KR101104606B1 - 태양전지용 선택적 에미터의 제조방법 및 그에 사용되는마스크 패턴 제조용 페이스트. - Google Patents

태양전지용 선택적 에미터의 제조방법 및 그에 사용되는마스크 패턴 제조용 페이스트. Download PDF

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Abstract

본 발명은 a) 제 1표면에 고농도의 불순물이 도핑된 실리콘 기재를 준비하는 단계; b) 에칭액에는 용해되지 않고, 마스크 제거액에는 용해되는 고분자 바인더; 용매; 및 무기 충진제를 포함하는 페이스트를 상기 실리콘 기재 상에 스크린 프린팅하여 마스크 패턴을 제조하는 단계; c) 상기 실리콘 기재 상의 마스크 패턴이 형성되지 않은 부분을 에칭액 중에서 에칭하여, 제 1표면의 불순물 농도보다 낮은 불순물 농도를 갖는 제 2 표면을 노출하고, 상기 제 2 표면보다 높은 불순물농도를 갖는 선택적 에미터를 형성하는 단계; 및 d) 마스크 제거액 중에서 상기 선택적 에미터 상의 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 실리콘 태양전지의 선택적 에미터(selective emitter)를 제조하는 방법을 제공하며, 상기 마스크 패턴 제조용 페이스트와 상기 방법에 의해 선택적 에미터가 형성된 실리콘 태양전지를 제공한다. 본 발명은 내산성 또는 내알카리성 고분자를 포함하는 페이스트를 스크린 프린팅 방법에 의하여 기재 상에 패터닝함으로써, 실리콘 기판 상의 마스크 패턴을 좀 더 간단하고 저렴하게 형성할 수 있으며, 이를 산 용액 또는 알카리 용액 등에 의해 에칭함으로써 1회의 인 확산 공정 만으로도 용이하게 선택적 에미터를 형성할 수 있어, 실리콘 기판 내부의 불순물 확산을 억제하고, 공정비용을 절감할 수 있다.
실리콘 태양전지, 선택적 에미터, 스크린 프린팅, 페이스트

Description

태양전지용 선택적 에미터의 제조방법 및 그에 사용되는 마스크 패턴 제조용 페이스트.{METHOD FOR PREPARING SELECTIVE EMITTER FOR SOLAR CELL AND PASTE FOR PREPARING MASK PATTERN USED THEREIN}
본 발명은 태양전지의 실리콘 기판 상에 선택적 에미터를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 스크린 프린팅에 의해 형성된 마스킹 레이어를 이용함으로써 간단하고, 저렴한 방법으로 선택적 에미터를 형성할 수 있는 방법에 관한 것이다.
최근 환경문제와 화석에너지 고갈 등의 문제로 인하여 대체에너지에 대한 관심이 고조되고 있으며, 그 중에서도 무공해, 무한정의 에너지원인 태양광발전에 대한 연구개발이 국내외적으로 활발하게 진행되고 있다.
태양전지란 태양광 에너지를 직접 전기에너지로 변화시키는 광전변환 소자로서 p형 반도체와 n형 반도체의 접합형태를 가지며 그 기본구조는 다이오드와 유사하다. 태양전지는 일반적으로 소재에 따라 실리콘 태양전지와 화합물 반도체 태양전지 등으로 분류되고, 형태에 따라 기판형과 박막형으로 나뉜다. 현재 태양광 발전용으로 널리 쓰이고 있는 것은 기판형 결정질 실리콘 태양전지로서, 실리콘 기판의 전면에 에미터(emitter)로 작용하는 n형 층을, 후면에 p형 층을 각각 형성하고, 빛의 반사를 최소화하기 위한 실리콘 질화막 또는 산화막 등의 반사방지층을 포함하는 형태이다.
현재 상업용으로 가장 많이 적용되고 있는 태양전지는 스크린 프린팅 방법으로 제작되고 있으며, 변환효율은 약 14 ~ 16 % 수준으로, 도 1에 그 제조공정 흐름도를 나타내었다. 도 1에 따르면, 우선 실리콘 웨이퍼의 표면 손상(saw damage)을 제거하기 위해서, 알카리 용액이나 산 용액에서 에칭하여 표면에 약 10㎛ 크기로 텍스처링(texturing)한다. 전형적인 텍스처링 형성은 일반적으로 5%의 NaOH로 80℃에서 15분 동안 에칭한다. 다음으로 인 확산(phosphorous diffusion) 공정을 거쳐 n+ 에미터를 형성하고, 병렬저항을 줄이기 위해 junction isolation을 여러 가지 방법으로 진행한다. 반사방지막(SiNx 혹은 TiO2)을 진공장비로 형성(PECVD, APCVD, ARC deposition)하고, 전면전극을 스크린 프린팅으로 형성하게 된다(metallization). 전면전극은 은이 일반적이며, 구리는 열처리 공정 후 실리콘에 큰 오염을 일으켜 보편적으로 은 페이스트를 사용한다. 이러한 페이스트는 점성의 성질을 지니고 있어 100 ~ 200 ℃에서 건조 공정(firing)을 거치며, 전지의 후면전극을 형성하기 위하여 스크린 프린팅으로 은과 알루미늄으로서 전극 형성 후 건조공정을 거친다.
한편, 실리콘 표면과 전면전극의 접촉 저항을 낮추기 위하여 실리콘 기재의 전면에 고농도의 에미터(emitter)를 형성한 후, 전면전극을 배선하는 기술이 알려져 있으나, 전면전극이 위치하지 않는 부위까지 고농도의 에미터를 형성하는 경우, 표면에 존재하는 고농도의 불순물 들이 실리콘 내에 과잉 존재함으로서 응집물이 형성되고, 이로 인해 전하의 수명이 감소되어 궁극적으로 태양전지의 작동 효율이 저하되는 문제점 등이 있다. 따라서, 최근에는 전면전극이 배선되는 부위만 상대적으로 고농도의 에미터를 형성하는 선택적 에미터(selective emitter) 구조가 이용되고 있다.
상기의 선택적 에미터의 제조공정 흐름도를 도 2에 나타내었다. 도 2에 따르면 선택적 에미터를 형성하기 위해, 저농도의 n층 형성을 위한 인 확산 단계; 인 확산 마스크 형성을 위한 산화규소 막 패턴을 포토리쏘그래피(photo lithography)에 의해 형성하는 과정; 및 고농도의 n층 형성을 위한 인 확산 단계가 종래의 태양전지 공정에 부가된다.
이러한 종래의 방법은 고온 공정인 인 확산 단계가 2회 필요하므로, 실리콘 웨이퍼 내부의 불순물이 활성화될 수 있고, 공정 비용이 높다는 단점이 있다. 또한, 포토리쏘그래피 공정을 사용하기 때문에 고가의 장비 및 복잡한 공정이 요구되며, 산화규소막 형성을 위해 고온의 열처리가 필요하다는 문제점이 있다.
본 발명자들은 태양전지의 실리콘 기판 상에 선택적 에미터를 형성함에 있어서, 종래의 산화규소막의 포토리소그래피 방법에 의하지 않고, 스크린 프린팅 방법에 의하여 내산성 또는 내알카리성을 갖는 고분자 물질을 포함하는 페이스트를 기판 상에 패터닝하여 마스킹 레이어를 형성한 후, 산 용액 또는 알카리 용액에 의해 실리콘 기판을 습식 에칭함으로써, 보다 간단하고 저렴하게 선택적 에미터를 형성할 수 있음을 밝혀 내었다.
본 발명은 상기에 기초한 것이다.
본 발명은 a) 제 1표면에 고농도의 불순물이 도핑된 실리콘 기재를 준비하는 단계; b) 에칭액에는 용해되지 않고, 마스크 제거액에는 용해되는 고분자 바인더; 용매; 및 무기 충진제를 포함하는 페이스트를 상기 실리콘 기재 상에 스크린 프린팅하여 마스크 패턴을 제조하는 단계; c) 상기 실리콘 기재 상의 마스크 패턴이 형성되지 않은 부분을 에칭액 중에서 에칭하여, 제 1표면의 불순물 농도보다 낮은 불순물 농도를 갖는 제 2 표면을 노출하고, 상기 제 2 표면보다 높은 불순물농도를 갖는 선택적 에미터를 형성하는 단계; 및 d) 마스크 제거액 중에서 상기 선택적 에미터 상의 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 실리콘 태양전지의 선택적 에미터(selective emitter)를 제조하는 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 에칭액에는 용해되지 않고, 마스크 제거액에는 용해되는 고분자 바인더; 용매; 및 무기 충진제를 포함하며, 태양전지용 선택적 에미터 형성에 사용되는 마스크 패턴 제조용 페이스트를 제공한다.
그리고, 본 발명은 상기에 기재된 방법에 의해 선택적 에미터가 형성된 실리콘 태양전지를 제공한다.
본 발명은 내산성 또는 내알카리성 고분자를 포함하는 페이스트를 스크린 프 린팅 방법에 의하여 기재 상에 패터닝함으로써, 실리콘 기판 상의 마스크 패턴을 좀 더 간단하고 저렴하게 형성할 수 있으며, 이를 산 용액 또는 알카리 용액 등에 의해 에칭함으로써 1회의 인 확산 공정 만으로도 용이하게 선택적 에미터를 형성할 수 있어, 실리콘 기판 내부의 불순물 확산을 억제하고, 공정비용을 절감할 수 있다. 따라서, 태양전지 제조시 필요한 공정의 수와 비용을 대폭 줄일 수 있어, 태양전지 상용화에 유리한 공정을 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 선택적 에미터의 제조공정을 도 3의 흐름도 및 도 4의 모식도를 참고하여 설명하면 다음과 같다.
우선 실리콘 웨이퍼(1)의 표면 손상(saw damage)을 제거하기 위해서, 알카리 용액이나 산 용액에서 에칭하여 표면을 텍스처링(texturing)하는 것은 종래의 공정과 같으며, 인(P) 확산 공정을 통해 실리콘 웨이퍼의 제 1 표면에 n 타입 층(2)을 형성하는 것 역시 종래에 당업자에게 알려진 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 800℃ 이상의 온도에서 기상 확산(vapor phase diffusion)을 이용하거나, 또는 인(P) 함유 용액을 웨이퍼 표면에 도포하고, 고온으로 어닐링하는 방법 등을 사용할 수 있다.
본 명세서에서 상기 제 1표면이란, 실리콘 웨이퍼의 최초 텍스처링 후 불순물 주입하기 전 상태의 실리콘 웨이퍼의 표면을 의미하며, 이는 후술할 마스크 패터닝 후 에칭액에 의해 에칭하여 불순물 농도가 낮은 웨이퍼 내부가 표면으로 드러나게 되는 제 2표면과 대비하기 위하여 사용하는 개념이다.
한편, 본 명세서에서는 실리콘 웨이퍼 상에 인(P)을 도핑하여 n 타입 층을 형성하는 것을 예로 들어 설명하나, 본 발명이 이에 국한되는 것은 아니며, p 타입 층을 형성하는 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.
또한, 상기 인 확산 공정에 의해 도핑되는 불순물 농도는 선택적 에미터에 부여하고자 하는 정도의 고농도인 것이 바람직하다. 왜냐하면 후속의 에칭공정에 의해 선택적 에미터 부분을 제외한 부분이 에칭되어 저농도의 제 2표면이 노출되도록 하는 것이 본 발명의 사상이기 때문이다.
상기 고농도의 불순물이 도핑된 실리콘 웨이퍼 상에, 에칭액에는 용해되지 않고, 마스크 제거액에는 용해되는 고분자 바인더를 포함하는 페이스트를 스크린 프린팅한 후 건조 또는 자외선 조사함으로써, 마스크 패턴(3)을 제조할 수 있다.
상기 에칭액은 무기산 또는 유기산을 포함하는 것일 수 있으며, 상기무기산의 비제한적인 예로는 질산, 염산, 황산 및 불산 등이 있으며, 상기 유기산의 비제한적인 예로는 아세트산, 사과산, 구연산 및 포름산 등이 있다.
또한, 상기 에칭액은 알칼리 용액일 수 있으며, 상기 알칼리 용액의 비제한적인 예로는 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 탄산나트륨 등이 있다.
상기 마스크 제거액은 알코올(alcohol)류, 글리콜(glycol)류, 에테르(ether)류, 에스테르(ester)류 및 케톤(Ketone)류로 구성된 군에서 선택된 유기용매를 포함하는 것일 수 있으며, 그 비제한적인 예로는 에탄올, 메탄올, 이소프로판올 및 아세톤 등이 있다.
또한, 상기 마스크 제거액은 무기산 또는 유기산을 더 포함하는 것일 수 있 다. 상기 마스크 제거액에 무기산 또는 유기산이 더 포함되는 경우에는 에칭 속도 및 에칭 깊이를 조절 할 수 있는 장점이 있다.
상기 에칭액에는 용해되지 않고, 마스크 제거액에는 용해되는 고분자 바인더는 특정한 것으로 제한되지는 않으나, 100 내지 100만의 분자량을 갖는 것이 바람직하며, 그 비제한적인 예는 에틸셀룰로스, 아크릴레이트수지, 에폭시수지, 폴리스티렌 및 폴리프로필렌 등이 있다.
상기 고분자는 페이스트 내에서 바인더로서 역할을 하게 되며, 여기에 별도의 용매와, 무기 충진제를 첨가하여 교반, 혼합에 의해 마스크 패턴 제조용 페이스트를 제조할 수 있다.
이 때, 상기 페이스트에 포함되는 용매는 당업자에게 알려진 것이면 특별히 제한되지 않으며, 그 비제한적인 예로는 카비톨계, 터피놀계 및 텍사놀계 등이 있다.
또한, 상기 첨가되는 무기 충진제는 상기 고분자 바인더와 혼합되어 상기 에칭액(예를 들어, 산 용액)에 대한 내화학성을 증진시켜 줄 뿐 만 아니라, 에칭 후 상기 마스크 제거액(예를 들어, 유기용제)으로 마스크 패턴을 제거할 때 마스크 패턴이 좀 더 쉽게 떨어져 나갈 수 있게 해주는 역할을 할 수 있다. 이러한 무기 충진제로는 금속, 금속산화물 또는 글래스 프릿 등을 사용할 수 있으며, 상기 금속산화물의 비제한적인 예는 SiO2, TiO2, Al2O3, Bi2O3, PbO 등을 사용할 수 있고, 상기 글래스 프릿은 페이스트의 소성온도를 낮추기 위하여 저융점의 유리 분말을 사용할 수 있고, 상기 금속산화물 등을 용융하여 제조한 것을 사용할 수 있다.
상기 충진제는 10 nm ~ 100 ㎛ 범위의 입도를 갖는 것을 사용할 수 있으며, 입자형상은 특정한 형상으로 제한되지 않는다.
한편, 상기 페이스트에는 유기금속화합물 및 용매로 구성된 SOG(spin on glass) 물질을 포함할 수 있다. SOG(spin on glass)는 유리에 코팅하는 물질로서 주로 유기용매에 용해된 유기 실란 화합물을 사용하는 경우가 많으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 금속원소에 알킬 사슬 및 각종 기능기가 결합된 유기금속화합물이 각종 용매에 용해되어 있는 것일 수 있다. SOG는 보통 코팅용으로 사용하기 위해 저점도의 용매, 예를 들어 알코올류 등에 용해되어 있는 경우가 많으나, 본 발명에서 상기 페이스트에 사용하기 위해서는 전술한 페이스트용 용매(예를 들어, 카비톨 류) 등 고점도의 용매를 사용할 수도 있다.
또한, 상기 유기금속화합물의 말단기 부분의 사슬길이 및 말단기 종류를 변화시킴으로써 바인더의 역할을 하도록 할 수도 있다.
상기 제조된 페이스트는 당업자에게 알려진 스크린 프린팅 방법에 의하여 실리콘 기재 상에 도포되어 패턴 형성할 수 있으며, 예를 들어 실리콘 기재 상에 일정한 형상의 개구부 패턴을 갖는 스크린 마스크를 부착시키고, 그 위에 상기 페이스트를 롤링(rolling), 블레이딩(blading) 등의 방법으로 얇게 도포한 후, 상기 스크린 마스크를 탈착시키는 방법을 사용할 수도 있다.
상기 마스크 패턴 형성된 기재는 20 ~ 200 ℃ 범위의 온도에서 건조될 수 있다. 상기 온도 범위 이상에서 건조될 경우, 공정 비용이 많이 소요되는 것은 물론, 과다한 건조에 의해 마스크 패턴과 기재의 접착력이 떨어지는 문제가 생길 수 있다.
또한, 건조에 의하지 않고, 자외선 조사에 의해 상기 바인더를 광경화시킬 수도 있으며, 이 때 광경화 개시제로서 당업자에게 알려진 것을 사용할 수도 있다.
상기와 같이 마스크 패턴이 형성된 실리콘 기재 중 마스크 패턴이 형성되지 않은 부분은 에칭액 중에서 에칭하여, 상기 제 1표면의 불순물 농도보다 낮은 불순물 농도를 갖는 제 2표면을 노출하고, 상기 제 2표면보다 높은 불순물 농도를 갖는 선택적 에미터를 형성할 수 있다.
상기 에칭액 중에서의 에칭은 바람직하게는 10초 ~ 3분 정도 실시될 수 있으며, 상기 제조된 마스크 패턴은 10초 ~ 3분간의 제 1용액(예를 들어, 산 용액)에서의 에칭에서도 분해되지 않고 견딜 정도의 내화학성을 가지는 것이 바람직하다.
상기 마스크 패턴된 고분자 바인더는 에칭액에 의한 에칭시 용해되지 않으므로, 실리콘 기재 중 패터닝되지 않은 부분은 에칭액에 의해 에칭되지만, 상기 마스크 패터닝된 부분은 에칭되지 않고 남아 있게 된다.
따라서, 패터닝되지 않은 부분은 에칭에 의해 원래의 기판보다 두께가얇아지게 되어 제 2표면이 노출되며, 패터닝된 부분은 원래의 기판 두께 그대로 남아있으므로 제 1표면 상태에서 패턴의 형상대로 선택적 에미터(4)를 형성하게 된다.
이 때, 초기 인(P) 확산 공정에 의해 주입된 불순물로서의 인(P)은 확산이론(diffusion theory)에 의해 제 1표면이 가장 높은 농도를 가지며, 깊이 방향으로 지수함수적인 농도 프로파일을 갖도록 불순물 농도가 감소하는 형태를 보인다. 따 라서, 상기 패터닝되지 않은 부분은 에칭에 의해 불순물 농도가 낮은 제 2표면이 노출되게 되지만, 패터닝되 부분에 의해 형성된 선택저 에미터는 제 1표면의 높은 농도를 가지게 되어 불순물 농도에 차이가 생기게 된다.
상기와 같이 선택적 에미터(4)가 형성된 기재는 상기 마스크 제거액(예를 들어, 유기용제) 중에 디핑함으로써, 마스크 패턴을 제거할 수 있다.
상기 마스크 패턴을 이루는 고분자 바인더는 상기 에칭액에는 분해되지 않으나, 상기 마스크 제거액에는 분해되는 물질이므로, 상기 마스크 제거액에 의해 쉽게 제거할 수 있으며, 상기 마스크 제거액은 선택적 에미터가 형성된 실리콘 웨이퍼에는 별다른 손상을 주지 않는 용액인 것이 바람직하다.
본 발명의 방법에 의해 선택적 에미터가 형성된 실리콘 태양전지는 선택적 에미터 형성 공정을 제외하고는 당업자에게 알려진 방법에 의하여 제조될 수 있다.
예를 들어, 상기와 같이 선택적 에미터가 형성된 실리콘 웨이퍼 상에 반사방지막(5)으로서 질화규소(SiNx) 층을 증착한 후, 선택적 에미터와 나란하게 전면전극(예를 들어, 은 전극)을 스크린 프린팅 방법으로 형성할 수 있고, 그 배면에 은과 알루미늄으로 후면전극을 형성하는 방법에 의해 태양전지 모듈을 제조할 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 보다 자세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명이 이로써 한정되는 것은 아니다.
<마스크 패턴 특성 평가>
[실시예 1]
비이커에 충진제인 글래스 프릿(glass frit) 분말 33 g, 부틸 카비톨 용매에 에틸셀룰로오즈를 10~20wt% 첨가하여 녹인 바인더 67g 을 넣고 3-roll mill 분산기를 이용하여 30분간 혼합, 교반하여 페이스트를 제조하였다.
인(P)이 도핑된 실리콘 웨이퍼 상에, 상기에서 제조된 페이스트를 50 ~ 150 ㎛의 개구부 패턴을 갖는 스크린 마스크를 이용하여 스크린 프린팅한 후, 180℃에서 건조하여 마스크 패턴을 제조하였다.
상기 마스크 패턴을 갖는 실리콘 웨이퍼는 질산/초산/불산/증류수가 6L / 1.5L / 30ml / 5L의 비율로 혼합된 용액 속에 3분간 디핑(dipping)하여 에칭한 후, 물로 잘 세척하여 광학현미경 관찰을 통해 마스크 패턴의 내산성 정도를 확인하였다.
상기 에칭한 실리콘 웨이퍼는 에탄올에 5분간 디핑(dipping)하여 마스크 패턴을 제거하여 선택적 에미터(selective emitter)를 제조하였으며, 광학현미경 관찰을 통해 마스크 패턴의 분해 정도를 확인하였다.
[실시예 2]
충진제로서 실리카(SiO2) 분말을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실험, 평가하였다.
[실시예 3]
충진제로서 글래스 프릿 분말과 실리카 분말을 1 : 1로 혼합 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실험, 평가하였다.
[실시예 4]
마스크 패턴 제거시 에탄올 대신에 아세톤을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실험, 평가하였다.
[실시예 5]
충진제로서 실리카(SiO2) 분말을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 4와 동일하게 실험, 평가하였다.
[실시예 6]
충진제로서 글래스 프릿 분말과 실리카 분말을 1 : 1로 혼합 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 4와 동일하게 실험, 평가하였다.
[실시예 7]
바인더로서 에틸셀룰로오스 대신 폴리아크릴레이트(분자량 10,000) 10 ~ 20 wt% 첨가된 바인더를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실험, 평가하였다.
[실시예 8]
충진제로서 실리카(SiO2) 분말을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일하게 실험, 평가하였다.
[실시예 9]
충진제로서 글래스 프릿 분말과 실리카 분말을 1 : 1로 혼합 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일하게 실험, 평가하였다.
[실시예 10]
마스크 패턴 제거시 에탄올 대신에 아세톤을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일하게 실험, 평가하였다.
[실시예 11]
충진제로서 실리카(SiO2) 분말을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 10과 동일하게 실험, 평가하였다.
[실시예 12]
충진제로서 글래스 프릿 분말과 실리카 분말을 1 : 1로 혼합 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 10과 동일하게 실험, 평가하였다.
상기의 실험 결과는 표 1에 정리하였다.
[표 1]
Glass frit SiO2 SiO2 + Glass frit
Ethyl-cellulose 내산성 △ ○ ○
패턴
분해성		 EtOH ○ ○ ○
Acetone △ △ △
Poly-acrylate 내산성 ○ ○ ○
패턴
분해성		 EtOH △ △ △
Acetone △ △ △
상기 표 1에서 알 수 있듯이, 충진제로서 글래스 프릿을 사용하는 것 보다 실리카 또는 실리카와 글래스 프릿을 혼합하여 사용하는 경우가 패턴이 덜 에칭되어 마스크 패턴의 내산성이 좋은 것으로 나타났다. 글래스 프릿의 경우 실리카에 비해 모양이 불규칙하므로 바인더와 혼합해도 표면이 거칠어 산 용액에 의한 침투가 훨씬 빠르게 이루어지는 것으로 생각된다.
또한, 폴리아크릴레이트를 바인더로 사용하는 경우, 에틸셀룰로오스에 비해 질산, 황산 등에 대한 내산성이 강하여 충진제의 종류에 관계없이 대부분 패턴 에칭이 거의 없는 것으로 나타났으나, 에탄올, 아세톤 등의 유기용제에 의한 패턴 분해시 잘 분해되지 않아 마스크 패턴이 실리콘 기판 상에 일부 잔류하는 것을 알 수 있었다.
따라서, 상기와 같은 결과를 볼 때, 에틸셀룰로오스가 폴리아크릴에이트보다 내산성은 동등 수준이거나 또는 약간 못 미치지만, 유기용제에 의해 완전히 분해될 수 있기 때문에 마스크 패턴 제조를 위한 페이스트의 바인더로서 적합한 것으로 판단된다.
<면저항 특성 평가>
[실시예 13]
충진제로서 글래스 프릿(glass frit)과 실리카(SiO2)의 1 : 1 혼합 분말을 페이스트 중량 대비 25 wt% 사용하고, 미세 패턴이 아닌 웨이퍼 면적의 1/2을 차지하는 넓은 개구부를 가진 스크린 마스크를 사용하여 상기 페이스트를 스크린 프린팅한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 선택적 에미터를 제조하였다.
상기 웨이퍼의 패터닝된 부분과 패터닝되지 않고 에칭된 부분의 면저항을 4-point probe로 측정하였다.
[실시예 14]
충진제로서 실리카(SiO2)분말을 페이스트 중량 대비 40 wt% 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 13과 동일한 방법으로 실험, 평가하였다.
[실시예 15]
충진제로서 실리카(SiO2)분말을 페이스트 중량 대비 25 wt% 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 13과 동일한 방법으로 실험, 평가하였다.
상기 면 저항 특성 평가 결과를 표 2에 나타내었다.
[표 2]
GF+SiO2 25wt% SiO2 40wt% SiO2 25wt%
인쇄두께 < 10 ㎛ 10 ~ 15 ㎛ < 10 ㎛
마스킹된 부분 67.18 Ω 62.03 Ω 63.25 Ω
68.91 Ω 61.39 Ω 65.02 Ω
69.14 Ω 62.75 Ω 68.73 Ω
마스킹되지 않은 부분 215.1 Ω 241.8 Ω 215.8 Ω
205.3 Ω 236.8 Ω 206.7 Ω
220.9 Ω 237.1 Ω 222 Ω
상기 실시예 13 내지 15의 선택적 에미터를 제조하기 전, 인(P) 도핑된 실리콘 웨이퍼의 면저항이 50Ω 수준이었던 것을 감안하면 상기 마스킹되어 선택적 에미터가 형성된 부분도 면저항이 약간 증가하기는 하였으나, 마스킹되지 않은 부분의 저항이 200Ω 이상으로 증가된 것과 비교할 때, 상기 마스킹 부분은 10 ~ 15Ω 정도만 증가하여, 상기 실시예 13 내지 15에서 제조된 선택적 에미터가 접촉저항 감소에 효과가 있는 것으로 나타났다. 한편, 마스크 패턴의 두께를 조절함으로써 상기 저항값의 조절도 가능한 것으로 생각된다.
도 1은 종래 상용 태양전지의 스크린 프린팅에 의한 제조공정의 흐름도이다.
도 2는 종래 선택적 에미터 공정을 포함하는 태양전지 제조공정의 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 선택적 에미터 공정을 포함하는 태양전지 제조공정의 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 선택적 에미터 공정을 포함하는 태양전지 제조공정의 모식도이다.
<도면부호의 설명>
1 : 실리콘 웨이퍼
2 : 인(P) 도핑된 n 타입 층
3 : 마스크 패턴
4 : 선택적 에미터
5 : 반사방지막(SiNx막)
6 : Ag 전극
7 : Al 전극

Claims (11)

  1. a) 제 1표면에 고농도의 불순물이 도핑된 실리콘 기재를 준비하는 단계;
    b) 에칭액에는 용해되지 않고, 마스크 제거액에는 용해되는 고분자 바인더; 용매; 및 무기 충진제를 포함하는 페이스트를 상기 실리콘 기재 상에 스크린 프린팅하여 마스크 패턴을 제조하는 단계;
    c) 상기 실리콘 기재 상의 마스크 패턴이 형성되지 않은 부분을 에칭액 중에서 에칭하여, 제 1표면의 불순물 농도보다 낮은 불순물 농도를 갖는 제 2 표면을 노출하고, 상기 제 2 표면보다 높은 불순물농도를 갖는 선택적 에미터를 형성하는 단계; 및
    d) 마스크 제거액 중에서 상기 선택적 에미터 상의 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하며,
    상기 마스크 제거액은 알코올(alcohol)류, 글리콜(glycol)류, 에테르(ether)류, 에스테르(ester)류 및 케톤(Ketone)류로 구성된 군에서 선택된 유기용매를 포함하는 것이 특징인 실리콘 태양전지용 선택적 에미터(selective emitter)의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 에칭액은 무기산 또는 유기산을 포함하는 것이 특징인 실리콘 태양전지용 선택적 에미터의 제조방법.
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서, 상기 마스크 제거액은 무기산 또는 유기산을 더 포함하는 것이 특징인 실리콘 태양전지용 선택적 에미터의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 b)단계에서 페이스트를 20 ~ 200 ℃ 범위로 건조하거나 또는 자외선 조사에 의해 경화하여 마스크 패턴을 형성하는 것이 특징인 실리콘 태양전지용 선택적 에미터의 제조방법.
  6. 에칭액에는 용해되지 않고, 마스크 제거액에는 용해되는 고분자 바인더; 용매; 및 무기 충진제를 포함하며,
    상기 마스크 제거액은 알코올(alcohol)류, 글리콜(glycol)류, 에테르(ether)류, 에스테르(ester)류 및 케톤(Ketone)류로 구성된 군에서 선택된 유기용매를 포함하는 것이 특징인 실리콘 태양전지용 선택적 에미터 형성에 사용되는 마스크 패턴 제조용 페이스트.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 고분자 바인더는 100 내지 100만의 분자량을 갖는 것으로서, 에틸셀룰로스, 아크릴레이트수지, 에폭시수지, 폴리스티렌 및 폴리프로필렌으로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인, 실리콘 태양전지용 선택적 에미터 형성에 사용되는 마스크 패턴 제조용 페이스트.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 용매는 카비톨계, 터피놀계 및 텍사놀계로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 실리콘 태양전지용 선택적 에미터 형성에 사용되는 마스크 패턴 제조용 페이스트.
  9. 제 6항에 있어서, 상기 무기 충진제는 금속, 금속산화물 및 글래스 프릿(glass frit)로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 실리콘 태양전지용 선택적 에미터 형성에 사용되는 마스크 패턴 제조용 페이스트.
  10. 제 6항에 있어서, 유기금속화합물 및 용매로 구성된 SOG(spin on glass) 물질을 포함하는 것이 특징인 실리콘 태양전지용 선택적 에미터 형성에 사용되는 마스크 패턴 제조용 페이스트.
  11. 제 1항, 제 2항, 제 4항 및 제 5항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 선택적 에미터가 형성된 실리콘 태양전지.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101206250B1 (ko) * 2009-10-13 2012-11-28 주식회사 엘지화학 식각 마스크 패턴 형성용 페이스트 및 이의 스크린 인쇄법을 이용한 실리콘 태양전지의 제조방법
KR101154095B1 (ko) * 2010-05-17 2012-06-11 주식회사 신성솔라에너지 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101714779B1 (ko) 2010-10-11 2017-03-09 엘지전자 주식회사 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101101587B1 (ko) * 2010-12-08 2012-01-02 현대중공업 주식회사 실리콘 태양전지의 선택적 에미터 형성 방법
KR101207504B1 (ko) * 2010-12-16 2012-12-05 한국생산기술연구원 채널 구조의 유기박막 태양전지 제조방법
KR101729304B1 (ko) * 2010-12-21 2017-04-21 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US9368655B2 (en) 2010-12-27 2016-06-14 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
CN102779898A (zh) * 2012-06-27 2012-11-14 友达光电股份有限公司 制作太能阳电池的方法
KR101447781B1 (ko) * 2012-09-18 2014-10-07 주식회사 세아엔지니어링 염료감응 태양전지 제조를 위한 자외선 처리 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040110393A1 (en) * 2001-02-02 2004-06-10 Adolf Munzer Method for structuring an oxide layer applied to a substrate material
KR20050033530A (ko) * 2001-10-10 2005-04-12 메르크 파텐트 게엠베하 조합된 에칭 및 도핑 물질
KR20060066280A (ko) * 2004-12-13 2006-06-16 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 및 그 제조방법
KR20070106818A (ko) * 2006-05-01 2007-11-06 주식회사 엘지화학 실리콘 태양전지의 선택적 에미터의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040110393A1 (en) * 2001-02-02 2004-06-10 Adolf Munzer Method for structuring an oxide layer applied to a substrate material
KR20050033530A (ko) * 2001-10-10 2005-04-12 메르크 파텐트 게엠베하 조합된 에칭 및 도핑 물질
KR20060066280A (ko) * 2004-12-13 2006-06-16 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 및 그 제조방법
KR20070106818A (ko) * 2006-05-01 2007-11-06 주식회사 엘지화학 실리콘 태양전지의 선택적 에미터의 제조방법

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