JP5535851B2 - エッチングおよびドーピング複合物質 - Google Patents

エッチングおよびドーピング複合物質 Download PDF

Info

Publication number
JP5535851B2
JP5535851B2 JP2010211256A JP2010211256A JP5535851B2 JP 5535851 B2 JP5535851 B2 JP 5535851B2 JP 2010211256 A JP2010211256 A JP 2010211256A JP 2010211256 A JP2010211256 A JP 2010211256A JP 5535851 B2 JP5535851 B2 JP 5535851B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
doping
layer
doping paste
paste
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010211256A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011029651A (ja
Inventor
クライン,シルケ
アルミン クベルベック,
ヴェルナー ストックム,
ヴィルフリート シュミット,
ベルトホルト シューム,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Merck Patent GmbH
Original Assignee
Merck Patent GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Merck Patent GmbH filed Critical Merck Patent GmbH
Publication of JP2011029651A publication Critical patent/JP2011029651A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5535851B2 publication Critical patent/JP5535851B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/311Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105Etching inorganic layers
    • H01L21/31111Etching inorganic layers by chemical means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

本発明は第一に、無機層のエッチングおよびその下の層のドーピングの両方に好適な、HF/フッ化物を含まないエッチングおよびドーピング媒体に関する。本発明は第二に、これらの媒体を用いる方法に関する。
以下で用いる用語「太陽電池」は、他の材料に基づく太陽電池のタイプとは無関係に、単結晶または多結晶シリコン太陽電池として定義される。
太陽電池の作用は、光電効果、すなわち、光子エネルギーの電気エネルギーへの変換に基づく。
シリコン太陽電池では、予めドーピングされたシリコン基材(通常はpドーピングされたSi、図1の領域1)は、このために、異なる名称の逆の電荷キャリアでドーピングされ(例えばリンによるドーピングはn伝導をもたらす)、すなわち、p−n遷移が生成される。
光子エネルギー(太陽光)が太陽電池に導入されると、電荷キャリアがこのp−n遷移で発生し、その結果空間電荷領域が広がり、電圧が増加する。電圧は太陽電池と接触することにより引き出され、太陽電流が消費者にもたらされる。
太陽電池製造の代表的な方法の順序は、以下の簡便な形態:
1. pドーピングされたSi板前面のテクスチャリング
2. nドーピング(通常はリンによる)
3. PSG(リン−ケイ酸ガラス)のエッチング
4. 酸化シリコンまたは窒化シリコン層によるパシベーション/反射防止コーティング
5. 前面および背面の金属化
からなる。
本発明のさらなる考察には、段階4のより詳細な記載が必要である。
歴史的観点からは、従来のある製造方法においては、パシベーション層は熱的に生成されたSiO層の形成により達成される[A. Goetzberger, B. Voss, J. Knobloch, Sonnenenergie: Photovoltaik, p. 109]。この機能は、Si表面上の不飽和結合の大部分が飽和され、そこで効果を失わされることによる。従って欠陥の密度および再結合率は低下する。さらに、SiO層の厚さを約100nm(=λ/4則)に設定することにより、反射減少表面が製造される。
文献ではさらに、TiO層によるコーティングについて開示されており、パシベーション効果は少ないものの、高い反射率のために太陽電池における反射の減少に大きく寄与している[A. Goetzberger, B. Voss, J. Knobloch, Sonnenenergie: Photovoltaik, p. 134]。
高効率太陽電池の製造のために、パシベーション層として窒化シリコン層の使用が実際に特に有利であることが証明されている。優れたパシベーション特性は半導体技術でも知られており、例えば、集積回路、FETs、コンデンサなどにおけるバリアまたはパシベーション層などである。
太陽電池の製造における使用では、特に、多結晶シリコンの体積パシベーションにおいては、2.8x1022cm−3という高い水素含量の窒化シリコンが電池の背面に応用されている。820℃においては、水素は体積中に拡散し、従って少数寿命(minority life)を増加させる。エミッタのパシベーションでは、窒化シリコンは形成ガス雰囲気下で625℃に調整され、その結果UV範囲におけるスペクトル感度が改善される。
窒化シリコンは、優れたパシベーション挙動に加えて、優れた反射防止特性を有する。プラズマ中(PECVD)で製造された窒化シリコン層の反射係数はn=1.6〜2.7であり、酸化シリコンのn=1.4〜1.5に比べて広い範囲をカバーする。さらに、窒化シリコンの可視光範囲における光吸収は非常に低い[R. Hezel, Gmelin Handbook, Sci. Suppl. Vol. B 5c, p. 321]。
これらの層は、通常、層厚さ約70nmにてプラズマ強化CVD法(PECVD)または低圧CVD法(LPCVD)により、例えばシランおよびアンモニアから製造される。選択された層厚さの範囲においては、優れた低表面再結合率に加えて、λ/4領域における反射減少層が製造される[A. Goetzberger, B. Voss, J. Knobloch, Sonnenenergie: Photo-voltaik, p. 110; A. Ehrhardt, W. Wettling, A. Bett, J. Apply. Phys. A53, 1991, p. 123]。この方法は、米国特許4,751,191に詳細に記載されている。
最新の技術によれば、窒化シリコンによる単結晶または多結晶太陽電池のコーティングは、表面のパシベーションおよび反射の減少に最良の方法を提供する。それらは現在、最新の生産ラインで大量生産に用いられている。
実験室の実験では、効率をさらに高めるためには、エミッタ側の接触(contacts)の下の領域を周辺のn領域以上にドーピングすること、すなわち、リンによるn++拡散が有用であると証明されている。これらの構造は、選択的または2段階エミッタとして知られている[A. Goetzberger, B. Voss, J. Knobloch, Sonnenenergie: Photovoltaik, p. 115, p. 141]。ここでのドーピングは、n領域における約1018cm−3のオーダーから、n++領域における1020cm−3のオーダーである。実験室のスケールでは、このタイプの高効率太陽電池において、24%までの効率が達成されている。
選択的エミッタについて程度の異なるドーピング領域を得るために、多くの方法が文献に記載されており、これらの方法は全て構造化の段階に基づいている。ここで、ほとんどの方法がフォトリソグラフィ法を用いており、局所的ドーピング(n++)を可能とする開口部(図2の層2)を、標的法(targeted manner)によりSiO層に導入し(図1、層2)、それにより下のシリコンの気相におけるドーピングを防止している。このドーピングは、通常、POClまたはPH(図3、層3)を用いて気相で行う。ドーピングウィンドウを、フッ化水素酸またはフッ化水素酸バッファを用いてSiOにエッチングする(図2)。
++ドーピングの後(図3、層3)、SiOマスクを再び完全に除去し(図4)、nドーピング(図5、層4)を行う。最後に、反射防止層を蒸着する(図6、層5)。
非常に複雑で高価な方法のため、これらの方法は実験室段階以上には実施されていない。
他の方法は、n++領域をフッ化水素酸および硝酸を含むエッチング混合物を用いたエッチングにより除去し、同時に、後の接触領域をマスキングすることに基づく。この方法も同様に、その複雑な手順のため、実際に確立された手法になっていない。
これらの方法全てに共通する特徴は、フッ化水素酸またはフッ化水素酸の塩類を用いてパシベーション層を局所的に開放しなければならないことである。さらに、気相でのドーピングはリンスおよび乾燥の段階の後に行わなければならない。
DE 10101926またはPCT/EP 01/03317に記載の、エッチングペーストの支援によるSiOまたは窒化シリコン層の局所的開放、および、それに続く気相での例えばPOClを用いたドーピングは、明らかにこれらの方法より優れているように見える。
窒化シリコンがSiO上で、ホットオルトリン酸を用いて選択的にエッチング可能なことは、文献により知られている[A. F. Bogenschuetz, “Aetzpraxis fuer Halbleiter” [Etching Practice for Semiconductors], Carl Hanser Verlag Munich, 1967]。これはマイクロエレクトロニクスの分野で広く普及した方法である。ここでリン酸は、通常約165℃で用いられ、ウェハーは酸性のバス中に浸される。この温度範囲におけるエッチング速度は、約3nm/分である。
この方法は、太陽電池上の窒化シリコン層のエッチングには非常に好適とは言えない。エッチング速度は大量生産には遅すぎ、さらに、構造化のために複雑なフォトリソグラフィの段階がまだ必要である。
本発明の目的は、従って、無機表面、特に太陽電池の窒化シリコン層表面を高いエッチング速度で選択的にエッチングできる、好適なエッチング媒体を提供することである。本発明の更なる目的は、太陽電池の選択的エミッタ構造の製造のため、無機表面を選択的にエッチングする方法であって、エッチングに加えて、n++領域作製のためのリンによる標的ドーピングを可能とする前記方法を、提供することである。
この目的は、太陽電池上の窒化シリコンのパシベーションおよび反射防止層をエッチングする方法により達成される。該方法においては、リン酸またはリン酸塩を含むエッチング媒体を、一つの方法段階において全表面またはエッチングする表面領域に選択的に適用し、特に、エッチング媒体と共に提供されるシリコン基板を、表面全体または局所的に250〜350℃の温度範囲で30〜120秒間加熱し、所望により、さらなるn++ドーピングのため、続いて>800℃の温度、特に800〜1050℃の温度範囲で20〜40分間加熱する。
従って、本発明は請求項1および2に記載の方法に関連し、特に、請求項3〜7に記載の態様に関連する。本発明は、従って、請求項8〜10に記載の新規なエッチング媒体に関連し、請求項11〜13に記載のそれらの使用に関連する。本発明はさらに、請求項1〜7に記載の方法により製造される太陽電池にも関連する。
本発明の目的は、特に、種々の形態のリン酸、または、加熱によって対応するリン酸に分解される好適なリン酸塩もしくは化合物が、エッチング成分として作用し、所望によりドーピング成分としても作用する、エッチング媒体によって達成される。
実験によれば、オルトリン酸、メタリン酸、ピロリン酸またはそれらの塩類、ここで特に、アンモニウム塩((NHHPO、NHPO、(NHPO)および、熱分解によってこれらの化合物の一つを形成する他の化合物が、厚さ70nmの窒化シリコン層を、250℃を越える温度での数秒〜数分間のエッチングによって、完全に除去できることが示されている。300℃でのエッチング時間は約60秒である。
例えば、スクリーン印刷により、インクジェット法または他の方法による選択的適用により、および被覆シリコン基板の全表面を加熱することにより、局所的エッチングがさらに実施可能である。同じことが、完全なコーティング法、例えばスピンコーティング、吹き付け(スプレー)コーティング、または他のコーティング法と、局所的な加熱例えばIRレーザーを用いた加熱により、達成できる。
このエッチング法の利点は、毒性がありその廃棄のために高価となるフッ化水素酸またはフッ化水素酸塩を使用することなく、窒化シリコンをエッチング可能なことである。さらに、エッチングの開始および終了は、時間および熱的励起の持続時間によって簡単に制御できる。特に有利であるのは、選択的に印刷されたリン酸(オルト−、メタ−またはピロ−)、またはその塩もしくは化合物の1種により、同様の作用が例えば熱的励起により可能で、n++ドーピングが1秒以内のその直後の段階で生成されることであり、これは選択的エミッタの場合に必要である。このドーピング法は、当業者には知られており、例えば[A. Goetzberger, B. Voss, J. Knobloch, Sonnenenergie: Photovoltaik, p. 115, p. 141]に記載の方法により実施可能である。
従って本発明は、HF/フッ化物を含まず印刷可能なエッチングおよびドーピング複合媒体の使用を介した、選択的エミッタ構造の製造に関する。
使用されるエッチング媒体は、HF/フッ化物を含まず操作が容易な、鉱酸またはその塩および/またはその混合物であり、溶液またはペーストの形態であってよい。
溶液中に存在するエッチング媒体は、当業者に通常知られている方法、例えばスピンコーティング、吹き付け法またはディッピングなどにより、表面全体に適用される。第二段階においては、局所的な加熱例えばレーザーの支援により、リン酸が励起されて、窒化シリコン層をエッチングする。さらなる段階では、所望により、第二のより強力なレーザーを用いて、n++ドーピングに必要な>800℃の温度範囲にリン酸を局所的に加熱することもできる。IRレーザーの使用はその波長が下のシリコンにより吸収されないので、結晶の欠陥を避けるためここでは特に有利である。この方法を巧妙な方式で実施すれば、エッチングとドーピング法は1段階にて実施することが可能である。
しかしながら表面全体のコーティングよりさらに有利なのは、リン酸を含むペースト形態の混合物を用いた、シリコン基板の選択的コーティングである(図11の可能なレイアウト参照)。これは、当業者に既知の印刷方法、例えば、スクリーン印刷、ステンシル印刷、スタンプ印刷またはパッド印刷などにより実施できる。適用の後、次の段階で基板を暖めることにより、窒化シリコンのエッチングが開始される。これは、ホットプレート上またはIR照射または当業者が知る基板加熱の他の方法により実施される。それらの例は、マイクロ波による加熱、または対流式オーブンでの加熱である。エッチングには250〜350℃の温度範囲が有利である。PECVDによる窒化シリコン層(厚さ70nm)のエッチング時間は、300℃の温度で約60秒である。リンを用いた熱によるn++ドーピングに必要な>800℃の温度での基板の加熱は、エッチング段階直後のさらなる段階において実施できる。リンのシリコン中への拡散プロファイルは、当業者により知られた方式により時間と温度を介して制御可能である。
エッチングおよびドーピングは、ここでは巧妙な方式により一つの温度段階で有利に実施可能である。
このエッチングおよびドーピング媒体の選択的適用は、材料消費の点で有利であるばかりでなく、スループットがかなり早いという点でも、レーザーを用いる連続的領域書き込みに比べて有利である。
上記の印刷方法に対して、両者とも非接触法であるインクジェット印刷およびディスペンサー法による適用は、さらなる変法として記載される。これにより、暖められた基板への直接の印刷およびエッチングが可能である。ここでも、エッチングとドーピングを同時に行うことが巧妙な方式により可能となっている。
使用するエッチング媒体がペーストであるとき、これらは同様に、表面全体またはドーピング領域に対し選択的に適用することができる。
ペーストがさらにドーピング成分、例えばリンを含む場合、それらは実際のエッチング段階の後のドーピングソースとして作用する。
このために、太陽電池は800〜1000℃の温度にさらされ、その間ペースト中のドーピング成分は拡散して接触領域をドーピングする。他のペースト成分は全てこれらの温度において揮発性であり、残留物なしに燃焼する。
ペーストは、エッチングすべき表面の所望の領域に一段階で適用される。ペーストを表面に移動させるのに適した自動化が進んだ方法は、印刷法である。スクリーン印刷、ステンシル印刷、パッド印刷およびスタンプ印刷は、当業者に知られた方法である。
気相でのウェット化学エッチング法または選択的ドーピングだけでなくリンス操作においてもその使用が必要である、全てのマスキングおよびリソグラフィの段階は不要となる。そのため、本発明の方法においては時間および材料を節約できる。さらに、ごく少量の汚染化学物質のみが発生し、再操作または処分が必要となる。
可能な方法の順序を図7〜10に示す。従来のnドーピング(図7、層4)および窒化シリコンの蒸着(反射防止層として、図8の層5)の後、本発明に記載のエッチングおよびドーピング複合ペーストを用いて、ウェハーに選択的に印刷する(図9、層6)。これにより、最初に窒化シリコン層を選択的にエッチングし、シリコンウェハーに強制的にエネルギーを供給し、前に印刷した構造の下にn++層を形成する(図10、層3)。
一段階で行われるエッチングおよびドーピング操作の上に、次の段階で接触すべき領域が既に暴露されていることは有利である。従って電気化学的接触は即座に行うことができ、または、エネルギーの多量消費と共に燃焼される必要のない、金属ペーストを使用することができる。
本発明によるエッチングペーストは、以下の成分を有する:
a.エッチングおよび随意的にドーピング成分
b.溶媒
c.増粘剤
d.随意的に添加剤、例えば、消泡剤、チクソ性剤(thixotropy agent)、流量調整剤(flow-control agent)、脱気剤(deaerator)、付着促進剤(adhesion promoter)。
提案されたエッチングペーストのエッチング作用は、温度による励起を通して効果を発する酸性成分に基づいている。この成分は、リン酸(オルト、メタまたはピロ)およびそれらの塩類、好ましくはアンモニウム塩((NHHPO、NHPO、(NHPO)からなる群から選択される。
エッチング成分は、エッチングペーストの総重量に基づき、1〜80重量%の濃度範囲で存在する。窒化シリコンのエッチングおよび除去速度は、エッチング成分の濃度によって大きく影響され得る。
さらなる実験により、強く酸化された成分、例えば硝酸または硝酸塩の添加は、リン酸のエッチング速度をさらに高めることができることが見出された。
溶媒の割合は、エッチングペーストの総重量に基づき20〜80重量%の範囲であってよい。好適な溶媒は、純粋な無機もしくは有機溶媒またはそれらの混合物、例えば水、一価および/または多価アルコール、エーテル、特にエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、または[2,2−ブトキシ(エトキシ)]エチルアセテートである。
増粘剤は、粘性範囲の標的設定および基本的にエッチング成分の印刷性を達成するために必要であり、すなわち印刷可能なペーストの形成に必要であるが、増粘剤の割合は、エッチングペーストの総重量に基づき1〜20重量%の範囲である。
記載されたエッチングペーストの構造的粘性は、液相においては膨張作用を有する、ネットワーク形成増粘剤(network-forming thickeners)を介して達成され、これは所望の適用面積に応じて変化させることができる。用いられる増粘剤は、有機または無機の製品またはそれらの混合物であって:
・ セルロース/セルロース誘導体、例えばエチル−、ヒドロキシプロピル−、ヒドロキシエチル−またはカルボキシメチルセルロース(ナトリウム塩)
・ スターチ/スターチ誘導体、例えばカルボキシメチルスターチ(ナトリウム塩)(商標登録vivastar)、アニオン性ヘテロポリサッカライド
・ アクリレート(商標登録Borchigel)
・ ポリマー、例えばポリビニルアルコール(商標登録Mowiol)、ポリビニルピロリドン(PVP)
・ 拡散性の高いケイ酸、例えば商標登録Aerosil
などである。
無機の増粘剤、例えば拡散性の高いケイ酸は、次の>800℃でのドーピング段階の間でさえ、有機の増粘剤とは対照的に基板上に残留し、従ってドーピングガラス特性を設定するのに用いることができる。有機と無機両方の型の増粘剤を、所望により組み合わせることも可能である。
所望の目的に対して有利な特性を有する添加剤は、消泡剤、チクソ性剤、流量調整剤/抗流剤(antiflow agent)、脱気剤および付着促進剤である。当業者には容易に、市場で入手可能な添加剤の中から、太陽電池製造のための適正な要請に適合する好適な添加剤を選択することが可能である。これらの添加剤の標的添加により、エッチングペーストの印刷性が良好な影響を受ける。
太陽電池の効率を高めるために、エッチングペースト製造のための全ての出発材料は適切な純度を有することが重要である。特に、シリコン中それによってキャリアの寿命をかなりの程度短縮する、容易に拡散する成分、例えば、銅、鉄およびナトリウムは、<200ppbの濃度で存在させるべきである。
本発明により、これらの新規なエッチングおよびドーピングペーストは、太陽電池産業において光電池部品、例えば太陽電池または光ダイオードなどの製造に用いることができる。特に、本発明によるペーストは、エミッタ構造の製造のための2段階プロセスに用いることができる。
Si上にSiO層を設けた図である。 標的法によりSiO層に開口部を導入した図である。 局所的ドーピング(n++)をPOClまたはPHにおいて行った図である。 SiOを除去した図である。 ドーピングを行った図である。 反射防止層を蒸着した図である。 (従来の)nドーピングを行った図である。 (従来の)反射防止層を蒸着した図である。 本発明のエッチングおよびドーピング複合ペーストを用いてウェハーに選択的に印刷した図である。 窒化シリコン層を選択的にエッチングし、強制的にエネルギーを供給しn++層を形成した図である。 本発明によるエッチングペーストを用いて製造した、窒化シリコン表面にエッチングされた構造のレイアウトを示す。 本発明によるエッチングペーストを用いて製造した、窒化シリコン層のスルーエッチングされた構造のマイクロ写真を示す。
図11は、本発明による、例2によるエッチングペーストを用いて製造した、窒化シリコン表面にエッチングされた構造のレイアウトを示す(図12のマイクロ写真)。
より良い理解のためおよび明確化のために、本発明の保護の範囲である例を以下に示すが、これらは本発明をこれらの例のみに限定するには適さない。
例1:
ペーストの製造および組成
Aerosil200(Degussa−Huels AG)6gを、100gの85%オルトリン酸(Merck Art.1.00573)中に攪拌する。形成されたペーストは、プロペラ攪拌器を用いてさらに20分間攪拌する。
例2:
ペーストの製造および組成
3重量%のPVP K90を、48.5重量%のHPO(85%)および48.5重量%の1−メチル−2−ピロリドンからなる混合物中に攪拌する。形成されたペーストは、プロペラ攪拌器を用いてさらに20分間攪拌する。
記載された方法により製造したエッチングペーストは、120Tポリエステルスクリーンを用いて、市場で入手可能なスクリーン印刷機で印刷する。図11に示したレイアウトをスクリーン上に描いて基板に移す。用いた基板は、100x100mmのサイズで、全表面に窒化シリコンパシベーション層を有する多結晶太陽電池である。印刷の直後、基板をホットプレート上300℃で10秒間加熱する。窒化シリコン層の完全なスルーエッチングは、約60秒後にすでに目視で明らかである(図12)。基板は次に大気と共に拡散オーブン(diffusion oven)に入れ、850℃で30分間維持する。
リンガラス層の除去の後、領域において約1020cm−3の局所的に高いリンによるドーピングを検出することができる。

Claims (6)

  1. 太陽電池の窒化シリコンのパシベーションおよび反射防止層を選択的にエッチングし、さらにその下のシリコン層をドーピングするためのエッチングおよびドーピングペーストであって、活性成分として、オルトリン酸、メタリン酸、ピロリン酸、それらの塩類、それらのモノエステル、それらのジエステル、およびメタ−五酸化リンからなる群から選択される1種または2種以上を含み、銀粉末を含まない、前記エッチングおよびドーピングペースト。
  2. エネルギーの熱的な入力を介してエッチングを作用させる、請求項1に記載のエッチングおよびドーピングペースト。
  3. 活性成分としてオルトリン酸またはその塩類を含む、請求項1または2に記載のエッチングおよびドーピングペースト。
  4. 活性成分としてオルトリン酸のアンモニウム塩を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載のエッチングおよびドーピングペースト。
  5. エッチングおよびドーピング成分に加えて、溶媒、増粘剤、および随意的に添加剤、例えば消泡剤、チクソ性剤、流量調整剤、脱気剤および付着促進剤を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載のエッチングおよびドーピングペースト。
  6. 活性成分を、エッチングおよびドーピングペーストの総重量に基づき、1〜80重量%の濃度範囲で含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載のエッチングおよびドーピングペースト。
JP2010211256A 2001-10-10 2010-09-21 エッチングおよびドーピング複合物質 Expired - Fee Related JP5535851B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10150040A DE10150040A1 (de) 2001-10-10 2001-10-10 Kombinierte Ätz- und Dotiermedien
DE10150040.8 2001-10-10

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003537127A Division JP4837252B2 (ja) 2001-10-10 2002-09-13 エッチングおよびドーピング複合物質

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011029651A JP2011029651A (ja) 2011-02-10
JP5535851B2 true JP5535851B2 (ja) 2014-07-02

Family

ID=7702077

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003537127A Expired - Fee Related JP4837252B2 (ja) 2001-10-10 2002-09-13 エッチングおよびドーピング複合物質
JP2010211256A Expired - Fee Related JP5535851B2 (ja) 2001-10-10 2010-09-21 エッチングおよびドーピング複合物質

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003537127A Expired - Fee Related JP4837252B2 (ja) 2001-10-10 2002-09-13 エッチングおよびドーピング複合物質

Country Status (9)

Country Link
US (2) US7629257B2 (ja)
EP (1) EP1435116B1 (ja)
JP (2) JP4837252B2 (ja)
KR (1) KR100923040B1 (ja)
AT (1) ATE539451T1 (ja)
DE (1) DE10150040A1 (ja)
ES (1) ES2379249T3 (ja)
TW (1) TWI292390B (ja)
WO (1) WO2003034504A1 (ja)

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030148024A1 (en) * 2001-10-05 2003-08-07 Kodas Toivo T. Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features
EP1939294A1 (en) 2000-08-18 2008-07-02 Research Foundation Of State University Of New York Recombinant constructs of borrelia burgdorferi
US6951666B2 (en) * 2001-10-05 2005-10-04 Cabot Corporation Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features
KR20040077655A (ko) * 2001-10-19 2004-09-06 슈페리어 마이크로파우더스 엘엘씨 전자 형상 증착용 테잎 조성물
DE102005007743A1 (de) * 2005-01-11 2006-07-20 Merck Patent Gmbh Druckfähiges Medium zur Ätzung von Siliziumdioxid- und Siliziumnitridschichten
JP4481869B2 (ja) * 2005-04-26 2010-06-16 信越半導体株式会社 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法
DE102005031469A1 (de) * 2005-07-04 2007-01-11 Merck Patent Gmbh Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten
DE102005032807A1 (de) * 2005-07-12 2007-01-18 Merck Patent Gmbh Kombinierte Ätz- und Dotiermedien für Siliziumdioxidschichten und darunter liegendes Silizium
DE102005033724A1 (de) * 2005-07-15 2007-01-18 Merck Patent Gmbh Druckfähige Ätzmedien für Siliziumdioxid-und Siliziumnitridschichten
DE102005035255A1 (de) * 2005-07-25 2007-02-01 Merck Patent Gmbh Ätzmedien für oxidische, transparente, leitfähige Schichten
KR101188425B1 (ko) * 2005-08-24 2012-10-05 엘지디스플레이 주식회사 식각 테이프 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이기판의 제조 방법
JP4657068B2 (ja) * 2005-09-22 2011-03-23 シャープ株式会社 裏面接合型太陽電池の製造方法
US20070108546A1 (en) * 2005-11-15 2007-05-17 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric converter and imaging system including the same
US20100213166A1 (en) * 2006-01-25 2010-08-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Process and Device for The Precision-Processing Of Substrates by Means of a Laser Coupled Into a Liquid Stream, And Use of Same
DE102006003606A1 (de) * 2006-01-25 2007-07-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Strukturieren einer Oberflächenschicht
EP1988773B1 (en) * 2006-02-28 2014-04-23 Basf Se Antimicrobial compounds
US8542102B2 (en) * 2006-05-04 2013-09-24 Intermec Ip Corp. Method for operating an RFID network
US7588883B2 (en) * 2006-05-09 2009-09-15 United Microelectronics Corp. Method for forming a gate and etching a conductive layer
EP2033229B1 (en) * 2006-06-19 2012-07-04 Cabot Corporation Photovoltaic conductive features and processes for forming same
JP5110820B2 (ja) * 2006-08-02 2012-12-26 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像システム
DE102006051735A1 (de) 2006-10-30 2008-05-08 Merck Patent Gmbh Druckfähiges Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten
US8431448B2 (en) * 2006-12-28 2013-04-30 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic transistor element, and method of manufacturing the same by concurrently doping an organic semiconductor layer and wet etching an electrode provided on the organic semiconductor layer
EP2654089A3 (en) 2007-02-16 2015-08-12 Nanogram Corporation Solar cell structures, photovoltaic modules and corresponding processes
DE102007010872A1 (de) * 2007-03-06 2008-09-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Präzisionsbearbeitung von Substraten und dessen Verwendung
US9362424B2 (en) 2007-03-29 2016-06-07 Oscar Khaselev Electrical contacts
JP5226255B2 (ja) * 2007-07-13 2013-07-03 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
JP4947654B2 (ja) * 2007-09-28 2012-06-06 シャープ株式会社 誘電体膜のパターニング方法
DE102007054485B4 (de) * 2007-11-15 2011-12-01 Deutsche Cell Gmbh Siliziumoberflächen-Strukturierungs-Verfahren
DE102007054484B3 (de) * 2007-11-15 2009-03-12 Deutsche Cell Gmbh Strukturier-Verfahren
US20090139568A1 (en) * 2007-11-19 2009-06-04 Applied Materials, Inc. Crystalline Solar Cell Metallization Methods
WO2009067483A1 (en) * 2007-11-19 2009-05-28 Applied Materials, Inc. Solar cell contact formation process using a patterned etchant material
US8101231B2 (en) 2007-12-07 2012-01-24 Cabot Corporation Processes for forming photovoltaic conductive features from multiple inks
US20100255626A1 (en) * 2007-12-20 2010-10-07 Teoss Co., Ltd. high viscosity etchant and a selective etching method for photovoltaic element substrates of solar cells using the same
KR101104606B1 (ko) * 2008-02-19 2012-01-12 주식회사 엘지화학 태양전지용 선택적 에미터의 제조방법 및 그에 사용되는마스크 패턴 제조용 페이스트.
US20090239363A1 (en) * 2008-03-24 2009-09-24 Honeywell International, Inc. Methods for forming doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and dopant-comprising inks for forming such doped regions using non-contact printing processes
JP4610630B2 (ja) * 2008-03-31 2011-01-12 三菱電機株式会社 太陽電池用拡散層の製造方法および太陽電池セルの製造方法
DE102008019402A1 (de) * 2008-04-14 2009-10-15 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur selektiven Dotierung von Silizium sowie damit behandeltes Silizium-Substrat
DE102008027851A1 (de) * 2008-06-11 2009-12-24 Centrotherm Photovoltaics Technology Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einer zweistufigen Dotierung
US20100035422A1 (en) * 2008-08-06 2010-02-11 Honeywell International, Inc. Methods for forming doped regions in a semiconductor material
US8053867B2 (en) * 2008-08-20 2011-11-08 Honeywell International Inc. Phosphorous-comprising dopants and methods for forming phosphorous-doped regions in semiconductor substrates using phosphorous-comprising dopants
KR20110093759A (ko) * 2008-09-01 2011-08-18 메르크 파텐트 게엠베하 에칭에 의한 박층 태양광 모듈의 에지 제거
US20100075261A1 (en) * 2008-09-22 2010-03-25 International Business Machines Corporation Methods for Manufacturing a Contact Grid on a Photovoltaic Cell
US7951696B2 (en) * 2008-09-30 2011-05-31 Honeywell International Inc. Methods for simultaneously forming N-type and P-type doped regions using non-contact printing processes
GB0820126D0 (en) * 2008-11-04 2008-12-10 Conductive Inkjet Technology Ltd Inkjet ink
US8261730B2 (en) * 2008-11-25 2012-09-11 Cambridge Energy Resources Inc In-situ wafer processing system and method
TW201025622A (en) * 2008-12-17 2010-07-01 Ind Tech Res Inst Electrode for solar cell and fabricating method thereof
US8518170B2 (en) 2008-12-29 2013-08-27 Honeywell International Inc. Boron-comprising inks for forming boron-doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and methods for fabricating such boron-comprising inks
US7820532B2 (en) * 2008-12-29 2010-10-26 Honeywell International Inc. Methods for simultaneously forming doped regions having different conductivity-determining type element profiles
FR2941156A1 (fr) * 2009-01-19 2010-07-23 Cummins Filtration Dispositif de filtration pour liquide circulant dans un moteur ou un equipement hydraulique, comprenant des moyens de chauffage du liquide jouxtant les moyens de filtration
US8053343B2 (en) * 2009-02-05 2011-11-08 Snt. Co., Ltd. Method for forming selective emitter of solar cell and diffusion apparatus for forming the same
DE102009011305A1 (de) * 2009-03-02 2010-09-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzellen mit Rückseitenkontaktierung sowie Verfahren zu deren Herstellung
KR101145928B1 (ko) * 2009-03-11 2012-05-15 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 태양 전지의 제조 방법
KR101627217B1 (ko) * 2009-03-25 2016-06-03 엘지전자 주식회사 태양전지 및 그 제조방법
US20100294349A1 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Uma Srinivasan Back contact solar cells with effective and efficient designs and corresponding patterning processes
KR101155563B1 (ko) * 2009-05-27 2012-06-19 주식회사 효성 레이저를 이용한 태양전지 제조방법
US8324089B2 (en) * 2009-07-23 2012-12-04 Honeywell International Inc. Compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, methods for fabricating such compositions, and methods for forming doped regions using such compositions
NL2003324C2 (en) * 2009-07-31 2011-02-02 Otb Solar Bv Photovoltaic cell with a selective emitter and method for making the same.
KR20110100715A (ko) * 2010-03-05 2011-09-15 삼성전자주식회사 기판에의 불순물 도핑 방법 및 이를 이용한 태양 전지의 제조 방법
KR101127076B1 (ko) 2010-03-19 2012-03-22 성균관대학교산학협력단 폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용한 선택적 이미터 형성 방법
TWI451586B (zh) * 2010-04-14 2014-09-01 Wonik Ips Co Ltd 太陽能電池之矽基板表面處理方法及太陽能電池之製造方法
WO2011157335A1 (en) 2010-06-14 2011-12-22 Merck Patent Gmbh Cross-linking and multi-phase etch pastes for high resolution feature patterning
EP2398071B1 (en) * 2010-06-17 2013-01-16 Imec Method for forming a doped region in a semiconductor layer of a substrate and use of such method
DE102010024308A1 (de) 2010-06-18 2011-12-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Erzeugung einer selektiven Dotierstruktur in einem Halbleitersubstrat zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle
DE102010037355A1 (de) 2010-09-06 2012-03-08 Schott Solar Ag Kristalline Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer solchen
TWI431797B (zh) 2010-10-19 2014-03-21 Ind Tech Res Inst 選擇性射極之太陽能電池及其製作方法
DE102010060303A1 (de) 2010-11-02 2012-05-03 Solarworld Innovations Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle
US20140021400A1 (en) 2010-12-15 2014-01-23 Sun Chemical Corporation Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film
CN102097538A (zh) * 2010-12-18 2011-06-15 广东爱康太阳能科技有限公司 一种选择性发射极太阳能电池开槽方法
CN102122683A (zh) * 2011-01-27 2011-07-13 东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 采用腐蚀浆料法制备单晶硅太阳能电池选择发射极的工艺
US8912083B2 (en) 2011-01-31 2014-12-16 Nanogram Corporation Silicon substrates with doped surface contacts formed from doped silicon inks and corresponding processes
CN102176491A (zh) * 2011-02-27 2011-09-07 百力达太阳能股份有限公司 一种埋栅太阳能电池的等离子刻蚀开槽制作工艺
DE102011016335B4 (de) * 2011-04-07 2013-10-02 Universität Konstanz Nickelhaltige und ätzende druckbare Paste sowie Verfahren zur Bildung von elektrischen Kontakten beim Herstellen einer Solarzelle
CN102800739B (zh) * 2011-05-24 2015-02-25 上海神舟新能源发展有限公司 一种选择性发射极单晶硅太阳电池的制备方法
US8629294B2 (en) 2011-08-25 2014-01-14 Honeywell International Inc. Borate esters, boron-comprising dopants, and methods of fabricating boron-comprising dopants
US8975170B2 (en) 2011-10-24 2015-03-10 Honeywell International Inc. Dopant ink compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, and methods for fabricating dopant ink compositions
EP2865018A1 (de) 2012-06-25 2015-04-29 Merck Patent GmbH Verfahren zur herstellung von solarzellen mit local back surface field (lbsf)
MY170453A (en) 2012-10-16 2019-08-01 Hitachi Chemical Co Ltd Etching material
JP5888202B2 (ja) * 2012-10-16 2016-03-16 日立化成株式会社 液状組成物
US9093598B2 (en) * 2013-04-12 2015-07-28 Btu International, Inc. Method of in-line diffusion for solar cells
JP6369460B2 (ja) 2013-05-31 2018-08-08 日立化成株式会社 エッチング組成物
US10269591B2 (en) * 2013-10-23 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of selectively removing silicon nitride and single wafer etching apparatus thereof
JP6425927B2 (ja) * 2014-07-03 2018-11-21 国立研究開発法人産業技術総合研究所 シリコン窒化膜用エッチング剤、エッチング方法
JP6359394B2 (ja) * 2014-09-18 2018-07-18 国立研究開発法人産業技術総合研究所 半導体装置とその製造方法
KR102000015B1 (ko) * 2017-05-18 2019-07-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11186771B2 (en) * 2017-06-05 2021-11-30 Versum Materials Us, Llc Etching solution for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device
US20190189631A1 (en) * 2017-12-15 2019-06-20 Soulbrain Co., Ltd. Composition for etching and manufacturing method of semiconductor device using the same
KR102362365B1 (ko) * 2018-04-11 2022-02-11 삼성에스디아이 주식회사 실리콘 질화막 에칭 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US283423A (en) * 1883-08-21 Bekgke
DE153360C (ja)
US1470772A (en) * 1922-08-21 1923-10-16 Henry L Greenbaum Paste for etching glass
US2067925A (en) * 1934-03-07 1937-01-19 Clayton-Kennedy Nance Composition for etching and etching transfers
US2903345A (en) * 1957-11-15 1959-09-08 American Cyanamid Co Etching of barium glass
US3810784A (en) * 1969-10-09 1974-05-14 Owens Corning Fiberglass Corp Reversible shear thinning gel coated glass fiber strand
US3944447A (en) * 1973-03-12 1976-03-16 Ibm Corporation Method for fabrication of integrated circuit structure with full dielectric isolation utilizing selective oxidation
DE2557079C2 (de) * 1975-12-18 1984-05-24 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum Herstellen einer Maskierungsschicht
US4097309A (en) * 1977-01-31 1978-06-27 The Boeing Company Thermally isolated solar cell construction
DE2929589A1 (de) * 1979-07-04 1981-01-22 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur herstellung eines optisch transparenten und elektrisch leitfaehigen filmmusters
US4274601A (en) 1979-07-23 1981-06-23 Combustion Engineering, Inc. Imp mill having adjustment means
DD153360A1 (de) 1980-10-01 1982-01-06 Heinz Schicht Mattierungspaste fuer glas
US4376673A (en) * 1981-02-19 1983-03-15 Pennwalt Corporation Method for etching dental porcelain
JPS5888142A (ja) 1981-11-20 1983-05-26 Nissha Printing Co Ltd 高温用ガラス腐触剤並びにそれを用いたガラスの腐触方法
LU83831A1 (fr) * 1981-12-10 1983-09-01 Belge Etat Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs et dispositifs semi-conducteurs ainsi obtenus
US4578407A (en) * 1982-03-31 1986-03-25 Gaf Corporation Thixotropic rust removal coating and process
US4781792A (en) * 1985-05-07 1988-11-01 Hogan James V Method for permanently marking glass
JPS61278174A (ja) * 1985-06-03 1986-12-09 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 光電変換素子の製造方法
US4761244A (en) * 1987-01-27 1988-08-02 Olin Corporation Etching solutions containing ammonium fluoride and an alkyl polyaccharide surfactant
CH666436A5 (de) 1987-07-15 1988-07-29 Safag Ag Verfahren zum bearbeiten von werkstuecken und einrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens.
DE3725346A1 (de) * 1987-07-30 1989-02-09 Nukem Gmbh Verfahren zur wiederverwendung von silizium-basismaterial einer metall-isolator-halbleiter-(mis)-inversionsschicht-solarzelle
JP2708175B2 (ja) * 1988-04-28 1998-02-04 株式会社東芝 InSbプレーナ光起電力形素子の製造方法
US4921626A (en) * 1989-08-23 1990-05-01 Automark Corporation Glass etching composition and method of making
JPH0690014A (ja) * 1992-07-22 1994-03-29 Mitsubishi Electric Corp 薄型太陽電池及びその製造方法,エッチング方法及び自動エッチング装置,並びに半導体装置の製造方法
KR950002233B1 (ko) 1992-08-14 1995-03-15 김태환 유리에칭 조성물과 그를 이용한 유리표면의 에칭 방법
JP2890988B2 (ja) * 1992-08-17 1999-05-17 日立化成工業株式会社 剥離用組成物及び剥離方法
JPH06132552A (ja) * 1992-10-19 1994-05-13 Canon Inc 光起電力素子とその製造方法
US6084175A (en) * 1993-05-20 2000-07-04 Amoco/Enron Solar Front contact trenches for polycrystalline photovoltaic devices and semi-conductor devices with buried contacts
ES2169078T3 (es) * 1993-07-29 2002-07-01 Gerhard Willeke Procedimiento para fabricacion de una celula solar, asi como la celula solar fabricada segun este procedimiento.
JP3173318B2 (ja) * 1994-04-28 2001-06-04 キヤノン株式会社 エッチング方法及び半導体素子の製造方法
US5688366A (en) * 1994-04-28 1997-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Etching method, method of producing a semiconductor device, and etchant therefor
JP3050064B2 (ja) * 1994-11-24 2000-06-05 株式会社村田製作所 導電性ペースト、この導電性ペーストからなるグリッド電極が形成された太陽電池及びその製造方法
EP0729189A1 (en) * 1995-02-21 1996-08-28 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of preparing solar cells and products obtained thereof
JPH08283100A (ja) * 1995-04-07 1996-10-29 Mitsubishi Materials Corp リン拡散用組成物
US5871591A (en) * 1996-11-01 1999-02-16 Sandia Corporation Silicon solar cells made by a self-aligned, selective-emitter, plasma-etchback process
US6552414B1 (en) * 1996-12-24 2003-04-22 Imec Vzw Semiconductor device with selectively diffused regions
CA2248568A1 (en) 1997-01-09 1998-07-16 Scott J. Beleck Acid deoxidizing/etching composition and process suitable for vertical aluminum surfaces
US5965465A (en) * 1997-09-18 1999-10-12 International Business Machines Corporation Etching of silicon nitride
JP3707715B2 (ja) * 1998-01-30 2005-10-19 シャープ株式会社 導電性ペースト
JP2000183379A (ja) * 1998-12-11 2000-06-30 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池の製造方法
US6670281B2 (en) * 1998-12-30 2003-12-30 Honeywell International Inc. HF etching and oxide scale removal
US6337029B1 (en) * 1999-01-21 2002-01-08 Xim Products Method and composition for etching glass ceramic and porcelain surfaces
DE19910816A1 (de) * 1999-03-11 2000-10-05 Merck Patent Gmbh Dotierpasten zur Erzeugung von p,p+ und n,n+ Bereichen in Halbleitern
JP4256980B2 (ja) * 1999-04-21 2009-04-22 シャープ株式会社 チタン酸化物膜の製造装置
JP3566901B2 (ja) * 2000-03-28 2004-09-15 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
AU2001242510B2 (en) * 2000-04-28 2006-02-23 Merck Patent Gmbh Etching pastes for inorganic surfaces
US6524880B2 (en) * 2001-04-23 2003-02-25 Samsung Sdi Co., Ltd. Solar cell and method for fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR100923040B1 (ko) 2009-10-22
US7629257B2 (en) 2009-12-08
US20040242019A1 (en) 2004-12-02
US20090071540A1 (en) 2009-03-19
US8148191B2 (en) 2012-04-03
EP1435116A1 (de) 2004-07-07
JP2005506705A (ja) 2005-03-03
ATE539451T1 (de) 2012-01-15
JP4837252B2 (ja) 2011-12-14
WO2003034504A1 (de) 2003-04-24
KR20050033530A (ko) 2005-04-12
DE10150040A1 (de) 2003-04-17
TWI292390B (en) 2008-01-11
ES2379249T3 (es) 2012-04-24
JP2011029651A (ja) 2011-02-10
EP1435116B1 (de) 2011-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5535851B2 (ja) エッチングおよびドーピング複合物質
US8088297B2 (en) Combined etching and doping media for silicon dioxide layers and underlying silicon
KR100378016B1 (ko) 태양 전지용 반도체 기판의 텍스처링 방법
JP6185845B2 (ja) 酸化アルミニウムベースの金属配線バリア
JP5628931B2 (ja) 選択エミッタを含む、ソーラーセルの製造方法
US7927498B2 (en) Solar cell and method of texturing solar cell
US20050247674A1 (en) Etching pastes for silicon surfaces and layers
US20110272020A1 (en) Solar cell and method for producing a solar cell from a silicon substrate
CN102986042A (zh) 制造光伏太阳能电池的方法
EP0324826A4 (en) Method of fabricating solar cells with silicon nitride coating
JP2013509695A5 (ja)
JP2015522951A (ja) 局所背面電界(lbsf)を有する太陽電池の製造方法
CN103247715A (zh) 太阳能电池及其制造方法
WO2014196247A1 (ja) 太陽電池および太陽電池モジュール
CN110416355B (zh) 一种溶液法制备晶体硅太阳能电池的工艺
JPH0638513B2 (ja) 反射防止被膜を有する太陽電池の製造方法
CN103489932B (zh) 一种纳米硅磷浆及其制备方法和应用
JPH07326784A (ja) 太陽電池素子の製造方法
JP6114170B2 (ja) 太陽電池の製造方法
EP3702048B1 (en) Method for drying polyimide paste and method for producing solar cells capable of highly-efficient photoelectric conversion
JPH07153980A (ja) 太陽電池の製造方法
TW201718783A (zh) 用於高效結晶矽太陽能電池製造中作為擴散及合金化阻障物之可印刷油墨

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121019

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121030

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130130

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130228

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130903

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140106

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140325

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140423

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5535851

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees