JPH0269440A - 光学活性液晶性化合物、それを含む液晶組成物および液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、新規な液晶性化合物、それを含有する液晶組
成物及び該液晶組成物を用いた液晶素子に関するもので
、更に詳しくは光学活性基にトリフルオロメチル基を導
入した液晶性化合物、それを含有する液晶組成物及び該
液晶組成物を用いた液晶素子に関するものである。

〔背景技術〕

従来の液晶素子としては、例えばエム・シャット（Ｍ、
５ｃｈａｄｔ）とダブリュー６へルフリッヒ（Ｗ。

Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ）著“アプライド・フィジックスΦレ
ターズ”　（＠Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉｃｓ　　
Ｌｅｔｔｒｅｓ”　）第１８巻、第４号（１９７１年２
月１５日発行）、第１２７頁〜１２８頁の“ボルテージ
中デイペンダント・オプティカル・アクティビティ−・
オブ・ア・ツィステッド・ネマチック・リキッド・クリ
スタル″（ＶｏｌｔａｇｅＤｅｐｅｎｄｅｎｔ　　０ｐ
ｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　　ａ　　Ｔ
ｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ　　Ｌｉｑｕｉｄ　　Ｃｒ
ｙｓｔａ！”）に示されたツィステッド・ネマチック（
ｔｗｉｓｔｅｄ　　ｎｅｍａｔｉｃ）液晶を用いたもの
が知られている。このＴＮ液晶は、画素密度を高くした
マトリクス電極構造を用いた時分割駆動の時、クロスト
ークを発生する問題点がある為、画素数が制限されてい
た。

また、電界応答が遅°く視野角特性が悪いためにデイス
プレィとしての用途は限定されていた。

また、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチング素
子を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素
子が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成
する工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成す
る事が難しい問題点がある。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク（Ｃ１
ａｒｋ）及びラガウエル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により
提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報、米
国特許第４３６７９２４号明細書等）。双安定性を有す
る液晶としては、一般に、カイラルスメクテイツクＣ相
（Ｓ　ｍ　Ｃ”　）またはＨ相（Ｓ　ｍ　Ｈ”　）を有
する強誘電性液晶が用いられる。

この・強誘電性液晶は、自発分極を有するために非常に
速い応答速度を有する上に、メモリー性のある双安定状
態を発現させることができ、さらに視野角特性もすぐれ
ていることから大容量大画面のデイスプレィ用材料とし
て適している。

また、強誘電性液晶として用いられる材料は不斉を有し
ている為に、そのカイラルスメクテイック相を利用した
強誘電性液晶として使用する以外に、次のような光学素
子としても使用することができる。

ｌ）液晶状態においてコレステリック・ネマティック相
転移効果を利用するもの（Ｊ　、　Ｊ　、　Ｗ　ｙ　ｓ
　ｏ　ｋ　ｉ　。

Ａ、Ａｄａｍｓ　　ａｎｄ　　Ｗ、Ｈａａｓ’；Ｐｈｙ
ｓ、Ｒｅｖ。

Ｌｅｔｔ、、２０．１０２４　（１９６８））、２）液
晶状態においてホワイト・ティラー形ゲスト・ホスト効
果を利用するもの（Ｄ、Ｌ、Ｗｈｉｔｅａｎｄ　　Ｇ、
Ｎ、Ｔａｙｌｏｒ　；　Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、　
４５゜４７１８　（１９７４））、 等が知られている。個々の方式についての詳細な説明は
省略するが、表示素子や変調素子として重要である。

このような液晶の電界応答光学効果を用いる方法におい
ては液晶の応答性を高めるために極性基を導入すること
が好ましいとされている。と（に強誘電性液晶において
は応答速度は自発分極に比例することが知られており、
高速化のためには自発分極を増加させることが望まれて
いる。このような点からＰ、Ｋｅｌｌｅｒらは、不斉炭
素に直接塩素基を導入することで自発分極を増加させ応
答速度の高速化が可能であることを示した（Ｃ，Ｒ，Ａ
ｃａｄ。

Ｓｃ、　Ｐａｒｉｓ、　２８２　　Ｃ，６３９（１９７
６））。しかしながら、不斉炭素に導入された塩素基は
化学的に不安定であるうえに、原子半径が大きいことか
ら液晶相の安定性が低下するという欠点を有しており、
その改善が望まれている。

他方、光学活性を有することを特徴とする光学素子に必
要な機能性材料は、それ自体光学活性の中間体を経て合
成されることが多いが、従来から用いられる光学活性中
間体としては、２−メチルブタノール、２級オクチルア
ルコール、２級ブチルアルコール、塩化ｐ−（２−メチ
ルブチル）安息香酸、２級フェネチルアルコール、アミ
ノ酸誘導体、ショウノウ誘導体、コレステロール誘導体
等が挙げられるが、これらの光学活性中間体に極性基が
導入されることはほとんど無かった。このためもあって
、不斉炭素原子に直接極性基を導入することにより自発
分極を増加する方法は、余り有効に利用されていなかっ
た。

〔発明の目的〕

本発明は上記の点に鑑みなされたものである。すなわち
、本発明は不斉炭素原子に直接、安定で且つ双極子モー
メントの大きいトリフルオロメチル基を導入することに
より、極性を高めた液晶性化合物、及びそれを少なくと
も１種類含有することにより液晶の電界応答性を高めた
液晶組成物ならびに該液晶組成物を使用する液晶素子を
提供することを目的とする。

〔目的を達成するための手段〕

つまり、本発明は、上述の目的を達成させるためになさ
れたものであり、下記一般式（１）で表わされる液晶性
化合物（トリフルオロメチルアルカン誘導体）を提供す
るものである。

（ただし、上記式（１）中、Ｒ１は炭素原子数１〜１８
の直鎖状アルキル基、Ｒ２は炭素原子数４〜８の直鎖状
アルキル基であり、Ａ、Ｂはそれぞれ独立に　　−Ｇ−
、−”Ｃす→、−（トの中から選ばれ、ｍ、ｎはそれぞ
れ０．ｌまたは２であり、且つｍ　＋　ｎが１または２
となる。Ｘは−０−−ＣＯ−または単結合であり、Ｙは
−Ｃｏ−、−ＣＨ２０−または単結合であり、ただしＹ
が単結合で、ｍ　＋　ｎされる液晶性化合物を少なくと
も１種類含有する液晶組成物を使用することを特徴とす
る液晶素子に係わるものである。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の上記一般式（１）で表わされる液晶性化合物は
下記一般式（２）で表わされる光学活性な１．１．１−
トリフルオロ−２−アルカノールから合成される。

（上記式（２）中、Ｒ２は炭素原子数が４〜８の直鎖状
アルキル基、Ｃ＊は不斉炭素原子を示す。）次に、その
主な合成経路を示す。

である。Ｃ＊は不斉炭素原子を示す。）また、第二の発
明は、前記一般式（１）で表わされる液晶性化合物を少
なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物に
係わるものである。

さらに、第三の発明は、前記一般式（１）で表わ■ Ｙが単結合の場合 Ｆ３ Ｒ２−ＣＨ−ＯＨ （但し、上記式中、ＲＩ、　Ｒ２，Ｘ、　Ａ、　Ｂ、　
ｍ。

ｎは前記定義の通りである）。

以上の様にして、 製造できる化合物例を以下に 列挙する。

Ｕ また、本発明の液晶組成物は、前記−数式（１）で表わ
される液晶性化合物を少なくとも１種類配合成分として
含有するものである。例えば、前記液晶性化合物を、以
下に列挙する式で示されるような強誘電性液晶と組合わ
せると、自発分極が増大し、応答速度を改善することが
できる。

このような場合においては、本発明の一般式（１）で示
される液晶性化合物を、得られる液晶組成物の０．１〜
９９重量％、特に１〜９０重量％となる割合で使用する
ことが好ましい。

Ｃｌ 結晶−ｓ−□　５ｒｎＨ”　二ニー５ｒｎＣ”　；＝：
５ｒｎＡ　；ニー等吉相オクチルオキシビフェニル ４−カルボキシレート □　コレステリック相；：：ｉ　等吉相４．４′−アゾ
キシシンナミックアシッド−ビス（２−メチルブチル）
エステル（ＭＢＲＡ　８） ビフェニル−４′ 一カルボキシレート また、 上記以外の化合物として、 次式の化合物 が挙げられる。

また、 本発明の一般式 で表わされる液晶性 化合物を、 下記の式 ％式％ それ自体はカイラルでないスメクチック液品に配合する
ことにより、強誘電性液晶として使用可能な液晶組成物
が得られる。

この場合、−数式（１）で示される液晶性化合物を、得
られる液晶組成物の０．１〜９９重量％、特に１〜９０
重量％で使用することが好ましい。

このような液晶組成物は、本発明の液晶性化合物の含有
量に応じて、これに起因する大きな自発分極゛を得るこ
とができる。

Ｃ８１１，フ　−０−く可Σ〉−べ５巨〉−ＣＯＯ−く
亜〉−〇Ｃ，Ｈ，９Ｃ６Ｉｔ　１３　ｏ８ＱＣ６Ｈ１３ ２−（４’−へキシルオキシフェニル）−５−（４′−
へキシルオキシフェニル）ピリミジンＣ８Ｈ，フ０−く
冨Σ〉−にユ〉〉−Ｃ９Ｈ，９２−（４’ オクチルオキシフェニル）−５−ノニルピリミジンＣ３
ＨＩ７０＋ＣＯＯ＋０ＣｓＨ１１ ４′−ペンチルオキシフェニル−４−オクチルオキシベ
ンゾエートＣ，０Ｈ２１０＋Ｎ＝Ｎ＋ＯＣ，ＱＨ２、４
，４′ 一デシルオキシアゾキシベンゼン ここで、記号はそれぞれ以下の相を示す。

Ｃｒｙｓｔ、　：結晶相、　　　　　ＳｍＡ　：　　ス
メクチックＡ相、ＳｍＢ　：　　スメクチックＢ相、　
ＳｍＣ：　スメクチックＣ相、Ｎ　　：　ネマチック相
、　　　Ｉｓｏ、　　：　　等吉相、（３１）式〜（３
５）式の化合物の他にも以下の構造式に代表される化合
物が適当であると思われる。

Ｃ８Ｈ８７（Ｈ奈ＯＣＨ２＋ｃ　５Ｈ、。

また、本発明の一般式（１）で表される液晶性化合物を
少なくとも一種類含有する液晶組成物を使用することに
より、例えば強誘電性液晶素子、ツィステッドネマチッ
ク液晶素子等の液晶素子を得ることができる。

第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の１例の断面概略
図である。

第１図において符号ｌは強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。

２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２Ｏ３゜５ｎ０
２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄ
ｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。その
上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテー
ト植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に並べ
る絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物質と
して例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン炭
化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼
素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジル
コニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムな
どの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニルアル
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル
イミド、ポリパラキシレン、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセクール、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹
脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォト
レジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層として、
２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよく、また
無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向
制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層が無
機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機絶
縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液（溶剤
０．１〜２０重量％、好ましくは０，２〜ｌＯ重量％）
を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン
印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所
定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成させる
ことができる。

絶縁性配向制御層の層厚は通常５０人〜１μｍ１好まし
くは１００人〜３０００人、さらに好ましくはｉｏｏλ
〜１０００人が適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挾持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。

この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。

強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。

また、この強誘電性液晶は室温を含む広い温度域（特に
低温側）でＳ　ｍ　Ｃ＊相（カイラルスメクチックＣ相
）を有し、かつ素子とした場合には、粘度が低く、高速
応答性を有すことが望ましい。さらに応答速度の温度依
存性が小さいことが望まれる。

透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。

またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。

第１図は透過型なので光源９を備えている。

第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電極
で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分
子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ＊
相またはＳｍＨ＊相の液晶が封入されている。太線で示
した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶分子２
３はその分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ上
）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に
一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のら
せん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ±）２４がす
べて電界方向に向くよう、液晶分子２３は配向方向を変
えることができる。液晶分子２３は細長い形状を有して
おり、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、
従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏
光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる
液晶光学変調素子となることは、容易に理解される。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えばＩＯμ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはｐｂは上向き（３４ａ）または下向き（３４ｂ）の
どちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示
す如く一定の閾値以上の極性の異る電界ＥａまたはＥｂ
を電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双極
子モーメントは電界ＥａまたはＥｂの電界ベクトルに対
応して上向き３４ａまたは下向き３４ｂと向きを変え、
それに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかある
いは第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態
３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。また与える電界Ｅ
ａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
前の配向状態にやはり維持されている。

以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例１ 光学活性４−　（４’−デシルオキシ−４′−ビフェニ
ルカルボニルオキシ〕安息香酸１−トリフルオロメチル
−１−ヘプチルの製造 下記工程に従い光学活性４−［４’−デシルオキシ−４
′−ビフェニルカルボニルオキシ安息香酸ｌ−トリフル
オロメチル−１−ヘプチルを製造した。

工程１）　光学活性ｐ−アセトキシ安息香酸−１＝トリ
フルオロメチル−１−へブチル■の製造 ｐ−アセトキシ安息香酸０．３６４ｇ　（２ｍＭ）に塩
化チオニル２　ｍ　Ｉ！を加え、２時間加熱還流させ、
酸塩化物とした後過剰の塩化チオニルをベンゼンと共沸
留去した。次に反応系を水冷し、（＋）−１，１，１−
トリフルオロ−２−オクタツール０．３３２ｇ　（１，
８ｍＭ）のベンゼン溶液とトリエチレンジアミン０．４
３ｇ（３、５ｍ　Ｍ　）のベンゼン溶液を加えた。５５
℃で１時間撹拌させ水素化ナトリウム６０ｍｇを加え、
さらに３時間加熱還流させた。反応終了後希塩酸を加え
、ベンゼンで抽出を行った。無水硫酸マグネシウムで乾
燥後溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィー（展開溶媒
ベンゼン）で精製した。■は０．３６ｇ得られた。（収
率５７％） 工程２）　光学活性ｐ−ヒドロキシ安息香酸−１−トリ
フルオロメチル−１−ヘプチル■の製造 工程１）で得られたｐ−アセトキシ安息香酸−１−トリ
フルオロメチル−１−へブチル■０．３５５ｇ。

エチルエーテル４ｍｌ、ブチルアミン０．０９ｇをナス
フラスコに入れ、室温で１２時間撹拌した。反応終了後
水６ｍｌを加えジエチルエーテルで抽出した。

無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去し、薄層ク
ロマトグラフィー（展開溶媒へキサン／酢酸エチル＝３
／１）で精製した。０．３７３ｇの光学活性ｐ−ヒドロ
キシ安息香酸−１−）リフルオロメチル−１−へブチル
■が得られた。（収率９９％）工程３）　光学活性４−
　（４’−デシルオキシ−４′−ビフェニルカルボニル
オキシ〕安息香酸−１−）リフルオロメチル−１−ヘプ
チル■の製造 ４−（４’−デシルオキシフェニル）安息香酸０．３６
５ｇと塩化チオニル２ｍｌを２時間加熱還流させ、酸塩
化物とした後、過剰の塩化チオニルを減圧留去し、ベン
ゼン、光学活性ｐ−ヒドロキシ安息香酸−１−トリフル
オロメチル−１−ヘプチル■０．２９１ｇ、　トリエチ
レンジアミン０．２ｇを−加え５５℃で２時間３０分反
応させた後、水素化ナトリウム６０ｍｇを加えてさらに
７０℃で４時間反応させた。

反応終了後希塩酸を加えベンゼンで抽出した。無水硫酸
ナトリウムで乾燥後溶媒を留去し、薄層クロマトグラフ
ィー（展開溶媒ベンゼン／塩化メチレン＝２／ｌ）で精
製した。光学活性４−（４’デシルオキシ−４′−ビフ
ェニルカルボニルオキシ〕安息香酸−１−トリフルオロ
メチル−１−ヘプチル■が０．５７８ｇ得られた。（収
率９１％）原料アルコール比旋光度 ［α］Ｆ＝＋１７．８°（ＣＯ，８７，エーテル）液晶
性化合物■比旋光度 ［α］ｖ＝＋２２．７６（Ｃ１，１７，りＣ７０ホ／Ｉ
ｚム）液晶性化合物■の相転移温度（’Ｃ） 自発分極（ｎ　Ｃ／　ｃ　ｒｄ　） ６９．０　（１００℃） 実施例２ 下記の重量部で液晶組成物Ａを調製した。

次に、２枚の０．７ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞ
れのガラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作
成し、さらにこの上にＳｉＯ□を蒸着させ絶縁層とした
。ガラス板上にシランカップリング剤〔信越化学（横裂
ＫＢＭ−６０２）０．２％、イソプロピルアルコール溶
液を回転数２００Ｏｒ、ｐ、ｍのスピナーで１５秒間塗
布し、表面処理を施した。この後１２０℃にて２０分間
加熱乾燥処理・を施した。

更に、表面処理を行ったＩＴＯ膜付きのガラス板上にポ
リイミド樹脂前駆体〔東し■５Ｐ−５１０）１．５％ジ
メチルアセトアミド溶液を回転数２００Ｏｒ、ｐ、ｍの
スピナーで１５秒間塗布した。成膜後、６０分間、３０
０℃加熱縮合焼成処理を施した。この時の塗膜の膜厚は
約２５０人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後、イソプロピルアルコール液で
洗浄し、平均粒径２μｍのアルミナビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤〔リクソンポンド（
チッソ■）〕を用いてガラス板をはり合わせ、６０分間
、１００℃にて加熱乾燥し、セルを作成した。このセル
のセル厚をベレツク位相板によって測定したところ約２
μｍであった。

このセルに液晶組成物を等方性液体状態で注入し、等吉
相から５°Ｃ／ｈで２５℃まで徐冷することにより、強
誘電性液晶素子を作成した。

この強誘電性液晶素子を使って自発分極の大きさＰｓと
ピーク・トウ・ピーク電圧Ｖｐｐ＝２０Ｖの電圧印加に
より直交ニコル下での光学的な応答（透過光量変化０〜
９０％）を検知して応答速度（以後、光学応答速度とい
う）を測定した。その結果を次に示す。

比較例 液晶組成物Ａの実施例１記載の液晶性化合物（■）を除
き、代わりに■の化合物を６重量部追加し１３重量部と
した液晶組成物Ｂを調整し、実施例２と同様にしてセル
に注入し、強誘電性液晶素子を作成した。その自発分極
、光学応答速度の測定結果を以下に示す。

実施例２と比較例から明らかなように、本発明による液
晶性化合物を含有する強誘電性液晶素子の方が、低温に
おける作動特性、高速応答性が改善され、且つ応答速度
の温度依存性が軽減されている。

実施例３ 透明電極としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　　Ｔｉｎ　　０
ｘｉｄｅ）膜を形成したガラス基板上にポリイミド樹脂
前駆体〔東しくΦ製５Ｐ−５１０）を用いスピナー塗布
により成膜した後、３００℃で６０分間焼成してポリイ
ミド膜とした。次にこの被膜をラビングにより配向処理
を行い、ラビング処理軸が直交するようにしてセルを作
製した（セル間隔８μｍ）。

上記セルにネマチック液晶組成物〔リクソンＧＲ−６３
：チツソ（樽製ビフェニル液晶混合物〕を注入し、ＴＮ
（ツィステッド・ネマチック）型セルとし、これを偏光
顕微鏡で観察したところ、リバースドメイン（しま模様
）が生じていることがわかった。

前記リクソンＧＲ−６３（９９重量部）に対して、本発
明の実施例２の液晶性化合物（１重量部）を加えた液晶
混合物を用い、上記と同様にしてＴＮセルとし観察した
ところ、リバースドメインはみられず均一性のよいネマ
チック相となっていた。このことから、本発明の液晶性
化合物はリバース・ドメインの防止に有効であることが
わかった。

〔発明の効果〕

本発明により、自発分極が大きく、電界応答性に良好な
液晶性化合物が得られた。また、該液晶性化合物を含有
する液晶組成物および液晶素子は応答特性を改善させる
だけではなく、その温度依存性が軽減された。

また、本発明の液晶性化合物はリバースドメイン防止に
も“有効であることが確認できた。

【図面の簡単な説明】

第１図は強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の一例の断
面概略図、 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表わす斜視図。 第１図において、 強誘電性液晶層 ガラス基板 透明電極 絶縁性配向制御層 スペーサー リード線 電源 偏光板 光源 入射光 透過光 第２図において、 １ａ １ｂ 第３図において、 １ａ 基板 基板 強誘電性液晶層 液晶分子 双極子モーメント（Ｐ土） 電圧印加手段 １ｂ ３ａ ３ｂ ４ａ 電圧印加手段 第１の安定状態 第２の安定状態 上向きの双極子モーメント ４ｂ ａ ｂ 下向きの双極子モーメント 上向きの電界 下向きの電界

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （ただし、上記式（１）中、Ｒ＿１は炭素原子数１〜１
   ８の直鎖状アルキル基、Ｒ＿２は炭素原子数４〜８の直
   鎖状アルキル基であり、Ａ、Ｂはそれぞれ独立に▲数式
   、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
   あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ の中から選ばれ、ｍ、ｎはそれぞれ０、１または２であ
   り、且つｍ＋ｎが１または２となる。Ｘは−Ｏ−、▲数
   式、化学式、表等があります▼または単結合であり、Ｙ
   は▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−
   または単結合であり、ただしＹが単結合で、ｍ＋ｎ＝１
   の時は、Ａ、Ｂは▲数式、化学式、表等があります▼ま
   たは▲数式、化学式、表等があります▼ である。Ｃ＾＊は不斉炭素原子を示す。） で表わされる光学活性な液晶性化合物。
2. （２）下記一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （ただし、上記式（１）中、Ｒ＿１は炭素原子数１〜１
   ８の直鎖状アルキル基、Ｒ＿２は炭素原子数４〜８の直
   鎖状アルキル基であり、Ａ、Ｂはそれぞれ独立に▲数式
   、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
   あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ の中から選ばれ、ｍ、ｎはそれぞれ０、１または２であ
   り、且つｍ＋ｎが１または２となる。Ｘは−Ｏ−、▲数
   式、化学式、表等があります▼または単結合であり、Ｙ
   は▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−
   または単結合であり、ただしＹが単結合で、ｍ＋ｎ＝１
   の時は、Ａ、Ｂは▲数式、化学式、表等があります▼ま
   たは▲数式、化学式、表等があります▼ である。Ｃ＾＊は不斉炭素原子を示す。） で表わされる光学活性液晶性化合物を含む液晶組成物。
3. （３）下記一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （ただし、上記式（１）中、Ｒ＿１は炭素原子数１〜１
   ８の直鎖状アルキル基、Ｒ＿２は炭素原子数４〜８の直
   鎖状アルキル基であり、Ａ、Ｂはそれぞれ独立に▲数式
   、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
   あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ の中から選ばれ、ｍ、ｎはそれぞれ０、１または２であ
   り、且つｍ＋ｎが１または２となる。ｘは−Ｏ−、▲数
   式、化学式、表等があります▼または単結合であり、Ｙ
   は▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−
   または単結合であり、ただしＹが単結合で、ｍ＋ｎ＝１
   の時は、Ａ、Ｂは▲数式、化学式、表等があります▼ま
   たは▲数式、化学式、表等があります▼ である。Ｃ＾＊は不斉炭素原子を示す。） で表わされる光学活性な液晶性化合物を含む液晶組成物
   を用いた液晶素子。