CN1679147A - 用于硅表面和层的蚀刻糊 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 146
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 54
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 54
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 32
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 25
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 16
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 claims description 15
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 claims description 8
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 7
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 claims description 7
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- -1 DPG Substances 0.000 claims description 6
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 claims description 6
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 6
- TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 1-O-galloyl-3,6-(R)-HHDP-beta-D-glucose Natural products OC1C(O2)COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC1C(O)C2OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 239000001263 FEMA 3042 Substances 0.000 claims description 5
- LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N Penta-digallate-beta-D-glucose Natural products OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N 0.000 claims description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 5
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 claims description 5
- LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N tannic acid Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N 0.000 claims description 5
- 229940033123 tannic acid Drugs 0.000 claims description 5
- 235000015523 tannic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 229920002258 tannic acid Polymers 0.000 claims description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 4
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 4
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 4
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 claims description 4
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N propylene glycol Substances CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 claims description 4
- NMRPBPVERJPACX-UHFFFAOYSA-N (3S)-octan-3-ol Natural products CCCCCC(O)CC NMRPBPVERJPACX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WOFPPJOZXUTRAU-UHFFFAOYSA-N 2-Ethyl-1-hexanol Natural products CCCCC(O)CCC WOFPPJOZXUTRAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CVYANEKTPUSMIM-UHFFFAOYSA-N 4,4,6,6-tetramethylnonan-5-one Chemical compound CCCC(C)(C)C(=O)C(C)(C)CCC CVYANEKTPUSMIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002907 Guar gum Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 claims description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- 125000004494 ethyl ester group Chemical group 0.000 claims description 3
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000665 guar gum Substances 0.000 claims description 3
- 235000010417 guar gum Nutrition 0.000 claims description 3
- 229960002154 guar gum Drugs 0.000 claims description 3
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 3
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 3
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 claims description 3
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 claims description 3
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical group C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 2
- 229920003090 carboxymethyl hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims description 2
- 239000000230 xanthan gum Substances 0.000 claims description 2
- 235000010493 xanthan gum Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940082509 xanthan gum Drugs 0.000 claims description 2
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 3
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJHCJDRQFCCTHL-UHFFFAOYSA-N acetic acid 2,3,4,5,6-pentahydroxyhexanal Chemical compound CC(O)=O.OCC(O)C(O)C(O)C(O)C=O VJHCJDRQFCCTHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPXJVFZANSGRMM-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2,3,4,5,6-pentahydroxyhexanal;sodium Chemical compound [Na].CC(O)=O.OCC(O)C(O)C(O)C(O)C=O DPXJVFZANSGRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 229960001631 carbomer Drugs 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 229920003086 cellulose ether Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- DMKSVUSAATWOCU-HROMYWEYSA-N loteprednol etabonate Chemical compound C1CC2=CC(=O)C=C[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@@](C(=O)OCCl)(OC(=O)OCC)[C@@]1(C)C[C@@H]2O DMKSVUSAATWOCU-HROMYWEYSA-N 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 235000019812 sodium carboxymethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001027 sodium carboxymethylcellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229960001124 trientine Drugs 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
- 150000008495 β-glucosides Chemical class 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
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- H01L21/0201—Specific process step
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
本发明涉及用于全表面或选择性蚀刻硅表面和层的蚀刻糊形式的新型蚀刻介质及其用途。
Description
本发明涉及用于全表面(full-area)和选择性蚀刻硅表面和层的蚀刻糊形式的新型蚀刻介质及其用途。
现有技术
在光电池、电子器件和半导体工业中,经常要通过湿法化学法在浸渍浴中蚀刻硅表面和层。这种全表面蚀刻可以在酸性介质(各向同性蚀刻)或在碱性介质(各向异性蚀刻)中进行。在酸性蚀刻中,常常使用氢氟酸和硝酸的混合物,在碱性介质中,常常使用强碱,例如氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、氢氧化四甲铵(TMAH)等。
为制造规定的精密蚀刻图案/结构(例如埋入式结构),在全表面蚀刻(例如抛光蚀刻、纹理蚀刻)之外,在实际蚀刻步骤之前必须经过材料密集、耗时且昂贵的工序,例如本领域技术人员已知的光刻掩蔽工艺。
在这种掩蔽工艺中,原材料是硅片。在其上通过热氧化作用制造致密氧化层,并如下建构该氧化层。
通过涂上光致抗蚀剂、干燥、使用光掩模暴露在UV光下、随后显影来使氧化物在所需位置上暴露出来,然后使用氢氟酸去除。随后例如使用溶剂去除(“剥除”)残存的光致抗蚀剂。然后在强碱(例如30%的KOH)中选择性地在没有被氧化物覆盖的位置上蚀刻如上制得的带有氧化物掩模的硅片。氧化物掩模对碱具有抗蚀性。对硅进行选择性蚀刻后,通常再使用氢氟酸去除氧化物掩模。
这种光刻法由于成本原因不用于太阳能电池的工业生产[1]。然而,硅表面或层的选择性建构/开口必须通过下列程序进行。
在标准硅太阳能电池的制造方法中,通过例如在POCl3烘箱中的气体扩散在p-掺杂晶片上形成光电效应所必须的p-n结。在该方法中,在整个晶片周围形成厚度约为500纳米的n-掺杂硅层,该硅层必须部分开口/切割以用于此后的光致电压应用。
这种开口可以通过机械方法、激光切割法或干法蚀刻法(例如等离子体蚀刻)进行。
机械切割-例如在生成过程的最后步骤(金属化之后)中磨削电池边缘-的缺点在于硅材料(和金属糊)的大量损耗、机械应力和太阳能电池中晶体缺陷的形成。
等离子体蚀刻是用氟化烃,例如CF4或C2F6气体,在昂贵的真空设备中进行。在此方法中,预先将电池堆叠在一起并在等离子体-蚀刻组件中蚀刻电池边缘。此方法会在堆叠过程中产生严重的操作问题并产生较高的晶片破损率。这些技术问题在将来甚至会进一步加剧,这是因为由于材料成本高,将来的目标是使用比目前常用的厚度为250-330微米的衬底更薄的多晶硅起始衬底(<200微米)。
由于点状激光源的必要的线性(XY)运动,通过激光进行p-n结的隔离是一种耗时且处理量有限的方法。投资费用可观。此外,还会产生局部晶体缺陷。
在昂贵的制造选择性发射极的方法(这些方法目前仅以实验室规模开发和使用)中,使用的是上述光刻氧化物掩蔽法。氧化物以使得之后存在触点的区域不被掩蔽的方式掩蔽晶片。在未掩蔽的区域对受掩蔽的晶片进行磷扩散和n++掺杂。去除氧化物掩模后,整个晶片被n+掺杂[2]。
这样制得的太阳能电池具有选择性发射极,即具有深度为2-3微米、掺杂浓度约为1×1020cm-3的高度掺杂的n++区域(没有氧化物掩模并且以后位于触点下方的区域),和在整个太阳能电池上的掺杂浓度约为1×1019cm-3的平面(0.5-1微米)n+掺杂发射极。
另一种光刻法是使用丝网印刷成的接触线作为蚀刻掩模。湿法化学蚀刻和等离子体-化学蚀刻都在文献中有所描述。将丝网印刷成的太阳能电池浸入HF/HNO3混合物中的缺点一除了预定的接触线之间硅的去除之外一是对接触线下方的硅的侵蚀和对金属接触线自身的腐蚀破坏。这导致填充系数的迅速减损[3]。
等离子体-化学蚀刻(反应性离子蚀刻,RIE)是使用气体(例如SF6或SF6/O2)在昂贵的真空设备中进行,并已为该方法做出大量的技术最优化努力[4]、[5]、[6]。
除了形成选择性发射极之外,还以提高太阳能电池的抗反射性能的方式在该发射极一侧上构建(粗糙化、“结构化”)硅表面。
本发明的目标是找出材料损耗较低且较为廉价的开放(opening)太阳能电池中的p-n结的方法。
因此,本发明的目标还包括提供一种简单廉价的方法,其可在太阳能电池工业中实施,并可以通过该方法选择性地蚀刻硅表面以制造发射极并提高抗反射性能。同时,本发明的一个目标是提供一种实施该蚀刻法用的廉价蚀刻剂。
具体通过增稠的碱液形式的用于蚀刻硅表面和层的蚀刻介质实现上述目标,其中蚀刻过程是在碱性、含溶剂的液体中进行的。
因此通过提供一种可以迅速且选择性地,例如使用丝网印刷机或分配器,施用于待蚀刻区域并由此明显使蚀刻化学品的消耗和太阳能电池上材料的损耗最小化的廉价蚀刻糊来实现该目标。
除了上述开放太阳能电池的p-n结之外,使用蚀刻糊选择性地蚀刻硅能够大规模地生产选择性(及两级)发射极并提高太阳能电池的抗反射性能。
本发明因此有别于将碱性粘性盐溶液施用于例如陶瓷部件并干燥(溶剂蒸发)、并在300-400℃的碱性熔体中进行实际蚀刻过程的方法[7]。
本发明是蚀刻糊形式的可印刷和可分布(dispensable)蚀刻介质,其含有:
a.至少一种溶剂
b.增稠剂和
c.非必要的例如消泡剂、触变剂、流动调节剂、脱气剂和增粘剂之类的添加剂,
并且该蚀刻介质在70至150℃下有效和/或如果需要可以通过输入能量使其活化。
这种蚀刻介质含有作为蚀刻组分的有机或无机碱,其浓度为总量的2至50重量%,优选为5至48重量%。
可以使用的蚀刻组分是选自由氢氧化钠、氢氧化钾、氨、乙醇胺、乙二胺、氢氧化四烷基铵、或乙二胺/邻苯二酚和乙醇胺/鞣酸混合物中之一组成的组的至少一种组分。
本发明因此涉及含有溶剂的蚀刻介质,该溶剂选自由以下物质组成的组:水、异丙醇、二甘醇、二丙二醇、聚乙二醇、1,2-丙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丁二醇、甘油、1,5-戊二醇、2-乙基-1-己醇或它们的混合物,或选自由以下物质组成的组:苯乙酮、甲基-2-己酮、2-辛酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、1-甲基-2-吡咯烷酮、乙二醇单丁醚、乙二醇单甲醚、三甘醇单甲醚、二甘醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、羧酸酯,例如乙酸[2,2-丁氧基(乙氧基)]乙酯、碳酸亚丙酯等,或使用其混合物,使用量是介质总量的10至90重量%,优选15至85重量%。
本发明的蚀刻介质进一步含有增稠剂,其选自由以下物质组成的组:羟烷基瓜尔豆胶(hydroxyalkylguar)、黄原酸胶、纤维素和/或乙基纤维素、羟丙基纤维素或羟乙基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基羟乙基纤维素钠、以丙烯酸、丙烯酸酯和甲基丙烯酸烷基酯(C10-C30)的官能化乙烯单元为基础的均聚物或共聚物,它们单独或混合使用,其含量为蚀刻介质总量的0.5至25重量%,优选1至10重量%。
除了这些组分外,还可以存在占总量0至2重量%的选自由消泡剂、触变剂、流动调节剂、脱气剂和增粘剂组成的组的添加剂。
本发明还涉及蚀刻硅表面和层的方法,其中将本发明的蚀刻介质施用于在整个表面上或根据蚀刻结构掩模仅专门涂布于需要进行蚀刻的区域,并在30秒至5分钟的作用时间后去除蚀刻介质。
按照本发明,蚀刻介质在70至150℃发挥作用。如果需要,通过输入能量、优选利用IR辐射使其活化。
在本发明的方法中,通过丝网印刷、模板印刷、压印、印花印刷(stampprinting)印刷、喷墨印刷或手工印刷法或通过分布技术将蚀刻介质施用到待蚀刻的表面上。作用之后并且在完成蚀刻时,使用溶剂或溶剂混合物冲洗掉蚀刻介质。
本发明的蚀刻介质可用于光电池、半导体技术、高性能电子设备中,特别是用于制造光电二极管、电路、电子元件、或用于为隔离太阳能电池中的p-n结而进行的硅表面和层的蚀刻。它们也可用于为制造太阳能电池的选择性发射极而进行的硅表面和层的蚀刻、用于为提高抗反射性能而进行的太阳能电池的硅表面和层的蚀刻、用于半导体元件及其电路的制造工艺中的硅表面和层的蚀刻、或用于高性能电子设备中的元件制造工艺中的硅表面和层的蚀刻。
发明目的
本发明的目的是使用蚀刻糊在整个表面蚀刻或选择性地建构半导体表面和层,特别是硅表面和层。适合将蚀刻糊转移到待蚀刻区域的具有高度自动化和高处理量的技术是印刷和分布。具体而言,丝网印刷、模板印刷、压印、印花印刷和喷墨印刷法以及分布方法是本领域技术人员已知的。手工涂敷,例如利用刷子/施料辊也是可行的。
根据丝网、模板、印版(klischee)或印花的设计或墨盒或计量单元控制,可以将本发明描述的蚀刻糊施用于整个表面上或选择性地根据蚀刻结构掩模仅施用于需要蚀刻的区域。在这种情况下所有的掩蔽和光刻步骤都是多余的。
由此可以明显缩短并更廉价地进行使用复杂掩蔽的建构方法和激光建构之类的方法,或者可以用印刷和分布技术代替容易产生技术缺陷的方法,例如等离子体蚀刻法。此外,由于蚀刻糊仅施用于待蚀刻的区域,因而可以明显降低蚀刻方法中蚀刻化学品的消耗。
特别是在制造硅太阳能电池中的隔离p-n结的过程中,通过蚀刻糊的使用可以实现下列优点:
●无需昂贵的等离子体-蚀刻装置
●降低电池的高破损率
●将机械分离过程中的材料高损耗最小化
●避免表面缺陷
在使用蚀刻糊制造选择性发射极时,同样可以用氧化物掩蔽和昂贵的等离子体蚀刻进行分布。此外,蚀刻糊的选择性施用避免了接触区的蚀刻不足(underetching)。由于无需掩蔽,即使使用丝网印刷成的金属接触线,也不会对触点造成蚀刻损坏。
还应该指明的是,与迄今使用的光刻法、等离子体-化学法和激光法相比,使用本发明的蚀刻糊可以使选择性发射极的制造和抗反射性能的提高明显缩短和简化。晶片在整个表面上被均匀n++掺杂。触点之间的区域被蚀刻糊蚀刻掉,由此被n+掺杂并且抗反射性能得到提高。由此省却了多个工序。
蚀刻操作优选在输入能量(例如热辐射形式(IR灯)或利用电热板)的情况下进行。蚀刻完成时,使用合适的溶剂或溶剂混合物冲洗掉蚀刻表面的蚀刻糊。
根据应用、蚀刻结构的所需蚀刻深度和/或边缘锐度及蚀刻温度设置,蚀刻期间可以在数秒至数分钟之间。
蚀刻糊含有下列组分:
●蚀刻组分
●溶剂
●增稠剂
●如果需要还可以含有添加剂,例如消泡剂、触变剂、流动调节剂、脱气剂和增粘剂
为了蚀刻元素周期表第4主族中的半导体元素,例如硅,可以使用浓苛性碱液[7]。因此本发明中描述的蚀刻糊的蚀刻作用是基于使用碱性的、可以蚀刻硅的溶液。
基于HF或氟化物的酸性蚀刻糊—如所述的针对氧化物的蚀刻糊[8]、[9]—对硅没有表现出蚀刻作用。
本发明所述的蚀刻糊中使用的碱性蚀刻组分可以是无机碱的水溶液,例如氢氧化钠、氢氧化钾、氨,也可以是有机基的碱性蚀刻混合物,例如乙二胺/邻苯二酚、乙醇胺/鞣酸、氢氧化四烷基铵或其中两种的组合。
所用蚀刻组分的比例是占蚀刻糊总重量的2至50重量%,优选5至48重量%的浓度范围。特别优选的是其中蚀刻组分的存在量为10至45重量%的蚀刻介质。特别合适的是其中蚀刻组分的存在量为占蚀刻糊总重量的30至40重量%的蚀刻介质,因为已经发现这种蚀刻介质的蚀刻速率有利于促进p-n结的完全开放且易于获得高处理量,同时表现出高选择性。
蚀刻组分在70至150℃时在蚀刻糊中有效。在硅表面和层上,低于100℃获得了低于1微米的蚀刻深度,而在高于100℃的温度下获得了最高达2至3微米的蚀刻深度。
合适的无机和/或有机溶剂和/或它们的混合物可以是:
●水
●简单或多元醇(例如异丙醇、二甘醇、二丙二醇、聚乙二醇、1,2-丙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丁二醇、甘油、1,5-戊二醇、2-乙基-1-己醇)或它们的混合物
●酮类(例如苯乙酮、甲基-2-己酮、2-辛酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、1-甲基-2-吡咯烷酮)
●醚类(例如乙二醇单丁醚、乙二醇单甲醚、三甘醇单甲醚、二甘醇单丁醚、二丙二醇单甲醚)
●羧酸酯(例如乙酸[2,2-丁氧基(乙氧基)]乙酯)
●碳酸酯(例如碳酸亚丙酯)
优选使用水和选自由醚类和酮类组成的组的溶剂。
水已经证明是特别适合的。
溶剂的比例是蚀刻糊总重量的10至90重量%,优选15至85重量%。特别优选的组合物已经证明是其中溶剂含量为蚀刻糊总重量55-75重量%的组合物。
可以使用在液相中膨胀的可形成网状物的增稠剂调整本发明所述蚀刻糊的粘度,并且该粘度可根据所需应用领域变化。
可能的增稠剂是基于例如官能化的乙烯基单元之类的单体单元(例如丙烯酸、丙烯酸酯和甲基丙烯酸烷基酯(C10-C30))的交联和不交联的均聚物和共聚物,和羟烷基瓜尔豆胶、黄原胶和β-糖苷连接的葡萄糖单体,即纤维素和/或纤维素衍生物,例如纤维素醚,特别是乙基纤维素、羟丙基纤维素或羟乙基纤维素、羧甲基纤维素、及纤维素的乙醇酸醚的盐,特别是羧甲基纤维素钠。这些增稠剂可以单独使用和/或与其它增稠剂结合使用。优选使用羧甲基纤维素的盐和交联的丙烯酸聚合物作为增稠剂。羧甲基纤维素(Finnfix)和交联的丙烯酸均聚物(Carbomers)已经证明非常适合此用途。
具体设置粘度范围和形成可印刷或可分布糊所必须的增稠剂的比例是蚀刻糊总重量的0.5至25重量%、优选1至10重量%。特别合适的组合物已经证明是那些增稠剂的存在量为1.5至6重量%的组合物。
具有对所需用途有利的性能的添加剂是消泡剂(例如TEGOFoamexN(二甲基聚硅氧烷))、触变剂(例如BYK410(改性尿素)、BorchigelThixo2)、流动调节剂(例如TEGOGlide ZG400(聚醚-硅氧烷共聚物))、脱气剂(例如TEGOAirex 986(具有硅酮尖端的聚合物))和增粘剂(例如BayowetFT 929(氟化表面活性剂))。这些物质对蚀刻糊的可印性和可分布性具有积极影响。添加剂的比例为蚀刻糊总重量的0至2重量%。
经过实验发现,用于制备蚀刻介质的组分的选择和蚀刻介质中各组分互相之间的混合比率都是非常重要的。根据蚀刻介质施用于待蚀刻区域的方式,可以不同地设定各组分互相之间的百分比,因为其中溶剂和增稠剂的含量特别会极大地影响粘度和流动性或触变性的设定。溶剂和增稠剂的含量会反过来影响蚀刻性能。根据本发明方法的应用类型,本领域技术人员可以选择进行过相应调整的蚀刻介质组成。
应用领域
本发明蚀刻糊的应用领域是:
●太阳能电池工业
●半导体工业
●高性能电子器件
本发明的蚀刻糊可用于所有需要对硅表面或层进行全表面和/或结构化蚀刻的领域。因此,在各种情况下,在硅表面或层中,可以在全表面或者选择性地将单个结构体蚀刻到所需的深度。
应用领域是,例如:
●制造光电元件,例如太阳能电池、光电二极管之类的元件,特别是隔离硅太阳能电池中的p-n结和部分去除掺杂层(选择性发射极)所需的所有蚀刻步骤(与建构步骤同义),包括硅表面和层的表面清洁/粗糙化
●制造半导体元件和电路所需的所有在硅表面和层上进行的蚀刻步骤
●制造高性能电子器件(IGBT、功率可控硅整流器、GTO等等)中的元件所需的所有在硅表面和层上进行的蚀刻步骤。
为了更好地理解和阐释本发明,下面给出实施例,它们落入本发明的保护范围内,但是不能将本发明限于这些实施例。
实施例
实施例1
40.0克KOH
59.0克去离子水
1.5克乙二醇单丁醚
4.9克Carbomer(丙烯酸均聚物)
将这些化学制剂称入烧杯中,混合并溶解,搅拌加入增稠剂。
将混合物在短时间静置后转移到容器中。该混合物产生蚀刻糊,用该蚀刻糊在输入和/或不输入能量的情况下可例如将硅表面和层在整个表面上或在结构体中特定地蚀刻到所需深度。
将蚀刻糊例如通过丝网印刷或使用分布器(例如销钉直径260微米)施用于硅表面上,并在电热板上于100℃蚀刻3分钟。在n-掺杂(100)的硅片上制造线宽约为1毫米的蚀刻结构体时,确定的蚀刻深度(取决于印刷和分布参数)是0.3至1微米。可以通过增加KOH浓度和线宽来增加蚀刻深度。对于4毫米的线宽和20至50重量%的KOH浓度而言,蚀刻深度是2至3微米。
制成的蚀刻糊在储存时稳定,易于处理而且可印刷。可以使用溶剂,例如使用水,将其从印刷表面或层或从糊的载体(筛网、刮刀、模板、印模、印版、墨盒等)上去除。
实施例2
8.0克KOH
26.4克去离子水
4.0克N-甲基吡咯烷酮
2.3克羧甲基纤维素的钠盐(Finnfix)
如实施例1所述进行分批和处理。
使用分布器(销钉直径450微米)将蚀刻糊施用于硅表面,并于130℃的蚀刻温度蚀刻3分钟。在n-掺杂(100)硅片上制造线宽约为1毫米的蚀刻结构体时,确定的蚀刻深度(取决于印刷和分布参数)是0.2至1微米。
实施例3
37.8重量%的水
0.8重量%的乙醇胺
50.0重量%的乙二醇
4.7重量%的氢氧化四乙铵
4.7重量%的氢氧化四丙铵
0.3重量%的鞣酸
<0.1重量%的吡嗪
1.8重量%的羧甲基纤维素的钠盐(Finnfix)
如实施例1所述进行分批和处理。
通过丝网印刷或使用分布器(销钉直径450微米)将蚀刻糊施用于硅表面,并于130℃的蚀刻温度蚀刻3分钟。在制造线宽约为1毫米的蚀刻结构体时确定的蚀刻深度在硅片上约为200纳米。
实施例4
39.4重量%的去离子水
49.3重量%的乙二醇
4.9重量%的氢氧化四乙铵
4.9重量%的氢氧化四丙铵
1.5重量%的羧甲基纤维素的钠盐(Finnfix)
如实施例1所述进行分批和处理。
通过丝网印刷或使用分布器(销钉直径450微米)将蚀刻糊施用于硅表面,并于130℃的蚀刻温度蚀刻3分钟。在制造线宽约为1毫米的蚀刻结构体时确定的蚀刻深度在硅片上约为300纳米。
实施例5
50体积%的氢氧化四乙铵
20体积%的乙二胺
20体积%的去离子水
10体积%的三亚乙基四胺
0.25克鞣酸
<0.1重量%的吡嗪
3重量%的黄原胶
如实施例1所述进行分批和处理。
通过丝网印刷或使用分布器(销钉直径450微米)将蚀刻糊施用于硅表面,并于100℃的蚀刻温度蚀刻3分钟。在制造线宽约为4毫米的蚀刻结构体时确定的蚀刻深度在硅片上约为1微米。
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Claims (18)
1.用于蚀刻硅表面和层的蚀刻介质,其特征在于该蚀刻介质是增稠的、碱性液体。
2.按照权利要求1的可印刷蚀刻介质,其特征在于它是含有下列物质的蚀刻糊:
a.至少一种溶剂
b.增稠剂和
c.非必要的的添加剂,例如消泡剂、触变剂、流动调节剂、脱气剂和增粘剂之类,
而且该蚀刻介质在低至70至150℃的温度下有效,和/或如果需要可以通过输入能量使其活化。
3.按照权利要求1和2的蚀刻介质,其特征在于含有作为蚀刻组分的有机碱或无机碱,其浓度为总量的2至50重量%,优选5至48重量%。
4.按照权利要求3的蚀刻介质,其特征在于含有至少一种选自由以下物质组成的组的组分作为蚀刻组分:氢氧化钠、氢氧化钾、氨、乙醇胺、乙二胺、氢氧化四烷基铵、或乙二胺/邻苯二酚和乙醇胺/鞣酸混合物中之一。
5.按照权利要求2的蚀刻介质,其特征在于所述溶剂选自由以下物质组成的组:水、异丙醇、二甘醇、二丙二醇、聚乙二醇、1,2-丙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丁二醇、甘油、1,5-戊二醇、2-乙基-1-己醇或它们的混合物,或选自由以下物质组成的组:苯乙酮、甲基-2-己酮、2-辛酮、4-羟基4-甲基-2-戊酮、1-甲基-2-吡咯烷酮、乙二醇单丁醚、乙二醇单甲醚、三甘醇单甲醚、二甘醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、羧酸酯,例如乙酸[2,2-丁氧基(乙氧基)]乙酯、碳酸亚丙酯等,单独使用或以混合物使用,使用量是介质总量的10至90重量%,优选15至85重量%。
6.按照权利要求2的蚀刻介质,其特征在于含有选自由以下物质组成的组的增稠剂:羟烷基瓜尔豆胶、黄原酸胶、纤维素和/或乙基纤维素、羟丙基纤维素或羟乙基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基羟乙基纤维素钠、以丙烯酸、丙烯酸酯和甲基丙烯酸烷基酯(C10-C30)的官能化乙烯单元为基础的均聚物或共聚物,单独或混合使用,其含量为蚀刻介质总量的0.5至25重量%,优选1至10重量%。
7.按照权利要求3的蚀刻介质,其特征在于含有占总量0至2重量%的选自由消泡剂、触变剂、流动调节剂、脱气剂和增粘剂组成的组的添加剂。
8.蚀刻硅表面和层的方法,其特征在于将按照权利要求1至7的蚀刻介质施用于整个表面上或根据蚀刻结构掩模仅专门施用于需要进行蚀刻的区域,并在30秒至5分钟的作用时间后去除这些蚀刻介质。
9.按照权利要求8的方法,其特征在于蚀刻介质在70至150℃发挥作用,和/或如果需要,通过输入能量使其活化。
10.按照权利要求9的方法,其特征在于通过将其暴露在热中(IR灯、电热板)使蚀刻介质活化。
11.按照权利要求8的方法,其特征在于通过丝网印刷、模板印刷、压印、印花印刷、喷墨印刷或手工印刷的方法或通过分布技术将蚀刻介质施用于待蚀刻的表面上。
12.按照权利要求8的方法,其特征在于完成蚀刻时使用溶剂或溶剂混合物冲洗掉蚀刻介质。
13.按照权利要求1至7的蚀刻介质在光电池、半导体技术、高性能电子设备中的用途,用于制造光电二极管、电路、电子元件。
14.按照权利要求1至7的蚀刻介质的用途,用于为隔离太阳能电池中的p-n结而对硅表面和层进行的蚀刻。
15.按照权利要求1至7的蚀刻介质的用途,用于为制造太阳能电池的选择性发射极而对硅表面和层进行的蚀刻。
16.按照权利要求1至7的蚀刻介质的用途,用于为提高抗反射性能而对太阳能电池的硅表面和层进行的蚀刻。
17.按照权利要求1至7的蚀刻介质的用途,用于在半导体元件及其电路的制造工艺中对硅表面和层进行的蚀刻。
18.按照权利要求1至7的蚀刻介质的用途,用于在高性能电子设备的元件制造工艺中对硅表面和层进行的蚀刻。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10241300.2 | 2002-09-04 | ||
DE10241300A DE10241300A1 (de) | 2002-09-04 | 2002-09-04 | Ätzpasten für Siliziumoberflächen und -schichten |
PCT/EP2003/008805 WO2004032218A1 (de) | 2002-09-04 | 2003-08-08 | Ätzpasten für siliziumoberflächen und -schichten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1679147A true CN1679147A (zh) | 2005-10-05 |
CN1679147B CN1679147B (zh) | 2011-06-15 |
Family
ID=31724427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN038209985A Expired - Fee Related CN1679147B (zh) | 2002-09-04 | 2003-08-08 | 用于硅表面和层的蚀刻糊 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8540891B2 (zh) |
EP (1) | EP1535318B1 (zh) |
JP (1) | JP4837285B2 (zh) |
KR (1) | KR101052704B1 (zh) |
CN (1) | CN1679147B (zh) |
AT (1) | ATE512459T1 (zh) |
AU (1) | AU2003266266A1 (zh) |
DE (1) | DE10241300A1 (zh) |
ES (1) | ES2367690T3 (zh) |
TW (1) | TWI344999B (zh) |
WO (1) | WO2004032218A1 (zh) |
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-
2003
- 2003-08-08 ES ES03798875T patent/ES2367690T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-08 CN CN038209985A patent/CN1679147B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-08 EP EP03798875A patent/EP1535318B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-08 US US10/526,497 patent/US8540891B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-08 AT AT03798875T patent/ATE512459T1/de active
- 2003-08-08 AU AU2003266266A patent/AU2003266266A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-08 KR KR1020057003663A patent/KR101052704B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-08-08 JP JP2004540559A patent/JP4837285B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-08 WO PCT/EP2003/008805 patent/WO2004032218A1/de active Application Filing
- 2003-09-03 TW TW092124344A patent/TWI344999B/zh not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004032218A1 (de) | 2004-04-15 |
CN1679147B (zh) | 2011-06-15 |
TWI344999B (en) | 2011-07-11 |
JP2005537680A (ja) | 2005-12-08 |
US8540891B2 (en) | 2013-09-24 |
DE10241300A1 (de) | 2004-03-18 |
JP4837285B2 (ja) | 2011-12-14 |
US20050247674A1 (en) | 2005-11-10 |
ES2367690T3 (es) | 2011-11-07 |
EP1535318B1 (de) | 2011-06-08 |
KR20050043928A (ko) | 2005-05-11 |
ATE512459T1 (de) | 2011-06-15 |
TW200404921A (en) | 2004-04-01 |
AU2003266266A1 (en) | 2004-04-23 |
EP1535318A1 (de) | 2005-06-01 |
KR101052704B1 (ko) | 2011-08-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20051005 |
|
CI01 | Publication of corrected invention patent application |
Correction item: Rejection of patent application Correct: Dismiss False: Reject Number: 32 Volume: 26 |
|
ERR | Gazette correction |
Free format text: CORRECT: PATENT APPLICATION REJECTION OF AFTER PUBLICATION; FROM: REJECTION TO: REVOCATION REJECTED |
|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110615 Termination date: 20170808 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |