JPH0692337B2 - 光学活性な液晶性化合物およびそれを含む液晶組成物 - Google Patents
光学活性な液晶性化合物およびそれを含む液晶組成物Info
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- JPH0692337B2 JPH0692337B2 JP18657787A JP18657787A JPH0692337B2 JP H0692337 B2 JPH0692337 B2 JP H0692337B2 JP 18657787 A JP18657787 A JP 18657787A JP 18657787 A JP18657787 A JP 18657787A JP H0692337 B2 JPH0692337 B2 JP H0692337B2
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- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、新規な液晶性化合物、それを含有する液晶組
成物および該液晶組成物を使用する液晶素子に関するも
のである。
成物および該液晶組成物を使用する液晶素子に関するも
のである。
背景技術 従来の液晶素子としては、例えばエム・シャット（M.Sc
hadt）とダブリュー・ヘルフリッヒ（W.Helfrich）著
“アプライド・フィジックス・レターズ”（“Applied
Physics Letters"）第18巻、第４号（1971年２月15日発
行）、第127頁〜128頁の“ボルテージ・ディペンダント
・オプティカル・アクティビティー・オブ・ア・ツイス
テッド・ネマチック・リキッド・クリスタル”（“Volt
age Dependent Optical Activity of a Twisted Nemati
c Liquid Crystal"）に示されたツイステッド・ネマチ
ック（twisted nematic）液晶を用いたものが知られて
いる。このTN液晶は、画素密度を高くしたマトリクス電
極構造を用いた時分割駆動の時、クロストークを発生す
る問題点があるため、画素数が制限されていた。
hadt）とダブリュー・ヘルフリッヒ（W.Helfrich）著
“アプライド・フィジックス・レターズ”（“Applied
Physics Letters"）第18巻、第４号（1971年２月15日発
行）、第127頁〜128頁の“ボルテージ・ディペンダント
・オプティカル・アクティビティー・オブ・ア・ツイス
テッド・ネマチック・リキッド・クリスタル”（“Volt
age Dependent Optical Activity of a Twisted Nemati
c Liquid Crystal"）に示されたツイステッド・ネマチ
ック（twisted nematic）液晶を用いたものが知られて
いる。このTN液晶は、画素密度を高くしたマトリクス電
極構造を用いた時分割駆動の時、クロストークを発生す
る問題点があるため、画素数が制限されていた。
また電界応答が遅く視野角特性が悪いためにディスプレ
イとしての用途は限定されていた。
イとしての用途は限定されていた。
また、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチング素
子を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素
子が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成
する工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成す
ることが難しい問題点がある。
子を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素
子が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成
する工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成す
ることが難しい問題点がある。
この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとし
て、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク（Cl
ark）およびラガウエル（Lagerwall）により提案されて
いる（特開昭56−107216号公報、米国特許第4367924号
明細書等）。双安定性を有する液晶としては、一般に、
カイラルスメクティックＣ相（SmC＊）またはＨ相（SmH
＊）を有する強誘電性液晶が用いられる。
て、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク（Cl
ark）およびラガウエル（Lagerwall）により提案されて
いる（特開昭56−107216号公報、米国特許第4367924号
明細書等）。双安定性を有する液晶としては、一般に、
カイラルスメクティックＣ相（SmC＊）またはＨ相（SmH
＊）を有する強誘電性液晶が用いられる。
この強誘電性液晶は、自発分極を有するために非常に速
い応答速度を有する上に、メモリー性のある双安定状態
を発現させることができ、さらに視野角特性もすぐれて
いることから大容量大画面のディスプレイ用材料として
適している。
い応答速度を有する上に、メモリー性のある双安定状態
を発現させることができ、さらに視野角特性もすぐれて
いることから大容量大画面のディスプレイ用材料として
適している。
また強誘電性液晶として用いられる材料は不斉を有して
いるために、そのカイラルスメクチック相を利用した強
誘電性液晶として使用する以外に、次のような光学素子
としても使用することができる。
いるために、そのカイラルスメクチック相を利用した強
誘電性液晶として使用する以外に、次のような光学素子
としても使用することができる。
１）液晶状態においてコレステリック・ネマティック相
転移効果を利用するもの（J.J.Wysoki,A.Adams and W.H
aas;Phys.Rev.Lett.,20,1024（1968））、 ２）液晶状態においてホワイト・テイラー形ゲスト・ホ
スト効果を利用するもの（D.L.White and G.N.Taylor;
J.Appl.Phys.,45,4718（1974））、等が知られている。
個々の方式についての詳細な説明は省略するが、表示素
子や変調素子として重要である。
転移効果を利用するもの（J.J.Wysoki,A.Adams and W.H
aas;Phys.Rev.Lett.,20,1024（1968））、 ２）液晶状態においてホワイト・テイラー形ゲスト・ホ
スト効果を利用するもの（D.L.White and G.N.Taylor;
J.Appl.Phys.,45,4718（1974））、等が知られている。
個々の方式についての詳細な説明は省略するが、表示素
子や変調素子として重要である。
このような液晶の電界応答光学効果を用いる方法におい
ては液晶の応答性を高めるために極性基を導入すること
が好ましいとされている。とくに強誘電性液晶において
応答速度は自発分極に比例することが知られており、高
速化のためには自発分極を増加させることが望まれてい
る。このような点からP.Kellerらは、不斉炭素に直接塩
素基を導入することで自発分極を増加させ応答速度の高
速化が可能であることを示した（C.R.Acad.Sc.Paris,28
2 C,639（1976））。しかしながら、不斉炭素に導入さ
れた塩素基は化学的に不安定であるうえに、原子半径が
大きいことから液晶相の安定性が低下するという欠点を
有しており、その改善が望まれている。
ては液晶の応答性を高めるために極性基を導入すること
が好ましいとされている。とくに強誘電性液晶において
応答速度は自発分極に比例することが知られており、高
速化のためには自発分極を増加させることが望まれてい
る。このような点からP.Kellerらは、不斉炭素に直接塩
素基を導入することで自発分極を増加させ応答速度の高
速化が可能であることを示した（C.R.Acad.Sc.Paris,28
2 C,639（1976））。しかしながら、不斉炭素に導入さ
れた塩素基は化学的に不安定であるうえに、原子半径が
大きいことから液晶相の安定性が低下するという欠点を
有しており、その改善が望まれている。
他方、光学活性を有することを特徴とする光学素子に必
要な機能性材料は、それ自体光学活性の中間体を経て合
成されることが多いが、従来から用いられる光学活性中
間体としては、２−メチルブタノール、２級オクチルア
ルコール、２級ブチルアルコール、塩化ｐ−（２−メチ
ルブチル）安息香酸、２級フェネチルアルコール、アミ
ノ酸誘導体、ショウノウ誘導体、コレステロール誘導体
等が挙げられるのみで、この光学活性中間体に極性基を
導入されることはほとんどなかった。このためもあっ
て、不斉炭素原子に直接極性基を導入することにより自
発分極を増加する方法は、余り有効に利用されていなか
った。
要な機能性材料は、それ自体光学活性の中間体を経て合
成されることが多いが、従来から用いられる光学活性中
間体としては、２−メチルブタノール、２級オクチルア
ルコール、２級ブチルアルコール、塩化ｐ−（２−メチ
ルブチル）安息香酸、２級フェネチルアルコール、アミ
ノ酸誘導体、ショウノウ誘導体、コレステロール誘導体
等が挙げられるのみで、この光学活性中間体に極性基を
導入されることはほとんどなかった。このためもあっ
て、不斉炭素原子に直接極性基を導入することにより自
発分極を増加する方法は、余り有効に利用されていなか
った。
発明の目的 本発明は上記の点に鑑みなされたものである。すなわ
ち、本発明は不斉炭素原子に直接、安定で且つ双極子モ
ーメントの大きいフッ素基を導入することにより極性を
高め、液晶の電界応答性を高めた液晶化合物及びそれを
少なくとも１種類含有する液晶組成物を提供することを
目的とする。
ち、本発明は不斉炭素原子に直接、安定で且つ双極子モ
ーメントの大きいフッ素基を導入することにより極性を
高め、液晶の電界応答性を高めた液晶化合物及びそれを
少なくとも１種類含有する液晶組成物を提供することを
目的とする。
本発明はアルキル基の長さを変更することが容易で、こ
のことにより、H.Arnold,Z.Phys.Chem.,226,146（196
4）に示されるように液晶状態において発現する液晶相
の種類や温度範囲を制御することが可能な液晶性化合物
及びそれを少なくとも１種類配合成分として含有する液
晶組成物を提供することを目的とする。
のことにより、H.Arnold,Z.Phys.Chem.,226,146（196
4）に示されるように液晶状態において発現する液晶相
の種類や温度範囲を制御することが可能な液晶性化合物
及びそれを少なくとも１種類配合成分として含有する液
晶組成物を提供することを目的とする。
発明の概要 本発明は、上述の目的を達成するためになされたもので
あり、一般式（Ｉ） （ここで、R1は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコ
キシ基、R2は炭素数１〜16のアルキル基を示し、Ｃ＊は
不斉炭素原子を示す。また それぞれ０または１（但しｋ＋ｍ＋ｎ≧１）を表わ
す。） で表わされる光学活性な液晶性化合物およびそれを少な
くとも１種類配合成分として含有する液晶組成物を提供
するものである。
あり、一般式（Ｉ） （ここで、R1は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコ
キシ基、R2は炭素数１〜16のアルキル基を示し、Ｃ＊は
不斉炭素原子を示す。また それぞれ０または１（但しｋ＋ｍ＋ｎ≧１）を表わ
す。） で表わされる光学活性な液晶性化合物およびそれを少な
くとも１種類配合成分として含有する液晶組成物を提供
するものである。
また本発明は、このような液晶組成物を使用する液晶素
子をも提供するものである。
子をも提供するものである。
発明の具体的説明 本発明の一般式（Ｉ）で示される光学活性な液晶化合物
は、好ましくは特願昭60−232886号の明細書に示される
光学活性な２−フルオロ−１−アルカノールから次に示
す合成経路により合成される。
は、好ましくは特願昭60−232886号の明細書に示される
光学活性な２−フルオロ−１−アルカノールから次に示
す合成経路により合成される。
（ここで、R1、R2、 ｋ、ｍ、ｎは前記定義の通りである。） このようにして得られる本発明の液晶性化合物の例を以
下に示す。
下に示す。
本発明の式（Ｉ）で示される光学活性な液晶性化合物は
出発物質としての２−フルオロー１−アルカノールのア
ルカン部分の炭素数を変化させることにより、上記R2を
幅広く変更することが可能であるが、本発明では、R
2が、特に炭素数１〜16のアルキル基であるものが与え
られる。
出発物質としての２−フルオロー１−アルカノールのア
ルカン部分の炭素数を変化させることにより、上記R2を
幅広く変更することが可能であるが、本発明では、R
2が、特に炭素数１〜16のアルキル基であるものが与え
られる。
また、本発明の液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表わされ
るフルオロアルカン誘導体を少なくとも１種類配合成分
として含有するものである。例えば、このフルオロアル
カン誘導体を、下式（１）〜（13）で示されるような強
誘電性液晶と組合わせると、自発分極が増大し、応答速
度を改善することができる。
るフルオロアルカン誘導体を少なくとも１種類配合成分
として含有するものである。例えば、このフルオロアル
カン誘導体を、下式（１）〜（13）で示されるような強
誘電性液晶と組合わせると、自発分極が増大し、応答速
度を改善することができる。
このような場合においては、一般式（Ｉ）で示される本
発明のフルオロアルカン誘導体を、得られる液晶組成物
の0.1〜99重量％、特に１〜90重量％となる割合で使用
することが好ましい。
発明のフルオロアルカン誘導体を、得られる液晶組成物
の0.1〜99重量％、特に１〜90重量％となる割合で使用
することが好ましい。
また下式１）〜５）で示されるような、それ自体はカイ
ラルでないスメクチック液晶に配合することにより、強
誘電性液晶として使用可能な組成物が得られる。
ラルでないスメクチック液晶に配合することにより、強
誘電性液晶として使用可能な組成物が得られる。
この場合、一般式（Ｉ）で示される本発明のフルオロア
ルカン誘導体を、得られる液晶組成物の0.1〜99重量
％、特に１〜90重量％で使用することが好ましい。
ルカン誘導体を、得られる液晶組成物の0.1〜99重量
％、特に１〜90重量％で使用することが好ましい。
このような組成物は、本発明のフルオロアルカン誘導体
の含有量に応じて、これに起因する大きな自発分極を得
ることができる。
の含有量に応じて、これに起因する大きな自発分極を得
ることができる。
ここで、記号は、それぞれ以下の相を示す。
Cryst.:結晶相、SmA:スメクチックＡ相、 SmB:スメクチックＢ相、SmC:スメクチックＣ相、 N:ネマチック相、Iso.:等方相。
また、一般式（Ｉ）で示されるフルオロアルカン誘導体
は、ネマチック液晶に添加することにより、TN型セルに
おけるリバースドメインの発生を防止することに有効で
ある。この場合、得られる液晶組成物の0.01〜50重量％
の割合となるように式（Ｉ）のフルオロアルカン誘導体
を使用することが好ましい。
は、ネマチック液晶に添加することにより、TN型セルに
おけるリバースドメインの発生を防止することに有効で
ある。この場合、得られる液晶組成物の0.01〜50重量％
の割合となるように式（Ｉ）のフルオロアルカン誘導体
を使用することが好ましい。
またネマチック液晶もしくはカイラルネマチック液晶に
添加することにより、カイラルネマチック液晶として、
相転移型液晶素子やホワイト・テイラー形ゲスト・ホス
ト型液晶素子に液晶組成物として使用することが可能で
ある。この場合、得られる液晶組成物の0.01〜80重量％
の割合となるように式（Ｉ）のフルオロアルカン誘導体
を用いることが好ましい。
添加することにより、カイラルネマチック液晶として、
相転移型液晶素子やホワイト・テイラー形ゲスト・ホス
ト型液晶素子に液晶組成物として使用することが可能で
ある。この場合、得られる液晶組成物の0.01〜80重量％
の割合となるように式（Ｉ）のフルオロアルカン誘導体
を用いることが好ましい。
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。
実施例１ ５−ヘプチル−２−［４′−（２″−フルオロオクチル
オキシメチル）フェニル］ピリミジンの製造。
オキシメチル）フェニル］ピリミジンの製造。
ジメチルホルムアミド1mlに水素化ナトリウム（60％）
0.023g（0.57m mol）と、５−ヘプチル−２−（４′−
ヒドロキシメチルフェニル）ピリミジン0.16g（0.56m m
ol）を加え、30分間撹拌した。それにジメチルホルムア
ミド1mlとＰ−トルエンスルホン酸（２−フルオロオク
チル）0.17g（0.56m mol）の混合液を滴下し、100℃で
６時間加熱、撹拌した。反応終了後、水を加え、エーテ
ルで抽出したのち、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥し
た。溶媒留去後、薄層クロマトグラフィー（TLC）（ジ
クロロメタン）で精製して５−ヘプチル−２−［４′−
（２″−フルオロオクチルオキシメチル）フェニル］ピ
リミジン0.10g（0.24m mol）を得た。
0.023g（0.57m mol）と、５−ヘプチル−２−（４′−
ヒドロキシメチルフェニル）ピリミジン0.16g（0.56m m
ol）を加え、30分間撹拌した。それにジメチルホルムア
ミド1mlとＰ−トルエンスルホン酸（２−フルオロオク
チル）0.17g（0.56m mol）の混合液を滴下し、100℃で
６時間加熱、撹拌した。反応終了後、水を加え、エーテ
ルで抽出したのち、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥し
た。溶媒留去後、薄層クロマトグラフィー（TLC）（ジ
クロロメタン）で精製して５−ヘプチル−２−［４′−
（２″−フルオロオクチルオキシメチル）フェニル］ピ
リミジン0.10g（0.24m mol）を得た。
収率43％、［α▲］18.8 D▼−3.61゜（c0.61（C2H5）
2O）、 相転移温度（℃） 実施例２ 実施例１で製造した液晶性化合物を配合成分とする液晶
組成物Ａを調製した。また比較例として実施例の液晶性
化合物を含有しない液晶組成物Ｂも調製した。以下に液
晶組成物Ａ、Ｂ各々の相転移温度および自発分極を示
す。
2O）、 相転移温度（℃） 実施例２ 実施例１で製造した液晶性化合物を配合成分とする液晶
組成物Ａを調製した。また比較例として実施例の液晶性
化合物を含有しない液晶組成物Ｂも調製した。以下に液
晶組成物Ａ、Ｂ各々の相転移温度および自発分極を示
す。
＜液晶組成物Ａ＞ 相転移温度（℃） ＜液晶組成物Ｂ＞ 相転移温度（℃） 自発分極（nC/cm2）温度（℃） 液晶組成物Ａ 液晶組成物Ｂ 40 0.4 1.2 30 1.2 2.0 次に、２枚の0.7mm厚のガラス板を用意し、それぞれの
ガラス板上にITO膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上にSiO2を蒸着させ絶縁層とした。
ガラス板上にITO膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上にSiO2を蒸着させ絶縁層とした。
ガラス板上にシランカップリング剤［信越化学（株）製
KBM−602］0.2％、イソプロピルアルコール溶液を回転
数2000r.p.mのスピードで15秒間塗布し表面処理を施し
た。この後120℃にて20分間加熱乾燥処理を施した。
KBM−602］0.2％、イソプロピルアルコール溶液を回転
数2000r.p.mのスピードで15秒間塗布し表面処理を施し
た。この後120℃にて20分間加熱乾燥処理を施した。
さらに、表面処理を行なったITO膜付きのガラス板上に
ポリイミド樹脂前駆体［東レ（株）SP−510］２％ジメ
チルアセトアミド溶液を、回転数2000r.p.mのスピンナ
ーで15秒間塗布した。成膜後、60分間、300℃で加熱縮
合焼成処理を施した。この時の塗膜の膜厚は、約700Å
であった。
ポリイミド樹脂前駆体［東レ（株）SP−510］２％ジメ
チルアセトアミド溶液を、回転数2000r.p.mのスピンナ
ーで15秒間塗布した。成膜後、60分間、300℃で加熱縮
合焼成処理を施した。この時の塗膜の膜厚は、約700Å
であった。
この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後、イソプロピルアルコール液で
洗浄し、平均粒径２μｍのアルミナビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド
（チッソ（株））］を用いてガラス板をはり合わせ、60
分間100℃にて加熱乾燥しセルを作成した。このセルの
セル厚をベレック位相板によって測定したところ、約２
μｍであった。
グ処理がなされ、その後、イソプロピルアルコール液で
洗浄し、平均粒径２μｍのアルミナビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド
（チッソ（株））］を用いてガラス板をはり合わせ、60
分間100℃にて加熱乾燥しセルを作成した。このセルの
セル厚をベレック位相板によって測定したところ、約２
μｍであった。
ここで、先に調製した強誘電性液晶化合物Ａ、Ｂを各々
等方相下、均一混合液体状態で作製したセル内に真空注
入した。等方相から0.5℃/hで徐冷することにより、強
誘電性液晶素子を作成した。
等方相下、均一混合液体状態で作製したセル内に真空注
入した。等方相から0.5℃/hで徐冷することにより、強
誘電性液晶素子を作成した。
この強誘電性液晶素子を使ってピーク・トウ・ピーク電
圧30Vの電圧印加により直交ニコル下での光学的な応答
（透過光量変化０〜90％）を検知して応答速度を測定し
た。その結果を次に示す。
圧30Vの電圧印加により直交ニコル下での光学的な応答
（透過光量変化０〜90％）を検知して応答速度を測定し
た。その結果を次に示す。
応答速度（msec）温度（℃） 液晶組成物Ａ 液晶組成物Ｂ 40 0.31 0.55 30 0.59 0.93 実施例３ 透明電極としてITO（Indium Tin Oxide）膜を形成した
ガラス基板上にポリイミド樹脂前駆体［東レ（株）製SP
−510］を用いスピンナー塗布により成膜した後、300℃
で60分間焼成してポリイミド膜とした。次にこの被膜を
ラビングにより配向処理を行ない、ラビング処理軸が直
交するようにしてセルを作製した（セル間隔８μｍ）。
上記セルにネマチック液晶組成物［リクソンGR−63:チ
ッソ（株）製ビフェニル液晶混合物］を注入し、TN（ツ
イステッド・ネマチック）型セルとし、これを偏光顕微
鏡で観察したところ、リバースドメイン（しま模様）が
生じていることがわかった。
ガラス基板上にポリイミド樹脂前駆体［東レ（株）製SP
−510］を用いスピンナー塗布により成膜した後、300℃
で60分間焼成してポリイミド膜とした。次にこの被膜を
ラビングにより配向処理を行ない、ラビング処理軸が直
交するようにしてセルを作製した（セル間隔８μｍ）。
上記セルにネマチック液晶組成物［リクソンGR−63:チ
ッソ（株）製ビフェニル液晶混合物］を注入し、TN（ツ
イステッド・ネマチック）型セルとし、これを偏光顕微
鏡で観察したところ、リバースドメイン（しま模様）が
生じていることがわかった。
前記リクソンGR−63（99重量部）に対して、本発明の実
施例１の液晶性化合物（１重量部）を加えた液晶混合物
を用い、上記と同様にしてTNセルとし観察したところ、
リバースドメインはみられず均一性のよいネマチック相
となっていた。このことから、本発明の液晶化合物はリ
バース・ドメインの防止に有効であることがわかった。
施例１の液晶性化合物（１重量部）を加えた液晶混合物
を用い、上記と同様にしてTNセルとし観察したところ、
リバースドメインはみられず均一性のよいネマチック相
となっていた。このことから、本発明の液晶化合物はリ
バース・ドメインの防止に有効であることがわかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｋ 19/30 9279−4Ｈ 19/34 9279−4Ｈ 19/44 9279−4Ｈ Ｇ０２Ｆ 1/137 9317−2Ｋ
Claims (3)
- 【請求項１】下記一般式（Ｉ） （ここで、R1は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコ
キシ基、R2は炭素数１〜16のアルキル基を示し、Ｃ＊は
不斉炭素原子を示す。また を示す。ｋ、ｍ、ｎは、それぞれ０または１（但しｋ＋
ｍ＋ｎ≧１）を表わす。 で表わされる光学活性な液晶性化合物。 - 【請求項２】下記一般式（Ｉ） （ここで、R1は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコ
キシ基、R2は炭素数１〜16のアルキル基を示し、Ｃ＊は
不斉炭素原子を示す。また を示す。ｋ、ｍ、ｎは、それぞれ０または１（但しｋ＋
ｍ＋ｎ≧１）を表わす。）で表わされる光学活性な液晶
性化合物 を少なくとも１種類含有する液晶組成物。 - 【請求項３】下記一般式（Ｉ） （ここで、R1は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコ
キシ基、R2は炭素数１〜16のアルキル基を示し、Ｃ＊は
不斉炭素原子を示す。また を示す。ｋ、ｍ、ｎは、それぞれ０または１（但しｋ＋
ｍ＋ｎ≧１）を表わす。）で表わされる光学活性な液晶
性化合物 を少なくとも１種類含有する液晶組成物を使用すること
を特徴とする液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18657787A JPH0692337B2 (ja) | 1987-07-28 | 1987-07-28 | 光学活性な液晶性化合物およびそれを含む液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18657787A JPH0692337B2 (ja) | 1987-07-28 | 1987-07-28 | 光学活性な液晶性化合物およびそれを含む液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6431740A JPS6431740A (en) | 1989-02-02 |
| JPH0692337B2 true JPH0692337B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=16190974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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1987
- 1987-07-28 JP JP18657787A patent/JPH0692337B2/ja not_active Expired - Fee Related
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