明の効果］ 本発明に係る新規な化合物４―（β―メチルブ
チルオキシ）4′―アルキルアゾキシベンゼンは、
液晶性を示し、また、強誘電性液晶化合物に４―
（β―メチルブチルオキシ）4′―アルキルアゾキ
シベンゼンを含有せしめてなる本発明の液晶組成
物は、強誘電性液晶化合物の有する特性を損なう
ことなく動作寿命が延長され、液晶表示素子の寿
命延長に寄与し、液晶表示素子や液晶光シヤツタ
等に使用するのに適しており、工業的意義は大き
い。
第１図は、カイラルスメクテイツク液晶を用い
た光学変調素子を模式的に示す斜視図である。第
２図は、同光学変調素子の双安定性を模式的に示
す斜視図である。 １，１ａ…基板、２…液晶分子層、３…液晶分
子、４…分子と直交した方向の双極子モーメン
ト、５…上向き、５ａ…下向き、６…電圧印加手
段、７…第１の安定状態、７ａ…第２の安定状
態。
た光学変調素子を模式的に示す斜視図である。第
２図は、同光学変調素子の双安定性を模式的に示
す斜視図である。 １，１ａ…基板、２…液晶分子層、３…液晶分
子、４…分子と直交した方向の双極子モーメン
ト、５…上向き、５ａ…下向き、６…電圧印加手
段、７…第１の安定状態、７ａ…第２の安定状
態。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（）： （式中Ｒは炭素数６〜12のアルキル基を示し、
＊は不斉炭素原子を示す） で表わされる化合物の少なくとも１種を配合成分
として含有することを特徴とする強誘電性液晶組
成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15119184A JPS6130561A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 強誘電性液晶組成物 |
| US07/443,035 US4979805A (en) | 1984-07-23 | 1989-12-01 | Ferroelectric liquid crystal device containing optically active azo or azoxy benzene type mesomorphic compound with extended life |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15119184A JPS6130561A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 強誘電性液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130561A JPS6130561A (ja) | 1986-02-12 |
| JPH0228630B2 true JPH0228630B2 (ja) | 1990-06-25 |
Family
ID=15513257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15119184A Granted JPS6130561A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130561A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183256A (ja) * | 1985-02-09 | 1986-08-15 | Chisso Corp | 光学活性アゾキシ化合物及び液晶組成物 |
| JP5623886B2 (ja) * | 2009-12-09 | 2014-11-12 | 富士フイルム株式会社 | 着色感光性組成物、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び液晶表示装置 |
| JP5143240B2 (ja) * | 2011-01-06 | 2013-02-13 | 富士フイルム株式会社 | 着色感光性組成物、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、液晶表示装置、及び有機ｅｌ表示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS511426A (ja) * | 1974-06-18 | 1976-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Azokishibenzenjudotaino seizohoho |
-
1984
- 1984-07-23 JP JP15119184A patent/JPS6130561A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS511426A (ja) * | 1974-06-18 | 1976-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Azokishibenzenjudotaino seizohoho |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6130561A (ja) | 1986-02-12 |
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