JPH07153980A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPH07153980A JPH07153980A JP5297831A JP29783193A JPH07153980A JP H07153980 A JPH07153980 A JP H07153980A JP 5297831 A JP5297831 A JP 5297831A JP 29783193 A JP29783193 A JP 29783193A JP H07153980 A JPH07153980 A JP H07153980A
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- Japan
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- layer
- conductivity type
- impurity
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 一導電型不純物を含有する半導体基板の表面
部、側面部、及び裏面部に逆導電型不純物を含有する層
を形成し、前記半導体基板の裏面側に前記逆導電型不純
物を含有する層よりも厚い一導電型不純物を多量に含有
する層を形成し、前記半導体基板の表面部及び側面部に
反射防止膜を形成し、前記半導体基板表面部の反射防止
膜上にレジスト膜を塗布し、前記反射防止膜のうち、レ
ジスト膜が塗布されていない部分を除去し、前記レジス
ト膜を除去し、前記半導体基板側面部の逆導電型不純物
を含有する層を前記反射防止膜をブロキング層として除
去する。 【効果】 半導体基板側面部の逆導電型不純物を含有す
る層を反射防止膜をブロッキング層として除去すること
から、半導体基板側面部の逆導電型不純物を含有する層
を比較的安価な苛性溶液で除去できるようになり、エッ
チング液の廃液処理も容易になる。
部、側面部、及び裏面部に逆導電型不純物を含有する層
を形成し、前記半導体基板の裏面側に前記逆導電型不純
物を含有する層よりも厚い一導電型不純物を多量に含有
する層を形成し、前記半導体基板の表面部及び側面部に
反射防止膜を形成し、前記半導体基板表面部の反射防止
膜上にレジスト膜を塗布し、前記反射防止膜のうち、レ
ジスト膜が塗布されていない部分を除去し、前記レジス
ト膜を除去し、前記半導体基板側面部の逆導電型不純物
を含有する層を前記反射防止膜をブロキング層として除
去する。 【効果】 半導体基板側面部の逆導電型不純物を含有す
る層を反射防止膜をブロッキング層として除去すること
から、半導体基板側面部の逆導電型不純物を含有する層
を比較的安価な苛性溶液で除去できるようになり、エッ
チング液の廃液処理も容易になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は太陽電池の製造方法の改
良に関する。
良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の太陽電池の製造方法を図２に基づ
いて説明する。図２は、従来の太陽電池の製造工程を説
明するための図である。
いて説明する。図２は、従来の太陽電池の製造工程を説
明するための図である。
【０００３】まず、ボロン（Ｂ）などの一導電型不純物
を含有する半導体基板１１を準備する（図２（ａ）参
照）。次に、この半導体基板１１の表面部、側面部、及
び裏面部に、リン（Ｐ）などの逆導電型不純物を含有す
る層１２を形成する（図２（ｂ）参照）。なお、この半
導体基板１１は、シリコンなどで構成される。次に、半
導体基板１１の表面部にレジスト膜１３を被着する（同
図（ｃ）参照）。次に、レジスト膜１３を被着した部分
以外の逆導電型不純物を含有する層１２を除去する（同
図（ｄ）参照）。この逆導電型不純物を含有する層１２
は、弗硝酸液（ＨＦ：ＨＮＯ3 ）などでエッチング除去
する。次に、レジスト膜１３を除去する（同図（ｅ）参
照）。次に、半導体基板１１の裏面側にアルミニウム
（Ａｌ）などの一導電型不純物を多量に含有する層１４
を形成する（同図（ｆ）参照）。次に、半導体基板１１
の表面部及び側面部に反射防止膜１５を形成する（同図
（ｇ）参照）。この反射防止膜１５は、例えば窒化シリ
コン膜（ＳｉＮx ）などで構成される。最後に、反射防
止膜１５の表面側の所定箇所を除去すると共に、この反
射防止膜１５の除去部分と半導体基板１１の裏面側に電
極１６、１７を形成し、太陽電池が完成する（同図
（ｈ）参照）。
を含有する半導体基板１１を準備する（図２（ａ）参
照）。次に、この半導体基板１１の表面部、側面部、及
び裏面部に、リン（Ｐ）などの逆導電型不純物を含有す
る層１２を形成する（図２（ｂ）参照）。なお、この半
導体基板１１は、シリコンなどで構成される。次に、半
導体基板１１の表面部にレジスト膜１３を被着する（同
図（ｃ）参照）。次に、レジスト膜１３を被着した部分
以外の逆導電型不純物を含有する層１２を除去する（同
図（ｄ）参照）。この逆導電型不純物を含有する層１２
は、弗硝酸液（ＨＦ：ＨＮＯ3 ）などでエッチング除去
する。次に、レジスト膜１３を除去する（同図（ｅ）参
照）。次に、半導体基板１１の裏面側にアルミニウム
（Ａｌ）などの一導電型不純物を多量に含有する層１４
を形成する（同図（ｆ）参照）。次に、半導体基板１１
の表面部及び側面部に反射防止膜１５を形成する（同図
（ｇ）参照）。この反射防止膜１５は、例えば窒化シリ
コン膜（ＳｉＮx ）などで構成される。最後に、反射防
止膜１５の表面側の所定箇所を除去すると共に、この反
射防止膜１５の除去部分と半導体基板１１の裏面側に電
極１６、１７を形成し、太陽電池が完成する（同図
（ｈ）参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来の
太陽電池の製造方法では、半導体基板１１の側面部及び
裏面部に形成した逆導電型不純物を含有する層１２を除
去する工程（図２（ｄ）の工程）で弗硝酸液を用いてお
り、この弗硝酸液のうち、特に弗酸が高価で、太陽電池
の製造コストが高コストになるという問題があった。
太陽電池の製造方法では、半導体基板１１の側面部及び
裏面部に形成した逆導電型不純物を含有する層１２を除
去する工程（図２（ｄ）の工程）で弗硝酸液を用いてお
り、この弗硝酸液のうち、特に弗酸が高価で、太陽電池
の製造コストが高コストになるという問題があった。
【０００５】また、弗硝酸液は窒素を含んでいるため
に、濃厚系排水として処理しなければならず、そのため
他の系統の廃液と比べて処理コストが高く、その結果太
陽電池の製造コストが高コストになるという問題もあっ
た。
に、濃厚系排水として処理しなければならず、そのため
他の系統の廃液と比べて処理コストが高く、その結果太
陽電池の製造コストが高コストになるという問題もあっ
た。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る太陽電池の
製造方法は、このような従来技術の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、その特徴とするところは、一導電型不
純物を含有する半導体基板の表面部、側面部、及び裏面
部に逆導電型不純物を含有する層を形成する工程と、前
記半導体基板の裏面側に前記逆導電型不純物を含有する
層よりも厚い一導電型不純物を多量に含有する層を形成
する工程と、前記半導体基板の表面部及び側面部に反射
防止膜を形成する工程と、前記半導体基板表面部の反射
防止膜上にレジスト膜を塗布する工程と、前記反射防止
膜のうち、レジスト膜が塗布されていない部分を除去す
る工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、前記半導
体基板側面部の逆導電型不純物を含有する層を前記反射
防止膜をブロキング層として除去する工程を含んで成る
点にある。
製造方法は、このような従来技術の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、その特徴とするところは、一導電型不
純物を含有する半導体基板の表面部、側面部、及び裏面
部に逆導電型不純物を含有する層を形成する工程と、前
記半導体基板の裏面側に前記逆導電型不純物を含有する
層よりも厚い一導電型不純物を多量に含有する層を形成
する工程と、前記半導体基板の表面部及び側面部に反射
防止膜を形成する工程と、前記半導体基板表面部の反射
防止膜上にレジスト膜を塗布する工程と、前記反射防止
膜のうち、レジスト膜が塗布されていない部分を除去す
る工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、前記半導
体基板側面部の逆導電型不純物を含有する層を前記反射
防止膜をブロキング層として除去する工程を含んで成る
点にある。
【０００７】
【作用】上記のように、半導体基板側面部の逆導電型不
純物を含有する層を反射防止膜をブロッキング層として
除去することから、半導体基板側面部の逆導電型不純物
を含有する層を比較的安価な苛性溶液で除去できるよう
になり、エッチング液の廃液処理も容易になる。
純物を含有する層を反射防止膜をブロッキング層として
除去することから、半導体基板側面部の逆導電型不純物
を含有する層を比較的安価な苛性溶液で除去できるよう
になり、エッチング液の廃液処理も容易になる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は、本発明に係る太陽電池の製造方
法の製造工程を示す図である。
細に説明する。図１は、本発明に係る太陽電池の製造方
法の製造工程を示す図である。
【０００９】まず、一導電型不純物を含有する半導体基
板１を用意する（同図（ａ）参照）。この半導体基板１
は、例えば引き上げ法や鋳造法によって形成される単結
晶シリコンや多結晶シリコンなどで構成され、０．３ｍ
ｍ程度の厚みにスライスされている。この半導体基板１
は、例えばボロン（Ｂ）などの一導電型不純物を含有す
る。
板１を用意する（同図（ａ）参照）。この半導体基板１
は、例えば引き上げ法や鋳造法によって形成される単結
晶シリコンや多結晶シリコンなどで構成され、０．３ｍ
ｍ程度の厚みにスライスされている。この半導体基板１
は、例えばボロン（Ｂ）などの一導電型不純物を含有す
る。
【００１０】この半導体基板１の表面部、側面部、及び
裏面部に逆導電型不純物を含有する層２を形成する（同
図（ｂ）参照）。すなわち、半導体基板１を熱拡散炉に
投入して、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）を拡散源とし
て、約９００℃の温度で気相反応によりリン（Ｐ）を半
導体基板１の外表面から０．５μｍ程度の厚みまで拡散
して、半導体基板１の表面にｎ層２を形成する。この場
合、リンの表面濃度は１×１０20〜１×１０21ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ3 になるような時間、具体的には３０分程度の
間、拡散する。
裏面部に逆導電型不純物を含有する層２を形成する（同
図（ｂ）参照）。すなわち、半導体基板１を熱拡散炉に
投入して、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）を拡散源とし
て、約９００℃の温度で気相反応によりリン（Ｐ）を半
導体基板１の外表面から０．５μｍ程度の厚みまで拡散
して、半導体基板１の表面にｎ層２を形成する。この場
合、リンの表面濃度は１×１０20〜１×１０21ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ3 になるような時間、具体的には３０分程度の
間、拡散する。
【００１１】次に、半導体基板１の裏面側に前記逆導電
型不純物を含有する層２よりも厚い一導電型不純物を多
量に含有する層３を形成する（同図（ｃ）参照）。すな
わち、半導体基板１の裏面にアルミニウム（Ａｌ）粉末
を主成分とする金属ペーストを塗布して８００℃程度の
温度で焼成することにより、例えばアルニウムの表面濃
度が１×１０18〜１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有し
たｐ+ 層を６μｍ程度の厚みに形成する。
型不純物を含有する層２よりも厚い一導電型不純物を多
量に含有する層３を形成する（同図（ｃ）参照）。すな
わち、半導体基板１の裏面にアルミニウム（Ａｌ）粉末
を主成分とする金属ペーストを塗布して８００℃程度の
温度で焼成することにより、例えばアルニウムの表面濃
度が１×１０18〜１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有し
たｐ+ 層を６μｍ程度の厚みに形成する。
【００１２】次に、半導体基板１の表面部及び側面部に
反射防止膜４を形成する（同図（ｄ）参照）。この反射
防止膜４は、通常窒化シリコン膜（ＳｉＮx ）などで形
成され、例えば基板温度を２５０℃程度に設定して、シ
ランガス（ＳｉＨ4 ）とアンモニアガス（ＮＨ3 ）を用
いたプラズマＣＶＤ法等で厚み８００Å程度に形成す
る。なお、この反射防止膜４を形成する前に、表面パシ
ベーションのために、熱酸化法やプラズマＣＶＤ法など
で５０Å以上の酸化シリコン膜（ＳｉＯ2 ）を形成して
もよい。
反射防止膜４を形成する（同図（ｄ）参照）。この反射
防止膜４は、通常窒化シリコン膜（ＳｉＮx ）などで形
成され、例えば基板温度を２５０℃程度に設定して、シ
ランガス（ＳｉＨ4 ）とアンモニアガス（ＮＨ3 ）を用
いたプラズマＣＶＤ法等で厚み８００Å程度に形成す
る。なお、この反射防止膜４を形成する前に、表面パシ
ベーションのために、熱酸化法やプラズマＣＶＤ法など
で５０Å以上の酸化シリコン膜（ＳｉＯ2 ）を形成して
もよい。
【００１３】次に、半導体基板１の表面部の反射防止膜
４上にレジスト膜５を塗布する（同図（ｅ）参照）。
４上にレジスト膜５を塗布する（同図（ｅ）参照）。
【００１４】次に、反射防止膜４のうち、レジスト膜５
が塗布されていない部分を除去する（同図（ｆ）参
照）。この反射防止膜４の除去は、弗酸と純水の１：２
の混合液などを用いてエッチング除去する。
が塗布されていない部分を除去する（同図（ｆ）参
照）。この反射防止膜４の除去は、弗酸と純水の１：２
の混合液などを用いてエッチング除去する。
【００１５】次に、レジスト膜５を荷性（ＮａＯＨ）溶
液により除去する（同図（ｇ）参照）。
液により除去する（同図（ｇ）参照）。
【００１６】次に、半導体基板１の側面部の逆導電型不
純物を含有する層２を除去する（同図（ｈ）参照）。こ
の半導体基板１の側面部の逆導電型不純物を含有する層
２は、耐アルカリ性である反射防止膜４をブロッキング
層として、苛性（ＮａＯＨ）溶液でエッチング除去す
る。半導体基板１の側面部の逆導電型不純物を含有する
層２を除去することにより、半導体基板１におけるＰ−
Ｎ分離を行う。
純物を含有する層２を除去する（同図（ｈ）参照）。こ
の半導体基板１の側面部の逆導電型不純物を含有する層
２は、耐アルカリ性である反射防止膜４をブロッキング
層として、苛性（ＮａＯＨ）溶液でエッチング除去す
る。半導体基板１の側面部の逆導電型不純物を含有する
層２を除去することにより、半導体基板１におけるＰ−
Ｎ分離を行う。
【００１７】最後に、電極６、７を形成する（同図
（ｉ）参照）。すなわち、反射防止膜４の所定箇所を弗
酸と純水の１：３の混合液などを用いてエッチング除去
して、表面電極６を形成すると共に、半導体基板１の裏
面側に裏面電極７を形成する。
（ｉ）参照）。すなわち、反射防止膜４の所定箇所を弗
酸と純水の１：３の混合液などを用いてエッチング除去
して、表面電極６を形成すると共に、半導体基板１の裏
面側に裏面電極７を形成する。
【００１８】図１（ｈ）に示すＰ−Ｎ分離が完全である
かどうかは、製品のリーク電流を測定することで判断で
きるが、従来の工程で製造した太陽電池のリーク電流が
４．１ｍＡであるのに対し、本発明の工程で製造した太
陽電池のリーク電流は、５．５ｍＡであり、有意差はな
く、完全に分離できていた。
かどうかは、製品のリーク電流を測定することで判断で
きるが、従来の工程で製造した太陽電池のリーク電流が
４．１ｍＡであるのに対し、本発明の工程で製造した太
陽電池のリーク電流は、５．５ｍＡであり、有意差はな
く、完全に分離できていた。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る太陽電池の
製造方法によれば、半導体基板側面部の逆導電型不純物
を含有する層を反射防止膜をブロッキング層として除去
することから、半導体基板側面部の逆導電型不純物を含
有する層を比較的安価な苛性溶液でエッチングできるよ
うになり、エッチング液の廃液処理も容易になる。
製造方法によれば、半導体基板側面部の逆導電型不純物
を含有する層を反射防止膜をブロッキング層として除去
することから、半導体基板側面部の逆導電型不純物を含
有する層を比較的安価な苛性溶液でエッチングできるよ
うになり、エッチング液の廃液処理も容易になる。
【図１】 本発明に係る太陽電池の製造方法を示す工程
図である。
図である。
【図２】 従来の太陽電池の製造方法を示す工程図であ
る。
る。
１・・・半導体基板、２・・・逆導電型不純物を含有す
る層、３・・・一導電型不純物を多量に含有する層、４
・・・反射防止膜、５・・・レジスト膜、６、７・・・
電極
る層、３・・・一導電型不純物を多量に含有する層、４
・・・反射防止膜、５・・・レジスト膜、６、７・・・
電極
Claims (1)
- 【請求項１】 一導電型不純物を含有する半導体基板の
表面部、側面部、及び裏面部に逆導電型不純物を含有す
る層を形成する工程と、前記半導体基板の裏面側に前記
逆導電型不純物を含有する層よりも厚い一導電型不純物
を多量に含有する層を形成する工程と、前記半導体基板
の表面部及び側面部に反射防止膜を形成する工程と、前
記半導体基板表面部の反射防止膜上にレジスト膜を塗布
する工程と、前記反射防止膜のうち、レジスト膜が塗布
されていない部分を除去する工程と、前記レジスト膜を
除去する工程と、前記半導体基板側面部の逆導電型半導
体不純物を含有する層を除去する工程を含んで成る太陽
電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5297831A JPH07153980A (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5297831A JPH07153980A (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153980A true JPH07153980A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=17851722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5297831A Pending JPH07153980A (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07153980A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006222469A (ja) * | 2006-05-29 | 2006-08-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子 |
| JP2006339301A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
| KR101065384B1 (ko) * | 2004-04-07 | 2011-09-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-11-29 JP JP5297831A patent/JPH07153980A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101065384B1 (ko) * | 2004-04-07 | 2011-09-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 및 그 제조방법 |
| JP2006339301A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
| JP2006222469A (ja) * | 2006-05-29 | 2006-08-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子 |
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