CN107394009B - 一种湿法刻蚀方法、双面太阳电池及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种湿法刻蚀方法、双面太阳能电池及其制作方法，控制衬底结构的磷硅玻璃层浸入第一刻蚀液，裸露硼扩散层和硼硅玻璃层，去除磷硅玻璃层，不会对硼扩散层和硼硅玻璃层造成影响；将衬底结构两表面反转，控制衬底结构的边缘磷扩散层、硼扩散层和硼硅玻璃层浸入第二刻蚀液，裸露磷扩散层，去除边缘磷扩散层，由于硼硅玻璃层对硼扩散层的保护作用而并不对硼扩散层造成影响；控制衬底结构的硼硅玻璃层浸入第三刻蚀液，且裸露磷扩散层，去除硼硅玻璃层，不会对磷扩散层造成影响，最终达到刻蚀的目的。通过湿法刻蚀及控制衬底结构漂浮在刻蚀液中条件，逐渐将磷硅玻璃层、边缘磷扩散层及硼硅玻璃层去除，保证双面太阳能电池的光电转换效率高。

Description

一种湿法刻蚀方法、双面太阳电池及其制作方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池制作技术领域，更为具体的说，涉及一种湿法刻蚀方法、双面太阳能电池及其制作方法。
背景技术
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种清洁、普遍和潜力高的替代能源。太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且太阳能是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源，并受到了广泛的关注。
相较于单面太阳能电池，双面太阳能电池具有更高的光电转换效率等优势，因而双面太阳能电池越来越受到市场的青睐。现有的双面太阳能电池经常会在衬底硅片一表面扩散硼扩散层后，在对衬底硅片另一表面扩散磷扩散层，而在对衬底硅片进行双面扩散的过程中，会随之生成硼硅玻璃、磷硅玻璃和衬底硅片边缘不必要的扩散层，对此目前主要采用激光刻蚀工艺或等离子刻蚀工艺对其进行去除，但是上述刻蚀工艺会带来双面太阳能电池的光电转换效率的下降等问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种湿法刻蚀方法、双面太阳能电池及其制作方法，通过湿法刻蚀及控制衬底结构漂浮在刻蚀液中条件，逐渐将磷硅玻璃层、边缘磷扩散层及硼硅玻璃层去除，保证双面太阳能电池的光电转换效率高。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种湿法刻蚀方法，应用于双面太阳能电池的制作方法，包括：
提供一衬底结构，所述衬底结构包括衬底硅片，所述衬底硅片一表面扩散有硼扩散层，且所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有硼硅玻璃层；及，所述衬底硅片背离所述硼扩散层一侧扩散有磷扩散层，所述衬底硅片侧面扩散有边缘磷扩散层，且所述磷扩散层和所述边缘磷扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有磷硅玻璃层；
控制所述衬底结构漂浮于第一刻蚀液中，刻蚀去除所述磷硅玻璃层，其中，所述磷硅玻璃层浸入所述第一刻蚀液，且裸露所述硼扩散层和所述硼硅玻璃层；
控制所述衬底结构漂浮于第二刻蚀液中，刻蚀去除所述边缘磷扩散层，其中，所述边缘磷扩散层、硼扩散层和硼硅玻璃层浸入所述第二刻蚀液，且裸露所述磷扩散层；
控制所述衬底结构漂浮于第三刻蚀液中，刻蚀去除所述硼硅玻璃，其中，所述硼硅玻璃层浸入所述第三刻蚀液，且裸露所述磷扩散层。
可选的，在刻蚀去除所述磷硅玻璃层、边缘磷扩散层和硼硅玻璃层至一种或多种时，在所述衬底结构裸露表面设置一保护水膜。
可选的，所述第一刻蚀液为HF溶液，其中，所述第一刻蚀液的浓度范围为1％-40％，包括端点值。
可选的，所述第二刻蚀液为KOH溶液、NaOH溶液或TMAH溶液，其中，所述第二刻蚀液的浓度范围为10％-40％，包括端点值。
可选的，所述第二刻蚀液还添加有制绒添加剂组成混合刻蚀液，其中，所述制绒添加剂在混合刻蚀液中的体积比为1％-5％，包括端点值。
可选的，所述第三刻蚀液为HF溶液，其中，所述第一刻蚀液的浓度范围为1％-40％，包括端点值。
可选的，所述衬底硅片为N型衬底硅片。
相应的，本发明还提供了一种双面太阳能电池的制作方法，包括：
提供一衬底结构，所述衬底结构包括衬底硅片，所述衬底硅片一表面扩散有硼扩散层，且所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有硼硅玻璃层；及，所述衬底硅片背离所述硼扩散层一侧扩散有磷扩散层，所述衬底硅片侧面扩散有边缘磷扩散层，且所述磷扩散层和所述边缘磷扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有磷硅玻璃层；
采用上述湿法刻蚀方法对所述衬底结构进行刻蚀。
可选的，所述提供一衬底结构包括：
提供一所述衬底硅片；
对所述衬底硅片进行硼扩散，其中，在所述衬底硅片一表面扩散形成所述硼扩散层，且所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有所述硼硅玻璃层；
在所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成掩膜层；
对所述衬底硅片进行磷扩散，其中，在所述衬底硅片背离所述硼扩散层一侧扩散形成所述磷扩散层，及，在所述衬底硅片的侧面扩散形成边缘磷扩散层，且在所述磷扩散层和所述边缘磷扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有所述磷硅玻璃层；
去除所述掩膜层。
相应的，本发明还提供了一种双面太阳能电池，所述双面太阳能电池采用上述的双面太阳能电池的制作方法制作而成。
相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：
本发明提供了一种湿法刻蚀方法、双面太阳能电池及其制作方法，首先控制衬底结构的磷硅玻璃层浸入第一刻蚀液，且裸露硼扩散层和硼硅玻璃层，以此去除磷硅玻璃层，且不会对硼扩散层和硼硅玻璃层造成影响；而后将衬底结构两表面反转，控制衬底结构的边缘磷扩散层、硼扩散层和硼硅玻璃层浸入第二刻蚀液，且裸露磷扩散层，以此去除边缘磷扩散层，且由于硼硅玻璃层对硼扩散层的保护作用而并不对硼扩散层造成影响；最后控制衬底结构的硼硅玻璃层浸入第三刻蚀液，且裸露磷扩散层，以此去除硼硅玻璃层，且不会对磷扩散层造成影响，最终达到刻蚀的目的。其中，通过湿法刻蚀及控制衬底结构漂浮在刻蚀液中条件，逐渐将磷硅玻璃层、边缘磷扩散层及硼硅玻璃层去除，保证双面太阳能电池的光电转换效率高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种湿法刻蚀方法的流程图；
图2a-图2d为与图1中各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
正如背景技术所述，相较于单面太阳能电池，双面太阳能电池具有更高的光电转换效率等优势，因而双面太阳能电池越来越受到市场的青睐。现有的双面太阳能电池经常会在衬底硅片一表面扩散硼扩散层后，在对衬底硅片另一表面扩散磷扩散层，而在对衬底硅片进行双面扩散的过程中，会随之生成硼硅玻璃、磷硅玻璃和衬底硅片边缘不必要的扩散层，对此目前主要采用激光刻蚀工艺或等离子刻蚀工艺对其进行去除，但是上述刻蚀工艺会带来双面太阳能电池的光电转换效率的下降等问题。
基于此，本申请实施例提供了一种湿法刻蚀方法、双面太阳能电池及其制作方法，通过湿法刻蚀及控制衬底结构漂浮在刻蚀液中条件，逐渐将磷硅玻璃层、边缘磷扩散层及硼硅玻璃层去除，保证双面太阳能电池的光电转换效率高。为实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图2d对本申请实施例提的技术方案进行详细的描述。
参考图1所示，为本申请实施例提供的一种湿法刻蚀方法的流程图，湿法刻蚀方法应用于双面太阳能电池的制作方法，其中，湿法刻蚀方法包括：
S1、提供一衬底结构，所述衬底结构包括衬底硅片，所述衬底硅片一表面扩散有硼扩散层，且所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有硼硅玻璃层；及，所述衬底硅片背离所述硼扩散层一侧扩散有磷扩散层，所述衬底硅片侧面扩散有边缘磷扩散层，且所述磷扩散层和所述边缘磷扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有磷硅玻璃层；
S2、控制所述衬底结构漂浮于第一刻蚀液中，刻蚀去除所述磷硅玻璃层，其中，所述磷硅玻璃层浸入所述第一刻蚀液，且裸露所述硼扩散层和所述硼硅玻璃层；
S3、控制所述衬底结构漂浮于第二刻蚀液中，刻蚀去除所述边缘磷扩散层，其中，所述边缘磷扩散层、硼扩散层和硼硅玻璃层浸入所述第二刻蚀液，且裸露所述磷扩散层；
S4、控制所述衬底结构漂浮于第三刻蚀液中，刻蚀去除所述硼硅玻璃，其中，所述硼硅玻璃层浸入所述第三刻蚀液，且裸露所述磷扩散层。
在本申请一实施例中，为了达到控制衬底结构漂浮的效果，可以在刻蚀液中设置工作台，进而通过工作台托举衬底结构以达到漂浮的效果。以及，为了使衬底结构能够在刻蚀液中移动，可以在工作台上设置滚轮结构，通过滚轮结构托举衬底结构的同时，达到移动衬底结构的目的。
需要说明的是，本申请实施例提供的所述衬底硅片为N型衬底硅片。及，本申请实施例提供的衬底结构，首先对衬底硅片进行硼扩散，而后对衬底硅片进行磷扩散。在对衬底硅片进行硼扩散时，同样会在衬底硅片背离硼扩散层一侧、及衬底硅片的侧面扩散一些不必要的硼扩散结构层，以及，同时会在硼扩散层背离硅衬底一侧形成硼硅玻璃层，及在这些不必要的硼扩散结构层背离衬底硅片一侧形成硼硅玻璃结构层，对此在进行磷扩散之前需要进行去除，而保留硼硅玻璃层，本申请对于硼扩散结构层和硼硅玻璃结构层的去除工艺不做具体限制，对此需要根据实际应用进行具体选取。
而后，对衬底硅片进行磷扩散处理，进而会在衬底硅片背离硼扩散层一侧扩散形成磷扩散层，及在衬底硅片边缘形成边缘磷扩散层，同时会在磷扩散层和边缘磷扩散层背离衬底硅片一侧形成磷硅玻璃层，进而得到该衬底结构。
结合图2a-图2d所示对各步骤对应结构进行具体描述，其中，图2a-图2d为与图1中各步骤对应的结构示意图。
参考图2a所示，对应步骤S1，提供一衬底结构，其中，衬底结构包括有衬底硅片100、硼扩散层101、硼硅玻璃层102、磷扩散层103、边缘磷扩散层104及磷硅玻璃层105。
参考图2b所示，对应步骤S2，控制衬底结构漂浮于第一刻蚀液中，其中，磷硅玻璃层105浸入第一刻蚀液中，而硼扩散层101和硼硅玻璃层102裸露，进而能够通过第一刻蚀液刻蚀去除磷硅玻璃层105。
参考图2c所示，对应步骤S3，控制衬底结构漂浮于第二刻蚀液中，其中，硼扩散层101、硼硅玻璃层102和边缘磷扩散层104浸入第二刻蚀液中，而磷扩散层103裸露，进而能够通过第二刻蚀液刻蚀去除边缘磷扩散层104。其中，通过硼硅玻璃层102对硼扩散层101的保护，避免对硼扩散层101造成影响。
参考图2d所示，对应步骤S4，控制衬底结构漂浮于第三刻蚀液中，其中，硼硅玻璃层102浸入第三刻蚀液中，而磷扩散层104裸露，进而能够通过第三刻蚀液刻蚀去除硼硅玻璃层102。
由上述内容可知，本申请实施例提供的技术方案，首先控制衬底结构的磷硅玻璃层浸入第一刻蚀液，且裸露硼扩散层和硼硅玻璃层，以此去除磷硅玻璃层，且不会对硼扩散层和硼硅玻璃层造成影响；而后将衬底结构两表面反转，控制衬底结构的边缘磷扩散层、硼扩散层和硼硅玻璃层浸入第二刻蚀液，且裸露磷扩散层，以此去除边缘磷扩散层，且由于硼硅玻璃层对硼扩散层的保护作用而并不对硼扩散层造成影响；最后控制衬底结构的硼硅玻璃层浸入第三刻蚀液，且裸露磷扩散层，以此去除硼硅玻璃层，且不会对磷扩散层造成影响，最终达到刻蚀的目的。其中，通过湿法刻蚀及控制衬底结构漂浮在刻蚀液中条件，逐渐将磷硅玻璃层、边缘磷扩散层及硼硅玻璃层去除，保证双面太阳能电池的光电转换效率高。
进一步的，在刻蚀过程中为了保护衬底结构的表面不被刻蚀液损坏，本申请实施例提供的湿法刻蚀方法中，在刻蚀去除所述磷硅玻璃层、边缘磷扩散层和硼硅玻璃层至一种或多种时，在所述衬底结构裸露表面设置一保护水膜。
如在去除磷硅玻璃层时，在控制衬底结构漂浮于第一刻蚀液中的同时，在衬底结构的表面(即硼硅玻璃层的表面)设置一保护水膜，通过水的张力作用而使保护水膜固定在硼硅玻璃层的表面。进而，在对磷硅玻璃层进行去除时，当在第一刻蚀液中出现汽包爆裂等现象而将刻蚀液溅射到衬底结构裸露表面时，保护水膜会将刻蚀液与衬底结构表面隔离开，避免刻蚀液对衬底结构的表面进行破坏。
在本申请一实施例中，本申请提供的所述第一刻蚀液可以为HF溶液，其中，所述第一刻蚀液的浓度范围为1％-40％，包括端点值，具体可以为2％、5％、10％、23％、30％、35％等，对此本申请不做具体限制。其中，在采样第一刻蚀液刻蚀衬底结构的时，其刻蚀工艺温度可以为常温，刻蚀工艺时间可以为10s以上，包括10s，对此可以为15s、20s、26s等，本申请不做具体限制。
在本申请一实施例中，本申请提供的所述第二刻蚀液为KOH溶液、NaOH溶液或TMAH溶液，其中，所述第二刻蚀液的浓度范围为10％-40％，包括端点值，具体可以为15％、20％、25％、30％、35％等，对此本申请不做具体限制。以及，进一步的，为了达到刻蚀均匀的目的，本申请实施例提供的所述第二刻蚀液还添加有制绒添加剂组成混合刻蚀液，其中，所述制绒添加剂在混合刻蚀液中的体积比为1％-5％，包括端点值，具体可以为2％、3％等。其中，在采用第二刻蚀液刻蚀衬底结构时，其刻蚀工艺温度可以为60℃-80℃，包括端点值，具体可以为65℃、75℃、79℃等；及，其刻蚀工艺时间可以为300s-1000s，包括端点值，具体可以为500s、800s、900s等，对此本申请不作具体限制。
在本申请一实施例中，本申请提供的所述第三刻蚀液为HF溶液，其中，所述第一刻蚀液的浓度范围为1％-40％，包括端点值，具体可以为2％、5％、10％、23％、30％、35％等，对此本申请不做具体限制。其中，在采样第三刻蚀液刻蚀衬底结构的时，其刻蚀工艺温度可以为常温，刻蚀工艺时间可以为30s以上，包括30s，对此可以为35s、40s、56s等，本申请不做具体限制。
相应的，本申请实施例还提供了一种双面太阳能电池的制作方法，制作方法包括：
提供一衬底结构，所述衬底结构包括衬底硅片，所述衬底硅片一表面扩散有硼扩散层，且所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有硼硅玻璃层；及，所述衬底硅片背离所述硼扩散层一侧扩散有磷扩散层，所述衬底硅片侧面扩散有边缘磷扩散层，且所述磷扩散层和所述边缘磷扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有磷硅玻璃层；
采用上述任意一实施例提供的湿法刻蚀方法对所述衬底结构进行刻蚀。
进而，对衬底结构刻蚀完毕后，需要在衬底结构两表面分别制作钝化结构及电极结构，对此与现有技术相同，故不做多余赘述。
在本申请一实施例中，所述提供一衬底结构包括：
提供一所述衬底硅片；
对所述衬底硅片进行硼扩散，其中，在所述衬底硅片一表面扩散形成所述硼扩散层，且所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有所述硼硅玻璃层；
在所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成掩膜层；
对所述衬底硅片进行磷扩散，其中，在所述衬底硅片背离所述硼扩散层一侧扩散形成所述磷扩散层，及，在所述衬底硅片的侧面扩散形成边缘磷扩散层，且在所述磷扩散层和所述边缘磷扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有所述磷硅玻璃层；
去除所述掩膜层。
需要说明的是，本申请实施例提供的衬底结构，首先对衬底硅片进行硼扩散，而后对衬底硅片进行磷扩散。在对衬底硅片进行硼扩散时，同样会在衬底硅片背离硼扩散层一侧、及衬底硅片的侧面扩散一些不必要的硼扩散结构层，以及，同时会在硼扩散层背离硅衬底一侧形成硼硅玻璃层，及在这些不必要的硼扩散结构层背离衬底硅片一侧形成硼硅玻璃结构层，对此在进行磷扩散之前需要进行去除，而保留硼硅玻璃层，本申请对于硼扩散结构层和硼硅玻璃结构层的去除工艺不做具体限制，对此需要根据实际应用进行具体选取。
而后，对衬底硅片进行磷扩散处理，进而会在衬底硅片背离硼扩散层一侧扩散形成磷扩散层，及在衬底硅片边缘形成边缘磷扩散层，同时会在磷扩散层和边缘磷扩散层背离衬底硅片一侧形成磷硅玻璃层，进而得到该衬底结构。
相应的，本申请实施例还提供了一种双面太阳能电池，所述双面太阳能电池采用上述任意一实施例提供的双面太阳能电池的制作方法制作而成。
本申请实施例提供了一种湿法刻蚀方法、双面太阳能电池及其制作方法，首先控制衬底结构的磷硅玻璃层浸入第一刻蚀液，且裸露硼扩散层和硼硅玻璃层，以此去除磷硅玻璃层，且不会对硼扩散层和硼硅玻璃层造成影响；而后将衬底结构两表面反转，控制衬底结构的边缘磷扩散层、硼扩散层和硼硅玻璃层浸入第二刻蚀液，且裸露磷扩散层，以此去除边缘磷扩散层，且由于硼硅玻璃层对硼扩散层的保护作用而并不对硼扩散层造成影响；最后控制衬底结构的硼硅玻璃层浸入第三刻蚀液，且裸露磷扩散层，以此去除硼硅玻璃层，且不会对磷扩散层造成影响，最终达到刻蚀的目的。其中，通过湿法刻蚀及控制衬底结构漂浮在刻蚀液中条件，逐渐将磷硅玻璃层、边缘磷扩散层及硼硅玻璃层去除，保证双面太阳能电池的光电转换效率高。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种湿法刻蚀方法，应用于双面太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底结构，所述衬底结构包括衬底硅片，所述衬底硅片一表面扩散有硼扩散层，且所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有硼硅玻璃层；及，所述衬底硅片背离所述硼扩散层一侧扩散有磷扩散层，所述衬底硅片侧面扩散有边缘磷扩散层，且所述磷扩散层和所述边缘磷扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有磷硅玻璃层；
控制所述衬底结构漂浮于第一刻蚀液中，刻蚀去除所述磷硅玻璃层，其中，所述磷硅玻璃层浸入所述第一刻蚀液，且裸露所述硼扩散层和所述硼硅玻璃层；
控制所述衬底结构漂浮于第二刻蚀液中，刻蚀去除所述边缘磷扩散层，其中，所述边缘磷扩散层、硼扩散层和硼硅玻璃层浸入所述第二刻蚀液，且裸露所述磷扩散层；
控制所述衬底结构漂浮于第三刻蚀液中，刻蚀去除所述硼硅玻璃，其中，所述硼硅玻璃层浸入所述第三刻蚀液，且裸露所述磷扩散层。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，在刻蚀去除所述磷硅玻璃层、边缘磷扩散层和硼硅玻璃层至一种或多种时，在所述衬底结构裸露表面设置一保护水膜。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀液为HF溶液，其中，所述第一刻蚀液的浓度范围为1％-40％，包括端点值。
4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述第二刻蚀液为KOH溶液、NaOH溶液或TMAH溶液，其中，所述第二刻蚀液的浓度范围为10％-40％，包括端点值。
5.根据权利要求4所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述第二刻蚀液还添加有制绒添加剂组成混合刻蚀液，其中，所述制绒添加剂在混合刻蚀液中的体积比为1％-5％，包括端点值。
6.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述第三刻蚀液为HF溶液，其中，所述第一刻蚀液的浓度范围为1％-40％，包括端点值。
7.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述衬底硅片为N型衬底硅片。
8.一种双面太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底结构，所述衬底结构包括衬底硅片，所述衬底硅片一表面扩散有硼扩散层，且所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有硼硅玻璃层；及，所述衬底硅片背离所述硼扩散层一侧扩散有磷扩散层，所述衬底硅片侧面扩散有边缘磷扩散层，且所述磷扩散层和所述边缘磷扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有磷硅玻璃层；
采用权利要求1～7任意一项所述湿法刻蚀方法对所述衬底结构进行刻蚀。
9.根据权利要求8所述的双面太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述提供一衬底结构包括：
提供一所述衬底硅片；
对所述衬底硅片进行硼扩散，其中，在所述衬底硅片一表面扩散形成所述硼扩散层，且所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有所述硼硅玻璃层；
在所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成掩膜层；
对所述衬底硅片进行磷扩散，其中，在所述衬底硅片背离所述硼扩散层一侧扩散形成所述磷扩散层，及，在所述衬底硅片的侧面扩散形成边缘磷扩散层，且在所述磷扩散层和所述边缘磷扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有所述磷硅玻璃层；
去除所述掩膜层。
10.一种双面太阳能电池，其特征在于，所述双面太阳能电池采用权利要求8或9所述的双面太阳能电池的制作方法制作而成。
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