CN101600779A - 用于蚀刻透明和导电氧化物层的可印刷介质 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于太阳能电池制造工艺中的具有改善了的性能的新型可印刷蚀刻介质。它们是对应的含有颗粒的组合物，通过该组合物可以高度选择性地蚀刻最细的线和结构而不破坏或影响相邻表面。

Description

用于蚀刻透明和导电氧化物层的可印刷介质
本发明涉及用于太阳能电池制造工艺中的具有改善了的性能的新型可印刷蚀刻介质。这些是对应的含颗粒的组合物，通过该组合物可以高度选择性地蚀刻极细的线和结构而不破坏或侵蚀相邻区域。
现有技术和本发明的目的
在太阳能电池的制造工艺中，尤其必需在载体材料上构筑氧化物。晶体硅太阳能电池通常由p-导电衬底构成，在正面上使n-导电物质例如磷的均匀厚度的层扩散到该p-导电衬底中。为了导出光入射时产生的电流，在晶片的正面和背面上施加金属导电接触。考虑到适合于大规模生产的廉价制造方法，接触通常借助于丝网印刷产生。
除必须在太阳能电池制造期间被构筑的氧化物层外，还必须蚀刻氮化硅层。为了蚀刻对应的氮化物层，所用方法必须修改并以适当的方式调整蚀刻糊剂。
在制造工艺过程中和如果需要还在其完成时用薄无机层涂布晶体硅太阳能电池的表面。这些层厚20-200nm，在多数情况下为50-150nm。
因此，在晶体硅太阳能电池的制造工艺过程中，有利的是在许多工艺步骤中将细线蚀刻到太阳能电池的这些无机层中。
太阳能电池表面中的这些开口可以用于例如产生所谓的选择性发射体，也称作二级发射体。为此，在随后的扩散步骤中在位于硅上的扩散阻挡的局部开口中产生高度n掺杂，优选借助于磷扩散入。
在本说明书中，无机表面用于表示含氧化物(oxidic)和氮化物的硅化合物，特别是氧化硅和氮化硅表面。这类扩散阻挡起作用的方式是本领域技术人员已知的，并在文献[A.Goetzberger；B.Voβ；J.Knobloch，Sonnenenergie：Photovoltaik(Solar Energy：Photovoltaics)，Teubner Studienb ücher Stuttgart1997，pp40；107]中有描述。在此这些扩散阻挡可以用多种方式产生：
例如通过在含氧气氛中在900℃范围中的温度下对硅进行热处理来获得非常致密的二氧化硅层(热氧化物)。
本领域技术人员同样已知的是通过CVD法沉积二氧化硅。根据进行反应的方式，尤其区分出下列工艺
-APCVD(大气压CVD)
-PE-CVD(等离子体增强的CVD)
-LP-CVD(低压CVD)
这些工艺的共同特征在于，由挥发性前体的气相，例如在二氧化硅的情况下是硅烷(SiH4)或TEOS(原硅酸四乙酯)，通过分解在目标衬底上沉积前体，获得所需的无机化合物。
代表扩散阻挡的二氧化硅层也可以用液体或溶解在溶剂或溶剂混合物中的固体前体借助于湿化学涂布而获得。这些液体体系通常经由旋涂施加到要涂布的衬底上。这些体系被本领域技术人员称作旋涂玻璃(spin-on-glass)(SOG)。
在许多情况下，还保留所施加的SiO2层作为减少反射钝化层。这特别是在热生长SiO2的情况下经常如此。
除了氧化硅层外，透明导电层(TCOs)起重要作用(例如LC显示器、触摸屏等)。除了二元或三元掺杂的ZnO化合物(例如氧化铟锌、Al-ZnO、锑-ZnO)外，氧化铟锡层特别普遍。氧化铟锡为氧化铟(In2O3)和氧化锡(IV)(SnO2)构成的混合氧化物(然而也可以使用其它掺杂剂，例如氟，作为FI:SnO2)。这些TCO层以下例如作为ITO提及。这些透明半导体具有导电和透明性能。在电子工业上，它们用于制造薄膜太阳能电池、液晶屏中的透明电极、有机发光二极管和触摸屏。作为强烈反射红外辐射的半导体，将ITO用溅射方式或在大面积上作为热防护施加到窗玻璃片材上。各种各样的表面、例如塑料膜同样可以涂布有I TO以便它们不会带静电。
ITO通常由90％氧化铟(In2O3)和10％氧化锡(IV)(SnO2)构成。氧化锡(IV)作为掺杂剂在氧化铟的晶体结构中产生良好导电性所必需的缺陷。通常约200nm的薄层具有高透明度而且具有约6Ω/cm2的表面电阻。
通常将ITO通过阴极溅射施加到对应的衬底-几乎总是玻璃-上。然而，也可以通过高真空气相沉积施加ITO，尽管通过气相沉积涂布的部件必须加热直至360℃，这限制其应用性。
氮化硅层在晶体太阳能电池技术中较少用作扩散阻挡，尽管它们原则上同样适合于此用途。氮化硅层主要用作钝化和抗反射层。
在晶体硅太阳能电池的制造中，另外有利的是能够在氮化硅层中以目标方式制造开口。在此可以提及的实例是导电糊剂的施加。这些金属糊剂通常在大约600℃的温度下“烧”穿氮化硅层，使得能与发射体层电接触。由于高温，因而不能将聚合物基(环氧或酚醛树脂)金属化糊剂用于该目的。在烧穿工艺进行期间还出现下面的硅中的晶体缺陷和金属污染。由于该体系，钝化层另外被下面印刷的金属糊剂完全破坏。因此将会更有利的是，在氮化硅层中制造局部、更窄的开口用于电接触，并且在被上面的金属化层掩蔽的边缘区域中保留钝化层。
除了由二氧化硅或氮化硅构成的纯扩散阻挡外，还可以在晶体硅太阳能电池的制造中使用薄玻璃层。
玻璃的定义：
玻璃本身用于表示均质组成，例如石英、窗玻璃、硼硅酸盐玻璃、以及通过本领域技术人员已知的各种方法(CVD、PVD、旋涂、热氧化及其它)在其它衬底(例如陶瓷、金属片材、硅晶片)上制成的这些材料的薄层。
玻璃以下用于表示含氧化硅和氮化硅的材料，其呈玻璃组分没有结晶出来的固体无定形物理态，并由于缺乏长程有序性而在微结构上具有高度无序。
除了纯SiO2玻璃(石英)外，这些还包括含SiO2和其它组分的所有玻璃(例如掺杂玻璃，例如硼硅酸盐、磷硅酸盐和硼磷硅酸盐玻璃，有色玻璃，乳白玻璃，结晶玻璃，光学玻璃)，所述其它组分特别是诸如钙、钠、铝、铅、锂、镁、钡、钾、硼、铍、磷、镓、砷、锑、镧、锌、钍、铜、铬、锰、铁、钴、镍、钼、钒、钛、金、铂、钯、银、铈、铯、铌、钽、锆、钕、镨的元素，它们在玻璃中以氧化物、碳酸盐、硝酸盐、磷酸盐、硫酸盐和/或卤化物形式存在或充当玻璃中的掺杂元素。掺杂玻璃是例如硼硅酸盐、磷硅酸盐和硼磷硅酸盐，有色玻璃，乳白玻璃，结晶玻璃和光学玻璃。氮化硅同样可以包含其它元素，例如硼、铝、镓、铟、磷、砷或锑。
氧化硅和氮化硅基体系的定义：
氧化硅基体系以下定义为不属于上文给出的无定形SiO2玻璃的定义并基于二氧化硅的所有结晶体系；这些特别可以是原硅酸的盐和酯及其缩合产物-通常被本领域技术人员称作硅酸盐-以及石英和玻璃-陶瓷。
此外，还包括其它氧化硅和氮化硅基体系，特别是原硅酸的盐和酯及其缩合产物。除了纯SiO2(石英、鳞石英、方石英)外，也包括从如下物质构造的所有SiO2类体系：SiO2或“离散的”和/或相连的[SiO4]四面体、例如焦硅酸盐、俦硅酸盐、环硅酸盐、链硅酸盐、页硅酸盐、网硅酸盐(tectosilicate)构成的并包含其它组分、特别是诸如钙、钠、铝、锂、镁、钡、钾、铍、钪、锰、铁、钛、锆、锌、铈、钇、氧、羟基、卤化物的元素/组分。
氮化硅基体系以下定义为不属于上文给出的无定形氮化硅玻璃/层定义的所有结晶和部分结晶(通常称作微晶)体系。这些包括以其α-Si3N4和β-Si3N4变体形式的Si3N4和所有结晶和部分结晶的SiNx和SiNx:H层。结晶氮化硅可以包含其它元素，例如硼、铝、镓、铟、磷、砷和锑。
结构的蚀刻
蚀刻剂、即化学侵蚀性化合物的使用造成暴露在蚀刻剂侵蚀下的材料的溶解。在多数情况下，目的是完全去除要蚀刻的层。通过遇到基本上耐受该蚀刻剂的层而达到这种蚀刻的终点。另外，存在本领域技术人员已知的通过蚀刻至通常规定的目标厚度来部分去除层的工艺。
在氧化硅和氮化硅基玻璃及其它氧化硅和氮化硅基体系上的结构的蚀刻：
根据现有技术状况，可以在氧化硅和氮化硅基玻璃及其它氧化硅和氮化硅基体系或其具有可变厚度的层和表面中，直接通过激光支持的蚀刻法或在掩蔽后通过湿化学法([1]D.J.Monk，D.S.Soane，R.T.Howe，Thin Solid Films 232(1993)，1；[2]J.B ühler，F.P.Steiner，H.Baltes，J.Micromech.Microeng.7(1997)，R1)或通过干蚀刻法([3]M.
Figure A20078004049400071
“
Figure A20078004049400072
für dieMikrotechnik”[Etching Methods for Microtechnology]，Wiley VCH1983)选择性蚀刻任何所需结构。
在激光支持的蚀刻法中，激光束在矢量定向系统的情况下逐点或逐行扫描玻璃上的整个蚀刻图案，这除了高精确度外还需要相当多的调节努力和时间。
湿化学法和干蚀刻法包括材料密集、耗时和昂贵的工艺步骤：
A.不被蚀刻的区域的掩蔽，例如通过：
光刻法：产生蚀刻结构的阴模或阳模(取决于抗蚀剂)，涂布衬底表面(例如用液体光致抗蚀剂通过旋涂涂布)，干燥光致抗蚀剂，将涂布的衬底表面曝光，显影，漂洗，任选干燥
B.结构的蚀刻，通过：
浸渍法(例如在湿法化学试验台中的湿蚀刻)：将衬底浸入蚀刻浴，蚀刻操作，在H2O级联槽中反复漂洗，干燥
旋涂或喷涂法：将蚀刻溶液施加到旋转衬底上，可以在不输入或输入能量(例如IR或UV辐射)的情况下进行蚀刻操作，随后漂洗和干燥
干蚀刻法，例如在昂贵的真空装置中的等离子体蚀刻，或在流动反应器中用反应性气体蚀刻
C.光致抗蚀剂的去除
在最后的工艺步骤中，必须去除覆盖衬底的保护区域的光致抗蚀剂。这可以借助溶剂，例如丙酮或稀的碱性水溶液进行。最后将衬底漂洗并干燥。
氧化硅和氮化硅基玻璃及其它氧化硅和氮化硅基体系的全区域蚀刻：
为了在整个区域上完全或仅到一定深度地蚀刻氧化硅和氮化硅基玻璃及其它氧化硅和氮化硅基体系及其厚度可变的层，主要使用湿蚀刻法。将氧化硅和氮化硅基玻璃及其它氧化硅和氮化硅基体系及其厚度可变的层浸到蚀刻浴中，该蚀刻浴通常含有有毒和高度腐蚀性的氢氟酸以及任选其它的无机酸添加剂。
所述蚀刻方法的缺点归因于耗时、材料密集和昂贵的工艺步骤，这些步骤有时在技术和安全方面非常复杂并且还经常间断进行。
国际申请WO 01/83391A描述具有非牛顿流动特性的可印刷、均匀无颗粒蚀刻糊剂形式的蚀刻介质和这些蚀刻介质的用途，所述蚀刻介质用于蚀刻无机玻璃状无定形或结晶表面，特别是玻璃或陶瓷，优选SiO2-或氮化硅基体系。特别在表面印刷中，这些无颗粒介质的使用由于印刷的线、点或结构的复原性(resilience)不足(不足的结构保真度)而产生问题，意味着最初印刷的线发生显著增宽(蚀刻物在衬底上渗化)。
US 5,688,366A使用蚀刻透明导电层、例如ITO层用的含颗粒的蚀刻糊剂。所用蚀刻糊剂由熔融的含结晶水的氯化铁、甘油和聚合物颗粒制成。这些组合物适用于蚀刻宽度大约1mm的线。实验表明，这些蚀刻糊剂不适合清晰地且无缺陷地蚀刻宽度小于1mm的极细线，无论是使用直径0.01μm还是30μm的聚合物颗粒制备该糊剂。
目的
因此本发明的目的是提供用于在位于硅太阳能电池上的二氧化硅和/或氮化硅层上、特别是还在导电层中，蚀刻宽度小于100μm、特别是小于80μm的极均匀细线和极细结构的新型廉价蚀刻糊剂。本发明的另一目的在于提供可以在蚀刻后用简单方式不留下残余物地从处理过的表面上去除而且与已知糊剂相比具有更环境友好的性能的新型蚀刻介质。
本发明的概述
该目的通过包含以下组分的蚀刻糊剂形式的用于蚀刻透明和导电氧化物表面和层的新型可印刷、可分配的蚀刻介质实现：
a)磷酸，
b)至少一种溶剂，
c)相对颗粒直径为80nm-20nm和BET比表面积为40-100m2/g的石墨和/或炭黑，
d)任选的增稠剂，和
e)任选的添加剂，例如消泡剂、触变剂、流动控制剂、脱气剂和粘合促进剂。
在特定的实施方案中，这类蚀刻介质包含相对颗粒直径小于50nm和BET比表面积为50-70m2/g的石墨或炭黑粉末。已经证实特别有利的是存在的石墨或炭黑粉末具有30nm-45nm的相对颗粒直径。包含相对颗粒直径为40nm和BET比表面积为62m2/g的炭黑粉末的蚀刻介质具有特别好的性能。虽然在早期的组合物中较高比例的固体是必要的，添加少于8wt％但超过0.5wt％的具有所述性能的石墨或炭黑粉末，按照本发明，产生可以以极细的线的形式印刷的组合物。具有3-7wt％石墨或炭黑粉末含量而且粘度为25-35Pas的组合物具有特别好的性能。对应的组合物可以有利地用于在120-170℃的温度下蚀刻ITO层。
本发明的描述
该新型糊剂配制剂在蚀刻操作后的表面清洁、印刷精确度和废水污染方面具有显著改善了的性能。令人惊讶的是，已经发现添加有极细粒状的无机粉末、特别是细粒状石墨和/或炭黑的蚀刻糊剂，如果用于在120-170℃的温度下蚀刻ITO层，它们与添加有市售石墨或炭黑的糊剂相比具有改善了的清洁性能。处理过的表面的随后清洁用去离子水进行。
本发明的新型糊剂配制剂的主要优点还在于存在的无机粉末保持不变而且在蚀刻温度下不熔化，但是促进该蚀刻糊剂可以以极细的线或极细结构而没有渗化和渗出地施加到表面上并且随后能够扩散到在蚀刻操作期间起作用的位置。特别地，相对颗粒直径小于80nm、特别是小于50nm、优选45nm-30nm和BET比表面积为40-100m2/g、优选50-70m2/g的无机石墨或炭黑粉末的使用产生改善了的结果。非常特别优选使用颗粒直径约40nm和BET比表面积约62m2/g的炭黑粉末。这些炭黑粉末的使用产生特别好的蚀刻结果。与最小颗粒尺寸为3-5μm的聚合物粉末的使用相比，由于纳米粒状炭黑颗粒的添加，可以印刷和蚀刻显著更细的线和更小的结构，也就是达到显著改善了的印刷精确度，而且在ITO上可以印刷和蚀刻显著更小的结构。结果，在简单显示器以及在高分辨率TFT显示器中出现新的潜在应用，如图1-4所示。
使用具有上述性能而且满足该尺寸和表面要求的市售石墨或炭黑粉末制备本发明的糊剂。在此例如可以提及商业产品Super PTM(来自TIMCAL Graphite & Carbon，Switzerland的导电炭黑)。一般可以用常规方法确定颗粒尺寸。例如，可以借助于颗粒关联能谱法(particle correlation spectroscopy)(PCS)，用Malvern Zetasizer按照使用手册进行试验而确定颗粒尺寸。在此作为d50或d90值确定颗粒直径。所述颗粒直径优选作为d50值提供。
一般可以借助于结合在线分析的激光衍射来确定颗粒直径。为此，将激光束照射入分散在透明气体、例如空气中的颗粒云。颗粒使光折射，其中小的颗粒与大颗粒相比以更大的角度折射光。散射角因此与颗粒尺寸直接相关。观察到的散射角随着减小颗粒尺寸而对数性地增大。通过以不同角度布置的若干光检测器测量散射光。优选用基于Maxwell电磁场方程的Mie光衍射理论评价该测量。该理论基于两个假设。首先，假设要测量的颗粒是球形，但是这实际上只适用于少数颗粒。测得的激光衍射用于计算颗粒体积。其次，假设是稀的颗粒悬浮液。通常用于经由动态光散射确定纳米范围内的颗粒尺寸的方法在Malvern Instruments Ltd.的小册子“Dynamic Light Scattering：An Introduction in 30 Minutes”，DLS技术说明，MRK656-01中有更详细描述。
还可以借助于扫描电子显微照片(SEM照片)确定纳米粒状范围内的颗粒尺寸。为此，可以制备含颗粒的乳液并在旋涂工艺中以极薄的层施加至合适表面上。溶剂蒸发之后，拍摄SEM照片并测量所记录的颗粒直径。通过统计计算确定所测量试样的相对颗粒直径。适合该目的的测定颗粒尺寸的标准化方法和装置在ISO 13321，Methods forDetermination of Particle Size Distribution Part 8：PhotonCorrelation Spectroscopy，国际标准化组织[(ISO)1996(第一版1996-07-01)]中有描述，包括用于确定nm测量范围的尺寸的方法。
已经证实特别有利的是按照本发明使用纳米粒状炭黑使得固体向蚀刻糊剂组合物中的添加能够显著减少。令人惊讶地，已经发现如果使用纳米粒状炭黑粉末，与粘度相当的糊剂中聚合物颗粒的使用相比，蚀刻糊剂中固体的百分比可以减少超过70wt％。这特别适用于相对颗粒直径为20nm-80nm和BET比表面积为40-100m2/g的石墨和/或炭黑的使用。
为了制备粘度小于40Pas、特别是约30Pas的糊剂，与相对颗粒直径为3-5μm的聚合物颗粒的添加相比，特别是如果将相对颗粒直径约40nm和BET比表面积约62m2/g的炭黑颗粒用作对应组合物中的固体，固体的添加可以减少约74％。这样，可以制得明显更环境友好的糊剂。这还使得从废水中去除悬浮颗粒所必需的废水过滤器的使用寿命能够更明确地显著延长，以便从清洁蚀刻表面的漂洗操作中所产生的废水中去除悬浮的颗粒。
令人惊讶地，测量显示洗去的炭黑颗粒(活性炭)对糊剂的有机增稠剂添加剂和有机溶剂组分具有吸附作用。这具有漂洗水中的BOD5值(mg/l)可以通过简单的颗粒过滤而减小的结果。BOD5值是按照DIN 38409H51测量的5天内废水的生物需氧量(mg/l)。对于在所有情况下在漂洗水中相同量的糊剂(135mg糊剂/0.5l漂洗水)而言，对于包含按照本发明添加的炭黑颗粒的糊剂仅产生7-8mg/l的BOD5值，而例如使用具有另外相同组成的包含聚合物颗粒的蚀刻糊剂时，测得14mg/l的BOD5值。
已经证实特别有效的有效蚀刻组分特别地是磷酸，更精确地浓度为约35-50wt％。磷酸浓度为40-50wt％的组合物已经证实特别有效。它们具有非常特别有利的性能，因为它们能够良好地印刷到表面上并产生很好的蚀刻结果。特别优选磷酸含量为45-46wt％的蚀刻糊剂。
为了制备蚀刻糊剂，以使得温度在蚀刻组分的添加期间只能缓和地提高、但是在混合期间形成具有合适粘度的糊剂的方式的适当混合，将各种组分相继彼此混合。
如在上面已经指出的那样，如果相对粒径为20nm-80nm和BET比表面积为40-100m2/g的石墨和/或炭黑存在于其中，可以以特别细的线和结构印刷蚀刻糊剂。颗粒的表面性质在这里不仅对于作为蚀刻糊剂的性能而言是重要的，而且如上所述显著影响糊剂的环境可接受性。
对于本发明糊剂的制备，因此优选使用相对粒径小于50nm和BET比表面积为50-70m2/g的石墨和/或炭黑。特别优选相对粒径为30nm-45nm的粉末以及非常特别优选相对粒径为40nm和BET比表面积为62m2/g的炭黑粉末，因为这些组合物产生特别低的BOD5值。
为了产生有利的糊剂性能，以石墨和/或炭黑形式的固体颗粒在组合物中的存在量必须小于8wt％。优选将3-7wt％的纳米粒状石墨或炭黑粉末加入到糊剂中。特别地，约5-6wt％的添加产生粘度为25-35Pas的蚀刻糊剂，其可以极好地被印刷，如由图1-图4中的蚀刻照片非常清楚地显示的那样。然而，用量为0.5wt％的较少纳米粒状炭黑或石墨的添加与其中存在相同量的聚合物颗粒的糊剂的应用相比，在印刷过程中也已经产生改善了的性能。即使这些少量的颗粒也使得能够以减小的线宽度印刷。
除了纳米粒状石墨或炭黑外，所述糊剂可以包含增稠剂和任选的添加剂，例如消泡剂、触变剂、流动控制剂、脱气剂和粘合促进剂。可以掺混的溶剂为水和/或有机溶剂。因此，本发明的糊剂除了基础成分磷酸及炭黑或石墨粉末外，还可以包含水、聚乙烯基吡咯烷酮和1-甲基吡咯烷酮。1-甲基吡咯烷酮的存在量可以与磷酸相同，而聚乙烯基吡咯烷酮的存在量通常小于10wt％，优选约5-6wt％。
具有出于期望目的的有利性能的添加剂为消泡剂、例如以商品名
Figure A20078004049400131
Foamex N可得的那些，
触变剂、例如410、
Figure A20078004049400133
Thixo2，
流动控制剂、例如
Figure A20078004049400134
Glide ZG 400，
脱气剂、例如
Figure A20078004049400135
Airex 985，和
粘合促进剂、例如FT 929。
对本领域技术人员而言本身不用说的是这些添加剂也可以由其它具有相同作用的市售产品替代。在这方面必要的是这些添加剂的加入改善产品性能。
所进行的试验中特别使用的添加剂也在下面给出的实施例中揭示。
这些对蚀刻糊剂的可印刷性具有正面影响。这些添加剂的比例按蚀刻糊剂的总重计是0-5wt％。
可以用已知方式在晶片表面印刷本发明的蚀刻糊剂。特别地，以＜50μm的细线印刷施加它们。例如使用具有下列参数的丝网时这是可能的：
目数：          钢织物350目/英寸
长丝直径：      16μm
乳液厚度：      10μm
印刷期间的筛分：75μm
图1-4显示印刷不同厚度的线的制造的蚀刻结果。另外，从这些图中可以看出用本发明的糊剂可以蚀刻间隔小于100μm的线而不必使用光致抗蚀剂层。因此可以用本发明的蚀刻糊剂以简单的方式制造高分辨率蚀刻结构。
图1显示蚀刻至ITO层内的宽20.93μm的蚀刻线。
图2显示三条相互并排的宽37.95μm的蚀刻线，在所有情况下间隔为98.26μm。
图3显示宽38.4μm的蚀刻线的连续结构。
从所示的蚀刻图片中可以看出，本发明的蚀刻糊剂适合连续蚀刻甚至极细的线而在蚀刻轨迹上没有出现线中止。
实施例
为了更好地理解和为了说明本发明，以下给出本发明保护范围内的实施例。这些实施例也用于说明可能的变型。然而，由于所述的本发明原理的普遍有效性，实施例不适合将本申请的保护范围减小到惟有这些实施例。
对本领域技术人员而言本身不用说的是，在给出的实施例中还有在说明书的其余部分中，糊剂组合物中存在的组分量始终只是全部合计达100％，且即使在指出的百分数范围中可以有更大的值，也不能大于100％。
实施例1
包含无机纳米粒状固体添加剂的蚀刻糊剂
218g去离子水
223g 1-甲基-2-吡咯烷酮
1.6g乙二醇
在搅拌下将下列组分相继加入到该溶剂混合物中：
465g磷酸(85％)
和
11g聚乙烯基吡咯烷酮，
其中在剧烈搅拌下掺混聚乙烯基吡咯烷酮。
然后将50g炭黑加入到澄清的均匀混合物中，其又搅拌2小时。
可以用280目不锈钢织物丝网印刷该准备好使用的糊剂。原则上，也可以使用聚酯或类似的丝网材料。至关紧要的因素是所选的丝网材料对蚀刻组合物中存在的蚀刻组分呈惰性。
已经证实所制成的蚀刻糊剂长时期内储存稳定，同时保持有利的蚀刻性能。
具备有利性能的本发明组合物的更多实施例在下表中给出：
  批次   三甘醇单甲醚[g]   H2O[g]  StabilezeQM[g]   聚乙二醇[g]   NatrosolGR250[g]   乳酸(90％)[g]   H3PO4(85％)[g]   1-甲基-2-吡咯烷酮[g]   炭黑[g]   石墨[g]   乙二醇[g]   PVP[g]
  1   0   218   8   4   8   0   465   223   19   0   1.6   0
  2   0   219   7.7   4   8.5   0   463   223   17   0   2   0
  3   0   220   7.4   8   9   0   461   223   15   0   2.4   0
  4   0   221   7.1   8   9.5   0   459   223   13   0   2.8   0
  5   0   222   6.8   0   10   0   457   223   11   0   3.2   0
  6   0   223   6.5   0   10.5   0   455   223   9   0   3.6   0
  7   0   224   6.2   0   11   0   453   223   7   0   3   0
  8   0   225   5.9   0   11.5   0   451   223   8   0   2.4   0
  9   0   226   5.6   0   12   0   449   223   9   0   1.8   0
  10   0   227   5.3   0   12.5   0   447   223   10   0   1.2   0
  11   0   228   5   0   13   0   445   223   11   0   0.6   0
  12   0   229   4.7   0   13.5   0   443   223   12   0   0   0
  13   0   0   0   0   0   0   450   466   13   0   0   60
  14   0   0   0   0   0   0   452   464   19   0   0   59.5
  15   0   0   0   0   0   0   454   462   25   0   0   59
  16   0   0   0   0   0   0   456   460   31   0   0   58.5
  17   0   0   0   0   0   0   458   458   37   0   0   58
  18   0   0   0   0   0   0   460   456   43   0   0   57.5
  19   0   0   0   0   0   0   462   454   49   0   0   57
  20   0   0   0   0   0   0   464   452   55   0   0   56.5
  21   0   0   0   0   0   0   450   466   61   0   0   60
  22   0   0   0   0   0   0   452   464   67   0   0   59.5
  23   0   0   0   0   0   0   454   462   73   0   0   59
  24   0   0   0   0   0   0   456   460   79   0   0   58.5
  25   0   0   0   0   0   0   458   458   85   0   0   25
  26   0   0   0   0   0   0   460   456   68   0   0   30
  27   0   0   0   0   0   0   462   454   51   0   0   35
  28   0   0   0   0   0   5   464   452   50   0   0   56.5
  29   1   0   0   0   0   5   466   450   49   0   0   56
  30   2   0   0   0   0   5   468   448   48   0   0   55.5
  31   2   0   0   0   0   0   470   446   47   0   0   55
  批次   三甘醇单甲醚[g]   H2O[g]  StabilezeQM[g]   聚乙二醇[g]   NatrosolGR250[g]   乳酸(90％)[g]   H3PO4(85％)[g]   1-甲基-2-吡咯烷酮[g]   炭黑[g]   石墨[g]   乙二醇[g]   PVP[g]
  32   0   218   8   4   8   0   465   223   0   19   1.6   0
  33   0   219   7.7   4   8.5   0   463   223   0   17   2   0
  34   0   220   7.4   8   9   0   461   223   0   15   2.4   0
  35   0   221   7.1   8   9.5   0   459   223   0   13   2.8   0
  36   0   222   6.8   0   10   0   457   223   0   11   3.2   0
  37   0   223   6.5   0   10.5   0   455   223   0   9   3.6   0
  38   0   224   6.2   0   11   0   453   223   0   7   3   0
  39   0   225   5.9   0   11.5   0   451   223   0   8   2.4   0
  40   0   226   5.6   0   12   0   449   223   0   9   1.8   0
  41   0   227   5.3   0   12.5   0   447   223   0   10   1.2   0
  42   0   228   5   0   13   0   445   223   0   11   0.6   0
  43   0   229   4.7   0   13.5   0   443   223   0   12   0   0
  44   0   0   0   0   0   0   450   466   0   13   0   60
  45   0   0   0   0   0   0   452   464   0   19   0   59.5
  46   0   0   0   0   0   0   454   462   0   25   0   59
  47   0   0   0   0   0   0   456   460   0   31   0   58.5
  48   0   0   0   0   0   0   458   458   0   37   0   58
  49   0   0   0   0   0   0   460   456   0   43   0   57.5
  50   0   0   0   0   0   0   462   454   0   49   0   57
  51   0   0   0   0   0   0   464   452   0   55   0   56.5
  52   0   0   0   0   0   0   450   466   0   61   0   60
  53   0   0   0   0   0   0   452   464   0   67   0   59.5
  54   0   0   0   0   0   0   454   462   0   73   0   59
  55   0   0   0   0   0   0   456   460   0   79   0   58.5
  56   0   0   0   0   0   0   458   458   0   85   0   58
  57   0   0   0   0   0   0   460   456   0   68   0   57.5
  58   0   0   0   0   0   0   462   454   0   51   0   57
  59   0   0   0   0   0   5   464   452   0   50   0   56.5
  60   1   0   0   0   0   5   466   450   0   49   0   56
  61   2   0   0   0   0   5   468   448   0   48   0   55.5
  62   2   0   0   0   0   0   470   446   0   47   0   55

Claims (8)

1.蚀刻糊剂形式的用于蚀刻透明和导电氧化物表面和层的可印刷、可分配的蚀刻介质，其包含：
a)磷酸，
b)至少一种溶剂，
c)相对颗粒直径为20nm-80nm和BET比表面积为40-100m2/g的石墨和/或炭黑，
d)任选的增稠剂，和
e)任选的添加剂，例如消泡剂、触变剂、流动控制剂、脱气剂和粘合促进剂。
2.权利要求1的蚀刻介质，其包含相对颗粒直径小于50nm和BET比表面积为50-70m2/g的石墨或炭黑粉末。
3.权利要求1的蚀刻介质，其包含相对颗粒直径为30nm-45nm的石墨或炭黑粉末。
4.权利要求1的蚀刻介质，其包含相对颗粒直径为40nm和BET比表面积为62m2/g的炭黑粉末。
5.权利要求1-4的一项或多项的蚀刻介质，其以少于8wt％但超过0.5wt％的量包含石墨或炭黑粉末。
6.权利要求1-4的一项或多项的蚀刻介质，其以3-7wt％的量包含石墨或炭黑粉末而且粘度为25-35Pas。
7.权利要求1-6的一项或多项的蚀刻介质用于在半导体制造期间蚀刻透明、导电氧化物层的用途。
8.权利要求1-6的一项或多项的蚀刻介质用于在120-170℃的温度下蚀刻ITO的用途。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102097536A (zh) * 2009-12-11 2011-06-15 杜邦太阳能有限公司 制造一体化光伏模块的方法
CN102603211A (zh) * 2012-01-12 2012-07-25 福耀玻璃工业集团股份有限公司 一种在玻璃上制作标识的方法
CN102939356A (zh) * 2010-06-14 2013-02-20 默克专利有限公司 用于高分辨率构件图案化的交联和多相蚀刻糊
CN103508677A (zh) * 2013-09-24 2014-01-15 苏州诺维克光伏新材料有限公司 一种膏体材料及其应用
CN103980905A (zh) * 2014-05-07 2014-08-13 佛山市中山大学研究院 一种用于氧化物材料体系的新型蚀刻液及其蚀刻方法和应用
CN106280680A (zh) * 2016-08-09 2017-01-04 上海交通大学 一种水溶性含磷油墨及其制备方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009067475A1 (en) * 2007-11-19 2009-05-28 Applied Materials, Inc. Crystalline solar cell metallization methods
CN101889348B (zh) * 2007-11-19 2013-03-27 应用材料公司 使用图案化蚀刻剂物质以形成太阳能电池接点的工艺
TW201040299A (en) * 2009-05-05 2010-11-16 Fraunhofer Ges Forschung Layer system having barrier properties and a structured conductive layer, method for producing the same, and use of such a layer system
CN101958361A (zh) * 2009-07-13 2011-01-26 无锡尚德太阳能电力有限公司 透光薄膜太阳电池组件刻蚀方法
US9012766B2 (en) 2009-11-12 2015-04-21 Silevo, Inc. Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
US8524524B2 (en) * 2010-04-22 2013-09-03 General Electric Company Methods for forming back contact electrodes for cadmium telluride photovoltaic cells
US9214576B2 (en) * 2010-06-09 2015-12-15 Solarcity Corporation Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
US9773928B2 (en) 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
US9800053B2 (en) 2010-10-08 2017-10-24 Tesla, Inc. Solar panels with integrated cell-level MPPT devices
WO2012083082A1 (en) 2010-12-15 2012-06-21 Sun Chemical Corporation Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
CN103688600A (zh) * 2011-07-18 2014-03-26 默克专利股份有限公司 抗静电和抗反射涂层及相应的堆叠层的结构化
MX342532B (es) 2012-10-04 2016-09-30 Solarcity Corp Dispositivos fotovoltaicos con rejillas metalicas galvanizadas.
US9865754B2 (en) 2012-10-10 2018-01-09 Tesla, Inc. Hole collectors for silicon photovoltaic cells
JP6136186B2 (ja) * 2012-10-16 2017-05-31 日立化成株式会社 液状組成物
US9281436B2 (en) 2012-12-28 2016-03-08 Solarcity Corporation Radio-frequency sputtering system with rotary target for fabricating solar cells
US9412884B2 (en) 2013-01-11 2016-08-09 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
WO2014110520A1 (en) 2013-01-11 2014-07-17 Silevo, Inc. Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
US9624595B2 (en) 2013-05-24 2017-04-18 Solarcity Corporation Electroplating apparatus with improved throughput
WO2015191520A1 (en) * 2014-06-09 2015-12-17 Natcore Technology, Inc. Emitter diffusion conditions for black silicon
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
JP6359394B2 (ja) * 2014-09-18 2018-07-18 国立研究開発法人産業技術総合研究所 半導体装置とその製造方法
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
US9947822B2 (en) 2015-02-02 2018-04-17 Tesla, Inc. Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells
KR101629852B1 (ko) 2015-03-23 2016-06-14 주식회사 해나라 휠 가드 제조 시스템
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
US9842956B2 (en) 2015-12-21 2017-12-12 Tesla, Inc. System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures
US9496429B1 (en) 2015-12-30 2016-11-15 Solarcity Corporation System and method for tin plating metal electrodes
US10115838B2 (en) 2016-04-19 2018-10-30 Tesla, Inc. Photovoltaic structures with interlocking busbars
US10672919B2 (en) 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
TWI776196B (zh) * 2020-07-29 2022-09-01 國立虎尾科技大學 低溫製造微型發電機的製程方法
EP4283648A1 (en) 2021-01-25 2023-11-29 Kabushiki Kaisha Toshiba High-speed input device

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3904443A (en) * 1973-03-02 1975-09-09 Boeing Co High temperature lubricant
DE2929589A1 (de) * 1979-07-04 1981-01-22 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur herstellung eines optisch transparenten und elektrisch leitfaehigen filmmusters
FR2583916B1 (fr) * 1985-06-25 1990-01-12 Europ Composants Electron Cellule pour condensateur a double couche electrique et procede de fabrication d'une telle cellule
JPH01147078A (ja) * 1987-12-02 1989-06-08 Ricoh Co Ltd 透明電極パターン形成用エッチングインキ組成物及びその使用方法
JP3173318B2 (ja) * 1994-04-28 2001-06-04 キヤノン株式会社 エッチング方法及び半導体素子の製造方法
US5688366A (en) * 1994-04-28 1997-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Etching method, method of producing a semiconductor device, and etchant therefor
US5457057A (en) * 1994-06-28 1995-10-10 United Solar Systems Corporation Photovoltaic module fabrication process
CA2407530C (en) 2000-04-28 2010-05-11 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung Etching pastes for inorganic surfaces
DE10150040A1 (de) * 2001-10-10 2003-04-17 Merck Patent Gmbh Kombinierte Ätz- und Dotiermedien
DE10239656A1 (de) * 2002-08-26 2004-03-11 Merck Patent Gmbh Ätzpasten für Titanoxid-Oberflächen
DE10241300A1 (de) * 2002-09-04 2004-03-18 Merck Patent Gmbh Ätzpasten für Siliziumoberflächen und -schichten
US20040112868A1 (en) * 2002-12-13 2004-06-17 Phipps Peter Beverley Powell Etchant solution for removing a thin metallic layer
WO2005013394A1 (en) * 2003-08-01 2005-02-10 Avestor Limited Partnership Cathode material for polymer batteries and method of preparing same
DE102004016766A1 (de) * 2004-04-01 2005-10-20 Degussa Nanoskalige Siliziumpartikel in negativen Elektrodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien
JP2006086069A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Three M Innovative Properties Co 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
DE102005007743A1 (de) 2005-01-11 2006-07-20 Merck Patent Gmbh Druckfähiges Medium zur Ätzung von Siliziumdioxid- und Siliziumnitridschichten
JP4887664B2 (ja) * 2005-05-17 2012-02-29 ソニー株式会社 多孔質構造体の製造方法及び光電変換素子の製造方法
DE102005031469A1 (de) * 2005-07-04 2007-01-11 Merck Patent Gmbh Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten
DE102005033724A1 (de) 2005-07-15 2007-01-18 Merck Patent Gmbh Druckfähige Ätzmedien für Siliziumdioxid-und Siliziumnitridschichten
DE102005035255A1 (de) * 2005-07-25 2007-02-01 Merck Patent Gmbh Ätzmedien für oxidische, transparente, leitfähige Schichten
US7494744B2 (en) * 2006-03-08 2009-02-24 Changs-Ascending Enterprise Co. Cathode material for Li-ion battery applications
EP2001656B1 (en) * 2006-04-06 2014-10-15 3D Systems Incorporated KiT FOR THE PRODUCTION OF THREE-DIMENSIONAL OBJECTS BY USE OF ELECTROMAGNETIC RADIATION
US8158071B2 (en) * 2006-04-29 2012-04-17 Chun-Chieh Chang Method and devices for producing air sensitive electrode materials for lithium ion battery applications
DE102006051952A1 (de) * 2006-11-01 2008-05-08 Merck Patent Gmbh Partikelhaltige Ätzpasten für Siliziumoberflächen und -schichten
US20090035661A1 (en) * 2007-08-01 2009-02-05 Jeffrey Swoyer Synthesis of cathode active materials

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102097536A (zh) * 2009-12-11 2011-06-15 杜邦太阳能有限公司 制造一体化光伏模块的方法
CN102097536B (zh) * 2009-12-11 2012-12-12 杜邦太阳能有限公司 制造一体化光伏模块的方法
CN102939356A (zh) * 2010-06-14 2013-02-20 默克专利有限公司 用于高分辨率构件图案化的交联和多相蚀刻糊
CN102603211A (zh) * 2012-01-12 2012-07-25 福耀玻璃工业集团股份有限公司 一种在玻璃上制作标识的方法
CN102603211B (zh) * 2012-01-12 2013-10-30 福耀玻璃工业集团股份有限公司 一种在玻璃上制作标识的方法
CN103508677A (zh) * 2013-09-24 2014-01-15 苏州诺维克光伏新材料有限公司 一种膏体材料及其应用
CN103980905A (zh) * 2014-05-07 2014-08-13 佛山市中山大学研究院 一种用于氧化物材料体系的新型蚀刻液及其蚀刻方法和应用
CN106280680A (zh) * 2016-08-09 2017-01-04 上海交通大学 一种水溶性含磷油墨及其制备方法

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