CN106252462A - 一种激光se电池的制备方法 - Google Patents
一种激光se电池的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106252462A CN106252462A CN201610756795.8A CN201610756795A CN106252462A CN 106252462 A CN106252462 A CN 106252462A CN 201610756795 A CN201610756795 A CN 201610756795A CN 106252462 A CN106252462 A CN 106252462A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- laser
- silicon chip
- battery
- preparation
- blind hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 57
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl chloride Substances ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims abstract description 18
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 17
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010009 beating Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 17
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 8
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- -1 tricresyl phosphate octyl group ester Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 36
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 229910017634 NH4F 10 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 3
- 229910017618 NH4F 5 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
Abstract
本发明提供了一种激光SE电池的制备方法，它包括以下步骤：1)用金刚线切割硅片；2)制绒；3)利用激光打点的方式在硅片制绒表面均匀地进行打盲孔处理；4)涂抹磷墨在打过盲孔的硅片表面上；5)置于扩散炉，300～500℃通入POCl3混合物2～3min；6)冷却，取出硅片，涂抹有机溶剂，对硅片表面进行激光扫描；7)刻蚀；8)在刻蚀后的硅片表面镀减反射膜、丝网印刷，完成正面栅线和背面铝背场的烧结。采用激光打点后扩散炉扩散、涂抹有机溶剂激光扫描制备的激光SE电池转换效率高，反射率低，性能最佳。
Description
【技术领域】
本发明涉及太阳能电池领域，具体涉及一种激光SE电池的制备方法。
【背景技术】
目前，发展高效电池技术是提高太阳能电池效率的关键。比较成熟的高效电池技术以选择性发射极(selective emitter,SE)电池为主，其特征为：1)在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区；2)在光照区域形成低掺杂浅扩散区。通过对发射区选择性掺杂，在栅线接触区域和其他区域实现不同扩散方阻的效果，降低了串联电阻。常规P型硅片电池片制程包括以下工艺步骤：硅片制绒一扩散一刻蚀一镀膜一印刷一烧结。选择性发射机扩散的常规技术主要为扩散炉扩散，需要高温，热能耗大，成本高，且效率低。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种激光SE电池的制备方法，能够利用激光打点的方式，低成本高效率地加大二次扩散的深浅差异，提高选择性。
本发明的技术方案是：一种激光SE电池的制备方法，它包括以下步骤：
1)用金刚线切割硅片至所需形状；
2)置于NaOH、乙二醇、SnCl2混合液中制绒；
3)利用激光打点的方式在硅片制绒表面均匀地进行打盲孔处理；
4)涂抹磷墨在打过盲孔的硅片表面上；
5)置于扩散炉，300～500℃通入POCl3混合物2～3min；
6)冷却，取出硅片，涂抹有机溶剂，对硅片表面进行激光扫描；
7)将激光扫描过的硅片用酸性混合液刻蚀；
8)在刻蚀后的硅片表面镀减反射膜、丝网印刷，完成正面栅线和背面铝背场的烧结。
优选地，所述步骤1)硅片为P型多晶硅片。用金刚线切割硅片，不仅成本降低，使用周期延长，而且硅片表面平整，薄片化效果好。
优选地，所述步骤2)混合液由以下重量百分比的组分组成：NaOH 24％、乙二醇5～10％、SnCl2 1～3％，余量为水。常规碱性制绒液中添加SnCl2，可提高制绒效果和均匀度，有利于附着在多晶硅表面的气泡脱离。
优选地，所述步骤3)中盲孔的孔深为100～150μm，盲孔的孔径为50～100μm。通过激光打点的方式，硅片表面形成均匀的盲孔结构，对应的盲孔周围形成有凸点，这样在涂抹扩散时，孔内实现磷的重掺杂深扩散，凸点部分形成轻掺杂浅扩散。这样的表面不仅可以实现高效率选择性发射，而且吸光效率提高，光电转化效率提高。
优选地，所述步骤5)POCl3混合物由以下重量百分比的组分组成：POCl3 50～70％，O2 5～10％，余量为N2。
优选地，所述步骤6)中有机溶剂由以下重量百分比的组分组成：三乙基氧化磷1～5％，磷酸三辛基酯10～15％，余量为异丙醇。涂抹的有机溶剂大多沉积在硅片表面的孔内，有助于激光扫描时孔内磷扩散的进一步加深，而与凸点的浅扩散差异进一步增大，提高电池发射的选择性。
优选地，所述步骤6)扫描所用仪器为飞秒激光器。使用飞秒激光器，可将各物质分子变为等离子体，快速、高效、低能耗地实现二次扩散。
优选地，所述步骤7)酸性混合液由以下重量百分比的组分组成：HF 1～3％、H2O2 5～10％，NH4F 5～15％，余量为水。将激光扫描过的硅片用酸性混合液刻蚀，去除硅片表面的磷硅玻璃及边缘形成的自扩散层，刻蚀效率高，去除后规则整洁。
本发明具有以下有益的技术效果：
1)利用激光打点的方式，低成本高效率地促进二次扩散的深浅差异，提高选择性；
2)使用飞秒激光器，可将各物质分子变为等离子体，快速、高效、低能耗地实现二次扩散；
3)分别使用磷墨、POCl3和有机溶剂在不同阶段，提升各阶段磷扩散的效率。
【具体实施方式】
以下结合具体实施例，对本发明做进一步描述。
以下所提供的实施例并非用以限制本发明所涵盖的范围，所描述的步骤也不是用以限制其执行顺序。本领域技术人员结合现有公知常识对本发明做显而易见的改进，亦落入本发明要求的保护范围之内。
实施例一
一种激光SE电池的制备方法，它包括以下步骤：
1)用金刚线切割P型多晶硅片至所需形状；
2)置于NaOH、乙二醇、SnCl2混合液中制绒；所述混合液由以下重量百分比的组分组成：NaOH 2％、乙二醇5％、SnCl2 1％，余量为水；
3)利用激光打点的方式在硅片制绒表面均匀地进行打盲孔处理；所述盲孔的孔深为100μm，盲孔的孔径为50μm；
4)涂抹磷墨在打过盲孔的硅片表面上；
5)置于扩散炉，300℃通入POCl3混合物3min；所述POCl3混合物由以下重量百分比的组分组成：POCl350％，O2 5％，余量为N2；
6)冷却，取出硅片，涂抹有机溶剂，使用飞秒激光器对硅片表面进行激光扫描；所述有机溶剂由以下重量百分比的组分组成：三乙基氧化磷1％，磷酸三辛基酯10％，余量为异丙醇；
7)将激光扫描过的硅片用酸性混合液刻蚀；所述酸性混合液由以下重量百分比的组分组成：HF 1％、H2O2 5％，NH4F 5％，余量为水；
8)在刻蚀后的硅片表面镀减反射膜、丝网印刷，完成正面栅线和背面铝背场的烧结。
实施例二
一种激光SE电池的制备方法，它包括以下步骤：
1)用金刚线切割P型多晶硅片至所需形状；
2)置于NaOH、乙二醇、SnCl2混合液中制绒；所述混合液由以下重量百分比的组分组成：NaOH 4％、乙二醇10％、SnCl2 3％，余量为水；
3)利用激光打点的方式在硅片制绒表面均匀地进行打盲孔处理；所述盲孔的孔深为150μm，盲孔的孔径为100μm；
4)涂抹磷墨在打过盲孔的硅片表面上；
5)置于扩散炉，500℃通入POCl3混合物2min；所述POCl3混合物由以下重量百分比的组分组成：POCl3 70％，O2 10％，余量为N2；
6)冷却，取出硅片，涂抹有机溶剂，使用飞秒激光器对硅片表面进行激光扫描；所述有机溶剂由以下重量百分比的组分组成：三乙基氧化磷5％，磷酸三辛基酯15％，余量为异丙醇；
7)将激光扫描过的硅片用酸性混合液刻蚀；所述酸性混合液由以下重量百分比的组分组成：HF 3％、H2O2 10％，NH4F 15％，余量为水；
8)在刻蚀后的硅片表面镀减反射膜、丝网印刷，完成正面栅线和背面铝背场的烧结。
实施例三
一种激光SE电池的制备方法，它包括以下步骤：
1)用金刚线切割P型多晶硅片至所需形状；
2)置于NaOH、乙二醇、SnCl2混合液中制绒；所述酸性混合液由以下重量百分比的组分组成：NaOH 2％、乙二醇8％、SnCl2 2％，余量为水；
3)利用激光打点的方式在硅片制绒表面均匀地进行打盲孔处理；所述盲孔的孔深为120μm，盲孔的孔径为80μm；
4)涂抹磷墨在打过盲孔的硅片表面上；
5)置于扩散炉，400℃通入POCl3混合物2.5min；所述POCl3混合物由以下重量百分比的组分组成：POCl3 60％，O2 8％，余量为N2；
6)冷却，取出硅片，涂抹有机溶剂，使用飞秒激光器对硅片表面进行激光扫描；所述有机溶剂由以下重量百分比的组分组成：三乙基氧化磷3％，磷酸三辛基酯12％，余量为异丙醇；
7)将激光扫描过的硅片用酸性混合液刻蚀；所述混合液由以下重量百分比的组分组成：HF 2％、H2O2 8％，NH4F 10％，余量为水；
8)在刻蚀后的硅片表面镀减反射膜、丝网印刷，完成正面栅线和背面铝背场的烧结。
对比例一
一种激光SE电池的制备方法，它包括以下步骤：
1)用金刚线切割P型多晶硅片至所需形状；
2)置于NaOH、乙二醇、SnCl2混合液中制绒；所述酸性混合液由以下重量百分比的组分组成：NaOH 2％、乙二醇8％、SnCl2 2％，余量为水；
3)涂抹磷墨在制绒后的硅片表面上；
4)置于扩散炉，400℃通入POCl3混合物2.5min；所述POCl3混合物由以下重量百分比的组分组成：POCl3 60％，O2 8％，余量为N2；
5)冷却，取出硅片，涂抹有机溶剂，使用飞秒激光器对硅片表面进行激光扫描；所述有机溶剂由以下重量百分比的组分组成：三乙基氧化磷3％，磷酸三辛基酯12％，余量为异丙醇；
6)将激光扫描过的硅片用酸性混合液刻蚀；所述混合液由以下重量百分比的组分组成：HF 2％、H2O2 8％，NH4F 10％，余量为水；
7)在刻蚀后的硅片表面镀减反射膜、丝网印刷，完成正面栅线和背面铝背场的烧结。
对比例二
一种激光SE电池的制备方法，它包括以下步骤：
1)用金刚线切割P型多晶硅片至所需形状；
2)置于NaOH、乙二醇、SnCl2混合液中制绒；所述酸性混合液由以下重量百分比的组分组成：NaOH 2％、乙二醇8％、SnCl2 2％，余量为水；
3)涂抹磷墨在制绒后的硅片表面上；
4)使用飞秒激光器对硅片表面进行激光局部扫描，在激光扫描区域实现磷的重掺杂；
5)置于扩散炉，400℃通入POCl3混合物2.5min；所述POCl3混合物由以下重量百分比的组分组成：POCl3 60％，O2 8％，余量为N2；
6)用酸性混合液刻蚀；所述混合液由以下重量百分比的组分组成：HF 2％、H2O28％，NH4F 10％，余量为水；
7)在刻蚀后的硅片表面镀减反射膜、丝网印刷，完成正面栅线和背面铝背场的烧结。
表1：实施例三、对比例一、对比例二的电池性能参数
| 转换效率(％) | 反射率(％) | |
| 实施例三 | 22.6 | 4.2 |
| 对比例一 | 18.7 | 6.7 |
| 对比例二 | 20.9 | 13.8 |
从上表可以看出，采用激光打点后扩散炉扩散、涂抹有机溶剂激光扫描制备的激光SE电池转换效率高，反射率低，性能最佳。
Claims (8)
1.一种激光SE电池的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：
1)用金刚线切割硅片至所需形状；
2)将切割好的硅片置于碱性混合液中制绒；
3)利用激光打点的方式在硅片制绒表面均匀地进行打盲孔处理；
4)涂抹磷墨在打过盲孔的硅片表面上；
5)置于扩散炉，300～500℃通入POCl3混合物2～3min；
6)冷却，取出硅片，涂抹有机溶剂，对硅片表面进行激光扫描；
7)对激光扫描过的硅片用酸性混合液进行刻蚀；
8)在刻蚀后的硅片表面镀减反射膜，丝网印刷，完成正面栅线和背面铝背场的烧结。
2.根据权利要求1所述的激光SE电池的制备方法，其特征在于，所述步骤1)硅片为P型多晶硅片。
3.根据权利要求1所述的激光SE电池的制备方法，其特征在于，所述步骤2)碱性混合液由以下重量百分比的组分组成：NaOH2～4％、乙二醇5～10％、SnCl21～3％，余量为水。
4.根据权利要求1所述的激光SE电池的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中盲孔的孔深为100～150μm，盲孔的孔径为50～100μm。
5.根据权利要求1所述的激光SE电池的制备方法，其特征在于，所述步骤5)POCl3混合物由以下重量百分比的组分组成：POCl350～70％，O25～10％，余量为N2。
6.根据权利要求1所述的激光SE电池的制备方法，其特征在于，所述步骤6)中有机溶剂由以下重量百分比的组分组成：三乙基氧化磷1～5％，磷酸三辛基酯10～15％，余量为异丙醇。
7.根据权利要求1所述的激光SE电池的制备方法，其特征在于，所述步骤6)扫描所用仪器为飞秒激光器。
8.根据权利要求1所述的激光SE电池的制备方法，其特征在于，所述步骤7)酸性混合液由以下重量百分比的组分组成：HF1～3％、H2O25～10％，NH4F5～15％，余量为水。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610756795.8A CN106252462B (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 一种激光se电池的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610756795.8A CN106252462B (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 一种激光se电池的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106252462A true CN106252462A (zh) | 2016-12-21 |
| CN106252462B CN106252462B (zh) | 2017-08-11 |
Family
ID=57596720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610756795.8A Active CN106252462B (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 一种激光se电池的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106252462B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109308998A (zh) * | 2017-07-26 | 2019-02-05 | 天津环鑫科技发展有限公司 | 一种硅片激光制绒工艺 |
| CN110993723A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-04-10 | 晋能光伏技术有限责任公司 | 一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101814539A (zh) * | 2009-02-25 | 2010-08-25 | 旺能光电(吴江)有限公司 | 太阳能电池及其制作方法 |
| CN102779866A (zh) * | 2012-08-17 | 2012-11-14 | 天津中环半导体股份有限公司 | 一种深孔交错背接触太阳能电池结构及其制造方法 |
| US20150140721A1 (en) * | 2004-11-30 | 2015-05-21 | Solexel, Inc. | Patterning of silicon oxide layers using pulsed laser ablation |
-
2016
- 2016-08-29 CN CN201610756795.8A patent/CN106252462B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150140721A1 (en) * | 2004-11-30 | 2015-05-21 | Solexel, Inc. | Patterning of silicon oxide layers using pulsed laser ablation |
| CN101814539A (zh) * | 2009-02-25 | 2010-08-25 | 旺能光电(吴江)有限公司 | 太阳能电池及其制作方法 |
| CN102779866A (zh) * | 2012-08-17 | 2012-11-14 | 天津中环半导体股份有限公司 | 一种深孔交错背接触太阳能电池结构及其制造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109308998A (zh) * | 2017-07-26 | 2019-02-05 | 天津环鑫科技发展有限公司 | 一种硅片激光制绒工艺 |
| CN110993723A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-04-10 | 晋能光伏技术有限责任公司 | 一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106252462B (zh) | 2017-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4657068B2 (ja) | 裏面接合型太陽電池の製造方法 | |
| US20100224251A1 (en) | Method of manufacturing solar cell | |
| CN102668114A (zh) | 具有后表面掺杂的双面太阳能电池 | |
| US20150027522A1 (en) | All-black-contact solar cell and fabrication method | |
| CN107887478B (zh) | 一种n型双面太阳能电池及其制作方法 | |
| CN106098839A (zh) | 一种高效晶硅perc电池的制备方法 | |
| CN105826409B (zh) | 一种局部背场n型太阳能电池的制备方法 | |
| JP4684056B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN106062975A (zh) | 太阳能电池的制造方法以及太阳能电池 | |
| JP4610630B2 (ja) | 太陽電池用拡散層の製造方法および太陽電池セルの製造方法 | |
| CN106653942A (zh) | 一种n型单晶硅双面电池的制作方法 | |
| US20170133545A1 (en) | Passivated contacts for photovoltaic cells | |
| CN104380477A (zh) | 射极穿透式太阳能电池及其制备方法 | |
| JP2010161310A (ja) | 裏面電極型太陽電池および裏面電極型太陽電池の製造方法 | |
| CN105655424A (zh) | 全背场扩散n型硅基电池及其制备方法 | |
| CN106252462B (zh) | 一种激光se电池的制备方法 | |
| EP2413375A1 (en) | Method of producing photoelectric conversion element, and photoelectric conversion element | |
| JP5830143B1 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
| CN105914255A (zh) | 一种太阳能电池及其制作方法 | |
| CN102945892B (zh) | 一种太阳能电池制造方法 | |
| CN108682699B (zh) | 一种低成本的mwt太阳能电池正电极的制备方法 | |
| CN102709389B (zh) | 一种双面背接触太阳能电池的制备方法 | |
| CN108074999A (zh) | 一种选择性发射极黑硅电池及其制作方法 | |
| CN105826408B (zh) | 局部背表面场n型太阳能电池及制备方法和组件、系统 | |
| JP6379461B2 (ja) | ｐ型拡散層を有するシリコン基板の製造方法、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20211012 Address after: 315700 Industrial Park, sizhoutou Town, Xiangshan County, Ningbo City, Zhejiang Province Patentee after: Ningbo Lefeng new energy Co.,Ltd. Address before: 315700 No. 37, Jingang Road, Binhai Industrial Park, Xiangshan County, Ningbo City, Zhejiang Province Patentee before: ZHEJIANG QIXIN NEW ENERGY TECHNOLOGY Co.,Ltd. |