JPS63122651A

JPS63122651A - フルオロアルカン誘導体、それを含む液晶組成物および液晶素子

Info

Publication number: JPS63122651A
Application number: JP26704486A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Nohira; 博之野平; Masanao Kamei; 正直亀井; Shinichi Nakamura; 真一中村; Kazuharu Katagiri; 片桐　一春; Masahiro Terada; 匡宏寺田; Masataka Yamashita; 眞孝山下; Yoko Yamada; 容子山田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-11-10
Filing date: 1986-11-10
Publication date: 1988-05-26
Anticipated expiration: 2009-07-06
Also published as: JPH0651657B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔技術分野〕本発明は、新規な液晶性化合物、それを含有する液晶組
成物および該液晶組成物を使用する液晶素子に関するも
ので、さらに詳しくは光学活性なフルオロアルカン誘導
体であるところの液晶性化合物、それを含有する液晶組
成物および該液晶組成物を使用する液晶素子に関するも
のである。

〔背景技術〕従来の液晶素子としては、例えばエム・シャット（Ｍ、
５ｃｈａｄｔ）とダブりニー・ヘルフリツヒ（Ｗ。

Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ）著“アプライド・フィジックス・レ
ダーズ”　（”Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉｃｓ　　
Ｌｅｔｔｅｒｓ”）第１８巻、第４号（１９７１年２月
１５日発行）、第１２７頁〜１２８頁の“ボルテージ・
ディペンダント・オプティカル・アクティビティ−・オ
ブ・ア・ツィステッド・ネマチック・リキッド・クリス
タル”（’ＶｏｌｔａｇｅＤｅｐｅｎｄｅｎｔ　　０ｐ
ｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　　ａＴｗｉ
ｓｔｅｄ　　Ｎｅｍａｔｉｃ　　Ｌｉ１ｑｕｉｄ　　Ｃ
ｒｙｓｔａ＋”）に示されたツィステッド・ネマチック
（ｔｗｉｓｔｅｄｎ　ｅ　ｍ　ａ　ｔ　ｉ　ｃ　）液晶
を用いたものが知られている。このＴＮ液晶は、画素密
度を高（したマトリクス電極構造を用いた時分割駆動の
時、クロストークを発生する問題点がある為、画素数が
制限されていた。

また電界応答が遅く視野角特性が悪いためにディスプレ
イとしての用途は限定されていた。

又、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチング素子
を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素子
が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成す
る工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成する
事が難しい問題点がある。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク（Ｃ１
ａｒｋ）およびラガウエル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）によ
り提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報、
米国特許第４３６７９２４号明細書等）。双安定性を有
する液晶としては、一般に、カイラルスメクテイ゛ンク
Ｃ相（ＳｍＣ木）また（まＨ相（Ｓ　ｍ　Ｈ木）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。

この強誘電性液晶は、自発分極を有するために非常に速
い応答速度を有する上に、メモリー性のある双安定状態
を発現させることができ、さらに視野角特性もすぐれて
いることから大容量大画面のディスプレイ用材料として
適している。

また強誘電性液晶として用いられる材料は不斉炭素を有
しているために、そのカイラルスメクチック相を利用し
た強誘電性液晶として使用する以外に、次のような光学
素子としても使用することができる。

１）液晶状態においてコレステリック・ネマティック相
転移効果を利用するもの（Ｊ、Ｊ、Ｗｙｓｏｋｉ、　　
Ａ。

Ａｄａｍｓ　　ａｎｄ　　Ｗ、Ｈａａｓ；　　Ｐｈｙｓ
、Ｒｅｖ、　Ｌｅｔｔ、。

２０．１０２４　（１９６８））、２）液晶状態においてホワイト・ティラー形ゲスト・ホ
スト効果を利用するもの（Ｄ　、　Ｌ　、　Ｗ　ｈ　ｉ
　ｔ　ｅ　　ａ　ｎ　ｄＧ、Ｎ、Ｔａｙｌｏｒ；　　Ｊ
、Ａｐｐｌ、　　Ｐｈｙｓ、、　４５．４７１８（１９
７４））等が知られている。個々の方式についての詳細
な説明は省略するが、表示素子や変調素子として重要で
ある。

このような液晶の電界応答光学効果を用いる方法におい
ては液晶の応答性を高めるために極性基を導入すること
が好ましいとされている。と（に強誘電性液晶において
は応答速度は自発分極に比例することが知られており、
高速化のためには自発分極を増加させることが望まれて
いる。このような点からＰ　、　Ｋ　ｅ　ｌ　ｌ　ｅ　
ｒらは、不斉炭素に直接塩素基を導入することで自発分
極を増加させ応答速度の高速化が可能でることを示した
（Ｃ，Ｒ，Ａｃａｄ。

Ｓｃ、Ｐａｒｉｓ、２８２　　Ｃ，６３９（１９７６）
）。しかしながら、不斉炭素に導入された塩素基は化学
的に不安定であるうえに、原子半径が大きいことから液
晶相の安定性が低下するという欠点を有しており、その
改善が望まれている。

他方、光学活性を有することを特徴とする光学素子に必
要な機能性材料は、それ自体光学活性の中間体を経て合
成されることが多いが、従来から用いられる光学活性中
間体としては、２−メチルブタノール、２級オクチルア
ルコール、２級ブチルアルコール、塩化ｐ−（２−メチ
ルブチル）安息香酸、２級フェネチルアルコール、アミ
ノ酸誘導体、ショウノウ誘導体、コレステロール誘導体
等が挙げられるのみで、この光学活性中間体に極性基を
導入されることはほとんどなかった。このためもあって
、不斉炭素原子に直接極性基を導入することにより自発
分極を増加する方法は、余り有効に利用されていなかっ
た。

〔発明の目的〕

本発明は上記の点に鑑みなされたものである。すなわち
、本発明は不斉炭素原子に直接、安定で且つ双極子モー
メントの大きいフッ素基を導入することにより極性を高
め、液晶の電界応答体を高めた液晶化合物及びそれを少
な（とも１種７ｒｉ含有する液晶組成物を提供すること
を目的とする。

本発明はアルキル基の長さを変更する事が容易で、この
ことによりＨ，Ａｒｎｏｌｄ、　Ｚ、Ｐｈｙｓ、　Ｃｈ
ｅｒｎ、。

２６６．１４６　（１９６４）に示されるように液晶状
聾において発現する液晶相の種類や温度範囲を制御する
ことが可能な液晶性化合物及びそれを少な（とも１種類
配合成分として含有する液晶組成物を提供することを目
的とする。

〔発明の概要〕

本発明は、上述の目的を達成するためになされたもので
あり、一般式（Ｉ）〔ここで、Ｒは炭素数１〜１６のアルキル基を示し、Ｃ
＊は不斉炭素原子を示す。またＲ１は炭素数１〜１６の
アルキル基であり、Ｚは一〇−または−５−１Ｘは単結
合、−〇−１または−ＣＯ−であり、ＡＩ。

Ｉ基を示し、ｎは１または２、ｌ、ｍはｆ＋ｍがｌまたは
２である関係を満たす０または正の整数である。〕で表
わされる光学活性フルオロアルカン誘導体を提供するも
のである。

また、本発明は上記光学活性フルオロアルカン誘導体を
少な（とも１種類配合成分として含有する液晶組成物な
らびに該液晶組成物を使用する液晶素子をも提供する。

〔発明の詳細な説明〕

上記一般式（Ｉ）で示される光学活性フルオロアルカン
誘導体は、好ましくはｐ−２−フルオロアルコキシ安息
香酸、ｐ’−２−フルオロアルコキシビフェニル−ｐ−
カルボン酸等の光学活性中間体から合成される。

まず出発原料として下記式で表わされる光学活性２−フ
ルオロ−１−アルカノールを用いる。

Ｒ−Ｃ”　Ｈ−ＣＨ２−ＯＨこの様な光学活性な２−フルオロ−１−アルカノールは
、例えば特願昭６０−２３２８８６号の明細書に示すよ
うに、光学活性１，２−エポキシアルカンに、フッ化水
素を付加反応する方法等によって容易に得られる。

次いで上記光学活性２−フルオロ−１−アルカノールの
ｐ−トルエンスルホン酸エステルまたは上記光学活性ア
ルコールから導かれる光学活性２−フルオロ−１−ブロ
モアルカンに、ｐ−ハンドロキシ安息香酸、ｐ−ハイド
ロキシビフェニルカルボン酸を反応させること；あるい
はｐ−ハイドロキシアセトフェノン、ｐ−ハイドロキシ
−ｐ′−アセチルビフェニル、またはｐ−シアノフェノ
ール、ｐ−ハイドロキシ−ｐ′−シアノビフェニルを反
応させ、得られたケトン体あるいはシアン化物を酸化あ
るいは加水分解すること；等によって、下記一般式（Ｉ
［）の光学活性化合物が得られる。

Ｏ上記一連の反応の例を、次の反応工程式で示すことがで
きる。

Ｒ−ＣＩＩＣ！ｌ　２　Ｂｒ（Ｃ）そして、一般式（ｎ）で表わされた光学活性中間体を次
に示す経路で合成すると、一般式（１）で示される液晶性化合物を得ることができ
る。

（Ｒ，Ｒ１，Ｚ、ＡＩ、Ａ２．Ｘ、Ｉ！、ｍ、ｎは、前
記定義の通りである。）以下に、この様にして合成した一般式（Ｉ）で示される
光学活性なフルオロアルカン誘導体を示す。

■ｐ−２−フルオロヘキシルオキシ安息香酸−ｐ′−ｎ
−へブチルオキシフェニルエステル■ｐ−２−フルオロ
ヘキシルオキシ安息香酸−ｐ′−ｎ−へキシルオキシカ
ルボニルフェニルエステル■ｐ−２−フルオロへブチル
オキシ安息香酸−ｐ′−ｎ−ドデシルオキシフェニルエ
ステル■ｐ′−２−フルオロヘプチルオキシビフェニル
−ｐ−カルボン酸−ｐ′−ｎ−へブチルフェニルエステ
ル ■ｐ−２−フルオロへブチルオキシ安息香酸−ｐ′（ｐ
’−ｎ−オクチルオキシフェニル）−フェニルエステル ■ｐ−（２−フルオロヘプチルオキシ）チオ安息香酸、
−３−ｐ’−ｎ−ドデシルオキシフェニル■ｐ−２−フ
ルオロオクチルオキシ安息香酸−ｐ′−ｎ−オクチルオ
キシフェニルエステル■５−ｎ−ノニル−２（ｐ（１）
’−フルオロオクチルオキシベンゾイルオキシ）フェニ
ル〕ピリジン■ｐ−２−フルオロオクチルオキシ安息香
酸−ｐ′−（ｐ’−ｎ−オクチルオキシカルボニル）ビ
フェニルエステル０ｐ−２−フルオロオクチルオキシ安息香酸−トランス
−ｐ／　　　（ｐ’−ｎ−オクチルフェニル）シクロヘ
キシルエステル ■ｐ−（２−フルオロオクチルオキシ）チオ安息香酸−
３−ｐ’−ｎ−オクチルフェニル＠ｐ−２−フルオロノニルオキシ安息香酸−ｐ′−ｎ−
デシルオキシフェニルエステル＠ｐ−２−フルオロノニルオキシ安息香酸−ｐ′（トラ
ンス＝ｐ′−へブチルシクロヘキシル）フェニルエステ
ル ■ｐ′−２−ｐ′オロデシルオキシビフェニル−ｐ　−
カルボン酸−ｐ＃　　、−ペンチルオキシフェニルエス
テル＠ｐ−２−フルオロデシルオキシ安息香酸−ｐ／　　。

−オクチルオキシフェニルエステル＠ｐ−（２−フルオロデシルオキシ）チオ安息香酸−３
−ｐ’−ｎ−オクチルオキシフェニル０５−ｎ−オクチ
ル−２−（ｐ−（ｐ’　−２−フルオロデシルオキシベ
ンゾイルオキシ）フェニル〕ピリ　　ミ　　ジ　ン　、［有］ｐ−２−フルオロデシルオキシ安息香酸−ｐ′−
（ｐ″−〇−へブチルオキシカルボニル）ビフェニルエ
ステルｏｐ−２−フルオロデシルオキシ安息香酸−トランス−
ｐ’　−（）ランス−ｐＩ−ｎ−オクチルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシルエステル＠１ｐ−（２−フルオロウンデシルオキシ）チオ安息香
酸−３−ｐ’−ｎ−へブチルオキシフェニル■ｐ−２−
フルオロウンデシルオキシ安息香酸−ｐＩ　　　（ｎ−
ドデシルオキシカルボニル）フェニルエステル＠ｐ−２−フルオロドデシルオキシ安息香酸−ｐ′−ｎ
・テトラデシルオキシフェニルエステル［相］ｐ−２−
フルオロドデシルオキシ安息香酸−ｐ′−ｎ−ノニルオ
キシフェニルエステル ■ｐ　−（２−フルオロドデシルオキシ）チオ安息香ｒ
Ｊｌ−３−ｐ’−ｎ−ドデシルオキシフェニル［相］ｐ
’−２−フルオロドデシルオキシビフェニル−ｐ−カル
ボン酸−トランス−ｐＩ−ｎ−プロピルシクロへキシル
エステル［相］ｐ−２−フルオロトリデシルオキシ安息香酸−ｐ
′−ｎ−ブチルオキシフェニルエステル＠ｐ−２−フル
オロトリデシルオキシ安息香酸−ｐ’−（ｐ“−ｎ−デ
シルオキシカルボニル）ビフェニルエステル［相］ｐ−２−フルオロテトラデシルオ上シ安息香酸−
ｐ′−ｎ−へブチルオキシフェニルエステル＠ｐ’−２
−フルオロヘキサデシルオキシビフェニル−ｐ−カルボ
ン酸−ブーｎ−へキシルフェニルエステル［相］ｐ−２−フルオロヘキサデシルオキシ安息香酸−
ｐＩ　　、−へキシルオキシフェニルエステルまた、本
発明の液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表わされるフルオ
ロアルカン誘導体を少なくとも１種類配合成分として含
有するものである。例えば、このフルオロアルカン誘導
体を、下式（１）〜（１３）で示されるような強誘電性
液晶と組合わせると、自発分極が増大し、応答速度を改
善することができる。

このような場合においては、一般式（Ｉ）で示される本
発明のフルオロアルカン誘導体を、得られる液晶組成物
の０．１〜９９重量％、特に１〜９０重量％となる割合
で使用することが好ましい。

−Ｃ○０ＣＨ２ＣＨＣ２Ｈ５ネ４．４′−アゾキシシンナミックアシッド−ヒス（２−
メチルブチル）エステルＨオクチルオキシビフェニル−４−カルボキシレート＝　
　コレステリック相　＝　等吉相４−へキシルオキシフェニル−４−（２”−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート４−才クチルオキシフェニル−４−（２″−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−力ルポキシレート４−へキシルオキシフェニル−４−（２”−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−力ルポキシレート９１．５℃　　　　９３℃ 結晶　；＝　ＳｍＣ＊　；　ＳｍＡ１１２℃　　　　　　　　１３１’Ｃ；＝　コレステリック相　；　等吉相８３．４℃　　　　　　　　　　　　１１４℃結晶　→
　コレステリック相　→　等吉相また下式１）〜５）で
示されるような、それ自体はカイラルでないスメクチッ
ク液晶に配合することにより、強誘電性液晶として使用
可能な組成物が得られる。

この場合、一般式（Ｉ）で示される本発明のフルオロア
ルカン誘導体を、得られる液晶組成物の０．１〜９９重
量％、特に１〜９０重量％で使用することが好ましい。

このような組成物は、本発明のフルオロアルカン誘導体
の含有量に応じて、これに起因する大きな自発分極を得
ることができる。

一力ルポキシレート４１４′−デシルオキシアゾキシベンゼン２−　（４’
−へキシルオキシフェニル）−５−（４−へキシルオキ
シフェニル）ピリミジン２−（４’　−オクチルオキシフェニル）−５−ノニル
ピリミジンＣｓＨ１７０８Ｃｏｏ＋ＱＣｓＨ。

４′−ペンチルオキシフェニル−４−オクチルオキシベ
ンゾエートここて、記号は、それぞれ以下の相を示す。

Ｃｒｙｓｔ、：結晶相、　　　　　　　　ＳｍＡ：スメ
クチック人相ＳｍＢ　：スメクチツクＢ相、　　　　Ｓ
ｍＣ：スメクチックＣ相Ｎ　　コネマチツク相、　　　
　　　　Ｉｓｏ、　　：等吉相。

以下実施例により、本発明を更に具体的に説明する。

実施例Ｉ ○ 上記式で表わされるｐ−２−フルオロオクチルオキシ安
息香酸−ｐ′−ｎ−オクチルオキジフェニルエステルを
以下の工程により製造した。

（１）２−フルオロオクチルプロミドの合成３０ｍ１の
スリ付２０ナスフラスコにＬｉＢｒ１．５１ｇ（１７、
４ｍ　Ｍ　）を入れ、十分乾燥窒素置換をする。そこに
乾燥アセトニトリル４ｍｌ入れた。そこに２−フルオロ
オクチル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル３．５０ｇ
　（１１，６ｍＭ）と乾燥アセトニトリル４ｍｌ溶液を
加えた。その後、約５時間加熱還流した。この時、温度
上昇するにしたがって溶液は均一となりすぐにＴＳＯＬ
ｉ塩が析出する。反応終了後、アセトニトリルを留去し
、水１０ｒｒｌ、エーテル１０ｍ、ｉ２を入れ抽出した
。さらにエーテル１０ｍｆで２回抽出し、エーテル層を
無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、蒸留し
て２−フルオロ−オクチルプロミド２．２４ｇ　（収率
９１％、８７−８８℃／　２８　ｍ　ｍ　Ｈｇ　）を得
た。〔α〕び４−２４°　（Ｃ１，ＣＨｚＣＩ！２）２
）ｐ−２−フルオロオクチルオキシ安息香酸１００ｒｎ
！！のナスフラスコにｐ−ヒドロキシ安息香酸１．５２
ｇ　（１１ｍＭ）エタノール２０ｍ　Ｉ！を入れた。そ
こに水酸化カリウム１　、４５　ｇ　（２６ｍ　Ｍ　）
水５ｍｊ２溶液を入れ、さらに２−フルオロオクチルプ
ロミド２　、１．５　ｇ　（１０ｍ　Ｍ　）　Ｚタノー
ル２ｍｌを加え、２５時間加熱還流した。その後さらに
水酸化カリウム１　、４５　（２６ｍ　Ｍ　）水３ｍＡ
溶液を加え、５時間加熱還流した。反応終了後水冷し、
Ｃ０ｎｃＨＣｊｌ！を加え中和すると結晶が析出した。

これを濾過し、結晶を水５０　ｍ　ｊ７で洗い乾燥し、
１．ＯＯｇ　（収率３７％）のｐ−２−フルオロオクチ
ルオキシ安息香酸を得た。

３）ｐ−２−フルオロオクチルオキシ安息香酸−ｐ−２
−オクチルオキシフェニルエステル容器を十分乾燥させｐ−２−フルオロオクチルオキシ安
息香酸０．５４ｇ　（２，０ｍＭ）を塩化チオニル５ｍ
、ｆ’と共に２時間加熱還流したのち未反応の塩化チオ
ニルを除去して酸塩化物を得た。次にトリエチレンジア
ミン０　、４５　ｇ　（４、Ｏｍ　Ｍ　）を乾燥ベンゼ
ン５．０ｍ　ｌに溶かし水酸化カリウムを加え約３０分
間かけて乾燥した。この溶液をｐ−ｎ−オクチルオキシ
フェノールの入った容器に入れこの混合溶液を上記酸塩
化物中に撹拌下で滴下し、終了後５０°Ｃで１．５時間
撹拌した。さらにＮａＨｏ、０９ｇ　（純度６０％）（
２，２ｍＭ）を加え３時間加熱還流した。反応終了後Ｔ
Ｎ塩酸および水を加え、ベンゼン抽出し、ベンゼン層を
無水硫酸ナトリウムで乾燥した。ベンゼンを留去して、
これをベンゼン；ヘキサン＝２：１でシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより分離して、ｐ−２−フルオロ
オクチルオキシ安息香酸−ｐ−ｎ−オクチルオキシフェ
ニルエステルを０．４７ｇ（５０％）得た。これをヘキ
サン４ｍｆで再結晶し０゜４０ｇ　（４３％）得り。〔α〕ｚ゛２−４．２°（Ｃ１■）相転移温度実施例２゜Ｆ上記式で表わされるｐ　−（２−フルオロデシルオキシ
）チオ安息香酸−５−ｐ’　−オクチルオキシフェニル
を以下の工程により製造した。

（１）ｐ−トルエンスルホン酸、２−フルオロデシルの
合成３００ｒｎｊ？の三ツロ丸底フラスコに２−フルオ
ロデカノール１７ｇとピリジン６０ｍｆを入れ、０°Ｃ
に冷却し撹拌しながら、ｐ−トルエンスルホン酸クロリ
ド２４ｇを１５分間で加えた。０℃の状態で１時間さら
に２０℃以下に保って７時間反応させた後、水に注入し
塩酸を用いて反応溶液を酸性にしジクロロメタンで抽出
した。有機層は水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、ジ
クロロメタンを移動層としたシリカゲルカラムクロマト
グラフにより精製し、ｐ−トルエンスルホン酸、２−フ
ルオロデシル２３ｇを得た。

（２）　　ｐ　−（２−フルオロデシルオキシ）アセト
フェノンの合成前記工程ｌで得られたｐ−トルエンスルホン酸、２−フ
ルオロデシル９．２ｇとｐ−ヒドロキシアセトフェノン
３．８ｇとブタノール１０ｍ１を１００ｍｊ？の三ツロ
丸底フラスコに入れ、撹拌しながら、水酸化ナトリウム
１．５ｇを１０ｍ１のブタノール溶液としたものを滴下
して加えた。６時間加熱還流させた後、水に注入しイソ
プロピルエーテルで抽出し硫酸マグネシウムで乾燥した
。溶媒は留去し、ヘキサン酢酸エチル＝１０：１の混合
溶媒を移動層としたシリカゲルカラムクロマストグラフ
で精製し、さらにヘキサンを用いて再結晶を行うことに
より、４．６ｇのｐ−（２−フルオロデシルオキシ）ア
セトンフェノンが得られた。

（３）ｐ−（２−フルオロデシルオキシ）安息香酸の合
成水酸化ナトリ゛ウム１１．３ｇを７５ｍ１の水に溶解さ
せ、３００ｍ　１２の三ツロフラスコに入れＯｏＣに冷
却し撹拌している所へ、臭素１２．３ｇを１５分間で加
え、さらにジオキサン３０ｍ１を加えた。この混合溶液
を工程２で得られたｐ−（２−フルオロデシルオキシ）
アセトフェノン５゜２ｇをジオキサン１７０ｍＩ！に溶
解させ、さらに水１０ｍ　ｌを加えた溶液に４０分間で
滴下し、１０°Ｃ以下に保った状態で３．５時間反応さ
せた。その後、過剰の次亜臭素酸塩はハイドロサルファ
イド水溶液を加えて除去し、６Ｎ塩酸水溶液を加えて酸
性にした後、水５００ｍ　ｊｌ！を加え、析出した結晶
を濾取した。イソプロピルエーテルを用いて再結晶を行
い、４．１ｇのｐ−（２−フルオロデシルオキシ）安息
香酸を得た。

ＩＲ（ｃｍ”）２９５０、　２９３０．　２８６０．　２６７０．　２
５５０゜１６８２、　１６０８．　１４３６．　１３０
０．　１２６０゜１１７８、　９４２．　８８０．　８
５５．　７７５．　６５０゜（４）ｐ−（２−フルオロ
デシルオキシ）チオ安息香酸−５−ｐ’　−オクチルオ
キシフェニルｐ−（２−フルオロデシルオキシ）安息香
酸４３０ｍｇを２０ｍＡのナスフラスコに入れ塩化チオ
ニル１ｍｌ！を加え２時間加熱還流させた後、過剰の塩
化チオニルを留去しトルエン２ｍｌを加えた。

一方ｐ−オクトキシベンゼンチオール３５０　ｍ　ｇ　
。

ピリジン１ｍ１１トルエン１ｍｌを２０ｍｆのナスフラ
スコに入れ水冷し前述のｐ−（２−フルオロデシルオキ
シ）安息香酸塩のトルエン溶液を滴下して加えた。４時
間室温で反応させた後、ＩＮ塩酸水溶液で酸性にし、イ
ソプロピルエーテルで有機層を抽出した。水でイソプロ
ピルエーテル溶液が中性になるまで洗浄し、硫酸ナトリ
ウムで乾燥後、溶媒を留去しベンゼンを移動層とするシ
リカゲルカラムクロマトグラフで精製した。さらに、酢
酸エチルとエタノールの混合溶媒で再結晶を行った結果
３５０ｍｇのｐ−２−フルオロデシルオキシフェニルチ
オ酸−８−ｐ−オクトキシフェニルが得られた。

相転移温度３ｇ　　　　　　９８　　　　　１００Ｃｒｙｓｔ、　
□　ＳｍＣ”　、□　Ｃｈ　□　Ｉｓｏ。

実施例３〜７実施例１．２に準する方法により、表１に示す実施例３
〜７の化合物を得た。

以上の様にして得られた実施例１〜７の化合物の相転移
温度を表１に併せて示す。表中、Ｃｒｙｓｔ、は結晶状
態、Ｓ　ｍ　Ｃ木はカイラルスメクチックＣ相、５ｒｎ
Ａはスメクテイツク人相、Ｃｈはコレステリック相、Ｓ
３はＳ　ｍ　ＡおよびＳｍＣ’以外のスメクテイツク相
そしてＩｓｏ、は等方性液体を表わす。

表Ｉ　　　Ｒ−Ｃ＊ＨＣＨｚ−ｏべ可次ＣＺ壬Ａｔ　ｄ
　Ａ２　）、Ｘ　Ｒ１八実施例８実施例１で製造したフルオロアルカン誘導体を配合成分
とする下記の液晶組成物を調製した。

次いで、電極を覆うポリイミド被膜にラビング処理を施
した一対の電極基板間に、上記液晶組成物を挟持し、液
晶層厚を２μｍとして、４５℃にて駆動電圧±１５ｖ１
パルス巾５００μＳｅｃで駆動したところ、コントラス
ト２０で良好なスイッチング状態が得られた。

実施例９〜１４で表わされる化合物を実施例２〜７で製造したそれぞれ
のフルオロアルカン誘導体に代えて、液晶セルを作成し
た。あとは条件を実施例８と同様にして、該６つの液晶
セルを駆動させたところ、コントラスト良好なスイッチ
ング状態が得られた。

実施例１５ｐ、ｐ’−ペンチルアゾキシベンゼン９５重１部に、上
記実施例１のフルオロアルカン誘導体５重１部を加えて
液晶組成物を得　た。この液晶組成物を使用したＴＮセ
ル（ライス　テッド・ネマチック・セル）は、この化合
物を　添加しないで製造したＴＮセルに比較して、リバ
ース・ドメインが大幅に減少していることが観察された
。

〔発明の効果〕

上述しように、本発明によれば、不斉炭素原子に直接大
きな双極子モーメントを有するフッ素基を導入した式（
Ｉ）で示される光学活性物質が提供される。

また、この光学活性物質の少な（とも一種を配合するこ
とによりＴＮ型液晶組成物のリバースドメインの発生防
止あるいは、カイラルネマチック液晶あるいはカイラル
スメクチック液晶の電界応答性の改善等の特性を改善し
、また液晶状態の制御を行うことも可能となった。

Claims

【特許請求の範囲】（１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）〔ここで、Ｒは炭素数１〜１６のアルキル基を示し、Ｃ
＾＊は不斉炭素原子を示す。またＲ＿１は炭素数１〜１
６のアルキル基であり、Ｚは−Ｏ−または−Ｓ−、Ｘは
単結合、−Ｏ−、または▲数式、化学式、表等がありま
す▼であり、Ａ＿１、Ａ＿２はフェニレン基（▲数式、
化学式、表等があります▼）、シクロヘキシレン基（▲
数式、化学式、表等があります▼）、ピリミジニレン基
（▲数式、化学式、表等があります▼）より選ばれた基
を示し、ｎは１または２、ｌ、ｍはｌ＋ｍが１または２
である関係を満たす０または正の整数である。〕で表わ
されるフルオロアルカン誘導体。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）〔ここで、Ｒは炭素数１〜１６のアルキル基を示し、Ｃ
＾＊は不斉炭素原子を示す。またＲ＿１は炭素数１〜１
６のアルキル基であり、Ｚは−Ｏ−または−Ｓ−、Ｘは
単結合、−Ｏ−、または▲数式、化学式、表等がありま
す▼であり、Ａ＿１、Ａ＿２はフエニレン基（▲数式、
化学式、表等があります▼）、シクロヘキシレン基（▲
数式、化学式、表等があります▼）、ピリミジニレン基
（▲数式、化学式、表等があります▼）より選ばれた基
を示し、ｎは１または２、ｌ、ｍはｌ＋ｍが１または２
である関係を満たす０または正の整数である。〕で表わ
されるフルオロアルカン誘導体を少なくとも１種類含有
することを特徴とする液晶組成物。（３）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）〔ここで、Ｒは炭素数１〜１６のアルキル基を示し、Ｃ
＊は不斉炭素原子を示す。またＲ＿１は炭素数１〜１６
のアルキル基であり、Ｚは−Ｏ−または−Ｓ−、Ｘは単
結合、−Ｏ−、または▲数式、化学式、表等があります
▼であり、Ａ＿１、Ａ＿２はフエニレン基（▲数式、化
学式、表等があります▼）、シクロヘキシレン基（▲数
式、化学式、表等があります▼）、ピリミジニレン基（
▲数式、化学式、表等があります▼）より選ばれた基を
示し、ｎは１または２、ｌ、ｍはｌ＋ｍが１または２で
ある関係を満たす０または正の整数である。〕で表わさ
れるフルオロアルカン誘導体を少なくとも１種類含有す
る液晶組成物を使用することを特徴とする液晶素子。