CN101889348B - 使用图案化蚀刻剂物质以形成太阳能电池接点的工艺 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 128
- 230000008569 process Effects 0.000 title abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 title abstract description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 124
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 22
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 13
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 6
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical group OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 3
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N propylene glycol Substances CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 16
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 52
- 241000894007 species Species 0.000 description 28
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 18
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 8
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N protonated dimethyl amine Natural products CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 5
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 4
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 description 3
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 229920000137 polyphosphoric acid Polymers 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- HBVFXTAPOLSOPB-UHFFFAOYSA-N nickel vanadium Chemical compound [V].[Ni] HBVFXTAPOLSOPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006385 ozonation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 2
- MDBGGTQNNUOQRC-UHFFFAOYSA-N Allidochlor Chemical compound ClCC(=O)N(CC=C)CC=C MDBGGTQNNUOQRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDRJCBXXDRYVJC-UHFFFAOYSA-N OP(O)O.N.N.N Chemical compound OP(O)O.N.N.N JDRJCBXXDRYVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- GJYJYFHBOBUTBY-UHFFFAOYSA-N alpha-camphorene Chemical compound CC(C)=CCCC(=C)C1CCC(CCC=C(C)C)=CC1 GJYJYFHBOBUTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- NHDHVHZZCFYRSB-UHFFFAOYSA-N pyriproxyfen Chemical compound C=1C=CC=NC=1OC(C)COC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 NHDHVHZZCFYRSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明的实施方式预期了使用新颖方法以形成高效率太阳能电池,而该方法是形成太阳能电池元件的主动区及金属接点结构。在一实施方式中,该方法包括使用多种蚀刻及图案化工艺,这些工艺是用以界定穿过覆盖太阳能电池基板的表面的毯覆介电层的点触。该方法一般包括沉积一蚀刻剂物质,而该物质是使得在介电层中形成所需图案,且通过该图案可形成至太阳能电池元件的电性接点。
Description
技术领域
本发明的实施方式一般涉及光电电池(photovoltaic cell)的制造。
背景技术
太阳能电池为光电元件,所述光电元件是将太阳光直接转换为电力。最常用的太阳能电池材料为硅,所述硅呈现单晶或多晶基板的形式,有时称之为晶圆(wafer)。由于形成硅系(silicon-based)太阳能电池以产生电力的偿还性花费高于使用传统方法产生电力的花费,因此已针对减少形成太阳能电池的花费付出了努力。
存在有多种方法以制造太阳能电池的主动区(active region)以及太阳能电池的载流(current carrying)金属线(或导体)。然而,这些已知制造方法存在有许多问题。举例来说,形成的工艺为复杂的多步骤工艺,因此增加了形成太阳能电池所需的花费。
因此,针对在基板的表面上形成主动区及载流区以形成太阳能电池的改良式方法及设备存在有需求。
发明内容
本发明一般是提供一种形成太阳能电池元件的方法,该方法包括:在一基板的一表面上形成一介电层;将一蚀刻剂物质设置在该介电层的多个区域上;加热该基板至一所需温度,以使得该蚀刻剂物质将这些区域中的至少一部分的介电层移除,以暴露该基板表面的多个区域;以及在该表面的暴露区域上沉积一导电层。本发明的实施方式更提供一种工艺顺序,其中在将基板加热至所需温度之后,导电层主要是沉积在该表面的暴露区域上,藉此,在这些工艺步骤之间,并未执行其它主要的太阳能电池形成工艺。举例来说,在加热基板以及沉积导电层工艺之间,并未在基板上执行湿式工艺步骤。
本发明亦提供一种形成一太阳能电池元件的方法,该方法包括:在一基板的至少一表面上形成一介电层,其中该介电层包含一或多个掺杂元素;将一蚀刻剂物质设置在该介电层的多个区域上,其中该蚀刻剂物质包括氟化铵;加热该基板至一所需温度,以使得该蚀刻剂物质将至少一部分的介电层移除;以及在含硅区域上沉积一导电层。
附图说明
为让本发明的上述特征更明显易懂,可配合参考实施方式说明而了解简单概述如上的特定描述,而部分的这些实施方式乃绘示如所附附图。
图1A~1G,绘示根据本发明的一实施方式的在不同工艺顺序阶段的太阳能电池的剖面示图;
图2,绘示根据本发明的实施方式的金属化太阳能电池的方法的流程图;
图3A,绘示根据本发明的实施方式的具有在基板表面上形成的导电图案的太阳能电池的剖面侧视图;
图3B,绘示根据本发明的实施方式在完成前侧金属化互连图案(metallization interconnect pattern)之后的太阳能电池的等角视图;
图4A~4D,绘示根据本发明的一实施方式的在一工艺顺序的不同阶段的太阳能电池的剖面视图;
图5,绘示根据本发明的实施方式的太阳能电池的金属化方法的流程图。
为便于了解,图式中相同的元件符号表示相同的元件。某一实施方式采用的元件当不需特别详述而可应用到其它实施方式。
具体实施方式
本发明的实施方式预期使用新颖方法以形成高效率太阳能电池,而该方法是形成太阳能电池元件的主动区及金属接点结构。在一实施方式中,该方法包括使用多种蚀刻及图案化工艺,该些工艺是用以界定穿过覆盖太阳能电池基板的表面的毯覆介电层的点触(point contact)。该方法一般包括沉积一蚀刻剂物质,而该物质是使得在介电层中形成所需图案,且通过该图案可形成至太阳能电池元件的电性接点。可使用各种技术以形成太阳能电池的主动区及金属接点结构。受益于本发明的太阳能电池基板(例如,图1A的基板110)包括具有主动区的挠性(flexible)基板,而该主动区包含有机物质、单晶硅、多晶硅、复晶硅、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、碲化镉(CdTe)、硫化镉(CdS)、硒化铜铟镓(CIGS)、硒化铜铟(CuInSe2)、磷化镓铟(GaInP2)、以及异质接面电池(heterojunction cell),例如:GaInP/GaAs/Ge或ZnSe/GaAs/Ge基板,所述的太阳能电池基板是用于将太阳光转换为电力。在一实施方式中,基板110包括p-n接合区(p-njunction)型结构,而该结构是近似于位于基板310中的结构类型(将结合图4A~4D而讨论如下),而该基板110具有形成于其上的介电层(例如元件符号111或311)。
太阳能电池形成工艺
图1A~1G是绘示用以在太阳能电池100的表面120上形成接点结构的工艺顺序的不同阶段中的太阳能电池基板110的剖面视图。图2绘示用于在太阳能电池上形成主动区及/或接点结构的工艺顺序200。图2中的顺序是相应于在此将讨论的图1A~1G的多个阶段。
在步骤202,介电层111是形成在基板110的至少一表面上(如图1A所示)。在一实施例中,介电层111为氧化硅层,例如二氧化硅层,所述介电层是形成在含硅基板的表面120上。该含有氧化硅的介电层111可以使用已知的热氧化工艺而被形成,该热氧化工艺是例如为:炉退火工艺、快速热氧化工艺、大气压或低压CVD工艺、等离子体辅助CVD工艺、PVD工艺,或者使用喷涂(sprayed-on)、旋涂(spin-on)、滚涂(roll-on)、网印(screen printed)或其它类似类型的沉积工艺而被涂覆。在一实施方式中,介电层111为二氧化硅层,所述二氧化硅层的厚度为约在另一实施方式中,介电层111为厚度小于的二氧化硅层。在一实施方式中,表面120为所形成的太阳能电池的背侧。应注意针对氧化硅型介电层的形成的讨论并未欲于限制本发明的范畴,因为介电层111亦可使用其它已知的沉积工艺(例如PECVD沉积)形成,及/或由其它介电材料制成。在一实施方式中,介电层111为形成在含硅基板的表面120上的氮化硅层,所述氮化硅层的厚度为在一实施例中,氧化硅或氮化硅形成工艺是在购自加州圣克拉拉的应用材料公司(Applied Materials Inc.)的Vantage RadiancePlusTM RTP、Vantage RadOxTM RTP或是Applied Producer或是其它类似的腔室中进行。
在另一实施方式中,介电层111包括一多层薄膜堆栈,例如:氧化硅/氮化硅层堆栈(例如:厚度为~至~的氧化硅层,以及厚度为~至~的氮化硅层)、非晶硅/氧化硅层堆栈(例如:厚度为~30至的非晶硅层,以及厚度为~100至的氧化硅层),或是非晶硅/氮化硅堆栈(例如:厚度为~30至的非晶硅层,以及厚度为~100至的氮化硅层)。在一实施例中,使用CVD工艺而在硅基板上沉积的非晶硅层,并接着使用CVD或PVD工艺沉积的氮化硅层。在另一实施例中,使用快速热氧化工艺在硅基板上形成的氧化硅层,并接着使用CVD或PVD工艺在氧化硅层上沉积的氮化硅。可适于形成此处所述的非晶硅层、氮化硅或氧化硅的沉积室及/或工艺的实施例是进一步在共同受让且同时另案待审的美国专利申请序号第12/178,289号(申请日2008年7月23日)以及共同受让的美国专利申请序号第12/202,213号(申请日为2008年8月29日)中讨论,在此将其整体并入以做为参考。
在步骤204,蚀刻剂物质121是通过利用已知的喷墨印刷、橡胶冲印(rubberstamping)、网版印刷或其它类似的工艺被选择性地沉积在介电层111上以形成并界定所需的图案,而该图案即为通往下方基板表面(例如:硅)的电性接点的形成处(图1B)。在一实施方式中,通过网版印刷工艺将蚀刻剂物质设置在介电层111上,而在此工艺中,是通过具有尺寸介于约100~约1000μm且中心距离小于2mm的特征结构的聚酯掩模而印刷蚀刻剂物质。在一实施例中,特征结构为圆形孔洞、狭缝、矩形孔洞、六角形孔洞或其它所需形成在介电层111中的形状。在一实施例中,是通过具有尺寸大于约100μm且中心距离小于约1~2mm的特征结构的聚酯掩模而印刷蚀刻剂物质。在另一实施例中,特征结构的尺寸是小于约1000μm且中心距离小于约1~2mm。在一实施例中,网版印刷工艺是在购自加州圣克拉拉的应用材料公司的分公司Baccini S.p.A.的SoftLineTM中进行。
在一实施方式中,蚀刻剂物质121为含有氟化铵(NH4F)的物质,所述含有氟化铵的物质是经配制以蚀刻介电层111。在一实施例中,蚀刻剂物质含有:200g/l的氟化铵(NH4F)、50g/l的2000MW聚乙二醇(PEG)、50g/l的乙醇,以及剩余以去离子水补满1升体积。图1C绘示已沉积在介电层111上的蚀刻剂物质121的量的近视图。举例来说,1升的蚀刻剂物质包括:90毫升的6∶1的BOE蚀刻溶液、5g的500MW聚乙二醇(PEG)、5g的乙醇,以及剩余以去离子水补满1升体积。蚀刻溶液中的额外成分通常是经选择以促进介电层111的「湿润」,并同时使得会影响形成在介电层111中的图案的散布(spreading)的量最小化。当聚氧化乙烯(即,聚乙二醇)系的物质以及其它相关物质用作在蚀刻剂物质中的表面活性剂时,它们还会在高于250℃的温度分解而形成挥发性的副产物,因此避免在下一步骤中加热基板之后为清洁基板表面的后清洗(post-rinse)步骤的需求。
在一实施方式中,蚀刻剂物质121包括氟化铵(NH4F)、与氟化铵形成均质混合物的溶剂、pH调整剂(例如BOE、HF)以及表面活性剂/湿润剂。在一实施方式中,溶剂为二甲胺、二乙胺、三乙胺或乙醇胺,而所述二甲胺、二乙胺、三乙胺或乙醇胺是配制在水溶液中。一般来说,亦可使用会与氟化铵形成均质混合物的任何其它胺类。在一实施例中,表面活性剂/湿润剂可以为聚乙二醇(PEG)、聚丙二醇、聚乙二醇-聚丙二醇的嵌段共聚合物,或是甘油。一般来说,可以使用能与氟化铵及溶剂混合物均质地混合,且亦会「湿润」介电表面的任何其它表面活性剂。在部分实施例中,是期望形成一蚀刻剂物质121,该蚀刻剂物质121保持非晶胶体(amorphous gel),并且通常不易于结晶。在一实施例中,蚀刻剂物质121包括与5mL的二甲胺混合的20g的氟化铵,以及25g的甘油,所述蚀刻剂物质会接着加热至100℃直到该混合物的pH值达到约7并形成均质混合物为止。在另一实施例中,5g的氟化铵与5mL的乙醇胺混合,并接着将2mL的HF加入氟化铵与乙醇胺的混合物中,以使pH下降至约7,并接着加入2g的聚乙二醇-聚丙二醇的嵌段共聚合物。深信使用碱性化学物质的一利处在于,直到接续的加热工艺开始将氨驱赶出来之前,不会有挥发性的HF蒸气产生,因此,降低了在执行加热工艺之前,进行昂贵且复杂的通风及处理方案的需求。
在步骤206,基板被加热至约200~300℃,而此会导致蚀刻剂物质中的化学物质对于形成在基板上的介电层111进行蚀刻,以在基板110上形成暴露区域125。暴露区域125在介电层111中提供开口,通过开口则可形成通往基板110的电性连接。在一实施方式中,基板表面上的暴露区域125的直径是介于约5μm~约200μm。相信在温度介于约100~300℃下,将含有氧化硅的介电层111(例如厚度为)暴露于含有氟化铵(NH4F)的蚀刻剂物质121约2分钟,则介电层111会被蚀刻以产生挥发性的蚀刻产物,而这些蚀刻产物会在工艺过程中由基板110的表面蒸发(例如,图1D中的元件符号A)。在一实施例中,基板是放置在热工艺室中,而在该工艺室中,是施加约50~300℃的逐渐升温(temperature ramp)至基板约6分钟的循环,以蚀刻介电层111。因此,在所需温度下进行所需的持续时间(例如~2分钟)的工艺之后,挥发性的蚀刻产物将会被移除,并在暴露区域125中留下干净的表面110A,则可在该些区域中形成可靠的背侧电性接点。相信反应将会循着式(1)而进行:
SiO2+4NH4F→SiF4+2H2O+4NH3 (1)
图1E绘示在执行了图1A~1D及图2所示的步骤202~206之后,所形成的经图案化的介电层111。在此处所讨论的蚀刻剂配方及工艺顺序的一实施态样为能够在介电层111中形成暴露区域125,而不需要执行任何的后清洁处理,此乃因为蚀刻产物及残留的蚀刻剂物质通过蒸发而移除,因此留下干净的表面而可直接在工艺的步骤210进行金属化。因此,在一实施方式中,工艺顺序包括在介电层111中形成暴露区域125,并接着进行沉积导电层114的步骤(步骤210)。在部分实施例中,是期望避免延长的等待时间,或是在步骤206及210之间执行其它长时间的中间工艺步骤,以防止导电层114沉积在暴露的基板(例如结晶硅基板)表面上之前,在其上形成实质氧化物层(例如SiO2)。在部分实施例中,是期望在步骤206及210之间避免执行湿式工艺步骤,以防止清洗及干燥基板所需的额外时间、与执行湿式工艺步骤相关的拥有成本(cost-of-ownership)的增加,以及暴露区域125的氧化或污染的增加机会。
然而,在一实施方式中,于步骤206所执行的工艺完成之后,于基板110上执行一选用的清洁处理(步骤208),以移除任何不期望存在的残留物及/或形成一钝化表面。在一实施方式中,清洁处理的执行可以通过:以清洁溶液润湿基板,藉以移除在步骤206之后所残留的物质,并在基板上的各区域执行接续的沉积步骤之前,清洁基板的表面。可以通过喷洒、浸渍、浸没或其它适合技术以进行润湿的步骤。后蚀刻清洁溶液可以为SC1清洁溶液、SC2清洁溶液、稀释的HF-last型清洁溶液、臭氧化的水溶液、稀释的氢氧化铵(NH4OH)溶液、过氧化氢(H2O2)溶液、去离子水,或使用其它适合且具成本效益的清洁处理以清洁含硅基板。
在步骤210,如图1F所示,导电层114是沉积在基板110的表面120上,而其是电连接基板110表面上的暴露区域(例如:干净表面110A)。在一实施方式中,所形成的导电层114的厚度为约500~约并含有例如铜(Cu)、银(Ag)、锡(Sn)、钴(Co)、铼(Rh)、镍(Ni)、锌(Zn)、铅(Pb)及/或铝(Al)的金属。在一实施方式中,导电层114含有两层,其是通过首先利用物理气相沉积(PVD)工艺或蒸镀工艺而沉积铝(Al)层112,并接着通过使用PVD沉积工艺以沉积钒镍(NiV)罩盖层113而形成。在部分实施例中,当导电层114是施加在叉型全黑接触(interdigitated all black contact)太阳能电池结构上时,是期望将沉积的导电层114图案化以形成两个分离的区域,其是通过使用物质移除处理来达成,例如激光剥离法、图案化及干式蚀刻或其它类似的技术。
在一实施方式中,通过使用无电沉积工艺而在基板110的暴露区域125上形成含镍层。示范性的镍沉积化学作用、沉积方法及形成导电层的工艺是进一步描述在美国临时申请案第61/003,754号中(申请日为2007年11月19日),在此将其并入以做为参考。在镍沉积步骤之后,导电层114的其它部分可以形成在镍层上。
在一实施方式中,于沉积导电层114(步骤210)之后,是执行一选用的热处理步骤,以确保在导电层114与表面120之间的界面形成良好的电性接触。在一实施方式中,基板是加热至约300℃~约800℃并持续约1分钟~约30分钟,以形成良好的奥姆接点(例如形成硅化物)。
在步骤210之后,可执行多种步骤以制备及/或纹理化基板的相对表面101(图1G)。在一实施方式中,基板110的相对表面101为太阳能基板的前侧,所述太阳能基板的前侧在形成太阳能电池之后是适以接收太阳光。在一实施例中,相对表面101是经纹理化,并接着使用喷涂或气相的高温扩散工艺以进行选择性地掺杂,并再利用ARC层119(例如氮化硅)来钝化之。在一实施方式中,具有一或多个主动层118(例如在p型基板上的i-n型层)的异质接面116型的太阳能电池结构是形成在经过纹理化的相对表面101上。应注意的是,相对表面101的制备亦可以在执行步骤202或是工艺顺序200中的其它步骤的工艺之前进行,且不偏离在此所揭露的本发明的范畴。示范性的纹理化工艺的实施例是进一步描述在美国临时申请案第61/039,384号中(申请日为2008年3月25日),在此将其并入以做为参考。另外,在一实施方式中,于制备相对表面101之后,可以使用已知的工艺以在其上形成一或多个导电前接触线(图中未示),藉以形成太阳能电池100的前接触结构。
掺杂工艺
在一实施方式中,于步骤202、204及/或206所执行的工艺是经改变以提供在执行工艺顺序200之后,而可用于在基板110的干净表面110A上或其下方形成图案化的介电层及掺杂区域(图1D~1E)的工艺。一般来说,这些技术是用于在执行接续的高温热工艺之后所暴露的基板区域中形成高度掺杂区域。在一实施方式中,蚀刻物质是设置在未掺杂的介电层部分的上方,以蚀刻并形成暴露区域,而可使用此处所述的工艺而轻易的对暴露区域进行掺杂。含有掺质(dopant)的物质可因而加入蚀刻剂配方中,以增加残留物的掺质浓度,并最终增加在接点下方的不同的掺杂程度。在此配置中,可通过此处所述的工艺而形成选择性掺杂的点触或者是选择性射极接触型(emitter contacts type)太阳能电池,以形成高效率的太阳能电池。
在步骤202的替换形式中,介电层111是形成且已含有所需量的n型或p型掺质原子,并在介电层111成分(例如硅、氧)挥发之后,所述介电层作为富含有掺质的残留物被保留在表面上。在形成掺质残留物之后,则于接续的高温工艺步骤(即,步骤206)过程中,掺质物质被驱动进入基板表面中。通过在接续的高温扩散步骤中,将残留的掺杂原子驱动进入邻近所形成的暴露区域的下方基板中,残留在掺质残留物中的高浓度掺质原子可因此有利地用于形成高度掺杂区域。在部分实施例中,必须要小心地处理基板,以预防轻度附着的掺质残留物移动至基板表面的其它区域,因而在扩散步骤之后产生不期望的掺杂区域。在一实施方式中,步骤206中的工艺是在炉管中或RTP室中高于约800℃的温度进行。在步骤206中所执行的工艺的其它实施方式中,是使用二步骤的加热工艺,其中基板是首先被加热至约300℃的温度约1~5分钟,并接着加热至约800~约1200℃的温度持续一段所需的时间,以允许形成掺质残留物,并接着将掺质驱动进入基板表面中。在步骤206的工艺的又另一实施方式中,是使用二步骤的加热工艺,其中基板是首先加热至小于约300℃的温度约1~5分钟,并接着加热至大于约800℃的温度持续一段所需的时间。因此,由于在掺质残留物中的高浓度掺杂原子之故,则可较轻易地扩散进入基板表面中,以在暴露区域形成高度掺杂区域。
在步骤204的替换形式中,蚀刻剂物质121含有一定量的所需掺质物质,而这些掺质物质可在步骤206所执行的工艺过程中被驱动进入基板110的干净表面110A中。如上所讨论者,在一实施方式中,于步骤206所执行的工艺是在炉管中或RTP室中高于约800℃的温度且在存在有还原气体(例如:氮氢混合气体forming gas、空气或氧气)的条件下进行,以驱动掺质物质进入。
在工艺顺序200的一实施方式中,蚀刻剂物质121含有n型掺质物质,例如含有磷(P)、锑(Sb)或砷(As)的化合物,而这些化合物是在步骤204所执行的工艺中设置在基板的表面上。加入蚀刻剂物质121中的掺质原子可用于形成局部的n+区域,以提供对于n型基板的较佳电性接触,或是形成在基板110中的n型扩散区域。在一实施例中,蚀刻剂物质121的掺杂成分可包括选自由下列物质所组成的群组的其中一者,这些物质为磷酸(H3PO4)、亚磷酸(H3PO3)、次磷酸(H3PO2)、亚磷酸铵(NH4H2PO3)以及次磷酸铵(NH4H2PO2)。
可选择地,蚀刻剂物质121可含有p型掺质物质,例如含有硼(B)、铝(Al)、铟(In)或镓(Ga)的化合物,藉以形成局部的p+区域,以提供对于p型基板的较佳电性接触,或是形成在基板110中的p型扩散区域。在一实施方式中,掺质前驱物可包括硼酸(H3BO3)、四氟硼酸铵(NH4BF4)及/或其组合。
替代性掺杂工艺
在步骤202、204及/或206所执行的工艺的另一实施方式中,在执行高温热工艺步骤(例如步骤206)之前,蚀刻物质是施加在含有掺质的介电层上,例如含有一或多个掺质原子的介电层111。在一实施例中,介电层为含有磷硅酸盐玻璃(PSG)或是硼硅酸盐玻璃(BSG)的物质。在将大部分的二氧化硅成分于步骤206转变为SiF4并使其挥发之后(由于介电材料与蚀刻物质反应),则掺质物质的浓缩残留物是形成或是残留在暴露表面上。在步骤206过程中,或是在一接续的高温扩散步骤中,在(未蚀刻)掺杂层(例如BSG或PSG层)中的掺质以及存在于蚀刻开口的表面上的更为浓缩的掺质残留物,都被驱动进入太阳能电池基板中。在一实施方式中,蚀刻物质中的掺质含有不同于掺杂介电层中含有的掺质(例如B、P)的掺质类型(例如As、Al、Ga、In)。因此,在一实施方式中,在暴露区域处可形成更高度及/或更深入的掺杂区域,且在未蚀刻的掺杂介电层下方具有较浅的掺杂分布(profile)。相信由于在基板表面的掺杂原子的较高浓度,以及残留的掺质原子可较轻易(相较于通过掺杂层)扩散进入基板表面之故,则可在暴露区域处达到较深的掺杂分布。
墨沉积(Ink Deposition)工艺
图3A及3B是绘示在太阳能基板310上制造的硅太阳能电池300的一实施方式。基板310包括p型基极区域301、n型射极区域302以及设置在其间的p-n接合区(p-n junction)303。n型区域或n型半导体的形成是通过将特定的元素种类,例如磷(P)、砷(As)或锑(Sb),掺杂至半导体,藉以增加负电荷载子(即,电子)的数量。在一配置中,是通过使用包括含有掺质的气体的非晶、微晶或复晶硅CVD沉积工艺以形成n型射极区域302。相似的,p型区域或p型半导体的形成是通过将三价原子添加入结晶晶格中,而造成正常硅晶格的4个共价键的其中一者的电子短缺。因此,掺质原子可以接受来自相邻原子的共价键的电子,以完成第4个键。掺质原子接受电子,导致相邻原子的半个键遗失,因而造成「空穴」。在一配置中,p型基极区域301为太阳能电池基板,例如结晶硅基板(例如单晶、多晶、复晶)或是其它结合图1A的基板110所讨论于上的相似基板材料。绘示于图3A~3B中的太阳能电池元件配置以及下方所述的其它配置并未欲于限制本发明的范畴,因为也可使用此处所述的方法及设备而对其他的基板及太阳能元件区域配置进行金属化,且不偏离本发明的基本范畴。
当太阳光落在太阳能电池300上,来自入射光子的能量会在p-n接合区303的两侧产生电子-空穴对。电子扩散跨越p-n接合区至较低的能阶,空穴则往相反方向扩散,藉以在射极产生负电,并在基极上产生相应的正电。当在射极与基极之间产生电路,且p-n接合区暴露于光的部分波长,则电流将会流动。当照射时,由半导体产生的电流会流经设置在表面320(即,光接收侧)的接点,以及太阳能电池300的背侧321。如图3B所示的顶部接点结构308是通常配置为具有宽间隔的薄金属线(或指状物)309A,而所述具有宽间隔的薄金属线(或指状物)309A是供应电流给与指状物为横向定位的总线(bus bar)309B。背接点306通常不会限制于形成为多个薄金属线,因为所述背接点不用预防入射光线照射太阳能电池300。太阳能电池300是覆盖有介电材料的薄层,例如氮化硅(Si3N4)或氮化硅的氢化物(SixNy:H),以作为抗反射涂层311或是ARC层311,所述抗反射涂层或是ARC是用以使得由太阳能电池300的顶表面反射的光最小化。可使用物理气相沉积(PVD)工艺、化学气相沉积工艺或其它相似技术而形成ARC层311。可使用退火步骤(>600℃)以进一步钝化已沉积的ARC层311。
接点结构308是与基板接触,并适于与掺杂区域(例如:n型射极区域302)形成奥姆连接。奥姆接点是半导体元件上的一个区域,该区域是经制备以使得元件的电流-电压(I-V)曲线为线性并对称,也就是说,在半导体元件及金属接点之间没有高电阻界面。低电阻且稳定的接点是确保太阳能电池的效能及在太阳能电池制造过程中所形成的电路的可靠性。背接点306是完成了太阳能电池300所需的电路,并通过形成与基板的p型基极区域301为奥姆接触的导电层而产生电流。
图4A~4D绘示在太阳能电池的表面上形成导电层的工艺顺序的不同阶段的太阳能电池剖面示图,而该导电层是例如为图3A的接点结构308。图5绘示工艺顺序500或是一系列的方法步骤,所述方法步骤是用于形成太阳能电池上的接点结构308。在图5中的方法步骤是相应于图4A~4D所绘示的阶段,在此是讨论之。
在步骤502,如上所讨论者,通过已知方法,太阳能电池是被形成而在基板310的表面上形成有ARC层311(参见图3A及4A)。应注意到如在上方所讨论的任何步骤中的背接点306(图3A)并不需要在基板310的部分表面320进行金属化之前形成。
在下一步骤(或步骤504),通过已知的喷墨印刷、网版印刷、橡胶冲印或其它类似的工艺而将含金属油墨390物质选择性地沉积在ARC层311上,藉以形成并界定待形成接点结构308(即,指状物309A及总线309B)的区域。在一实施方式中,含金属油墨390为含镍油墨,所述含镍油墨是经配制以蚀刻ARC层311,并使得基板310的下方表面302A金属化。在一实施方式中,含镍油墨包含:10g的醋酸镍(Ni(OOCCH3)2·4H2O)、10g的42%次磷酸(H3PO2)、10g的聚磷酸(H6P4O13)、3g的氟化铵(NH4F)以及2g的500MW聚乙二醇(PEG)。在另一实施方式中,含镍油墨是主要含有:10g的醋酸镍(Ni(OOCCH3)2·4H2O)、10g的42%次磷酸(H3PO2)以及3g的氟化铵(NH4F)。在一实施方式中,是期望将所需量的甲醇或乙醇添加至含镍溶液中。
在接点层形成步骤中(或步骤506),基板是被加热至介于约250~300℃,而使得含金属油墨390中的化学物质去蚀刻ARC层311,并使得基板的下方表面302A金属化。在一实施方式中,加热含镍的含金属油墨390的工艺是使得含氮化硅(SiN)的ARC层311被蚀刻,并使硅化镍(NixSiy)形成在基板310(例如:n型射极区域302)的上方表面上。图4B是示出形成在n型射极区域302上的接点层304。在一实施方式中,是使用无电镍沉积工艺以形成接点层304,而该接点层304是包括厚度为约10~约的主要镍层。
在一实施方式中,于步骤506执行的工艺完成之后,可在基板310上执行一选用的清洁处理,以移除任何不期望存在的残留物,及/或形成钝化表面。在一实施方式中,可通过清洁溶液润湿基板以进行清洁处理,以移除任何在执行步骤506的工艺之后所残留的物质。在一实施例中,是期望移除来自含金属油墨390的残留物,例如来自经蚀刻的ARC层311的残留物、聚磷酸残留物及/或PEG残留物。可以通过喷洒、浸渍、浸没或其它适合技术以进行润湿的步骤。清洁溶液可以为SC1清洁溶液、SC2清洁溶液、稀释的HF-last型清洁溶液、臭氧化的水溶液、稀释的氢氧化铵(NH4OH)溶液、过氧化氢(H2O2)溶液、去离子水,或使用其它适合且具成本效益的清洁处理以清洁含硅基板。
在一实施方式中,是期望在步骤506的工艺执行之后,以及在步骤507及/或508的工艺执行之前,不要对基板310进行清洗或清洁,以避免清洗及干燥基板所需的额外时间、与执行湿式工艺步骤相关的拥有成本的增加,以及基板表面的氧化或污染的增加机会。在一实施例中,当含金属油墨390的配方不含有形成残留物的物质,例如:聚磷酸、PEG或其它类似物质,则基板表面不需进行清洁。
在步骤507,如图4C所绘示,导电层305是选择性地沉积在接点层304上,以形成接点结构308的主要导电部分。在一实施方式中,所形成的导电层305厚度为约2000~约并含有金属,例如:铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锡(Sn)、钴(Co)、铼(Rh)、镍(Ni)、锌(Zn)、铅(Pb)、钯(Pd)及/或铝(Al)。在一实施方式中,是使用本质地会选择性地在接点层304上形成金属层的无电银沉积工艺而在接点层304上沉积银以形成导电层305。
在步骤508,如图4D所示,可选地,总线线路330是附接至接点结构308的至少一部分,以允许部分的太阳能电池元件可以连接至其它太阳能电池或外部元件。一般来说,总线线路330是使用焊接物质331(含有例如Sn/Pb、Sn/Ag的焊接物质)而连接至接点结构308。在一实施方式中,总线线路330的厚度为约2微米,并含有一金属,例如为铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锡(Sn)、钴(Co)、铼(Rh)、镍(Ni)、锌(Zn)、铅(Pb)、钯(Pd)及/或铝(Al)。在一实施方式中,总线线路330是涂覆有一焊接物质,例如Sn/Pb或Sn/Ag的焊接物质。
在一实施方式中,可改变步骤504、506以提供用于形成接点结构308的替代技术。在步骤504的替代形式中,并非将含金属油墨390选择性沉积在ARC层311的表面上,而是通过简单的旋涂、喷涂、浸渍或其它相似技术而跨越基板310的表面320或是基板的期望区域上方散布或沉积油墨。在步骤506的替代形式中,将能量束,例如:光照射(如激光束)或电子束,传送至基板的表面,以选择性地加热基板的区域,而使得在这些区域中的油墨的化学物质去蚀刻ARC层311,并使基板的下方表面302A金属化。在一实施方式中,能量束的传送会使得在加热区域中的含有镍的含金属油墨390去蚀刻含氮化硅(SiN)的ARC层311,并在基板310(例如n型射极区域302)的上表面上形成硅化镍(NixSiy)。而若期望的话,可以将油墨的未加热区域自基板的表面清洗去除。
掺杂接点的金属化工艺
在工艺顺序500的实施方式中,蚀刻剂及/或含掺质的物质(例如含磷物质)是设置在基板的表面上,以在接续的步骤506蚀刻基板的表面及/或掺杂下方表面302A的区域。在一实施方式中,将掺杂物质添加入含金属油墨390溶液中,如上所讨论者,藉此,可形成改良的金属与硅的界面。
参照图5,在步骤505中,是通过简单的旋涂、喷涂、浸渍或其它相似技术而跨越基板的表面或在基板的期望区域上方散布或沉积一或多个掺杂物质(例如:n型或p型掺质)。在一实施例中,n型掺杂物质包括聚丙烯酸((CH2CHCOOH)x)以及次磷酸(H3PO2)是散布在基板表面上。在一实施方式中,掺杂物质可以含有染料或色素物质,所述染料或色素物质是用于突显出设置在基板表面上的不同掺质物质类型(例如:n型或p型掺质)。
接着,在步骤506的替代形式中,将能量束,例如:光照射(如激光束)或电子束,传送至基板的表面,以选择性地加热基板的区域,以将基板表面上的ARC层311移除,并同样使掺杂物质中的化学物质与基板310的下方表面302A中的物质反应及掺杂。
在下一步骤,导电接点层304是形成在基板的暴露区域上。在一实施方式中,是使用无电镍沉积工艺以形成接点层304,而该接点层304包括位于掺杂区域上方的厚度为约10~约的主要纯镍层。在部分实施例中,沉积的薄膜可含有高含量的磷(例如约5%P)。再者,用于无电镍沉积工艺的浸渍浴(bath)包括硫酸镍(NiSO4)、氟化铵(NH4F)、氟化氢(HF)以及次亚磷酸根(H2PO2 -)。举例来说,浸渍浴的温度为60℃,并包括15g/L的NiSO4、25g/L的NH4F以及25g/L的次磷酸铵(NH4H2PO2),并将所述浸渍浴暴露于基板表面约2分钟。示范性制备及无电镍沉积工艺的实施例是进一步描述在共同受让的美国专利申请序号第11/553,878号(申请日为2006年10月27日),以及共同受让的美国专利申请序号第11/385,041号(申请日为2006年3月20日),在此将其并入以做为参考。在一实施方式中,无电镍沉积工艺是在温度约75~85℃之间完成,并使用含有约25g的醋酸镍(Ni(OOCCH3)2·4H2O)、50g的42%次磷酸(H3PO2)以及足够的乙二胺以达到pH 6.0(加入至6:1BOE溶液)的溶液,则可达到介于约的沉积速率。在此并入以做为参考的共同受让的美国专利公开号第2007/0099806号,以及第2007/0108404号,是描述了可与在此所述的一或多个实施方式一同使用的示范性BOE溶液及蚀刻工艺。
在下一步骤中,导电层305是选择性地沉积在接点层304上,以形成接点结构308的主要导电部分。在一实施方式中,所形成的导电层305的厚度为约2000~约并含有金属,例如:铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锡(Sn)、钴(Co)、铼(Rh)、镍(Ni)、锌(Zn)、铅(Pb)、钯(Pd)及/或铝(Al)。在一实施方式中,是使用电化学电镀工艺(例如铜沉积、银沉积)而将含铜(Cu)的导电层305沉积在接点层304上。示范性的电镀工艺的实施例是进一步描述在共同受让的美国专利申请序号第11/552,497号(申请日为2006年10月24日),以及共同受让的美国专利申请序号第11/566,205号(申请日为2006年12月1日),在此将两者皆并入以做为参考。一般来说,是期望在电化学电镀工艺中于接近基板310的边缘处产生至总线309B(图3B)的电性接触,此乃因为总线309B一般是按照一定尺寸制作以携带电流,并因此允许在宽间隔设置的薄金属线309A及较大的总线309B上方产生导电层305的均匀沉积。在另一实施方式中,是使用本质地会选择性地在接点层304上形成金属层的无电银沉积工艺,而在接点层304上沉积银(Ag)以形成导电层305。
在下一步骤中,总线线路330是附接至接点结构308的至少一部分,以允许部分的太阳能电池元件连接至其它的太阳能电池或外部元件。一般来说,总线线路330是使用焊接物质331(含有例如Sn/Pb、Sn/Ag的焊接物质)而连接至接点结构308。在一实施方式中,总线线路330的厚度为约200微米,并含有一金属,例如为铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锡(Sn)、钴(Co)、铼(Rh)、镍(Ni)、锌(Zn)、铅(Pb)、钯(Pd)及/或铝(Al)。在一实施方式中,各个总线线路330是由尺寸约30线径(gauge)(AWG:~0.254mm)或更小的线形成。在一实施方式中,总线线路330是涂覆有一焊接物质,例如Sn/Pb或Sn/Ag的焊接物质。
虽然本发明已以较佳实施方式揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何熟习此技艺者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作各种的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (17)
1.一种形成太阳能电池元件的方法,包括:
在一基板的表面上形成一介电层;
将一蚀刻剂物质设置在该介电层的多个区域上,其中该蚀刻剂物质包括氟化铵;
加热该基板至一所需温度,以使得该蚀刻剂物质将这些区域中的至少一部分的介电层移除,以暴露该基板表面的多个区域;以及
在该表面的这些暴露的区域上沉积一导电层。
2.如权利要求1所述的方法,其中该加热的步骤包括将基板加热至100~300℃。
3.如权利要求1所述的方法,其中该蚀刻剂物质还包括一表面活性剂,该表面活性剂是选自由聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇-聚丙二醇的嵌段共聚合物及甘油所组成的群组。
4.如权利要求1所述的方法,其中该蚀刻剂物质还包括一掺杂物质,而该掺杂物质包含选自由磷、硼、砷、锑、铝、铟及镓所组成的群组的一元素。
5.如权利要求4所述的方法,其中该加热的步骤包括将该基板加热至大于800℃。
6.如权利要求4所述的方法,其中该加热的步骤包括将该基板加热至50℃~300℃的第一温度,并且接着加热该基板至大于800℃的第二温度。
7.如权利要求1所述的方法,其中该介电层包括形成在所述基板的表面上方的氧化硅或氮化硅,所述基板包括一结晶硅基板。
8.如权利要求7所述的方法,其中该介电层还包括一非晶硅层。
9.如权利要求1所述的方法,其中该蚀刻剂物质在所述介电层上形成一些特征结构,所述的特征结构为尺寸大于100微米并且中心间隔小于2mm。
10.如权利要求1所述的方法,其中该蚀刻剂物质在所述介电层上形成一些特征结构,所述的特征结构为尺寸小于1000微米。
11.如权利要求3所述的方法,其中在该表面的这些暴露的区域上沉积导电层的步骤为加热所述基板至所需温度的步骤之后、用于形成该太阳能电池元件的下一步骤。
12.一种形成太阳能电池元件的方法,包括:
在一基板的表面上形成一介电层,其中该介电层包含一或多个掺杂元素;
将一蚀刻剂物质设置在该介电层的多个区域上,其中该蚀刻剂物质包括氟化铵;
加热该基板至一所需温度,以使得该蚀刻剂物质将至少一部分的介电层移除,以形成该基板表面的多个暴露区域;以及
于所述表面的暴露区域上沉积一导电层。
13.如权利要求12所述的方法,其中所述一或多个掺杂元素是选自由磷、硼、砷、锑、铝、铟及镓所组成的群组。
14.如权利要求12所述的方法,其中该加热的步骤包括将基板加热至50℃~300℃的第一温度,并且接着加热该基板至大于800℃的第二温度。
15.如权利要求12所述的方法,其中该蚀刻剂物质在所述介电层上形成一些特征结构,所述的特征结构为尺寸大于100微米并且中心间隔小于2mm。
16.如权利要求12所述的方法,其中该蚀刻剂物质在所述介电层上形成一些特征结构,所述的特征结构为尺寸小于1000微米。
17.如权利要求13所述的方法,其中在该表面的这些暴露区域上沉积导电层的步骤为加热该基板至所需温度的步骤之后、用于形成该太阳能电池元件的下一步骤。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US375407P | 2007-11-19 | 2007-11-19 | |
US61/003,754 | 2007-11-19 | ||
US4800108P | 2008-04-25 | 2008-04-25 | |
US61/048,001 | 2008-04-25 | ||
US9237908P | 2008-08-27 | 2008-08-27 | |
US61/092,379 | 2008-08-27 | ||
PCT/US2008/083981 WO2009067483A1 (en) | 2007-11-19 | 2008-11-19 | Solar cell contact formation process using a patterned etchant material |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101889348A CN101889348A (zh) | 2010-11-17 |
CN101889348B true CN101889348B (zh) | 2013-03-27 |
Family
ID=40667840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200880119586.6A Expired - Fee Related CN101889348B (zh) | 2007-11-19 | 2008-11-19 | 使用图案化蚀刻剂物质以形成太阳能电池接点的工艺 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7888168B2 (zh) |
EP (1) | EP2220687A1 (zh) |
JP (1) | JP2011503910A (zh) |
CN (1) | CN101889348B (zh) |
TW (1) | TW200939510A (zh) |
WO (1) | WO2009067483A1 (zh) |
Families Citing this family (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7442629B2 (en) | 2004-09-24 | 2008-10-28 | President & Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
US7057256B2 (en) | 2001-05-25 | 2006-06-06 | President & Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
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JP2011503910A (ja) | 2011-01-27 |
US20110104850A1 (en) | 2011-05-05 |
US20090142880A1 (en) | 2009-06-04 |
US7888168B2 (en) | 2011-02-15 |
WO2009067483A1 (en) | 2009-05-28 |
TW200939510A (en) | 2009-09-16 |
EP2220687A1 (en) | 2010-08-25 |
CN101889348A (zh) | 2010-11-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C53 | Correction of patent for invention or patent application | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: American California Applicant after: Applied Materials Inc. Address before: American California Applicant before: Applied Materials Inc. |
|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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