JP3326343B2 - 太陽電池セルを製造するための方法と治具 - Google Patents
太陽電池セルを製造するための方法と治具Info
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池セルの製造
方法に関し、特に、スピン塗布法を利用して太陽電池用
半導体基板の受光面に拡散層を形成する方法において、
簡略な工程で半導体基板の裏面へのドーパント剤の拡散
を防止することができる太陽電池セルの製造方法に関す
るものである。
方法に関し、特に、スピン塗布法を利用して太陽電池用
半導体基板の受光面に拡散層を形成する方法において、
簡略な工程で半導体基板の裏面へのドーパント剤の拡散
を防止することができる太陽電池セルの製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図１５から図２５を参照して、従来の単
結晶基板型太陽電池セルの製造工程の一例を説明する。
結晶基板型太陽電池セルの製造工程の一例を説明する。
【０００３】まず、図１５において、（１００）の結晶
面からなる主面を有するｐ型単結晶Ｓｉ基板１が用意さ
れる。
面からなる主面を有するｐ型単結晶Ｓｉ基板１が用意さ
れる。
【０００４】図１６において、異方性エッチングによっ
て基板１の両主面が微細なピラミッド状の凹凸を含むテ
クスチャ表面２に変換される。このテクスチャ表面２
は、基板１内に入射した光を基板１内に閉じ込めるよう
に作用する。
て基板１の両主面が微細なピラミッド状の凹凸を含むテ
クスチャ表面２に変換される。このテクスチャ表面２
は、基板１内に入射した光を基板１内に閉じ込めるよう
に作用する。
【０００５】図１７において、リン等の拡散源およびチ
タン等の反射防止膜源を含むドーパント剤３が、基板１
の受光面側からスピン塗布法によって塗布される。この
スピン塗布法においては、まず、図２１に示されている
ように静止した基板１の中央部にドーパントノズル５か
ら一定量のドーパント剤３が吐出される。そして、図２
２で示されているように、ドーパントノズル５を退避さ
せた後に基板１を約５０００ｒｐｍで高速回転させ、表
面テクスチャ２が形成された基板１の受光面上全体にド
ーパント剤３を均一に広げかつ溶剤成分を乾燥させる。
このとき、図２３に示されているように、余分なドーパ
ント剤が瞬間的に基板１の周辺７に集まり、特にコーナ
部７ａ近傍においては高速回転によって基板の裏面に巻
き込まれたドーパント剤の回り込み部分６が発生する。
タン等の反射防止膜源を含むドーパント剤３が、基板１
の受光面側からスピン塗布法によって塗布される。この
スピン塗布法においては、まず、図２１に示されている
ように静止した基板１の中央部にドーパントノズル５か
ら一定量のドーパント剤３が吐出される。そして、図２
２で示されているように、ドーパントノズル５を退避さ
せた後に基板１を約５０００ｒｐｍで高速回転させ、表
面テクスチャ２が形成された基板１の受光面上全体にド
ーパント剤３を均一に広げかつ溶剤成分を乾燥させる。
このとき、図２３に示されているように、余分なドーパ
ント剤が瞬間的に基板１の周辺７に集まり、特にコーナ
部７ａ近傍においては高速回転によって基板の裏面に巻
き込まれたドーパント剤の回り込み部分６が発生する。
【０００６】このようにしてドーパント剤が塗布された
複数の半導体基板は図２４に示されているように、石英
ボート１６上で一定の方向に整列して配置され、約９０
０℃の高温の炉内で数十分間熱処理される。このとき、
炉内では矢印１５で示されているようにＮ2 ，Ｏ2 等の
雰囲気ガスが流されており、たとえば第１の基板の受光
面１９は第２の基板の裏面２０と近接して対面してい
る。高温の炉内では拡散源は雰囲気中にも拡散して、矢
印１８で示されているように隣のセルの裏面２０に到達
したり、矢印１７で示されているようにガスの流れに含
まれて基板の間に流入したりする。
複数の半導体基板は図２４に示されているように、石英
ボート１６上で一定の方向に整列して配置され、約９０
０℃の高温の炉内で数十分間熱処理される。このとき、
炉内では矢印１５で示されているようにＮ2 ，Ｏ2 等の
雰囲気ガスが流されており、たとえば第１の基板の受光
面１９は第２の基板の裏面２０と近接して対面してい
る。高温の炉内では拡散源は雰囲気中にも拡散して、矢
印１８で示されているように隣のセルの裏面２０に到達
したり、矢印１７で示されているようにガスの流れに含
まれて基板の間に流入したりする。
【０００７】その結果、図１８に示されているように、
熱処理の終えた半導体基板１の受光面にはｎ+ 拡散層１
１およびチタン等を含む反射防止膜１２が形成されるの
みならず、ドーパント剤の回り込みによって基板１の裏
面の周縁部にｎ+ 拡散層部分１１ａと熱処理炉内で雰囲
気拡散されたドーパント剤による裏面の薄いｎ型拡散層
１４が形成される。
熱処理の終えた半導体基板１の受光面にはｎ+ 拡散層１
１およびチタン等を含む反射防止膜１２が形成されるの
みならず、ドーパント剤の回り込みによって基板１の裏
面の周縁部にｎ+ 拡散層部分１１ａと熱処理炉内で雰囲
気拡散されたドーパント剤による裏面の薄いｎ型拡散層
１４が形成される。
【０００８】図１９において、印刷法によって基板１の
裏面にアルミ電極２１と銀電極２２が形成され、基板１
の受光面上には銀電極２３が形成される。このとき、基
板１の裏面におけるｎ+ 拡散層部分１１ａとｎ型拡散層
１４が基板１の裏面のアルミ電極２１と接触する。
裏面にアルミ電極２１と銀電極２２が形成され、基板１
の受光面上には銀電極２３が形成される。このとき、基
板１の裏面におけるｎ+ 拡散層部分１１ａとｎ型拡散層
１４が基板１の裏面のアルミ電極２１と接触する。
【０００９】その後、図２０に示されているように、高
温の熱処理によって金属電極２１，２２および２３とＳ
ｉ基板１との電気的コンタクトが形成される。すなわ
ち、この熱処理の間に受光面上の銀電極２３は反射防止
膜１２を貫通してｎ+ 拡散層１１と接合する電極とな
る。他方、裏面上のアルミ電極からはＡｌ原子がＳｉ基
板内に拡散しｐ+ 拡散層２５を形成するが、このときに
裏面のｎ+ 層領域１１ａおよびｎ型拡散層１４とｐ+ 拡
散層２５とが接触している部分でｐ／ｎショート部分２
６が生じる。
温の熱処理によって金属電極２１，２２および２３とＳ
ｉ基板１との電気的コンタクトが形成される。すなわ
ち、この熱処理の間に受光面上の銀電極２３は反射防止
膜１２を貫通してｎ+ 拡散層１１と接合する電極とな
る。他方、裏面上のアルミ電極からはＡｌ原子がＳｉ基
板内に拡散しｐ+ 拡散層２５を形成するが、このときに
裏面のｎ+ 層領域１１ａおよびｎ型拡散層１４とｐ+ 拡
散層２５とが接触している部分でｐ／ｎショート部分２
６が生じる。
【００１０】図２３からわかるように、丸型インゴット
から切出した擬似四辺形単結晶Ｓｉ基板（たとえば直径
が約１５０ｍｍの丸型インゴットから切出されて約１２
５ｍｍの１辺を有する四辺形の基板）の周縁部７には少
しの円弧部分７ａが残っているが、その近傍でドーパン
ト剤の回り込み６が存在し、アルミ電極２１と接触す
る。
から切出した擬似四辺形単結晶Ｓｉ基板（たとえば直径
が約１５０ｍｍの丸型インゴットから切出されて約１２
５ｍｍの１辺を有する四辺形の基板）の周縁部７には少
しの円弧部分７ａが残っているが、その近傍でドーパン
ト剤の回り込み６が存在し、アルミ電極２１と接触す
る。
【００１１】最後に、図２０に示されているように、銀
電極２２および２３のそれぞれにはんだ被覆２２ａおよ
び２３ａを施すことによって太陽電池セルが完成する。
電極２２および２３のそれぞれにはんだ被覆２２ａおよ
び２３ａを施すことによって太陽電池セルが完成する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の製
造方法による太陽電池セルにおいては、セルの裏面にお
けるｐ／ｎショート部分によって太陽電池セルの暗電流
が増加し、曲線因子が悪くなって最大出力が少し低くな
るという課題がある。
造方法による太陽電池セルにおいては、セルの裏面にお
けるｐ／ｎショート部分によって太陽電池セルの暗電流
が増加し、曲線因子が悪くなって最大出力が少し低くな
るという課題がある。
【００１３】また、光が低照度の場合は、さらに開放電
圧ＶOCが暗電流による並列抵抗の影響を受け、暗電流が
大きい太陽電池セルは低照度における発電量が多少低く
なる。
圧ＶOCが暗電流による並列抵抗の影響を受け、暗電流が
大きい太陽電池セルは低照度における発電量が多少低く
なる。
【００１４】さらに、セルの裏面におけるｐ／ｎショー
ト部分は、たとえば拡散処理後に受光面にレジストや耐
酸性テープ等でカバーを形成した後に硝酸とフッ酸の混
酸等で裏面のＳｉをエッチングし、その後に受光面側の
カバーを剥離する工程を採用すればかなり完全にｐ／ｎ
接合を分離することができるが、そのような付加的な工
程は今日の住宅用太陽電池セルの大量生産には向かず、
製造コストも高くなる。
ト部分は、たとえば拡散処理後に受光面にレジストや耐
酸性テープ等でカバーを形成した後に硝酸とフッ酸の混
酸等で裏面のＳｉをエッチングし、その後に受光面側の
カバーを剥離する工程を採用すればかなり完全にｐ／ｎ
接合を分離することができるが、そのような付加的な工
程は今日の住宅用太陽電池セルの大量生産には向かず、
製造コストも高くなる。
【００１５】このような先行技術における課題に鑑み、
本発明は、比較的簡易にかつ低コストで十分な光電変換
特性を有する太陽電池セルを製造することができる方法
を提供することを目的としている。
本発明は、比較的簡易にかつ低コストで十分な光電変換
特性を有する太陽電池セルを製造することができる方法
を提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の一つの態様によ
れば、拡散ボートに太陽電池用半導体基板をセットする
方法において、水平方向に対して少し傾斜を付けて置か
れた拡散ボートの１つの溝に関して、（ａ）第１の主面
にドーパント剤が塗布された第１の半導体基板を第１の
搬送アームで吸着搬送してステージ上に置き、（ｂ）第
１半導体基板を第２の搬送アームで吸着搬送して、第１
主面が少し下を向くように傾斜させて拡散ボートの溝に
第１半導体基板をセットし、（ｃ）第１の主面にドーパ
ント剤が塗布された第２の半導体基板を第１搬送アーム
で吸着搬送して、そのアームの先端部を１８０°回転さ
せることによって第２半導体基板の第１と第２の主面を
反転させてステージ上に置き、（ｄ）第２半導体基板を
第２搬送アームで吸着搬送し、第１半導体基板が傾斜し
てセットされているので、第１と第２の半導体基板の端
面同士が突き当たることなく、第１と第２の半導体基板
の第２の主面同士が隣接して重なるように第２半導体基
板を拡散ボートの溝にセットし、拡散ボートの順次の溝
の各々に関して前記ステップ（ａ）から（ｄ）を繰返す
ことを特徴としている。本発明の他の態様によれば、拡
散ボートに太陽電池用半導体基板をセットする方法にお
いて、水平方向に対して少し傾斜を付けて置かれた拡散
ボートの１つの溝に関して、（ａ）第１の主面にドーパ
ント剤が塗布された第１の半導体基板を搬送アームで吸
着搬送して第１主面が少し下を向くように傾斜させて前
記拡散ボートの溝に第１半導体基板をセットし、（ｂ）
第１の主面にドーパント剤が塗布された第２の半導体基
板を前記搬送アームで吸着搬送するとともに、そのアー
ムの先端部を回転させて第２半導体基板の第１主面をボ
ート中の第１半導体基板の第１主面と反対方向に向け、
その後に、第１半導体基板が傾斜してセットされている
ので第１と第２の半導体基板の端面同士が突き当たるこ
となく、第１と第２の半導体基板の第２の主面同士が隣
接して重なるように第２半導体基板を拡散ボートの溝に
セットし、拡散ボートの順次の溝の各々に関してステッ
プ（ａ）と（ｂ）を繰返すことを特徴としている。本発
明のさらに他の態様によれば、拡散ボートから太陽電池
用半導体基板を移 送する方法において、拡散ボートの１
つの溝内で裏面同士が接して重なるようにセットされた
第１と第２の半導体基板の受光面を挟むように第１の搬
送アームで吸着してボートから第１と第２の半導体基板
を同時に取出してステージ上に置き、ステージに接して
いる第２の半導体基板を吸着固定して第２の搬送アーム
で第１の半導体基板を吸着スライドさせて第２半導体基
板から分離させるとともに次の処理ステーションに送
り、第３の搬送アームで第２半導体基板を吸着してその
受光面と裏面を反転させるとともに次の処理ステーショ
ンへ送ることを特徴としている。本発明のさらに他の態
様によれば、太陽電池用半導体基板を熱処理するための
拡散ボートにおいて、各々が１つの半導体基板を受入れ
るための複数の溝と、溝の各々にセットされた半導体の
裏面全体と接するシールド板とを備え、シールド板は半
導体基板の受光面に拡散処理が施される間に裏面にドー
パントが拡散されることを防止するように働くことを特
徴としている。
れば、拡散ボートに太陽電池用半導体基板をセットする
方法において、水平方向に対して少し傾斜を付けて置か
れた拡散ボートの１つの溝に関して、（ａ）第１の主面
にドーパント剤が塗布された第１の半導体基板を第１の
搬送アームで吸着搬送してステージ上に置き、（ｂ）第
１半導体基板を第２の搬送アームで吸着搬送して、第１
主面が少し下を向くように傾斜させて拡散ボートの溝に
第１半導体基板をセットし、（ｃ）第１の主面にドーパ
ント剤が塗布された第２の半導体基板を第１搬送アーム
で吸着搬送して、そのアームの先端部を１８０°回転さ
せることによって第２半導体基板の第１と第２の主面を
反転させてステージ上に置き、（ｄ）第２半導体基板を
第２搬送アームで吸着搬送し、第１半導体基板が傾斜し
てセットされているので、第１と第２の半導体基板の端
面同士が突き当たることなく、第１と第２の半導体基板
の第２の主面同士が隣接して重なるように第２半導体基
板を拡散ボートの溝にセットし、拡散ボートの順次の溝
の各々に関して前記ステップ（ａ）から（ｄ）を繰返す
ことを特徴としている。本発明の他の態様によれば、拡
散ボートに太陽電池用半導体基板をセットする方法にお
いて、水平方向に対して少し傾斜を付けて置かれた拡散
ボートの１つの溝に関して、（ａ）第１の主面にドーパ
ント剤が塗布された第１の半導体基板を搬送アームで吸
着搬送して第１主面が少し下を向くように傾斜させて前
記拡散ボートの溝に第１半導体基板をセットし、（ｂ）
第１の主面にドーパント剤が塗布された第２の半導体基
板を前記搬送アームで吸着搬送するとともに、そのアー
ムの先端部を回転させて第２半導体基板の第１主面をボ
ート中の第１半導体基板の第１主面と反対方向に向け、
その後に、第１半導体基板が傾斜してセットされている
ので第１と第２の半導体基板の端面同士が突き当たるこ
となく、第１と第２の半導体基板の第２の主面同士が隣
接して重なるように第２半導体基板を拡散ボートの溝に
セットし、拡散ボートの順次の溝の各々に関してステッ
プ（ａ）と（ｂ）を繰返すことを特徴としている。本発
明のさらに他の態様によれば、拡散ボートから太陽電池
用半導体基板を移 送する方法において、拡散ボートの１
つの溝内で裏面同士が接して重なるようにセットされた
第１と第２の半導体基板の受光面を挟むように第１の搬
送アームで吸着してボートから第１と第２の半導体基板
を同時に取出してステージ上に置き、ステージに接して
いる第２の半導体基板を吸着固定して第２の搬送アーム
で第１の半導体基板を吸着スライドさせて第２半導体基
板から分離させるとともに次の処理ステーションに送
り、第３の搬送アームで第２半導体基板を吸着してその
受光面と裏面を反転させるとともに次の処理ステーショ
ンへ送ることを特徴としている。本発明のさらに他の態
様によれば、太陽電池用半導体基板を熱処理するための
拡散ボートにおいて、各々が１つの半導体基板を受入れ
るための複数の溝と、溝の各々にセットされた半導体の
裏面全体と接するシールド板とを備え、シールド板は半
導体基板の受光面に拡散処理が施される間に裏面にドー
パントが拡散されることを防止するように働くことを特
徴としている。
【００１７】
【００１８】
【発明の実施の形態】以下において、図面を参照しつ
つ、本発明における太陽電池セルの製造方法に関する種
々の実施の形態が説明される。
つ、本発明における太陽電池セルの製造方法に関する種
々の実施の形態が説明される。
【００１９】まず図１において、先行技術における場合
と同様に（１００）の主面を有する半導体基板１が用意
され、その両主面にテクスチャ構造２が形成される。そ
して、リン等の拡散源およびチタン等の反射防止膜源を
含むドーパント剤３が基板１の受光面上にスピン法によ
って塗布される。このとき、図２１の場合と同様に静止
した基板の受光面の中央にドーパントノズルから所定量
のドーパント剤が吐出され、そのドーパントノズルが退
避させられた後に図２２の場合と同様に約５０００ｒｐ
ｍの回転数で基板１が回転させられ、ドーパント剤３は
基板１の受光表面上に均一に薄く広げられて溶剤成分が
乾燥させられる。
と同様に（１００）の主面を有する半導体基板１が用意
され、その両主面にテクスチャ構造２が形成される。そ
して、リン等の拡散源およびチタン等の反射防止膜源を
含むドーパント剤３が基板１の受光面上にスピン法によ
って塗布される。このとき、図２１の場合と同様に静止
した基板の受光面の中央にドーパントノズルから所定量
のドーパント剤が吐出され、そのドーパントノズルが退
避させられた後に図２２の場合と同様に約５０００ｒｐ
ｍの回転数で基板１が回転させられ、ドーパント剤３は
基板１の受光表面上に均一に薄く広げられて溶剤成分が
乾燥させられる。
【００２０】その後、基板１の回転数が約１０００ｒｐ
ｍに下げられて、図５に示されているようにノズル３１
からドーパントリンス液３０が基板の裏面に吹き付けら
れ、その裏面に発生したドーパント剤の回り込みが除去
される。そして、基板１は再度約５０００ｒｐｍの高速
で回転させられて、ドーパントリンス液が乾燥させられ
る。なお、ドーパントリンス液３０の吹き付けは受光面
上のドーパント剤が乾燥された後に行なわれるので、受
光面上のドーパント剤の固化等の変質が発生することは
ない。また、ドーパントリンス液３０は基板の周縁から
約１ｃｍだけ内側に入った位置２９から吹き付けられる
ので、ドーパントリンス液が受光面上のドーパント剤に
悪影響を与えることがなく、短時間で裏面上のドーパン
ト剤を除去し得る効果を発揮し得る。
ｍに下げられて、図５に示されているようにノズル３１
からドーパントリンス液３０が基板の裏面に吹き付けら
れ、その裏面に発生したドーパント剤の回り込みが除去
される。そして、基板１は再度約５０００ｒｐｍの高速
で回転させられて、ドーパントリンス液が乾燥させられ
る。なお、ドーパントリンス液３０の吹き付けは受光面
上のドーパント剤が乾燥された後に行なわれるので、受
光面上のドーパント剤の固化等の変質が発生することは
ない。また、ドーパントリンス液３０は基板の周縁から
約１ｃｍだけ内側に入った位置２９から吹き付けられる
ので、ドーパントリンス液が受光面上のドーパント剤に
悪影響を与えることがなく、短時間で裏面上のドーパン
ト剤を除去し得る効果を発揮し得る。
【００２１】こうして受光面上にドーパント剤が塗布さ
れた半導体基板は図６に示されているように石英ボート
１６上で基板の裏面２０同士が重ね合わせられて配列さ
れ、約９００℃の高温の炉内で数十分間熱処理される。
この場合、隣接する半導体基板の受光面１９上のドーパ
ント剤が裏面に向けて雰囲気拡散されることを防ぐこと
ができる。なお、本発明の重要な特徴として、図６に示
されているようにボート上に基板をセットする方法およ
びボートから基板を移送する方法などについては、後で
詳細に説明される。
れた半導体基板は図６に示されているように石英ボート
１６上で基板の裏面２０同士が重ね合わせられて配列さ
れ、約９００℃の高温の炉内で数十分間熱処理される。
この場合、隣接する半導体基板の受光面１９上のドーパ
ント剤が裏面に向けて雰囲気拡散されることを防ぐこと
ができる。なお、本発明の重要な特徴として、図６に示
されているようにボート上に基板をセットする方法およ
びボートから基板を移送する方法などについては、後で
詳細に説明される。
【００２２】したがって、図２に示されているように熱
処理の終えた半導体基板においては、ｎ+ 拡散層１１お
よびチタン等を含む反射防止膜１２が受光面上のみに形
成される。
処理の終えた半導体基板においては、ｎ+ 拡散層１１お
よびチタン等を含む反射防止膜１２が受光面上のみに形
成される。
【００２３】図３においては、印刷法によって、基板の
裏面にアルミ電極２１と銀電極２２が形成され、受光面
上に銀電極２３が形成される。このとき、ドーパント剤
の回り込みによる基板の裏面におけるｎ+ 拡散層部分お
よび熱処理炉内で雰囲気拡散された裏面のｎ型拡散層が
存在しないので、図７に示されているようにアルミ電極
２１は半導体基板の周縁７に対して０．５ｍｍ以内まで
工程精度の限界２８まで近接するように広げて形成され
得る。
裏面にアルミ電極２１と銀電極２２が形成され、受光面
上に銀電極２３が形成される。このとき、ドーパント剤
の回り込みによる基板の裏面におけるｎ+ 拡散層部分お
よび熱処理炉内で雰囲気拡散された裏面のｎ型拡散層が
存在しないので、図７に示されているようにアルミ電極
２１は半導体基板の周縁７に対して０．５ｍｍ以内まで
工程精度の限界２８まで近接するように広げて形成され
得る。
【００２４】図４においては、高温で熱処理することに
よって、金属電極２１，２２および２３がＳｉ基板１と
電気的にコンタクトさせられる。このとき、基板１の裏
面におけるアルミ電極からＡｌ原子がＳｉ基板内に拡散
し、ｐ+ 拡散層２５が形成される。このｐ+ 拡散層２５
は、ＢＳＦ（バックサーフェスフィールド）効果を生じ
るように作用する。その後、図４に示されているように
銀電極２２と２３のそれぞれにはんだ被覆２２ａと２３
ａが施されて太陽電池セルが完成する。
よって、金属電極２１，２２および２３がＳｉ基板１と
電気的にコンタクトさせられる。このとき、基板１の裏
面におけるアルミ電極からＡｌ原子がＳｉ基板内に拡散
し、ｐ+ 拡散層２５が形成される。このｐ+ 拡散層２５
は、ＢＳＦ（バックサーフェスフィールド）効果を生じ
るように作用する。その後、図４に示されているように
銀電極２２と２３のそれぞれにはんだ被覆２２ａと２３
ａが施されて太陽電池セルが完成する。
【００２５】図８において、以上のようにして作製され
た本発明による図４の太陽電池セルと従来の方法により
作成された図２０の太陽電池セルの開放電圧特性が示さ
れている。図８のグラフにおける横軸は太陽電池セルに
照射された光の放射照度（Ｗ／ｍ2 ）を表わし、縦軸は
放射照度が５００Ｗ／ｍ2 のときの開放電圧を１００％
とした場合の開放電圧の放射照度依存性を表わしてい
る。実線の曲線８Ａと破線の曲線８Ｂは、それぞれ本発
明の作製方法による太陽電池セルと従来の作製方法によ
る太陽電池セルの開放電圧を表わしている。このグラフ
から明らかなように、本発明の作製方法による太陽電池
セルは従来の作製方法による太陽電池セルに比べて、低
照度領域において開放電圧特性が優れていることがわか
る。
た本発明による図４の太陽電池セルと従来の方法により
作成された図２０の太陽電池セルの開放電圧特性が示さ
れている。図８のグラフにおける横軸は太陽電池セルに
照射された光の放射照度（Ｗ／ｍ2 ）を表わし、縦軸は
放射照度が５００Ｗ／ｍ2 のときの開放電圧を１００％
とした場合の開放電圧の放射照度依存性を表わしてい
る。実線の曲線８Ａと破線の曲線８Ｂは、それぞれ本発
明の作製方法による太陽電池セルと従来の作製方法によ
る太陽電池セルの開放電圧を表わしている。このグラフ
から明らかなように、本発明の作製方法による太陽電池
セルは従来の作製方法による太陽電池セルに比べて、低
照度領域において開放電圧特性が優れていることがわか
る。
【００２６】以上のように、本発明の太陽電池セルの製
造方法によれば、簡略な工程で半導体基板の受光面側か
ら裏面へのドーパント剤の拡散を防止して、裏面におけ
るｐ／ｎショート部分の形成を防止することができる。
その結果、暗電流を低減することができ、太陽電池セル
の変換効率および低照度特性を改善することができる。
造方法によれば、簡略な工程で半導体基板の受光面側か
ら裏面へのドーパント剤の拡散を防止して、裏面におけ
るｐ／ｎショート部分の形成を防止することができる。
その結果、暗電流を低減することができ、太陽電池セル
の変換効率および低照度特性を改善することができる。
【００２７】また、半導体基板の裏面にドーパント剤の
回り込みによるｎ+ 拡散層部分や熱処理炉内での雰囲気
拡散によるｎ型拡散層が形成されないので、アルミ電極
を半導体基板の周縁に工程精度の限界まで広げて形成す
ることができる。その結果、暗電流を増加させることな
くＢＳＦ効果を大きくすることができ、特に短絡電流が
改善されて変換効率の向上した太陽電池セルを提供する
ことができる。
回り込みによるｎ+ 拡散層部分や熱処理炉内での雰囲気
拡散によるｎ型拡散層が形成されないので、アルミ電極
を半導体基板の周縁に工程精度の限界まで広げて形成す
ることができる。その結果、暗電流を増加させることな
くＢＳＦ効果を大きくすることができ、特に短絡電流が
改善されて変換効率の向上した太陽電池セルを提供する
ことができる。
【００２８】さらに、本発明の太陽電池セルの製造方法
によれば、実質的に四角形状の半導体基板を用いても暗
電流が低減され、低照度特性および変換効率の改善され
た太陽電池セルを提供することができる。
によれば、実質的に四角形状の半導体基板を用いても暗
電流が低減され、低照度特性および変換効率の改善され
た太陽電池セルを提供することができる。
【００２９】さらにまた、ドーパントリンス液としてド
ーパント剤の希釈剤、好ましくはイソプロピルアルコー
ルを用いることによって半導体基板の裏面に回り込んだ
ドーパント剤を効果的に除去することができる。
ーパント剤の希釈剤、好ましくはイソプロピルアルコー
ルを用いることによって半導体基板の裏面に回り込んだ
ドーパント剤を効果的に除去することができる。
【００３０】次に、図９を参照して、受光面上にドーパ
ント剤が塗布された半導体基板を拡散ボート上で図６に
示された状態にセットする方法について詳細に説明す
る。まず、最終ステージ３４上のドーパント剤が塗布さ
れた半導体基板２９の裏面を第１の搬送アーム３０で吸
着し、矢印Ａ１で示されているように上方向に持上げ
る。その後、搬送アーム３０は矢印Ａ２に示されている
ように水平移動させられ、矢印Ａ３で示されているよう
にアームが水平から下向へ９０°たおされる。そして、
矢印Ａ４およびＡ５で示されているようなアーム３０の
水平移動の後に、矢印Ａ７で示されているようなアーム
の降下運動によって半導体基板２９がボート１６の溝内
にセットされる。このとき、ボート１６はたとえば楔３
１によって傾斜させられているので、半導体基板２９は
その受光面が少し下を向くように傾斜させられる。
ント剤が塗布された半導体基板を拡散ボート上で図６に
示された状態にセットする方法について詳細に説明す
る。まず、最終ステージ３４上のドーパント剤が塗布さ
れた半導体基板２９の裏面を第１の搬送アーム３０で吸
着し、矢印Ａ１で示されているように上方向に持上げ
る。その後、搬送アーム３０は矢印Ａ２に示されている
ように水平移動させられ、矢印Ａ３で示されているよう
にアームが水平から下向へ９０°たおされる。そして、
矢印Ａ４およびＡ５で示されているようなアーム３０の
水平移動の後に、矢印Ａ７で示されているようなアーム
の降下運動によって半導体基板２９がボート１６の溝内
にセットされる。このとき、ボート１６はたとえば楔３
１によって傾斜させられているので、半導体基板２９は
その受光面が少し下を向くように傾斜させられる。
【００３１】次に、ドーパント剤が塗布された第２の半
導体基板３２を第２の搬送アーム３３で吸着し、矢印Ａ
８で示されているようにアームの先端部を１８０°回転
させることによって第２の半導体基板の受光面と裏面を
反転させ、その後に矢印Ａ９とＡ１０で示されているよ
うな第２のアームの水平移動と垂直移動によって第２の
半導体基板３２がステージ３４上に置かれる。その後、
第１の半導体基板２９をボート１６にセットしたときと
同様に第１の搬送アーム３０によって第２の半導体基板
３２がボート１６上において第１の半導体基板２９がセ
ットされているのと同じ溝内へ挿入される。ただし、第
２の半導体基板３２はアームの回転Ａ６によって裏面が
右向きにされる。
導体基板３２を第２の搬送アーム３３で吸着し、矢印Ａ
８で示されているようにアームの先端部を１８０°回転
させることによって第２の半導体基板の受光面と裏面を
反転させ、その後に矢印Ａ９とＡ１０で示されているよ
うな第２のアームの水平移動と垂直移動によって第２の
半導体基板３２がステージ３４上に置かれる。その後、
第１の半導体基板２９をボート１６にセットしたときと
同様に第１の搬送アーム３０によって第２の半導体基板
３２がボート１６上において第１の半導体基板２９がセ
ットされているのと同じ溝内へ挿入される。ただし、第
２の半導体基板３２はアームの回転Ａ６によって裏面が
右向きにされる。
【００３２】このとき、既にボート内にセットされてい
る第１の半導体基板２９の受光面が少し下向くように傾
斜されているので、第１と第２の半導体基板の端面同士
が突き当たることがなく、容易に第２の半導体基板３２
を第１の半導体基板２９が挿入されているのと同じ溝内
へ挿入することができる。これによって、第１と第２の
半導体基板の裏面同士が重ねられてボート１６の１つの
溝内にセットされる。このような操作を繰返すことによ
って、拡散ボートのすべての溝の各々において裏面同士
が重ね合わせられた一対の半導体基板がセットされ得
る。
る第１の半導体基板２９の受光面が少し下向くように傾
斜されているので、第１と第２の半導体基板の端面同士
が突き当たることがなく、容易に第２の半導体基板３２
を第１の半導体基板２９が挿入されているのと同じ溝内
へ挿入することができる。これによって、第１と第２の
半導体基板の裏面同士が重ねられてボート１６の１つの
溝内にセットされる。このような操作を繰返すことによ
って、拡散ボートのすべての溝の各々において裏面同士
が重ね合わせられた一対の半導体基板がセットされ得
る。
【００３３】図１０を参照して、太陽電池セル用半導体
基板を拡散ボート１６にセットするもう１つの方法を説
明する。最終ステージ３４上にドーパント剤が塗布され
た第１の半導体基板２９の受光面を第１の搬送アーム３
０で吸着して矢印Ｂ１で示されているように上方向へ搬
送する。そして、矢印Ｂ２で示されているようにアーム
３０が水平移動させられた後に、矢印Ｂ３に示されてい
るようにアームが水平から下向へ９０°たおされる。そ
の後、矢印Ｂ４とＢ５で示されているようにアーム３０
の水平移動の後に、矢印Ｂ７で示されているような垂直
運動によって第１の半導体基板２９がボート１６の溝内
にセットされる。このとき、ボート１６は図９の場合と
同様に楔３１によって水平面に対して少し傾斜されて置
かれている。したがって、ボート１６にセットされた第
１の半導体基板２９の受光面は少し下向きに傾斜させら
れることになる。
基板を拡散ボート１６にセットするもう１つの方法を説
明する。最終ステージ３４上にドーパント剤が塗布され
た第１の半導体基板２９の受光面を第１の搬送アーム３
０で吸着して矢印Ｂ１で示されているように上方向へ搬
送する。そして、矢印Ｂ２で示されているようにアーム
３０が水平移動させられた後に、矢印Ｂ３に示されてい
るようにアームが水平から下向へ９０°たおされる。そ
の後、矢印Ｂ４とＢ５で示されているようにアーム３０
の水平移動の後に、矢印Ｂ７で示されているような垂直
運動によって第１の半導体基板２９がボート１６の溝内
にセットされる。このとき、ボート１６は図９の場合と
同様に楔３１によって水平面に対して少し傾斜されて置
かれている。したがって、ボート１６にセットされた第
１の半導体基板２９の受光面は少し下向きに傾斜させら
れることになる。
【００３４】次に、ドーパント剤が塗布された第２の半
導体基板３２が最終ステージ３４上に搬送された後に、
第１の半導体基板の場合と同様に搬送アーム３０によっ
て矢印Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，およびＢ５で示されて
いるように搬送される。そして、矢印Ｂ６で示されてい
るようなアームの軸回転によって第２の半導体基板３２
の受光面が左向きにさせられ、その後に矢印Ｂ７で示さ
れているような垂直運動によって第２の半導体基板３２
はボート１６内において第１の半導体基板２９がセット
されているのと同じ溝内へ挿入される。
導体基板３２が最終ステージ３４上に搬送された後に、
第１の半導体基板の場合と同様に搬送アーム３０によっ
て矢印Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，およびＢ５で示されて
いるように搬送される。そして、矢印Ｂ６で示されてい
るようなアームの軸回転によって第２の半導体基板３２
の受光面が左向きにさせられ、その後に矢印Ｂ７で示さ
れているような垂直運動によって第２の半導体基板３２
はボート１６内において第１の半導体基板２９がセット
されているのと同じ溝内へ挿入される。
【００３５】このとき、第１の半導体基板２９は受光面
が少し下向むように傾斜させられているので、第１と第
２の半導体層の端面同士が突き当たることがなく、容易
に第２の半導体基板を第１の半導体基板と重なるように
同一の溝内へセットすることができる。こうして、図９
の場合と同様に、第１と第２の半導体基板２９，３２の
裏面同士が重ね合わせられてボート１６の１つの溝内に
セットされる。このような操作を繰返すことによって、
拡散ボート１６のすべての溝の各々において裏面同士が
重ね合わせられた一対の半導体基板がセットされ得る。
が少し下向むように傾斜させられているので、第１と第
２の半導体層の端面同士が突き当たることがなく、容易
に第２の半導体基板を第１の半導体基板と重なるように
同一の溝内へセットすることができる。こうして、図９
の場合と同様に、第１と第２の半導体基板２９，３２の
裏面同士が重ね合わせられてボート１６の１つの溝内に
セットされる。このような操作を繰返すことによって、
拡散ボート１６のすべての溝の各々において裏面同士が
重ね合わせられた一対の半導体基板がセットされ得る。
【００３６】次に、図１１から図１３を参照しつつ、ボ
ート１６から半導体基板を取出す方法が説明される。ま
ず、ボート１６の同一の溝内で裏面同士が重ね合わせら
れてセットされた第１の半導体基板３５と第２の半導体
基板３６の受光面を挟むように第１の搬送アーム３７で
吸着して、それら２枚の半導体基板を同時にボート１６
から矢印Ｃ１で示されているように引上げる。そして、
矢印Ｃ２で示されているようにアーム３７の軸が水平に
されて、矢印Ｃ３，Ｃ４で示されているように水平移動
させられる。その後に矢印Ｃ５で示されているように、
アームの向きが水平面内で１８０°回転させられ、さら
に矢印Ｃ６で示されているような水平移動の後に、矢印
Ｃ７で示されているような垂直移動によって２枚の半導
体基板３５，３６がステージ３８上に置かれる。
ート１６から半導体基板を取出す方法が説明される。ま
ず、ボート１６の同一の溝内で裏面同士が重ね合わせら
れてセットされた第１の半導体基板３５と第２の半導体
基板３６の受光面を挟むように第１の搬送アーム３７で
吸着して、それら２枚の半導体基板を同時にボート１６
から矢印Ｃ１で示されているように引上げる。そして、
矢印Ｃ２で示されているようにアーム３７の軸が水平に
されて、矢印Ｃ３，Ｃ４で示されているように水平移動
させられる。その後に矢印Ｃ５で示されているように、
アームの向きが水平面内で１８０°回転させられ、さら
に矢印Ｃ６で示されているような水平移動の後に、矢印
Ｃ７で示されているような垂直移動によって２枚の半導
体基板３５，３６がステージ３８上に置かれる。
【００３７】ステージ３８に接している第２の半導体基
板３６は図１２に示されているように吸着固定され、第
２の搬送アーム３９によって図１３中の矢印Ｃ８で示さ
れているように第１の半導体基板３５をスライドさせて
２枚の半導体基板を互いに分離し、第１の半導体基板３
５を次の処理ステーションに送る。その後、第３のアー
ム４０によって第２の半導体基板を吸着して矢印Ｃ９に
示されているように持ち上げて、さらに矢印Ｃ１０で示
されているように第２半導体基板３６の受光面と裏面を
反転させ、その後に第２半導体基板３６を次の処理ステ
ーションに送る。
板３６は図１２に示されているように吸着固定され、第
２の搬送アーム３９によって図１３中の矢印Ｃ８で示さ
れているように第１の半導体基板３５をスライドさせて
２枚の半導体基板を互いに分離し、第１の半導体基板３
５を次の処理ステーションに送る。その後、第３のアー
ム４０によって第２の半導体基板を吸着して矢印Ｃ９に
示されているように持ち上げて、さらに矢印Ｃ１０で示
されているように第２半導体基板３６の受光面と裏面を
反転させ、その後に第２半導体基板３６を次の処理ステ
ーションに送る。
【００３８】このように、図１０から図１３に示されて
いるような方法によって、拡散ボートのすべての溝の各
々において裏面が互いに重ね合わせられてセットされた
１対の半導体基板を自由に取出して互いに分離した後に
それぞれを次の処理ステーションへ送ることができる。
いるような方法によって、拡散ボートのすべての溝の各
々において裏面が互いに重ね合わせられてセットされた
１対の半導体基板を自由に取出して互いに分離した後に
それぞれを次の処理ステーションへ送ることができる。
【００３９】最後に、図１４を参照して、２枚の半導体
基板の裏面同士を重ね合わせることなくそれぞれの半導
体基板を個別の溝にセットしても受光面上のドーパント
剤によって裏面が汚染されることのない拡散ボートが示
されている。この拡散ボート１６ａは、各溝ごとに半導
体基板の裏面全体を覆い得る大きさの仕切壁４１を備え
ている。すなわち、太陽電池セル用半導体基板の裏面を
この仕切壁４１に接するようにボートの溝内へセットす
ることによって、半導体基板の受光面上のドーパント剤
によって裏面が汚染されることを防止しつつ半導体基板
の熱処理を行なうことができる。
基板の裏面同士を重ね合わせることなくそれぞれの半導
体基板を個別の溝にセットしても受光面上のドーパント
剤によって裏面が汚染されることのない拡散ボートが示
されている。この拡散ボート１６ａは、各溝ごとに半導
体基板の裏面全体を覆い得る大きさの仕切壁４１を備え
ている。すなわち、太陽電池セル用半導体基板の裏面を
この仕切壁４１に接するようにボートの溝内へセットす
ることによって、半導体基板の受光面上のドーパント剤
によって裏面が汚染されることを防止しつつ半導体基板
の熱処理を行なうことができる。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、暗電流
が低減されて低照度特性および光電変換効率の改善され
た太陽電池セルを簡易な工程でかつ低コストで提供する
ことができる。
が低減されて低照度特性および光電変換効率の改善され
た太陽電池セルを簡易な工程でかつ低コストで提供する
ことができる。
【図１】本発明による太陽電池セルの製造工程を説明す
るための概略的な断面図である。
るための概略的な断面図である。
【図２】本発明による太陽電池セルの製造工程を説明す
るための概略的な断面図である。
るための概略的な断面図である。
【図３】本発明による太陽電池セルの製造工程を説明す
るための概略的な断面図である。
るための概略的な断面図である。
【図４】本発明による太陽電池セルの製造工程を説明す
るための概略的な断面図である。
るための概略的な断面図である。
【図５】半導体基板の背面にドーパントリンス液を付与
する方法を説明するための概略的な図である。
する方法を説明するための概略的な図である。
【図６】本発明による太陽電池セルの製造方法における
拡散処理を説明するための概略的な図である。
拡散処理を説明するための概略的な図である。
【図７】本発明による太陽電池セルの製造方法において
半導体基板の裏面の周縁近傍まで裏面電極が形成される
ことを示す概略的な平面部分図である。
半導体基板の裏面の周縁近傍まで裏面電極が形成される
ことを示す概略的な平面部分図である。
【図８】本発明による製造方法によって製造された太陽
電池セルの開放電圧特性を従来の製造方法による太陽電
池セルと比較して示すグラフである。
電池セルの開放電圧特性を従来の製造方法による太陽電
池セルと比較して示すグラフである。
【図９】２枚の半導体基板の裏面同士を重ね合わせて拡
散ボートの各溝内へセットする方法の一例を説明するた
めの図である。
散ボートの各溝内へセットする方法の一例を説明するた
めの図である。
【図１０】２枚の半導体基板の背面同士を重ね合わせて
拡散ボートの各溝内へセットする方法の他の例を説明す
るための図である。
拡散ボートの各溝内へセットする方法の他の例を説明す
るための図である。
【図１１】拡散ボートの各溝内に裏面同士が重ね合わさ
れてセットされた１対の半導体基板を取出して、それぞ
れの基板を分離して次の処理ステーションへ送る方法の
一例を説明するための図である。
れてセットされた１対の半導体基板を取出して、それぞ
れの基板を分離して次の処理ステーションへ送る方法の
一例を説明するための図である。
【図１２】拡散ボートの各溝内に裏面同士が重ね合わさ
れてセットされた１対の半導体基板を取出して、それぞ
れの基板を分離して次の処理ステーションへ送る方法の
一例を説明するための図である。
れてセットされた１対の半導体基板を取出して、それぞ
れの基板を分離して次の処理ステーションへ送る方法の
一例を説明するための図である。
【図１３】拡散ボートの各溝内に裏面同士が重ね合わさ
れてセットされた１対の半導体基板を取出して、それぞ
れの基板を分離して次の処理ステーションへ送る方法の
一例を説明するための図である。
れてセットされた１対の半導体基板を取出して、それぞ
れの基板を分離して次の処理ステーションへ送る方法の
一例を説明するための図である。
【図１４】半導体基板の裏面を覆う仕切板を各溝ごとに
備えた拡散ボートの概略的な斜視図である。
備えた拡散ボートの概略的な斜視図である。
【図１５】従来の太陽電池セルの製造方法を説明するた
めの概略的な断面図である。
めの概略的な断面図である。
【図１６】従来の太陽電池セルの製造方法を説明するた
めの概略的な断面図である。
めの概略的な断面図である。
【図１７】従来の太陽電池セルの製造方法を説明するた
めの概略的な断面図である。
めの概略的な断面図である。
【図１８】従来の太陽電池セルの製造方法を説明するた
めの概略的な断面図である。
めの概略的な断面図である。
【図１９】従来の太陽電池セルの製造方法を説明するた
めの概略的な断面図である。
めの概略的な断面図である。
【図２０】従来の太陽電池セルの製造方法を説明するた
めの概略的な断面図である。
めの概略的な断面図である。
【図２１】半導体基板の受光面上にスピン塗布法によっ
てドーパント剤を塗布する方法を説明するための斜視図
である。
てドーパント剤を塗布する方法を説明するための斜視図
である。
【図２２】スピン塗布法における図２１の次のステップ
を示す概略的な斜視図である。
を示す概略的な斜視図である。
【図２３】半導体基板の周縁部において受光面側から裏
面へのドーパント剤の回り込みを示す概略的な平面部分
図である。
面へのドーパント剤の回り込みを示す概略的な平面部分
図である。
【図２４】半導体基板を熱処理する従来の方法を説明す
るための概略的な図である。
るための概略的な図である。
１ 半導体基板 ２ 表面テクスチャ構造 ３ ドーパント剤 １１ 半導体基板の受光面上におけるｎ+ 型拡散層 １１ｂ 半導体基板の裏面上に形成されたｎ+ 型領域 １２ 反射防止膜 ２１ 裏面アルミ電極 ２２ 裏面銀電極 ２２ａ はんだ被覆層 ２３ 受光面銀電極 ２３ａ はんだ被覆層 ２５ ｐ+ 型拡散層 ３０ ドーパントリンス液 ３１ ノズル １６，１６ａ 拡散ボート １９ 半導体基板の受光面 ２０ 半導体基板の裏面
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−10454（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−297429（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−135333（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−275507（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−60070（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−72513（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−291376（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−65639（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/07
Claims (4)
- 【請求項１】 拡散ボートに太陽電池用半導体基板をセ
ットする方法であって、 水平方向に対して少し傾斜を付けて置かれた拡散ボート
の１つの溝に関して、 （ａ） 第１の主面にドーパント剤が塗布された第１の
半導体基板を第１の搬送アームで吸着搬送してステージ
上に置き、 （ｂ） 前記第１半導体基板を第２の搬送アームで吸着
搬送して、前記第１主面が少し下を向くように傾斜させ
て前記拡散ボートの溝に前記第１半導体基板をセット
し、 （ｃ） 第１の主面にドーパント剤が塗布された第２の
半導体基板を前記第１搬送アームで吸着搬送して、その
アームの先端部を１８０°回転させることによって前記
第２半導体基板の第１と第２の主面を反転させて前記ス
テージ上に置き、 （ｄ） 前記第２半導体基板を前記第２搬送アームで吸
着搬送し、前記第１半導体基板が傾斜してセットされて
いるので、前記第１と第２の半導体基板の端面同士が突
き当たることなく、前記第１と第２の半導体基板の第２
の主面同士が隣接して重なるように前記第２半導体基板
を前記拡散ボートの溝にセットし、 前記拡散ボートの順次の溝の各々に関して前記ステップ
（ａ）から（ｄ）を繰返すことを特徴とする太陽電池用
半導体基板を拡散ボートにセットする方法。 - 【請求項２】 拡散ボートに太陽電池用半導体基板をセ
ットする方法であって、 水平方向に対して少し傾斜を付けて置かれた拡散ボート
の１つの溝に関して、 （ａ） 第１の主面にドーパント剤が塗布された第１の
半導体基板を搬送アームで吸着搬送して前記第１主面が
少し下を向くように傾斜させて前記拡散ボートの溝に前
記第１半導体基板をセットし、 （ｂ） 第１の主面にドーパント剤が塗布された第２の
半導体基板を前記搬送アームで吸着搬送するとともに、
そのアームの先端部を回転させて前記第２半導体基板の
第１主面を前記ボート中の前記第１半導体基板の第１主
面と反対方向に向け、その後に、前記第１半導体基板が
傾斜してセットされているので前記第１と第２の半導体
基板の端面同士が突き当たることなく、前記第１と第２
の半導体基板の第２の主面同士が隣接して重なるように
前記第２半導体基板を前記拡散ボートの溝にセットし、 前記拡散ボートの順次の溝の各々に関して前記ステップ
（ａ）と（ｂ）を繰返すことを特徴とする太陽電池用半
導体基板を拡散ボートにセットする方法。 - 【請求項３】 拡散ボートから太陽電池用半導体基板を
移送する方法であって、 拡散ボートの１つの溝内で裏面同士が接して重なるよう
にセットされた第１と第２の半導体基板の受光面を挟む
ように第１の搬送アームで吸着して前記ボートから前記
第１と第２の半導体基板を同時に取出してステージ上に
置き、 前記ステージに接している前記第２の半導体基板を吸着
固定して第２の搬送アームで前記第１の半導体基板を吸
着スライドさせて前記第２半導体基板から分離させると
ともに次の処理ステーションに送り、 第３の搬送アームで前記第２半導体基板を吸着してその
受光面と裏面を反転させるとともに前記次の処理ステー
ションへ送ることを特徴とする太陽電池用半導体基板の
移送方法。 - 【請求項４】 太陽電池用半導体基板を熱処理するため
の拡散ボートであって、 各々が１つの半導体基板を受入れるための複数の溝と、 前記溝の各々にセットされた前記半導体の裏面全体と接
するシールド板とを備え、 前記シールド板は前記半導体基板の受光面に拡散処理が
施される間に前記裏面にドーパントが拡散されることを
防止するように働くことを特徴とする太陽電池基板用拡
散ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32946896A JP3326343B2 (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 太陽電池セルを製造するための方法と治具 |
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