CN102097538A - 一种选择性发射极太阳能电池开槽方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种选择性发射极太阳能电池开槽方法，其特征在于，它是把蚀刻浆印刷在电池片被去除物质位置的衬底上，然后把蚀刻浆和衬底一起加热，并把衬底放在去离子化的洁净水中清洗，最后进行干燥。本发明清洗过程中不需要有机洗涤剂，不含氟化物/氯气，可以用在选择性发射集的硅片上，银电极的遮光面积也可以减小。
Description
技术领域
本发明涉及电池技术领域，更具体的是涉及一种选择性发射极太阳能电池开槽方法。
背景技术
太阳能电池是一种利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，又叫光伏器件。将太阳光能转换成电能的固体半导体器件，又称太阳能电池或光电池，是太阳电池阵电源系统的重要元件。太阳能电池主要有单晶硅电池和单晶砷化镓电池等。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种设备投资少，方法简单，不需要有机洗涤剂，不含氟化物、氯气的选择性发射极太阳能电池开槽方法。
本发明是采用如下技术解决方案来实现上述目的：一种选择性发射极太阳能电池开槽方法，其特征在于，它是把蚀刻浆印刷在电池片被去除物质位置的衬底上，然后把蚀刻浆和衬底一起加热，并把衬底放在去离子化的洁净水中清洗，最后进行干燥。
作为上述方案的进一步说明，印刷前把硅片加热至在300至350度，用生产线上使用的印刷机将蚀刻浆印刷到进行过PECVD的硅片上， 网版取230-250目，耐酸乳胶膜，线径为20-25um，乳胶膜厚度20um ，印刷速度为110-150 mm/s 。为了银浆印刷更好对准，深扩散部分的线宽可以加大。最后使用去离子水进行清洗。
本发明采用上述技术解决方案所能达到的有益效果是：
本发明清洗过程中不需要有机洗涤剂，不含氟化物，氯气，对覆盖在制绒硅片上70纳米厚度氮化硅的蚀刻分辨率量级为80微米，可以用在选择性发射集的硅片上。银电极的遮光面积也可以减小。
具体实施方式
本发明一种选择性发射极太阳能电池开槽方法，它把蚀刻浆印刷在被去除物质位置的衬底上，接着把蚀刻浆和衬底一起加热，只有覆盖蚀刻浆的部位会被蚀刻掉；然后把衬底放在去离子化的洁净水中清洗，被蚀刻的物质和蚀刻浆会被清洗出去；最后进行干燥。印刷前把硅片加热至在300至350度，用生产线上使用的印刷机将蚀刻浆印刷到进行过PECVD的硅片上， 网版取230-250目，耐酸乳胶膜，线径为20-25um，乳胶膜厚度20um ，印刷速度为110-150 mm/s 。为了银浆印刷更好对准，深扩散部分的线宽可以加大。最后使用去离子水进行清洗。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种选择性发射极太阳能电池开槽方法，其特征在于，它是把蚀刻浆印刷在电池片被去除物质位置的衬底上，然后把蚀刻浆和衬底一起加热，并把衬底放在去离子化的洁净水中清洗，最后进行干燥。
2.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池开槽方法，其特征在于，印刷前把硅片加热至在300至350度，用生产线上使用的印刷机将蚀刻浆印刷到进行过PECVD的硅片上， 网版取230-250目，耐酸乳胶膜，线径为20-25um，乳胶膜厚度20um ，印刷速度为110-150 mm/s 。
Priority Applications (1)
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Citations (3)
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| US20040242019A1 (en) * | 2001-10-10 | 2004-12-02 | Sylke Klein | Combined etching and doping substances |
| CN1679147A (zh) * | 2002-09-04 | 2005-10-05 | 默克专利有限公司 | 用于硅表面和层的蚀刻糊 |
| CN101098833A (zh) * | 2005-01-11 | 2008-01-02 | 默克专利股份有限公司 | 用于二氧化硅和氮化硅层的蚀刻的可印刷介质 |
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2010
- 2010-12-18 CN CN2010105941959A patent/CN102097538A/zh active Pending
Patent Citations (3)
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