JP2006210385A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体基板の裏面に不要な残留物がなく、外観が良好で発電効率の高い太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板(p型シリコン基板2)の一方の主面側にpn接合15が形成されている太陽電池の製造方法であって、2以上の半導体基板を積層し、熱処理によりpn接合の形成を防止する膜となるマスク液3を半導体基板の側面に塗布するマスク液塗布工程と、2以上の半導体基板を分離した後、側面にマスク液3を塗布した半導体基板を熱処理することにより、半導体基板の一方の主面側にpn接合を形成するpn接合形成工程とを含み、半導体基板の側面にはpn接合が形成されないことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体基板(p型シリコン基板2)の一方の主面側にpn接合15が形成されている太陽電池の製造方法であって、2以上の半導体基板を積層し、熱処理によりpn接合の形成を防止する膜となるマスク液3を半導体基板の側面に塗布するマスク液塗布工程と、2以上の半導体基板を分離した後、側面にマスク液3を塗布した半導体基板を熱処理することにより、半導体基板の一方の主面側にpn接合を形成するpn接合形成工程とを含み、半導体基板の側面にはpn接合が形成されないことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【選択図】 図1
Description
本発明は太陽電池の製造方法に関し、詳しくは、半導体基板の裏面に不要な残留物がなく外観および発電特性が良好な太陽電池の製造方法に関する。
従来の太陽電池は、図3を参照して、たとえば、以下のように製造されている(たとえば、特許文献1を参照)。すなわち、従来の太陽電池の製造方法においては、まず、図3(a)に示すように、多結晶のp型シリコンインゴットから、ワイヤーソーなどを用いて、300μm程度の厚さに切り出したp型シリコン基板2が半導体基板として用いられている。このp型シリコン基板2の表面には、切り出しによって生じたダメージ層1が形成されている。このため、図3(b)に示すように、ダメージ層1が表面に形成されているp型シリコン基板2をNaOH、KOHなどの塩基とイソプロピルアルコールとを含む水溶液中に浸漬させてダメージ層1をエッチングにより除去する。この時、ダメージ層1の除去と同時に、p型シリコン基板2の表面に高さ数μmの微小ピラミッド状の凹凸(テクスチャ)を形成することができる。
次に、図3(c)に示すように、pn接合の形成を部分的に防止するため、p型シリコン基板2の裏面(太陽電池の受光面と反対側の面)の周辺部および側面にスピンコータなどを用いてケイ素およびチタンを含むマスク液3を塗布する。これは、容易にpn接合形成の部分的防止を行なう方法であり、大量生産に向いている手法である。次に、図3(d)に示すように、p型シリコン基板2の受光面全面にスピンコータを用いて拡散源であるP2O5を含むドーパント液4を塗布する。
次に、上記マスク液3およびドーパント液4が塗布されたp型シリコン基板2を拡散炉で800℃から900℃程度の熱処理を行なうことで、図3(e)に示すように、ドーパント液4はp型シリコン基板と反応してPSG(リンシリケートガラス)層14を形成するとともに、p型シリコン基板2の受光面側にn+層5が形成される。このようにして、p型シリコン基板2とn+層5との間にpn接合15が形成される。このとき、p型シリコン基板2の裏面の周辺部および側面のマスク液3を塗布した領域には、TiO2とSiO2とが混在したマスク膜13が形成される。そのため、p型シリコン基板2の裏面側および側面側にはn+層5は形成されず、pn接合も形成されない。
次に、図3(f)に示すように、このp型シリコン基板2をフッ酸に浸漬することにより、裏面の周辺部および側面に形成されたマスク膜13と受光面に形成されたPSG層14を除去する。次に、図3(g)に示すように、プラズマCVD(化学気相堆積)法などによりTiO2膜などの反射防止膜6を形成する。この反射防止膜6は、パッシベーション(水素化による結晶粒界不活性化)効果および受光の際の光反射防止効果を有する。
次に、スクリーン印刷法により、基板の裏面および受光面に電極を形成する。まず、図3(h)に示すように、p型シリコン基板2の裏面にAlペーストを塗布し焼成することにより、BSF(Back Surface Field)層7と裏面Al電極8を形成する。次に、図3(i)に示すように、p型シリコン基板2の裏面にAgペーストを塗布し、さらにp型シリコン基板2の受光面にAgペーストを塗布し焼成することにより、裏面Ag電極9および受光面Ag電極10を形成する。次に、図3(j)に示すように、はんだディップを行うことにより裏面および受光面のAg電極9,10にはんだ11がコーティングされて、太陽電池が作製される。
しかし、上記のように、pn接合部分の分離を行なうために半導体基板の裏面にマスク液を塗布する方法では、裏面にマスク液残留物が存在することにより、電極形成後に裏面に凹凸もしくはAl粒子が析出し、太陽電池の発電効率が低下するという問題があった。このことは、マスク液残留物がシリコン半導体基板と裏面電極の間に介在することにより、良好なシリコン合金層を形成することが困難になるためであると思われる。
特開平2−33980号公報
本発明は、半導体基板の裏面に不要な残留物がなく、外観が良好で発電効率の高い太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、半導体基板の一方の主面側にpn接合が形成されている太陽電池の製造方法であって、2以上の半導体基板を積層し、熱処理によりpn接合の形成を防止する膜となるマスク液を半導体基板の側面に塗布するマスク液塗布工程と、2以上の半導体基板を分離した後、側面にマスク液を塗布した半導体基板を熱処理することにより、半導体基板の一方の主面側にpn接合を形成するpn接合形成工程とを含み、半導体基板の側面にはpn接合が形成されないことを特徴とする太陽電池の製造方法である。
本発明にかかる太陽電池の製造方法において、上記pn接合形成工程は、側面にマスク液を塗布した上記半導体基板の一方の主面にドーパント液を塗布するドーパント液塗布工程と、このドーパント液が塗布された半導体基板を熱処理する熱処理工程とを含むことができる。また、上記マスク液塗布工程において、スプレー、はけ、ローラー、スタンプおよびスピンコータの少なくともいずれかの方法によりマスク液を半導体基板に塗布することができる。
また、本発明にかかる太陽電池の製造方法において、上記2以上の半導体基板は角型平板であり、上記マスク液塗布工程が、一つの半導体基板の2つの側面と他の半導体基板の2つの側面とを合わせて2以上の半導体基板を積層した後、これら2つの側面にマスク液を塗布する工程と、一つの半導体基板の他の2つの側面と他の半導体基板の他の2つの側面とを合わせて2以上の半導体基板を積層した後、他の2つの側面にマスク液を塗布する工程とを含むことができる。
上記のように、本発明によれば、半導体基板の裏面に不要な残留物がなく、外観が良好で発電効率の高い太陽電池の製造方法を提供することができる。
以下、図面を参照して、本発明にかかる太陽電池の製造方法の好ましい実施形態を説明する。太陽電池に用いられる半導体基板は、pn接合の形成が可能な半導体基板であれば特に制限はないが、現在の太陽電池においては半導体基板としてp型シリコン基板が好ましく用いられている。本実施形態においても、半導体基板としてp型シリコン基板を用いている。また、本実施形態において、p型シリコン基板の一方の主面は太陽光の受光面であり、受光面の反対側の主面を裏面とし、主面以外の面を側面とする。
本発明にかかる太陽電池の製造方法について、図1および図2を参照して、詳細に説明する。まず、図1(a)に示すように、多結晶のp型シリコンインゴットから、たとえば、ワイヤーソーなどを用いて、125mm角×厚さ300μmに切り出して半導体基板であるp型シリコン基板2を形成する。このp型シリコン基板2の表面には、切り出しによって生じたダメージ層1が形成されている。このため、図1(b)に示すように、ダメージ層1が表面に形成されているp型シリコン基板2をNaOH、KOHなどの塩基とイソプロピルアルコールとを含む水溶液中に浸漬させてダメージ層1をエッチングにより除去する。この時、ダメージ層1の除去と同時に、p型シリコン基板2の表面に高さ数μmの微小ピラミッド状の凹凸(テクスチャ)が形成される。
次に、図1(c)に示すように、pn接合の形成を部分的に防止するため、p型シリコン基板2の側面にケイ素およびチタンを含むマスク液3を塗布する。ここで、マスク液は、後の熱処理によって、TiO2とSiO2とが混在したマスク膜13となり、マスク膜が形成される部分にはpn接合は形成されない。
ここで、p型シリコン基板の側面に塗布するマスク液は、熱処理されることによりpn接合の形成を防止することができるものであれば特に制限はないが、ケイ素およびチタンを含むマスク液が好ましく用いられる。また、p型シリコン基板2の側面にマスク液3を塗布する方法には、特に制限はなく、スプレー、はけ、ローラーおよびスタンプなどの方法のうち少なくともいずれかを用いることが好ましい。
さらに、以下の方法を用いることにより、p型シリコン基板の側面のみに効率的にマスク液3を塗布することができる。すなわち、たとえば、図2を参照して、支柱21と底部22とを有するマガジン20を用いて2つ以上の半導体基板であるp型シリコン基板2を積層することにより、一つのp型シリコン基板201の2つの側面201a、201bと他のp型シリコン基板202の2つの側面202a,202bとをそれぞれの側面で合わせることができる。こうして形成された2つの側面2a,2bのそれぞれにマスク液を塗布することにより、2つの側面2a,2bのみに効率よくマスク液を塗布することができる。
このとき、マガジン20の支柱21は、2つ以上のp型シリコン基板2の2つの側面を同時に合わせるために、4本以上あることが好ましい。また、支柱21の高さは、p型シリコン基板2を多く積層してマスク液の塗布効率を高めるために、100mm以上であることが好ましい。また、マスク液の塗布効率を高めるために、積層するp型シリコン基板2の枚数は、100枚程度以上であることが好ましい。また、p型シリコン基板2の側面のみにマスク液を塗布するために、積層されるp型シリコン基板のx軸−z軸面およびy軸−z軸面には、隙間がないことが好ましい。
次に、マガジン20を用いて、上記と同様にして、一つのp型シリコン基板201の他の2つの側面(上記においてマスク液が塗布されていない側面を含む、以下同じ)と他のp型シリコン基板202の他の2つの側面とをそれぞれの側面で合わせて、2以上のp型シリコン基板2を積層する。こうして形成された他の2つの側面のうちマスク液が塗布されていない側面にマスク液を塗布することにより、他の2つの側面のみに効率よくマスク液を塗布することができる。
なお、本実施形態においては、半導体基板として四角型平板であるp型シリコン基板を用いたが、一つのp型シリコン基板の2側面と他のp型シリコン基板の2側面とを合わせて積層できるものであれば、四角型以外の多角型平板であるp型シリコン基板を用いることができる。
上記のマスク液塗布工程により、p型シリコン基板の全側面のみにマスク液を塗布することができ、マスク液をp型シリコン基板の裏面に塗布することなく、以下に説明するようにp型シリコン基板の側面側および裏面側におけるpn接合の形成を防止することができる。
次に、図1(d)に示すように、側面にマスク液が塗布されたp型シリコン基板2の受光面全面に拡散源としてP2O5を含むドーパント液4をスピンコータにより塗布する。上記マスク液3およびドーパント液4が塗布されたp型シリコン基板2を、拡散炉で800〜900℃程度の熱処理を行うことにより、図1(e)に示すように、ドーパント液4はp型シリコン基板と反応してPSG層14を形成するとともに、p型シリコン基板2の受光面側にシート抵抗値が約500Ωのn+層5が形成される。こうして、p型シリコン基板2とn+層5との間にpn接合15が形成される。このとき、p型シリコン基板2の側面のマスク液3を塗布した領域には、TiO2とSiO2とが混在したマスク膜13が形成される。そのため、p型シリコン基板2の側面側および裏面側には、n+層5は形成されず、pn接合も形成されない。
次に、図1(f)に示すように、49質量%のフッ酸に浸漬して、p型シリコン基板2の受光面側のn+層5の表面上に形成されたPSG層14と、p型シリコン基板2の側面に形成されたマスク膜13を除去する。
次に、図1(g)に示すように、49質量%のフッ酸に浸漬して、p型シリコン基板2の受光面側のn+層5上に、プラズマCVD法により、太陽光の反射防止およびパッシベーションを目的とする反射防止膜6を形成する。反射防止膜は、上記目的を達成するものであれば特に制限はないが、SiNx膜、TiO2膜などが好ましく用いられる。
次に、図1(h)に示すように、スクリーン印刷法により、p型シリコン基板2の裏面にAlペーストを印刷し、150℃〜200℃程度で乾燥した後、700℃程度で焼成することにより、図1(h)に示すように、裏面Al電極8および、p型不純物であるAlを多量に含むp+層であるBSF層7を形成した。次に、スクリーン印刷法により、Agペーストを裏面Al電極8と重なるように印刷する。また、p型シリコン基板2の受光面に、集電用の櫛状の細いグリッド電極とそれに繋がる接続用電極パターンをつけたAgペーストをスクリーン印刷する。これを150℃〜200℃で乾燥し、600℃〜700℃程度で焼成することにより、図1(i)に示すように、裏面Ag電極9および受光面Ag電極10が形成される。ここで、受光面Agペースト中のAgは受光面側の反射防止膜6であるSiNx膜をファイヤースルーし、n+層5とオーミック接触する受光面Ag電極10が得られる。さらに、上記裏面Ag電極9および受光面Ag電極10にはんだディップ処理を行ない、図1(j)に示すように、裏面Ag電極9および受光面Ag電極10をはんだ11で被覆して、太陽電池を作製した。
上記のように、本発明にかかる太陽電池の製造法によれば、半導体基板であるp型シリコン基板の裏面に不要なマスク液を塗布することがなく、p型シリコン基板とAlとの接触を良好に行なうことができ、Alペーストの焼成によって均一なBSF層を形成することができる。このことにより、安定した太陽電池特性が得られるとともに、半導体基板の裏面にAl粒やAl−Si合金の突起物の形成を防ぐことができる。したがって、外観が良好で発電効率の高い太陽電池を作製することが可能となる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。
1 ダメージ層、2,201,202 p型シリコン基板、2a,2b,201a,201b,202a,202b 側面、3 マスク液、4 ドーパント液、5 n+層、6 反射防止膜、7 BSF層、8 裏面Al電極、9 裏面Ag電極、10 受光面Ag電極、11 はんだ、13 マスク膜、14 PSG層、15 pn接合、20 バインダ、21 支柱、22 底部。
Claims (4)
- 半導体基板の一方の主面側にpn接合が形成されている太陽電池の製造方法であって、
2以上の半導体基板を積層し、熱処理によりpn接合の形成を防止する膜となるマスク液を前記半導体基板の側面に塗布するマスク液塗布工程と、
前記2以上の半導体基板を分離した後、側面に前記マスク液を塗布した前記半導体基板を熱処理することにより、前記半導体基板の一方の主面側にpn接合を形成するpn接合形成工程とを含み、
前記半導体基板の側面にはpn接合が形成されないことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記pn接合形成工程が、側面に前記マスク液を塗布した前記半導体基板の一方の主面にドーパント液を塗布するドーパント液塗布工程と、前記ドーパント液が塗布された前記半導体基板を熱処理する熱処理工程とを含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記マスク液塗布工程において、スプレー、はけ、ローラーおよびスタンプの少なくともいずれかの方法により前記マスク液を前記半導体基板の側面に塗布することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記2以上の半導体基板は角型平板であり、
前記マスク液塗布工程が、一つの前記半導体基板の2つの側面と他の前記半導体基板の2つの側面とを合わせて前記2以上の半導体基板を積層した後、前記2つの側面に前記マスク液を塗布する工程と、一つの前記半導体基板の他の2つの側面と他の前記半導体基板の他の2つの側面とを合わせて前記2以上の半導体基板を積層した後、前記他の2つの側面に前記マスク液を塗布する工程とを含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
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