CN107887478B - 一种n型双面太阳能电池及其制作方法 - Google Patents

一种n型双面太阳能电池及其制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种N型双面太阳能电池及其制作方法，N型双面太阳能电池的P型扩散层包括多个深入N型硅片的P型重掺杂区和覆盖N型硅片的正面的P型轻掺杂区，N型扩散层包括多个深入N型硅片的N型重掺杂区和覆盖N型硅片的背面的N型轻掺杂区，且形成与P型重掺杂区位置对应的正面栅线电极，和形成与N型重掺杂区位置对应的背面栅线电极，以制备形成具有选择性发射极的N型双面太阳能电池，进而提高N型双面太阳能电池的光电转换效率。

Description

一种N型双面太阳能电池及其制作方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，更为具体的说，涉及一种N型双面太阳能电池及其制作方法。
背景技术
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种清洁、普遍和潜力高的替代能源。太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且太阳能是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源，并受到了广泛的关注。
在太阳能电池所使用的基底材料中，N型硅比P型硅具有更长的少子寿命，N型硅的光衰减性能则更为稳定，因此，在N型硅片上进行电池制作形成的N型太阳能电池片的相比P型太阳能电池片优势较大。但是，现有的N型太阳能电池片的光电转换效率有待提高。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种N型双面太阳能电池及其制作方法，其中，P型扩散层包括多个深入N型硅片的P型重掺杂区和覆盖N型硅片的正面的P型轻掺杂区，N型扩散层包括多个深入N型硅片的N型重掺杂区和覆盖N型硅片的背面的N型轻掺杂区，且形成与P型重掺杂区位置对应的正面栅线电极，和形成与N型重掺杂区位置对应的背面栅线电极，以制备形成具有选择性发射极的N型双面太阳能电池，进而提高N型双面太阳能电池的光电转换效率。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种N型双面太阳能电池片的制作方法，包括：
提供一N型硅片；
在所述N型硅片的正面扩散一P型扩散层，所述P型扩散层包括多个深入所述N型硅片的P型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的正面的P型轻掺杂区；
在所述N型硅片的背面扩散一N型扩散层，所述N型扩散层包括多个深入所述N型硅片的N型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的背面的N型轻掺杂区；
在所述N型硅片的正面形成正面钝化减反射层，及在所述N型硅片的背面形成背面钝化减反射层；
在所述正面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成多个正面栅线电极，及在所述背面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成多个背面栅线电极，其中，所述正面栅线电极与所述P型重掺杂区位置一一对应，且所述背面栅线电极与所述N型重掺杂区位置一一对应。
可选的，在所述N型硅片的正面扩散一P型扩散层包括：
在所述N型硅片的正面印刷多个硼浆区，所述硼浆区与所述P型重掺杂区一一对应；
采用硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理，形成所述P型扩散层，其中，所述P型扩散层包括多个深入所述N型硅片的P型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的正面的P型轻掺杂区。
可选的，采用硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理包括：
采用三溴化硼为硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理，其中，首先进行第一次硼扩散处理，其相应扩散时间为8min～15min，包括端点值，且扩散温度为890℃～910℃，包括端点值；而后进行第二次硼扩散处理，其相应扩散时间为20min～30min，包括端点值，且扩散温度为950℃～990℃，包括端点值。
可选的，在所述N型硅片的背面扩散一N型扩散层包括：
在所述N型硅片的背面印刷多个磷浆区，所述磷浆区与所述N型重掺杂区一一对应；
采用磷源对所述N型硅片的背面进行磷扩散处理，形成所述N型扩散层，其中，所述N型扩散层包括多个深入所述N型硅片的N型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的背面的N型轻掺杂区。
可选的，采用磷源对所述N型硅片的背面进行磷扩散处理包括：
采用三氯氧磷为磷源对所述N型硅片的背面进行磷扩散处理，其中，首先进行第一次磷扩散处理，其相应扩散时间为5min～15min，包括端点值，且扩散温度为850℃～870℃，包括端点值；而后进行第二次磷扩散处理，其相应扩散时间为25min～35min，包括端点值，且扩散温度为890℃～950℃，包括端点值。
可选的，在所述N型硅片的正面形成正面钝化减反射层包括：
在所述P型扩散层背离所述N型硅片一侧依次形成第一二氧化硅层、氧化铝层和第一氮化硅层的叠层形成所述正面钝化减反射层；或者，在所述P型扩散层背离所述N型硅片一侧依次形成氧化铝层和第一氮化硅层的叠层形成所述正面钝化减反射层。
可选的，在所述N型硅片的背面形成背面钝化减反射层包括：
在所述N型扩散层背离所述N型硅片一侧依次形成第二二氧化硅层和第二氮化硅层的叠层形成所述背面钝化减反射层。
可选的，在提供所述N型硅片后、且在形成所述P型扩散层前，还包括：
对所述N硅片的正面进行制绒处理。
相应的，本发明还提供了一种N型双面太阳能电池，包括：
N型硅片；
位于所述N型硅片的正面的P型扩散层，所述P型扩散层包括多个深入所述N型硅片的P型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的正面的P型轻掺杂区；
位于所述N型硅片的背面的N型扩散层，所述N型扩散层包括多个深入所述N型硅片的N型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的背面的N型轻掺杂区；
位于所述P型扩散层背离所述N型硅片一侧的正面钝化减反射层；
位于所述N型扩散层背离所述N型硅片一侧的背面钝化减反射层；
以及，位于所述正面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧的正面栅线电极，及位于所述背面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧的背面栅线电极，其中，所述正面栅线电极与所述P型重掺杂区位置一一对应，且所述背面栅线电极与所述N型重掺杂区位置一一对应。
可选的，所述P型重掺杂区的方阻为35～45Ω/Squar，及，所述P型轻掺杂区的方阻为150～180Ω/Squar；
以及，所述N型重掺杂区的方阻为30～50Ω/Squar，及，所述N型轻掺杂区的方阻为180～200Ω/Squar。
相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：
本发明提供了一种N型双面太阳能电池及其制作方法，包括：提供一N型硅片；在所述N型硅片的正面扩散一P型扩散层，所述P型扩散层包括多个深入所述N型硅片的P型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的正面的P型轻掺杂区；在所述N型硅片的背面扩散一N型扩散层，所述N型扩散层包括多个深入所述N型硅片的N型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的背面的N型轻掺杂区；在所述N型硅片的正面形成正面钝化减反射层，及在所述N型硅片的背面形成背面钝化减反射层；在所述正面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成多个正面栅线电极，及在所述背面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成多个背面栅线电极，其中，所述正面栅线电极与所述P型重掺杂区位置一一对应，且所述背面栅线电极与所述N型重掺杂区位置一一对应。
由上述内容可知，本发明提供的技术方案，P型扩散层包括多个深入N型硅片的P型重掺杂区和覆盖N型硅片的正面的P型轻掺杂区，N型扩散层包括多个深入N型硅片的N型重掺杂区和覆盖N型硅片的背面的N型轻掺杂区，且形成与P型重掺杂区位置对应的正面栅线电极，和形成与N型重掺杂区位置对应的背面栅线电极，以制备形成具有选择性发射极的N型双面太阳能电池，进而能够有效的减小栅线电极与N型硅片之间的接触电阻而制备良好的欧姆接触，且能够提高N型双面电池的的短路电流和开路电压，进而提高N型双面太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种N型双面电池的制作方法的流程图；
图2为本申请实施例提供的一种N型双面电池的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
正如背景技术所述，在太阳能电池所使用的基底材料中，N型硅比P型硅具有更长的少子寿命，N型硅的光衰减性能则更为稳定，因此，在N型硅片上进行电池制作形成的N型太阳能电池片的相比P型太阳能电池片优势较大。但是，现有的N型太阳能电池片的光电转换效率有待提高。
基于此，本申请实施例提供了一种N型双面太阳能电池及其制作方法，其中，P型扩散层包括多个深入N型硅片的P型重掺杂区和覆盖N型硅片的正面的P型轻掺杂区，N型扩散层包括多个深入N型硅片的N型重掺杂区和覆盖N型硅片的背面的N型轻掺杂区，且形成与P型重掺杂区位置对应的正面栅线电极，和形成与N型重掺杂区位置对应的背面栅线电极，以制备形成具有选择性发射极的N型双面太阳能电池，进而提高N型双面太阳能电池的光电转换效率。为实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图2对本申请实施例提供的技术方案进行详细的描述。
一种N型双面太阳能电池片的制作方法，包括：
S1、提供一N型硅片；
S2、在所述N型硅片的正面扩散一P型扩散层，所述P型扩散层包括多个深入所述N型硅片的P型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的正面的P型轻掺杂区；
S3、在所述N型硅片的背面扩散一N型扩散层，所述N型扩散层包括多个深入所述N型硅片的N型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的背面的N型轻掺杂区；
S4、在所述N型硅片的正面形成正面钝化减反射层，及在所述N型硅片的背面形成背面钝化减反射层；
S5、在所述正面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成多个正面栅线电极，及在所述背面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成多个背面栅线电极，其中，所述正面栅线电极与所述P型重掺杂区位置一一对应，且所述背面栅线电极与所述N型重掺杂区位置一一对应。
由上述内容可知，本申请实施例提供的技术方案，P型扩散层包括多个深入N型硅片的P型重掺杂区和覆盖N型硅片的正面的P型轻掺杂区，N型扩散层包括多个深入N型硅片的N型重掺杂区和覆盖N型硅片的背面的N型轻掺杂区，且形成与P型重掺杂区位置对应的正面栅线电极，和形成与N型重掺杂区位置对应的背面栅线电极，以制备形成具有选择性发射极的N型双面太阳能电池，进而能够有效的减小栅线电极与N型硅片之间的接触电阻而制备良好的欧姆接触，且能够提高N型双面电池的的短路电流和开路电压，进而提高N型双面太阳能电池的光电转换效率。
在本申请一实施例中，本申请提供的在所述N型硅片的正面扩散一P型扩散层包括：
在所述N型硅片的正面印刷多个硼浆区，所述硼浆区与所述P型重掺杂区一一对应；
采用硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理，形成所述P型扩散层，其中，所述P型扩散层包括多个深入所述N型硅片的P型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的正面的P型轻掺杂区。
本申请实施例需要在N型硅片的正面印刷硼浆区，以便后续在进行硼扩散时得到P型重掺杂区，其中，P型重掺杂区的掺杂浓度大于P型轻掺杂区的掺杂浓度。本申请实施例提供的硼浆其材质可以为包括纳米硅粉、硼料(硼、氧化硼、硼化硅)、溶剂(松油醇、檀香)和添加剂(乙基纤维素)。
以及可选的，采用硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理包括：
采用三溴化硼为硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理，其中，首先进行第一次硼扩散处理，其相应扩散时间为8min～15min，包括端点值，且扩散温度为890℃～910℃，包括端点值；而后进行第二次硼扩散处理，其相应扩散时间为20min～30min，包括端点值，且扩散温度为950℃～990℃，包括端点值。其中，通过上述扩散处理，控制所述P型重掺杂区的方阻为35～45Ω/Squar，及，所述P型轻掺杂区的方阻为150～180Ω/Squar。
需要说明的是，本申请实施例对于上述数值范围的具体数值不做限定，如第一次硼扩散处理的扩散时间可以为9min、11min、14min等，第一次硼扩散处理的扩散温度可以为900℃、905℃等，第二次硼扩散处理的扩散时间可以为22min、25min、28min等，第一次硼扩散处理的扩散温度可以为960℃、980℃等，且P型重掺杂区的方阻可以为40Ω/Squar、43Ω/Squar等，及P型轻掺杂区的方阻为160Ω/Squar、170Ω/Squar等，对此需要根据实际应用进行具体选取。此外，在进行P型扩散处理后，需要进行去除不必要的结构，如采用氢氟酸和硝酸溶液去除背面的和边缘的PN结等结构，对此与现有技术相同，故不做多余赘述。
在本申请一实施例中，本申请提供的在所述N型硅片的背面扩散一N型扩散层包括：
在所述N型硅片的背面印刷多个磷浆区，所述磷浆区与所述N型重掺杂区一一对应；
采用磷源对所述N型硅片的背面进行磷扩散处理，形成所述N型扩散层，其中，所述N型扩散层包括多个深入所述N型硅片的N型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的背面的N型轻掺杂区。
本申请实施例需要在N型硅片的背面印刷磷浆区，以便后续在进行磷扩散时得到N型重掺杂区，其中，N型重掺杂区的掺杂浓度大于N型轻掺杂区的掺杂浓度。本申请实施例提供的磷浆其材质可以为包括质量占比为10～20(包括端点值)的纳米硅粉、质量占比为10～20(包括端点值)的添加剂(聚磷酸三甲基硅、松油醇)和质量占比为40～70(包括端点值)的有机溶剂(檀香、松油醇)。
以及可选的，采用磷源对所述N型硅片的背面进行磷扩散处理包括：
采用三氯氧磷为磷源对所述N型硅片的背面进行磷扩散处理，其中，首先进行第一次磷扩散处理，其相应扩散时间为5min～15min，包括端点值，且扩散温度为850℃～870℃，包括端点值；而后进行第二次磷扩散处理，其相应扩散时间为25min～35min，包括端点值，且扩散温度为890℃～950℃，包括端点值。其中，通过上述扩散处理，控制所述N型重掺杂区的方阻为30～50Ω/Squar，及，所述N型轻掺杂区的方阻为180～200Ω/Squar
需要说明的是，本申请实施例对于上述数值范围的具体数值不做限定，如第一次磷扩散处理的扩散时间可以为6min、10min、14min等，第一次磷扩散处理的扩散温度可以为860℃、865℃等，第二次磷扩散处理的扩散时间可以为26min、30min、34min等，第一次磷扩散处理的扩散温度可以为900℃、930℃等，且N型重掺杂区的方阻可以为40Ω/Squar、45Ω/Squar等，及P型轻掺杂区的方阻为185Ω/Squar、190Ω/Squar等，对此需要根据实际应用进行具体选取。此外，在进行N型扩散处理前，需要在N型硅片的正面形成一保护膜层，如形成氮氧化硅薄膜。以及，在进行N型扩散处理后，需要进行去除不必要的结构，如去除磷硅玻璃和去除保护膜层等，对此与现有技术相同，故不做多余赘述。
在本申请一实施例中，本申请提供的在所述N型硅片的正面形成正面钝化减反射层包括：
在所述P型扩散层背离所述N型硅片一侧依次形成第一二氧化硅层、氧化铝层和第一氮化硅层的叠层形成所述正面钝化减反射层；或者，在所述P型扩散层背离所述N型硅片一侧依次形成氧化铝层和第一氮化硅层的叠层形成所述正面钝化减反射层。
本申请实施例提供的第一二氧化硅层的厚度范围可以为1nm～2nm，包括端点值；氧化铝层的厚度范围可以为6nm～10nm，包括端点值；以及，第一氮化硅层的厚度范围可以为70nm～100nm，包括端点值，其反射率可以控制为2％～5％，包括端点值，且第一氮化硅层可以采用PECVD沉积形成。
在本申请一实施例中，本申请提供的在所述N型硅片的背面形成背面钝化减反射层包括：
在所述N型扩散层背离所述N型硅片一侧依次形成第二二氧化硅层和第二氮化硅层的叠层形成所述背面钝化减反射层。
本申请实施例提供的背面钝化减反射层的厚度范围可以为75nm～90nm，包括端点值，且反射率可以控制为2％～5％，包括端点值，且第二氮化硅层可以采用PECVD沉积形成。
进一步的，本申请实施例提供的制作方法，在提供所述N型硅片后、且在形成所述P型扩散层前，还包括：
对所述N硅片的正面进行制绒处理，以在N型硅片的正面形成制绒面，进而控制N型硅片的正面的反射率在11％～14％，包括端点值。
相应的，本申请实施例还提供了一种N型双面太阳能电池，N型双面太阳能电池采用上述任意一实施例提供的制作方法制备而成。参考图2所示，为本申请实施例提供的一种N型双面太阳能电池的结构示意图，其中，N型双面太阳能电池包括：
N型硅片100；
位于所述N型硅片100的正面的P型扩散层200，所述P型扩散层200包括多个深入所述N型硅片100的P型重掺杂区P++和覆盖所述N型硅片100的正面的P型轻掺杂区P+；
位于所述N型硅片100的背面的N型扩散层300，所述N型扩散层包括多个深入所述N型硅片100的N型重掺杂区N++和覆盖所述N型硅片100的背面的N型轻掺杂区N+；
位于所述P型扩散层200背离所述N型硅片100一侧的正面钝化减反射层400；
位于所述N型扩散层300背离所述N型硅片100一侧的背面钝化减反射层500；
以及，位于所述正面钝化减反射层400背离所述N型硅片100一侧的正面栅线电极600，及位于所述背面钝化减反射层500背离所述N型硅片100一侧的背面栅线电极700，其中，所述正面栅线电极600与所述P型重掺杂区P++位置一一对应，且所述背面栅线电极700与所述N型重掺杂区N++位置一一对应。
在本申请一实施例中，所述正面钝化减反射层包括在所述P型扩散层背离所述N型硅片一侧依次形成第一二氧化硅层、氧化铝层和第一氮化硅层的叠层；或者，所述正面钝化减反射层包括在所述P型扩散层背离所述N型硅片一侧依次形成氧化铝层和第一氮化硅层的叠层。
在本申请一实施例中，所述背面钝化减反射层包括在所述N型扩散层背离所述N型硅片一侧依次形成第二二氧化硅层和第二氮化硅层的叠层。
以及，在本申请一实施例中，所述N硅片的正面为制绒面。
参考图2所示，本申请实施例提供的N型双面太阳能电池，其正面钝化减反射层400可以包括依次叠加的第一二氧化硅层410、氧化铝层420和第一氮化硅层430的叠层；以及，背面钝化减反射层500包括依次叠加的第二二氧化硅层510和第二氮化硅层520的叠层。
需要说明的是，本申请实施例提供的正面钝化减反射层中第一二氧化硅层还可以去除，对此本申请不做具体限制。以及，本申请实施例提供的N型双面太阳能电池，在形成栅线电极时需要进行烧结处理，使得栅线电极与扩散层形成欧姆接触。
可选的，本申请实施例提供的所述P型重掺杂区的方阻为35～45Ω/Squar，及，所述P型轻掺杂区的方阻为150～180Ω/Squar；
以及，所述N型重掺杂区的方阻为30～50Ω/Squar，及，所述N型轻掺杂区的方阻为180～200Ω/Squar。
本申请实施例提供了一种N型双面太阳能电池及其制作方法，包括：提供一N型硅片；在所述N型硅片的正面扩散一P型扩散层，所述P型扩散层包括多个深入所述N型硅片的P型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的正面的P型轻掺杂区；在所述N型硅片的背面扩散一N型扩散层，所述N型扩散层包括多个深入所述N型硅片的N型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的背面的N型轻掺杂区；在所述N型硅片的正面形成正面钝化减反射层，及在所述N型硅片的背面形成背面钝化减反射层；在所述正面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成多个正面栅线电极，及在所述背面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成多个背面栅线电极，其中，所述正面栅线电极与所述P型重掺杂区位置一一对应，且所述背面栅线电极与所述N型重掺杂区位置一一对应。
由上述内容可知，本申请实施例提供的技术方案，P型扩散层包括多个深入N型硅片的P型重掺杂区和覆盖N型硅片的正面的P型轻掺杂区，N型扩散层包括多个深入N型硅片的N型重掺杂区和覆盖N型硅片的背面的N型轻掺杂区，且形成与P型重掺杂区位置对应的正面栅线电极，和形成与N型重掺杂区位置对应的背面栅线电极，以制备形成具有选择性发射极的N型双面太阳能电池，进而能够有效的减小栅线电极与N型硅片之间的接触电阻而制备良好的欧姆接触，且能够提高N型双面电池的的短路电流和开路电压，进而提高N型双面太阳能电池的光电转换效率。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (8)

1.一种N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，包括：
提供一N型硅片；
在所述N型硅片的正面扩散一P型扩散层，所述P型扩散层包括多个深入所述N型硅片的P型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的正面的P型轻掺杂区；
在所述N型硅片的背面扩散一N型扩散层，所述N型扩散层包括多个深入所述N型硅片的N型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的背面的N型轻掺杂区；
在所述N型硅片的正面形成正面钝化减反射层，及在所述N型硅片的背面形成背面钝化减反射层；
在所述正面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成多个正面栅线电极，及在所述背面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成多个背面栅线电极，其中，所述正面栅线电极与所述P型重掺杂区位置一一对应，且所述背面栅线电极与所述N型重掺杂区位置一一对应；
其中，在所述N型硅片的正面扩散一P型扩散层包括：
在所述N型硅片的正面印刷多个硼浆区，所述硼浆区与所述P型重掺杂区一一对应；
采用硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理，形成所述P型扩散层，其中，所述P型扩散层包括多个深入所述N型硅片的P型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的正面的P型轻掺杂区；
以及，采用硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理包括：
采用三溴化硼为硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理，其中，首先进行第一次硼扩散处理，其相应扩散时间为8min~15min，包括端点值，且扩散温度为905℃~910℃，包括端点值；而后进行第二次硼扩散处理，其相应扩散时间为20min~30min，包括端点值，且扩散温度为960℃~990℃，包括端点值。
2.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，在所述N型硅片的背面扩散一N型扩散层包括：
在所述N型硅片的背面印刷多个磷浆区，所述磷浆区与所述N型重掺杂区一一对应；
采用磷源对所述N型硅片的背面进行磷扩散处理，形成所述N型扩散层，其中，所述N型扩散层包括多个深入所述N型硅片的N型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的背面的N型轻掺杂区。
3.根据权利要求2所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，采用磷源对所述N型硅片的背面进行磷扩散处理包括：
采用三氯氧磷为磷源对所述N型硅片的背面进行磷扩散处理，其中，首先进行第一次磷扩散处理，其相应扩散时间为5min~15min，包括端点值，且扩散温度为850℃~870℃，包括端点值；而后进行第二次磷扩散处理，其相应扩散时间为25min~35min，包括端点值，且扩散温度为890℃~950℃，包括端点值。
4.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，在所述N型硅片的正面形成正面钝化减反射层包括：
在所述P型扩散层背离所述N型硅片一侧依次形成第一二氧化硅层、氧化铝层和第一氮化硅层的叠层形成所述正面钝化减反射层；或者，在所述P型扩散层背离所述N型硅片一侧依次形成氧化铝层和第一氮化硅层的叠层形成所述正面钝化减反射层。
5.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，在所述N型硅片的背面形成背面钝化减反射层包括：
在所述N型扩散层背离所述N型硅片一侧依次形成第二二氧化硅层和第二氮化硅层的叠层形成所述背面钝化减反射层。
6.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，在提供所述N型硅片后、且在形成所述P型扩散层前，还包括：
对所述N型 硅片的正面进行制绒处理。
7.一种N型双面太阳能电池，其特征在于，采用权利要求1-6任意一项所述的N型双面太阳能电池片的制作方法制作而成，包括：
N型硅片；
位于所述N型硅片的正面的P型扩散层，所述P型扩散层包括多个深入所述N型硅片的P型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的正面的P型轻掺杂区；
位于所述N型硅片的背面的N型扩散层，所述N型扩散层包括多个深入所述N型硅片的N型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的背面的N型轻掺杂区；
位于所述P型扩散层背离所述N型硅片一侧的正面钝化减反射层；
位于所述N型扩散层背离所述N型硅片一侧的背面钝化减反射层；
以及，位于所述正面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧的正面栅线电极，及位于所述背面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧的背面栅线电极，其中，所述正面栅线电极与所述P型重掺杂区位置一一对应，且所述背面栅线电极与所述N型重掺杂区位置一一对应。
8.根据权利要求7所述的N型双面太阳能电池，其特征在于，所述P型重掺杂区的方阻为35~45Ω/Squar，及，所述P型轻掺杂区的方阻为150~180Ω/ Squar；
以及，所述N型重掺杂区的方阻为30~50Ω/Squar，及，所述N型轻掺杂区的方阻为180~200Ω/ Squar。
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