CN102939356A - 用于高分辨率构件图案化的交联和多相蚀刻糊 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于无机氧化物和硅表面的改进的蚀刻并能够制备更小构件的具有非牛顿流动性质的适印的均匀蚀刻糊形式的新型蚀刻介质。

Description

用于高分辨率构件图案化的交联和多相蚀刻糊
技术领域
本发明涉及用于无机氧化物和硅表面的改进的蚀刻并能够制备更小构件（feature）的具有非牛顿流动性质的可印的均匀蚀刻糊形式的新型蚀刻介质。
发明背景
当今的光生伏打系统主要基于使用结晶硅、薄膜和集中器光生伏打技术。
不久前，已开发出用于简化在半导体器件中以高分辨率制造电子结构的方法的技术和组合物。尤其是适合通过直接印刷到要蚀刻的表面区域上来施加的蚀刻糊的发展简化了结构化工艺，因为可省去在蚀刻过程中应保持不被触及的区域上施加保护树脂层。所述新型蚀刻组合物可以以高分辨率印刷。适用的蚀刻糊以商标
Figure BDA00002586110300011
出售。德国公司Merck已开发出用于通过各种沉积法将蚀刻构件图案化至40微米的这类蚀刻糊。这些蚀刻糊为需要光刻抗蚀掩模和接着浴蚀刻的传统方法提供了低成本和环保的替代方案。
过去公开了一些专利和专利申请（US 2004/0242019A1、US2006/0118759A1、US2005/0247674A1、US 2003/0160026A1和US2003/019332A1），它们公开了蚀刻组合物，但这些组合物均不适合蚀刻小于40微米的小构件。
目的
在
Figure BDA00002586110300012
蚀刻法中，将特殊配制的蚀刻糊仅沉积到基底上需要蚀刻的地方，在蚀刻完成后，洗除蚀刻糊和被蚀刻的材料。另外，在一些蚀刻法中，存在活化蚀刻糊所需的加热步骤。由于两个竞争性问题，为高分辨率沉积法配制蚀刻糊存在特别困难的问题。该糊必须足够不粘以便能形成精细构件。但是，该糊必须足够粘以使沉积糊的图案不因蚀刻糊渗漏到不需要蚀刻的区域中而受损。
Figure BDA00002586110300021
蚀刻法目前可用于实现低至40微米的图案尺寸，但有些应用希望蚀刻更小的构件尺寸。因此需要新型蚀刻组合物，其提供使用目前的
Figure BDA00002586110300022
蚀刻法中所用的相同沉积方法将构件尺寸下延至10微米的解决方案。
发明概述
本发明的目的是适合蚀刻硅、二氧化硅、氧化铟锡或其它无机表面的新型蚀刻糊组合物，其包含适合包封所含蚀刻剂的组分，其中通过光、热或另一能源辐照诱发所施加的蚀刻组合物的包封。本发明的特殊构造在于，在施加到要蚀刻的表面上之后诱发蚀刻组合物的包封，而同时激活蚀刻步骤。适合包封的组分以大约1-70%的浓度，优选大约1-50%的浓度，尤其优选大约5-20%的浓度存在。本发明的蚀刻糊包含单体和/或交联剂，选自：烯烃、二烯、乙炔、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、丙烯酰胺、丙烯腈、乙酸乙烯酯或其它乙烯类、苯乙烯和硫醇（二、三等），它们可以就这样包含或作为混合物被包含。为了获得根据本发明的包封，所述组合物包含与所含单体和/或交联剂相容的UV/热引发剂。由于蚀刻糊包含两个或更多个相（它们通过浓度足以稳定这两个或更多个相的表面活性剂稳定化），获得了特别好的蚀刻结果。所述表面活性剂以大约1-90%的浓度，优选大约10-80%的浓度，最优选大约15-75%的浓度存在于本发明的蚀刻糊中。此外，所含表面活性剂包含下列中至少一种：亲水结构部分、亲油结构部分或亲氟（fluorophilic）结构部分或它们的组合。这意味着，本发明的蚀刻糊包含两个或更多个相；浓度足以稳定所述两个或更多个相的表面活性剂；和适合包封所含蚀刻剂的组分。用包含浓度足以提高蚀刻糊的触变性的无机粒子的蚀刻糊获得了良好蚀刻结果。无机纳米粒子尤其以大约1-70%的浓度，优选大约1-50%的浓度，尤其优选大约5-20%的浓度存在。所含无机纳米粒子可选自热解法二氧化硅、炭黑或可以含有它们的组合。用于本发明的组合物的合适的蚀刻剂是磷酸、氯化铁、草酸、酒石酸、氢氟酸、硫酸、硝酸、乙酸或它们的组合。
本发明的目的还包括蚀刻硅、二氧化硅或氧化铟锡表面的方法，其特征在于在将蚀刻组合物施加到要蚀刻的表面上之后使蚀刻剂包封形成凝胶。通过光或热辐照和/或通过温度诱发的从双（或更多）溶剂体系中除去所含溶剂，诱发蚀刻剂的包封。
发明详述
如上所述，本发明的目的是适合蚀刻硅、二氧化硅、氧化铟锡或其它无机表面的新型蚀刻糊组合物，其包含适合包封所含蚀刻剂的组分。本发明的糊可以单独或结合使用，能实现低于40微米的蚀刻。在第一实施方案中，本发明涉及包含能用光或热辐照诱发蚀刻剂包封的组分的可交联类型的糊。有利地，可以在施加到要蚀刻的表面上后诱发包封。在第二实施方案中，本发明涉及包含在高温（90°C）下保持构件保真度的稳定化乳液的多相类型的糊。在特定情况下，所述糊可以是触变的，并且为了提高该组合物的触变性，可以并入无机粒子，其可以是热解法二氧化硅或炭黑或其它。本发明的组合物优选包含磷酸作为蚀刻剂，但还可含有氯化铁或草酸和/或酒石酸等。
所述可交联糊在辐照诱发的交联后变成凝胶。这种凝胶包封蚀刻剂，以防止蚀刻过程中的构件崩解。对水相蚀刻剂，例如用于氧化铟锡的磷酸或用于二氧化硅的氢氟酸而言，形成水凝胶。对有机相蚀刻剂而言，形成油凝胶。在这两种情况下，糊组合物都包含单体和/或交联剂，选自烯烃、二烯、乙炔、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、丙烯酰胺、丙烯腈、乙酸乙烯酯或其它乙烯类、苯乙烯和硫醇（二、三等），它们可以就这样被包含或作为混合物被包含。可通过与所含单体和/或交联剂相容的所含UV或热引发剂，引发这些单体的聚合。该聚合可以是自由基聚合、阴离子聚合、阳离子聚合、这些的混合、或缩聚或金属催化的聚合。在优选实施方案中，在将蚀刻组合物施加到要蚀刻的表面上之后进行蚀刻剂的包封以形成水凝胶。通过光或热辐照诱发包封步骤。在本发明的一个具体实施方案中，可以通过温度诱发的从双（或更多）溶剂体系中除去溶剂来诱发蚀刻剂的包封步骤以形成水凝胶。
多相糊除了蚀刻剂外还含有至少一种表面活性剂。该表面活性剂可以是亲水-亲油的，如
Figure BDA00002586110300041
等，亲水-亲氟的，如
Figure BDA00002586110300042
或亲油-亲氟的，如烃-碳氟化合物。蚀刻剂可以在内或外相中，但优选在外相中。如果蚀刻剂在外相中，则在该体系的临界胶束浓度（CMC）以上添加表面活性剂。所得胶束充当粘度增强剂。
这意味着，本发明的核心是开发具有要以细于40微米的细线印刷的物理性质的，优选可用尺寸低至10微米的构件印刷的新型蚀刻糊。无须说，本发明的糊也可用于蚀刻>40微米的构件。但即使这里本发明的组合物获得了改进的蚀刻结果，例如也发现改进的边缘清晰度。
一系列实验导致开发出可用低至10微米的构件尺寸印刷并在印刷后保持几乎不变的新型蚀刻糊制剂，结果是蚀刻线和构件表现出与印刷构件几乎相同的分辨率。
本发明的另一方面是开发新型蚀刻糊制剂，其中
1.在将蚀刻糊沉积到表面上后直接引发性质的化学或物理变化，和/或
2.构建用于增强粘度的多相体系。
在第一实施方案中，所得凝胶有效包封蚀刻剂并又防止蚀刻剂渗漏到周围区域中。
对第一实施方案而言，能用材料的实例包括聚合物材料、引发剂和抑制剂，其通过由辐照，尤其由光或热引发的化学交联以受控速率使蚀刻糊胶凝。这种方法不限于化学交联。例如，温度诱发的从双（或更多）溶剂体系中除去溶剂可以沉淀出聚合物，其用于与上述凝胶类似地封住蚀刻剂。
必须平衡配方以实现蚀刻糊的包封和同时允许蚀刻糊的足够迁移性以有效接触表面以便完全蚀刻。还必须以在沉积后发生凝胶包封的方式配制蚀刻剂以避免堵塞或对沉积设备的其它有害影响。
另外，所选组合物必须在适于蚀刻硅、二氧化硅、氧化铟锡或其它无机表面的外加蚀刻剂存在下稳定。实验显示，对于本发明的组合物合适的蚀刻剂是磷酸、氯化铁、草酸、酒石酸、氢氟酸、硫酸、硝酸、乙酸或它们的组合。
所用蚀刻组分的比例为在基于蚀刻糊总重量的2-55重量%，优选5-50重量%的浓度的范围内。特别优选的是其中蚀刻组分以10-50重量%的量存在的蚀刻介质。特别合适的是其中蚀刻组分以基于蚀刻糊总重量的25-50重量%的量存在的蚀刻介质，因为对这种类型的蚀刻介质和半导体元件发现的蚀刻速率有利于以高生产量处理。同时，这些蚀刻糊对要蚀刻的表面层表现出高选择性。
蚀刻制剂需要至少一种适合无机表面的蚀刻剂（其可以是或可以不是温度敏感的）、至少一种可UV/热固化的单体和/或交联剂，其选自烯烃、二烯、乙炔、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、丙烯酰胺、丙烯腈、乙酸乙烯酯或其它乙烯类、苯乙烯和硫醇（二、三等），它们可以就这样被包含或作为混合物被包含。
在该第一实施方案中，单体浓度为大约1-70%，优选大约1-50%，最优选大约5-20%。交联剂浓度为大约0.1-25%，优选大约0.1-15%，最优选大约0.5-10%。引发剂浓度为大约0.1-20%，优选大约0.1-15%，最优选大约0.5-10%。
此外，该制剂可包含适用于本文所述的另外的实施方案的相容性UV/热引发剂和触变或粘度增强剂。还可以添加交联抑制剂。
在第二实施方案中，多相糊除蚀刻剂外还包含至少一种表面活性剂。该表面活性剂可优先分离到蚀刻剂溶液中或从蚀刻剂溶液中分离出。不受制于理论，在后一情况下，表面活性剂可促进不同相的糊中的蚀刻剂粒子的形成和稳定化。在前一情况下，表面活性剂以其在溶剂中的CMC（临界胶束浓度）以上使用以诱发糊中的胶束形成，这增强粘度。胶束可充当以与无机纳米粒子类似的方式增强粘度的有机纳米粒子，但没有对与无机纳米粒子相关的耐久性的有害作用。表面活性剂可来自下列中的一类或多类：亲水-亲油、亲水-亲氟和亲油-亲氟。含有亲水结构部分的表面活性剂可以是阳离子型、阴离子型、两性离子型或非离子型的。可能的表面活性剂包括烷基硫酸盐：月桂基硫酸铵、月桂基硫酸钠（SDS）；烷基醚硫酸盐：月桂基（聚氧乙烯）醚硫酸钠，也称作月桂基醚硫酸钠（SLES）、肉豆蔻醇聚醚硫酸钠；磺酸盐：琥珀酸二辛酯磺酸钠、全氟辛烷磺酸盐（PFOS）、全氟丁烷磺酸盐；烷基苯磺酸盐；磷酸盐：烷基芳基醚磷酸盐、烷基醚磷酸盐；羧酸盐；烷基羧酸盐；脂肪酸盐：硬脂酸钠、月桂酰肌氨酸钠；全氟壬酸盐、全氟辛酸盐（PFOA或PFO）；奥替尼啶二盐酸盐；烷基三甲基铵盐：十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）、十六烷基三甲基氯化铵（CTAC）；氯化十六烷基吡啶鎓（CPC）；聚乙氧基化牛脂胺（POEA）；苯扎氯铵（BAC）；苄索氯铵（BZT）；5-溴-5-硝基-1,3-二氧杂环己烷；二甲基双十八烷基氯化铵；双十八烷基二甲基溴化铵（DODAB）；磺酸盐：CHAPS(3-[(3-胆酰胺基丙基)二甲氨基]-1-丙磺酸盐)；磺基甜菜碱：椰油酰氨丙基羟基磺基甜菜碱；羧酸盐：氨基酸、亚氨基酸；甜菜碱：椰油酰氨丙基甜菜碱；磷酸盐；卵磷脂；脂肪醇：鲸蜡醇、硬脂醇、鲸蜡硬脂醇（主要由鲸蜡醇和硬脂醇构成）、油醇；聚氧乙二醇烷基醚（Brij）：CH3-(CH2)10-16-(O-C2H4)1-25-OH、八乙二醇单十二烷基醚、五乙二醇单十二烷基醚；聚氧丙二醇烷基醚：CH3-(CH2)10-16-(O-C3H6)1-25-OH；葡糖苷烷基醚：CH3-(CH2)10-16-(O-葡糖苷)1-3-OH：癸基葡糖苷、十二烷基葡糖苷、辛基葡糖苷；聚氧乙二醇辛基酚醚：C8H17-(C6H4)-(O-C2H4)1-25-OH：TritonX-100；聚氧乙二醇烷基酚醚：C9H19-(C6H4)-(O-C2H4)1-25-OH：Nonoxynol-9；甘油烷基酯：月桂酸甘油酯；聚氧乙二醇脱水山梨糖醇烷基酯：聚山梨醇酯；脱水山梨糖醇烷基酯：Spans和Tweens；椰油酰胺MEA、椰油酰胺DEA；氧化十二烷基二甲胺；聚乙二醇和聚丙二醇的嵌段共聚物，如泊洛沙姆。
在一些实施方案中，表面活性剂以按重量计大约1-90%，优选大约10-80%，最优选大约15-75%的浓度存在。
本发明涵盖使用独立的任一实施方案或一起使用这两个实施方案。
为了提高独立的任一实施方案中或合并的实施方案中的糊触变性，可添加无机粒子。这些粒子优选是直径为大约5-500纳米，更优选大约10-300纳米，非常优选大约20-100纳米的纳米粒子。最优选添加热解法二氧化硅和/或炭黑以便以极大改进的结果改进触变性。在一些实施方案中，粒子浓度为按重量计大约1-70%，优选大约1-50%，最优选大约5-40%。
通常可以使用常规方法测定无机和有机聚合物粒子的粒度。例如，可以借助粒子相关光谱学（PCS）测定粒度，使用Malvern Zetasizer根据说明手册进行测试。在此作为d50或d90值测定粒子直径。所示粒子直径优选以d50值给出。
通常可以借助与在线分析结合的激光衍射测定粒子直径。为此，激光束照射到分布在透明气体，例如空气中的粒子云中。粒子折射光，小粒子以比大粒子大的角度折射光。散射角因此与粒度直接相关。观察到的散射角随粒度降低而以对数方式提高。通过以各种角度布置的许多光检测器测量折射光。优选使用基于Maxwell's电磁场方程的Mie光衍射理论评估测量结果。这种理论基于两个假设。首先，假设要测量的粒子是球形，但这仅实际适用于少数粒子。使用测得的激光衍射计算粒子体积。其次，假设稀粒子悬浮液。在来自Malvern Instruments Ltd.的手册"Dynamic LightScattering:An Introduction in 30 Minutes",DLS技术说明，MRK656-01中更详细描述了常用于通过动态光散射测定纳米级粒度的方法。
也可以借助散射电子显微照片（SEM照片）测定纳米微粒范围内的粒度。为此，可以制备含粒子的乳液并在旋涂法中以极薄的层施加到合适的表面上。在溶剂蒸发后，获取SEM照片并测量记录的粒子直径。通过统计评价测定所测量样品的相对粒子直径。在ISO 13321,Methods forDetermination of Particle Size Distribution Part 8:Photon CorrelationSpectroscopy,International Organisation for Standardisation[(ISO)1996(第一版1996-07-01)]中描述了用于测定粒度的标准化方法和适用于此用途的设备，包括测定在纳米测量范围内的尺寸的方法。
在使用包含粒子直径在大约20-10纳米的较低范围内的粉末的糊时且如果最佳地选择其它成分，尤其是表面活性剂和包封单体以致在印刷过程中粘度为10至40Pas，实现了特别好的印刷结果。优选使用粘度为10至35Pas并在印刷后即稳定的糊组合物。
借助增稠剂和纳米级粒子设定根据本发明描述的蚀刻糊的粘度，其可以随所需应用领域而变。如果制成的蚀刻糊的粘度为10至40Pas，实现特别好的蚀刻结果。优选使用粘度为10至35Pas的蚀刻糊。
可以使用布鲁克菲尔德旋转粘度计测定粘度。为此，在室温（25°C）下使用心轴（No.7）以5转/分钟测量粘度曲线并以最多50转/分钟的不同转速在其它方面相同的条件下测量粘度。可以使用锥板型流变仪，例如来自Haake(Haake RotoVisco 1)或Thermo Electron Corporation的仪器更准确测定粘度。
对于该测量，样品位于极平锥体与同轴板之间的剪切间隙中。在测量间隙中通过锥角的选择形成均匀的剪切速率分布。通过转数（CSR）或扭矩（CSS）进行控制。相应地，分别测量转数或扭矩。可以通过驱动轴上或锥体下侧上的力传感器推导正应力。在这种情况下，所用测量系统是CP2/35系统，其中锥体具有35毫米直径和2°角度。对于该测量，在每种情况下使用2.5克样品。在微处理器控制下在23°C的温度以10-75s-1的剪切速率自动测量粘度曲线。由20次测量获得平均测量值。测得的标准值是在25s-1剪切速率下的值。在标准DIN 53018和ISO 3210中更详细描述了相应的测量方法。
如果需要，可以通过添加溶剂，在最简单的情况下通过添加水和/或其它液体组分和/或其它粘度助剂调节粘度。
本发明的糊应具有10至40Pas的粘度以例如在印刷过程中确保用所用模版印刷过程中的一致结果。由于本发明的糊具有触变性质，因此在剪切力作用下，粘度降低，这意味着对特定组合物而言粘度在一定范围内变化。
本发明的蚀刻介质中可存在的溶剂是选自水、异丙醇、二乙二醇、二丙二醇、聚乙二醇、1,2-丙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丁二醇、甘油、1,5-戊二醇、2-乙基-1-己醇或其混合物的那些，或选自苯乙酮、甲基-2-己酮、2-辛酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、1-甲基-2-吡咯烷酮、乙二醇单丁醚、乙二醇单甲醚、三乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、羧酸酯，如乙酸[2,2-丁氧基(乙氧基)]乙基酯、碳酸异亚烯酯的溶剂，所述为纯净形式或混合物形式或既含来自第一组的溶剂又含来自第二组的溶剂的混合物形式。
尤其优选的溶剂是水、醇或吡咯烷酮。
本发明的蚀刻介质通常包含占介质总量的10至90重量%，优选15至85%，最优选20至35重量%的溶剂。
此外，本发明的组合物可包含选自防沫剂、触变剂、流动控制剂、脱气剂和粘合促进剂的添加剂，其可以以总量的0至2重量%的量存在。在特殊情况下，这些成分可能以更高的量包含。但如果应用领域要求，它们可以总体占超过10重量%。
具有对所需用途而言有利的性质的添加剂可购得。对本领域技术人员不言而喻的是，这方面的基本要素是这样的添加剂的添加改进产物性能。
在进行的实验中具体使用的添加剂也在下文给出的实施例中指出。这些对适印性和对蚀刻过程中的物理和化学性质具有积极影响。
除该新型蚀刻糊外，本发明还涉及选择性蚀刻硅表面和层的方法，其中蚀刻介质在整个区域上施加或根据蚀刻结构掩模选择性地仅专门施加到需要蚀刻的表面区域上。在一个优选实施方案中，使用特殊设计的丝网通过丝网印刷实现蚀刻糊的沉积。印刷模版特别适合施加本发明的蚀刻组合物。在蚀刻糊与要印刷的表面接触时立即通过暴露在能量辐射下，优选通过UV或IR辐射或直接通过热将其活化。如果模版用于印刷步骤，则在将蚀刻组合物施加到要蚀刻的表面上时，可以在移除模版之前或之后进行这种暴露/热步骤。在几秒至几分钟，优选大约5秒至5分钟的所选暴露时间后，再次除去蚀刻介质。蚀刻步骤通常在高于70°C至大约140°C，但低于200°C的温度下进行。该温度必须在导致蚀刻糊快速包封并允许以足够高的速率蚀刻的范围内。最优选的是大约90°C的温度。
暴露时间以及辐照或热诱发的温度通常取决于蚀刻结构的用途、所需蚀刻深度和/或边缘清晰度。
在暴露时间后和在蚀刻后，用水或另一溶剂或用溶剂混合物洗掉蚀刻介质。
本发明的蚀刻介质可以在半导体技术、高性能电子或显示器制造中的制造工艺中用于制造电子部件或用于蚀刻硅表面和层。
因此，本发明为使用者提供能图案化小于40微米，甚至低至10微米或更小的高分辨率精细构件的新型蚀刻组合物。
由于在半导体制造工艺中使用本发明的蚀刻糊能够实现具有更好侧面陡度的改进的蚀刻轮廓，还可以印刷和蚀刻挨得更近的所需结构。这意味着表面上的空间增加并可以制造更小的构件。
在图1和2中，显示了改进的蚀刻结果。在图1中显示了蚀刻图案样品的构件细节布局，图2显示了实际均匀再现在150纳米厚的ITO中的测试布局的蚀刻图案的显微照片。图2的显微照片清楚表明，获得了大约10微米的设计构件和计划分辨率以及蚀刻结构的陡度。
本说明书能使本领域技术人员全面利用本发明。如果有任何不清楚，无须说，应使用所引用的公开和专利文献。相应地，这些文献被视为本说明书的公开内容的一部分，且所引用的文献、专利公开和专利的公开内容出于各种目的全文经此引用并入本文。
为了更好理解和为了示例性说明本发明，下面给出在本发明保护范围内的实施例。这些实施例也用于示例性说明可能的变体。但是，由于所述本发明原理的一般有效性，实施例不适合将本申请的保护范围缩小至这些实施例本身。
实施例中给出的温度始终为°C。此外，对本领域技术人员不言而喻的是，在所给实施例和在说明书其余部分中，糊组合物中存在的组分量始终合计为整个组合物的按重量计或按体积计总共100%并且不可能超出，即使由所示百分比范围可能得出更高的值。
实施例
实施例1
(可交联糊)
50%(v/v)磷酸（浓度85%）
30%(v/v)去离子水
19.8%(v/v)聚(乙二醇)二丙烯酸酯(575g/mol)
0.2%(v/v)Darocure 1173
为了制备该制剂，在冷却的同时将磷酸与水逐步混合在一起。搅拌该磷酸溶液并与引发剂Darocure 1173一起逐步加入聚(乙二醇)二丙烯酸酯。
实施例2
(可交联糊)
48.5%(v/v)磷酸（浓度85%）
28.0%(v/v)去离子水
18.7%(v/v)聚(乙二醇)二丙烯酸酯(575g/mol)
0.2%(v/v)Darocure 1173
4.6%(v/v)热解法二氧化硅
如实施例1中所公开进行蚀刻制剂的制备并在剧烈搅拌的同时加入热解法二氧化硅。
实施例3
(可交联糊)
50%(v/v)磷酸（浓度85%）
20%(w/v)聚乙烯基吡咯烷酮(PVP,29000g/mol)
23%(w/v)炭黑
5%(w/v)聚(乙二醇)二甲基丙烯酸酯(PEG-DMA,134g/mol)
2%(v/v)Darocure 173或Lamberti SM308
通过反复剧烈摇振和超声步骤，将PVP溶解在2/3磷酸中。超声加热该溶液至至少50°C，尽管不控制温度。使用剩余磷酸溶解PEG-DMA。小心确保溶液温度不超过室温以防止聚合。然后混合溶液，接着通过机械搅拌添加引发剂和炭黑。如前所述控制溶液温度以使其不超过室温。
实施例4
(多相糊)
50%(v/v)磷酸（浓度85%）
25%(w/v)聚乙烯基吡咯烷酮(PVP,29000g/mol)
25%(v/v)聚氧乙烯(20)硬脂醚(Brij S20或Brij 78)
通过反复剧烈搅拌/超声循环，将PVP溶解在磷酸中。超声加热该溶液至至少50°C，尽管不控制温度。Brij S20以其熔融形式添加并通过涡旋进行剧烈混合，并在高粘时，用搅拌器机械进行混合。
实施例5
(多相糊)
20%(v/v)磷酸（浓度85%）
20%(v/v)N-甲基吡咯烷酮(NMP)
20%(v/v)聚(乙二醇)二甲基丙烯酸酯(1134g/mol)
40%(v/v)Brij S20
在将NMP添加到磷酸中后，如实施例4中所述混合制剂。
实施例6
(多相糊)
33%(v/v)磷酸（浓度85%）
67%(v/v)Brij S20
将液相Brij S20添加到磷酸中并通过涡旋混合和随后机械混合。
实施例7
(多相,可交联糊)
48%(v/v)磷酸（浓度85%）
20%(w/v)PVP(29000g/mol)
5%(w/v)聚(乙二醇)二甲基丙烯酸酯(1134g/mol)
25%(v/v)Brij S20
2%(v/v)Darocure 1173或Lamberti SM 308
如实施例3中所述进行混合，但用Brij S20替代炭黑。
实施例8
(多相可交联糊)
30%(v/v)磷酸（浓度85%）
8%(w/v)聚(乙二醇)二甲基丙烯酸酯(1134g/mol)
60%(v/v)Brij S20
2%(v/v)Darocure 1173或Lamberti SM 308
如实施例3中所述进行混合，但用Brij S20替代炭黑并且不用PVP。

Claims (23)

1.包含适合包封所含蚀刻剂的组分的蚀刻糊。
2.根据权利要求1的蚀刻糊，其中通过光、热或另一能源辐照诱发所施加的蚀刻组合物的包封。
3.根据权利要求1或2的蚀刻糊，其中在将蚀刻组合物施加到要蚀刻的表面上之后诱发包封，而同时激活蚀刻步骤。
4.根据权利要求1至3之一的蚀刻糊，其中适合包封的组分以大约1-70%的浓度存在。
5.根据权利要求1至4之一的蚀刻糊，其中适合包封的组分以大约1-50%的浓度存在。
6.根据权利要求1至5之一的蚀刻糊，其中适合包封的组分以大约5-20%的浓度存在。
7.根据权利要求1至6之一的蚀刻糊，其包含单体和/或交联剂，选自：烯烃、二烯、乙炔、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、丙烯酰胺、丙烯腈、乙酸乙烯酯或其它乙烯类、苯乙烯和硫醇（二、三等），它们可以就这样被包含或作为混合物被包含。
8.根据权利要求1至7之一的蚀刻糊，其包含与所含单体和/或交联剂相容的UV/热引发剂。
9.蚀刻糊，其包含两个或更多个相和浓度足以稳定所述两个或更多个相的表面活性剂。
10.根据权利要求9的蚀刻糊，其中表面活性剂以大约1-90%的浓度存在。
11.根据权利要求9或10的蚀刻糊，其中表面活性剂以大约10-80%的浓度存在。
12.根据权利要求9至11之一的蚀刻糊，其中表面活性剂以大约15-75%的浓度存在。
13.根据权利要求9至12之一的蚀刻糊，其中表面活性剂包含下列中的至少一种：亲水结构部分、亲油结构部分或亲氟结构部分或它们的组合。
14.蚀刻糊，其包含两个或更多个相、浓度足以稳定所述两个或更多个相的表面活性剂；和适合包封所含蚀刻剂的组分。
15.根据权利要求1至14之一的蚀刻糊，其包含浓度足以提高蚀刻糊的触变性的无机粒子。
16.根据权利要求15的蚀刻糊，其中无机纳米粒子以1-70%的浓度存在。
17.根据权利要求15或16之一的蚀刻糊，其中无机纳米粒子以大约1-50%的浓度存在。
18.根据权利要求15至17之一的蚀刻糊，其中无机纳米粒子以大约5-20%的浓度存在。
19.根据权利要求15至18之一的蚀刻糊，其包含热解法二氧化硅、炭黑或它们的组合。
20.根据权利要求1至19之一的蚀刻糊，其包含磷酸、氯化铁、草酸、酒石酸、氢氟酸、硫酸、硝酸、乙酸或它们的组合。
21.蚀刻硅、二氧化硅或氧化铟锡表面的方法，其特征在于在将蚀刻组合物施加到要蚀刻的表面上之后使蚀刻剂包封形成凝胶。
22.根据权利要求21的方法，其中通过光或热辐照诱发蚀刻剂的包封。
23.根据权利要求21的方法，其中通过温度诱发的从双（或更多）溶剂体系中除去溶剂，诱发蚀刻剂的包封。
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