JP5311249B2 - アモルファスito透明導電膜用エッチング液組成物及びエッチング方法 - Google Patents
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Description
本発明はまた、従来のエッチング液がエッチング性能を保持したまま液交換される原因である、インジウム化合物の析出を抑制するので、従来品よりも液交換の頻度が少なくて済む長寿命のエッチング液を提供することが可能である。
以下、本発明を詳細に説明する。
塩化A:塩化アンモニウム
硝酸A:硝酸アンモニウム
燐酸A:燐酸アンモニウム
酢酸A:酢酸アンモニウム
シュウ酸A:シュウ酸アンモニウム
DDSA:ドデシルスルホン酸アンモニウム塩
OSNa:オレイルスルホン酸ナトリウム塩
POEDSA:ポリオキシエチレンドデシルエーテルスルホン酸アンモニウム塩
POENPSA:ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルスルホン酸アンモニウム塩
NSFM:ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物モノエタノールアミン塩(分子量1000以上)
PStS:ポリスチレンスルホン酸(分子量1000以上)
POEOE:ポリオキシエチレンオレイルエーテル
POESE:ポリオキシエチレンステアリルエーテル
NSNa:ノナンスルホン酸ナトリウム塩
UDSNa:ウンデカンスルホン酸ナトリウム塩
NS:ナフタレンスルホン酸(分子量208)
表1の配合でエッチング液を調製した。これらのエッチング液を用いて、以下の評価をした。結果を表2に示した。%は重量%である。
ガラス基板上に有機平坦化膜を形成し、さらに、アモルファスITO膜(1500Å)を形成した基板を40℃の評価液で一定時間毎に処理し、そのときの膜厚を表面抵抗膜厚計で測定した。この処理時間とそのときのITO膜厚のプロットの傾きよりエッチングレートを算出し、以下の基準で表記した。なお、合格は◎及び○である。ここで不合格となったものについては以降の評価を行わなかった。
◎:ER=800Å/min以上
○:ER=600Å/min以上800Å/min未満
△:ER=400Å/min以上600Å/min未満
×:ER=400Å/min未満
ガラス基板上に有機平坦化膜を形成し、その上にさらに、アモルファスITO膜(1500Å)を形成した基板を、エッチング速度から算出されるジャストエッチッグ時間の1.5倍の時間、40℃の評価液にてエッチング処理した。水洗、窒素ブロー後、処理後のサンプルの電子顕微鏡観察をおこない、エッチング後の残渣を評価し、以下の基準で表記した。なお、合格は◎及び○である。ここで不合格となったものについては以降の評価を行わなかった。図1〜4に電子顕微鏡による処理後サンプルの典型的表面を表す図面代用写真を示した。
◎:残渣なし
○:ごくわずかに残渣あり
△:多数ではないがかなり残渣あり
×:多数の残渣あり
三角フラスコに各エッチング液を入れその中に酸化インジウムを投入し、還流管を取り付け攪拌しながら4時間煮沸した。煮沸終了後25℃で48時間冷却し、過飽和のインジウム化合物が析出していることを確認した後、ポアサイズ0.2μmのフィルターでろ過した。ろ液を採取し、ろ液中に溶解しているインジウム濃度をICP発光にて測定し、評価結果を以下の基準で表記した。なお、ここでの合格は◎及び○である。
◎:インジウム溶解量10000ppm以上
○:インジウム溶解量2000〜9999ppm
△:インジウム溶解量300〜1999ppm
×:インジウム溶解量299ppm以下
Claims (6)
- (A)硫酸、(B)炭素数が12以上の炭化水素基を有するアニオン性界面活性剤、分子量が1000以上であるナフタレンスルホン酸の縮合物及び/又はその塩、分子量が1000以上であるポリスチレンスルホン酸及び/又はその塩、並びに、炭素数が12以上の炭化水素基を有し、しかもHLB値が12以上であるノニオン性界面活性剤からなる群から選択される少なくとも1種の界面活性剤、並びに、(C)水からなるエッチング液組成物であって、組成物100重量%に対して、前記(A)成分3〜30重量%、前記(B)成分0.005〜1重量%及び残部の前記(C)成分の合計100重量%からなり、燐酸、硝酸、塩酸、酢酸、シュウ酸及びこれらの塩を含有しない、アモルファスITO透明導電膜用エッチング液組成物。
- 前記(B)成分におけるアニオン性界面活性剤が、アルキル硫酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸、及び、これらの塩からなる群から選択される少なくとも1種である請求項1に記載のエッチング液組成物。
- 前記(B)成分におけるノニオン性界面活性剤が、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルである請求項1に記載のエッチング液組成物。
- 前記(B)成分が、分子量が1000以上であるナフタレンスルホン酸の縮合物及び/又はその塩、並びに、分子量が1000以上であるポリスチレンスルホン酸及び/又はその塩からなる群から選択される少なくとも1種の界面活性剤である請求項1に記載のエッチング液組成物。
- (A)硫酸、(B)炭素数が12以上の炭化水素基を有するアニオン性界面活性剤、分子量が1000以上であるナフタレンスルホン酸の縮合物及び/又はその塩、分子量が1000以上であるポリスチレンスルホン酸及び/又はその塩、並びに、炭素数が12以上の炭化水素基を有し、しかもHLB値が12以上であるノニオン性界面活性剤からなる群から選択される少なくとも1種の界面活性剤、並びに、(C)水の合計量を100重量%として、前記(A)成分3〜30重量%、前記(B)成分0.005〜1重量%及び残部の前記(C)成分の合計100重量%から実質的になるエッチング液組成物を、電子部品基板上の、フォトレジストでパターニングマスクされたアモルファス透明導電膜に適用し、燐酸、硝酸、塩酸、酢酸、シュウ酸及びこれらの塩を使用することなく、エッチングする、透明導電膜のエッチング方法であって、アモルファス透明導電膜が、アモルファス酸化インジウム系膜であるエッチング方法。
- 前記(B)成分が、分子量が1000以上であるナフタレンスルホン酸の縮合物及び/又はその塩、並びに、分子量が1000以上であるポリスチレンスルホン酸及び/又はその塩からなる群から選択される少なくとも1種の界面活性剤である請求項5に記載のエッチング方法。
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