CN109786477A - 一种抗pid双面perc电池多层钝化膜和双面perc电池的制备方法 - Google Patents
一种抗pid双面perc电池多层钝化膜和双面perc电池的制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供一种抗PID双面PERC电池的背面减反钝化膜和双面PERC电池及其制备方法，背面减反钝化膜包括SiO2层；与SiO2层接触的氧化铝层；与氧化铝层接触的n层SiNx，1≤x≤1.5；从里指向外，n层SiNx的折射率呈下降趋势；n层SiNx的厚度呈增加趋势；n为正整数。本发明通过在硅片背面设置SiO2层和n层SiNx，n层SiNx的折射率呈下降趋势；n层SiNx的厚度呈增加趋势，使得钝化膜具有较好的抗PID效果。双面PERC电池在‑1500V，85％湿度，85℃测试条件下，96h后正面衰减比为0.34％，背面衰减比为0.66％；192h后正面衰减比为1.65％，背面衰减比为2.10％。
Description
技术领域
本发明属于双面PERC电池领域，尤其涉及一种抗PID双面PERC电池多层钝化膜和双面PERC电池的制备方法。
背景技术
目前双面PERC电池因其电池结构原因，仅在正面实现了正面抗PID性能，背面为实现抗PID性能增加了SiOxNy的膜层，其减反钝化膜结构如图1所示，图1为现有技术中双面PERC电池的减反钝化膜的结构示意图；图1中，11为正面顶层SiNx层，12为正面底层SiNx层，13为SiO2层，14为硅片，15为背面氧化铝层，16为背面SiOxNy层，17为背面SiNx层。
现有双面PERC电池减反钝化膜层结构只在电池正面制作了致密的SiO2和渐变折射率的多层SiNx来达到正面抗PID性能，电池背面为Al2O3/SiOxNy/SiNx的钝化膜结构，增加SiOxNy膜层阻挡水汽、金属离子进入电池内部造成效率衰减，但因SiOxNy的折射率高于氧化铝的折射率会导致一定的光学失配从而总成一定的光学损失；另一方面双面PERC电池背面放弃了Al-BSF的印刷，双面PERC电池在制作成组件后金属离子可能由电池背部进入电池内部，进而影响到电池正面的抗PID性能。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种抗PID双面PERC电池多层钝化膜和双面PERC电池的制备方法，该钝化膜使得双面PERC电池具有较好的抗PID效果。
本发明提供了一种抗PID双面PERC电池多层钝化膜，其特征在于，包括设置在硅片正面的正面减反钝化膜和硅片背面的背面减反钝化膜；
所述背面减反钝化膜包括与硅片背面接触的SiO2层；
与所述SiO2层接触的氧化铝层；
与所述氧化铝层接触的n层SiNx，1≤x≤1.5；从里指向外，n层SiNx的折射率呈下降趋势；n层SiNx的厚度呈增加趋势；n为正整数。
本发明提供了一种抗PID双面PERC电池，包括硅片及设置在硅片正面的正面减反钝化膜和硅片背面的上述技术方案所述的背面减反钝化膜；
所述背面减反钝化膜的SiO2层与硅片背面接触。
优选地，所述n层SiNx的总厚度为120～150nm；第一层SiNx的厚度为2～10nm；
第一层SiNx的折射率为2.45～2.5，第n层SiNx的折射率为1.90～2.05。
优选地，n为3，第一层SiNx的折射率为2.46，厚度为8nm；第二层SiNx的折射率为2.30，厚度为36nm；第三层SiNx的折射率为2.0，厚度为76nm；
或n为4，第一层SiNx的折射率为2.47，厚度为6nm；第二层SiNx的折射率为2.35，厚度为20nm；第三层SiNx的折射率为2.05，厚度为38nm；第四层SiNx的折射率为1.95，厚度为56nm；
或n为5，第一层SiNx的折射率为2.49，厚度为2nm；第二层SiNx的折射率为2.38，厚度为12nm；第三层SiNx的折射率为2.25，厚度为22nm；第四层SiNx的折射率为2.05，厚度为30nm；第五层SiNx的折射率为1.90，厚度为54nm。
优选地，所述正面减反钝化膜包括与硅片的正面接触的底层SiO2；
与所述SiO2层接触的氮化硅层；
与所述氮化硅层接触的顶层SiO2。
优选地，所述顶层SiO2的厚度为3～5nm。
本发明提供了一种上述技术方案所述双面PERC电池的制备方法，包括以下步骤：
a)将原硅片碱绒、刻蚀和清洗，得到预处理硅片；
b)将所述预处理硅片的正面依次沉积底层SiO2、氮化硅层和顶层SiO2；
将所述预处理硅片的背面依次沉积SiO2层、氧化铝层和n层SiNx，1≤x≤1.5；从里指向外，n层SiNx的折射率递减；n层SiNx的厚度递增；n为正整数；
c)采用激光对背面进行开槽，然后背面栅线制作、正面栅线制作；烧结，制得双面PERC电池。
优选地，正面沉积底层SiO2采用热氧沉积；热氧沉积过程中，N2浓度为12～18slm；O2浓度为3～5slm；温度为650～730℃；
正面沉积顶层SiO2采用等离子体增强型化学气相沉积；等离子体增强型化学气相沉积过程中，SiH4浓度为300～1000Sccm，N2O浓度为3～5slm，温度为400～460℃。
优选地，所述背面沉积SiO2层采用臭氧沉积或等离子体增强型化学气相沉积；
臭氧沉积过程中，O2浓度为10±5slm，N2浓度为40±10slm，O3浓度为300±50ppm；
等离子体增强型化学气相沉积过程中，SiH4浓度为300～1000sccm，N2O浓度为3～5slm；温度为400～460℃。
优选地，背面沉积多层SiNx时，SiH4的起始流量为1000sccm，NH3起始流量为4.0slm，根据n的不同设置对各层数的N/Si进行配比，使得n层SiNx的折射率递减；n层SiNx的厚度递增。
本发明提供了一种双面PERC电池的背面减反钝化膜，包括SiO2层；与所述SiO2层接触的氧化铝层；与所述氧化铝层接触的n层SiNx，1≤x≤1.5；从里指向外，n层SiNx的折射率呈下降趋势；n层SiNx的厚度呈增加趋势；n为正整数。本发明通过在硅片背面设置SiO2层和n层SiNx，n层SiNx的折射率呈下降趋势；n层SiNx的厚度呈增加趋势，使得钝化膜具有较好的抗PID效果。该背面减反钝化膜与正面减反钝化膜分别设置在硅片上制得双面PERC电池。实验结果表明，双面PERC电池在-1500V，85％湿度，85℃测试条件下，96h后正面衰减比例为0.34％～0.53％，背面衰减比例为0.58～1.00％；192h后正面衰减比为1.56～1.65％，背面衰减比例为2.10％～2.39％。
附图说明
图1为现有技术中双面PERC电池的减反钝化膜的结构示意图；
图2为本发明提供的抗PID双面PERC电池多层钝化膜的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种双面PERC电池的背面减反钝化膜，包括SiO2层；
与所述SiO2层接触的氧化铝层；
与所述氧化铝层接触的n层SiNx，1≤x≤1.5；从里指向外，n层SiNx的折射率呈下降趋势；n层SiNx的厚度呈增加趋势；n为正整数。
本发明提供的背面减反钝化膜包括SiO2层和多层SiNx，使得背面减反钝化膜能够阻挡水汽、金属离子，提高了双面PERC电池的背面抗PID性能；此外，因增加SiO2层，SiOxNy的删减，背面叠层钝化膜的结构光学更为匹配，使得电池具有更好的聚光效果，电池效率得以提升。
本发明提供了一种抗PID双面PERC电池，其特征在于，包括硅片及设置在硅片正面的正面减反钝化膜和硅片背面的权利要求1所述的背面减反钝化膜；
所述背面减反钝化膜的SiO2层与硅片背面接触。
参见图2，图2为本发明提供的一种抗PID双面PERC电池的结构示意图。其中，21为正面顶层SiO2层，22为第一正面SiNx层，23为第一正面SiNx层，24为正面SiO2层，25为硅片，26为背面SiO2层，27为氧化铝层，28为背面第一层SiNx，29为背面第n层SiNx。
本发明提供的抗PID双面PERC电池包括硅片25。
本发明提供的抗PID双面PERC电池包括设置在硅片25背面的上述技术方案所述的背面减反钝化膜；
所述背面减反钝化膜包括与硅片背面接触的SiO2层26，所述背面SiO2层26的厚度为2～3nm。所述背面SiO2层采用臭氧(O3)沉积或等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)。本发明在现有产线中仅增加翻转装置或者增加笑气即可实现，改造成本低。
所述背面减反钝化膜包括与SiO2层接触的氧化铝层27；所述氧化铝层的厚度优选为4～10nm。所述氧化铝层采用ALD方法沉积。
所述背面减反钝化膜包括与所述氧化铝层接触的n层SiNx，1≤x≤1.5；从里指向外，n层SiNx的折射率呈下降趋势；n层SiNx的厚度呈增加趋势；n为正整数。所述n优选为3～5；所述n层SiNx的总厚度为120～150nm；第一层SiNx 28的厚度为2～10nm；
所述第一层SiNx的折射率为2.45～2.5，第n层SiNx 29的折射率为1.90～2.05。
在本发明具体实施例中，所述n为3，第一层SiNx的折射率为2.46，厚度为8nm；第二层SiNx的折射率为2.30，厚度为36nm；第三层SiNx的折射率为2.0，厚度为76nm；
或n为4，第一层SiNx的折射率为2.47，厚度为6nm；第二层SiNx的折射率为2.35，厚度为20nm；第三层SiNx的折射率为2.05，厚度为38nm；第四层SiNx的折射率为1.95，厚度为56nm；
或n为5，第一层SiNx的折射率为2.49，厚度为2nm；第二层SiNx的折射率为2.38，厚度为12nm；第三层SiNx的折射率为2.25，厚度为22nm；第四层SiNx的折射率为2.05，厚度为30nm；第五层SiNx的折射率为1.90，厚度为54nm。
本发明提供的抗PID双面PERC电池包括设置在硅片正面的正面减反钝化膜；所述正面减反钝化膜包括与硅片的正面接触的底层SiO2 23；
与所述SiO2层接触的氮化硅层22；
与所述氮化硅层接触的顶层SiO2 21。
所述正面减反钝化膜中的底层SiO2 23的厚度为1～2nm。所述底层SiO2采用干氧高温氧化而得。
所述正面减反钝化膜中的氮化硅层22包括第一氮化硅层和第二氮化硅层，所述第一氮化硅层与底层SiO2接触。
所述正面减反钝化膜中的顶层SiO2的厚度为3～5nm。所述顶层SiO2采用等离子体增强型化学气相沉积制得。顶层SiO2的设置能够进一步增强正面抗PID性能；SiO2的折射率在1.6左右，增强了光学匹配性，加强了正面钝化膜层的减反效果。
本发明提供了一种上述技术方案所述双面PERC电池的制备方法，包括以下步骤：
a)将原硅片碱绒、刻蚀和清洗，得到预处理硅片；
b)将所述预处理硅片的正面依次沉积底层SiO2、氮化硅层和顶层SiO2；
将所述预处理硅片的背面依次沉积SiO2层、氧化铝层和n层SiNx，1≤x≤1.5；从里指向外，n层SiNx的折射率递减；n层SiNx的厚度递增；n为正整数；
c)采用激光对背面进行开槽，然后背面栅线制作、正面栅线制作；烧结，制得双面PERC电池。
本发明将原硅片利用碱制绒出金字塔绒面，达到去损伤层和减反射的目的；在硅片正面掺杂0.2～0.3μm厚度的N型硅，刻蚀边缘及背部局域的p-n结及PSG的清洗，得到预处理硅片。
本发明在所述预处理硅片的正面依次沉积底层SiO2、氮化硅层和顶层SiO2；
将所述预处理硅片的背面依次沉积SiO2层、氧化铝层和n层SiNx。在本发明中，所述正面沉积底层SiO2采用热氧沉积；热氧沉积过程中，N2浓度为12～18slm；O2浓度为3～5slm；温度为650～730℃；
正面沉积顶层SiO2采用等离子体增强型化学气相沉积；等离子体增强型化学气相沉积过程中，SiH4浓度为300～1000Sccm，N2O浓度为3～5slm，温度为400～460℃。
所述背面沉积SiO2层采用臭氧沉积或等离子体增强型化学气相沉积；
臭氧沉积过程中，O2浓度为10±5slm，N2浓度为40±10slm，O3浓度为300±50ppm；
等离子体增强型化学气相沉积过程中，SiH4浓度为300～1000sccm，N2O浓度为3～5slm；温度为400～460℃。
在本发明中，背面沉积多层SiNx时，SiH4的起始流量为1000sccm，NH3起始流量为4.0slm，根据n的不同设置对各层数的N/Si进行配比，使得n层SiNx的折射率递减；n层SiNx的厚度递增。在本发明具体实施例中，若n为3，则第一层SiNx制备时，SiH4的流量为600sccmNH3的流量为3600sccm；第二层SiNx制备时，SiH4的流量为600sccm NH3的流量为4200sccm；第三层SiNx制备时，SiH4的流量为950sccm NH3的流量为7800sccm。
若n为4，则第一层SiNx制备时，SiH4的流量为650sccm NH3的流量为3200sccm；第二层SiNx制备时，SiH4的流量为750sccm NH3的流量为4000sccm；第三层SiNx制备时，SiH4的流量为900sccm NH3的流量为4800sccm；第四层SiNx制备时，SiH4的流量为900sccm NH3的流量为8200sccm。
若n为5，则第一层SiNx制备时，SiH4的流量为700sccm NH3的流量为3600sccm；第二层SiNx制备时，SiH4的流量为680sccm NH3的流量为4100sccm；第三层SiNx制备时，SiH4的流量为650sccm NH3的流量为3900sccm；第四层SiNx制备时，SiH4的流量为820sccm NH3的流量为6500sccm；第五层SiNx制备时，SiH4的流量为900sccm NH3的流量为8800sccm。
本发明的钝化膜具体实现方法兼容现有产线，只需将臭氧沉积SiOx(O3)沉积翻转至背面或者PECVD工序增加笑气即可完成，改造升级成本低廉。
为了进一步说明本发明，下面结合实施例对本发明提供的一种抗PID双面PERC电池多层钝化膜和双面PERC电池的制备方法进行详细地描述，但不能将它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
a)原硅片利用碱制绒出金字塔绒面，达到去损伤层和减反射的目的；
b)硅片正面掺杂0.2～0.3μm厚度的N型硅；
c)刻蚀边缘及背部局域的PN结及PSG的清洗；
d)正面热氧SiO2钝化层；热氧沉积过程中，N2浓度为12～18slm；O2浓度为3～5slm；温度为650～730℃；
e)沉积正面SiNx减反钝化膜，包括第一SiNx层和第二SiNx层；再采用等离子体增强型化学气相沉积3～5nm的顶层SiO2；；等离子体增强型化学气相沉积过程中，SiH4浓度为300～1000Sccm，N2O浓度为3～5slm，温度为400～460℃；
f)沉积背面氧化铝和三层SiNx钝化膜；第一层SiNx制备时，SiH4的流量为600sccmNH3的流量为3600sccm；第二层SiNx制备时，SiH4的流量为600sccm，NH3的流量为4200sccm；第三层SiNx制备时，SiH4的流量为950sccm NH3的流量为7800sccm；第一层SiNx的折射率为2.46，厚度为8nm；第二层SiNx的折射率为2.30，厚度为36nm；第三层SiNx的折射率为2.0，厚度为76nm；
g)激光对背面进行开槽(使用特定的图形)；
h)背面栅线制作、正面栅线制作；
i)烧结，得到抗PID双面PERC电池。
本发明对实施例1制备的双面PERC电池进行抗PID性能测试，PID测试条件为-1500V，85％湿度，85℃，时间为96h或192h；衰减值＝(初始功率-衰减后功率)/初始功率×100％。
本发明以背景技术中描述的图1结构的双面PERC电池作为对照，进行测试，结果见表1，表1为96h前后双面PERC电池的抗PID性能测试结果：
表2 192h前后双面PERC电池的抗PID性能测试结果
实施例2
a)原硅片利用碱制绒出金字塔绒面，达到去损伤层和减反射的目的；
b)硅片正面掺杂0.2～0.3μm厚度的N型硅；
c)刻蚀边缘及背部局域的PN结及PSG的清洗；
d)正面热氧SiO2钝化层；热氧沉积过程中，N2浓度为12～18slm；O2浓度为3～5slm；温度为650～730℃；
e)沉积正面SiNx减反钝化膜，包括第一SiNx层和第二SiNx层；再采用等离子体增强型化学气相沉积3～5nm的顶层SiO2；等离子体增强型化学气相沉积过程中，SiH4浓度为300～1000Sccm，N2O浓度为3～5slm，温度为400～460℃；
f)沉积背面SiO2、氧化铝和四层SiNx钝化膜；
所述背面沉积SiO2层采用等离子体增强型化学气相沉积；等离子体增强型化学气相沉积过程中，SiH4浓度为300～1000sccm，N2O浓度为3～5slm；温度为400～460℃；
第一层SiNx制备时，SiH4的流量为650sccm NH3的流量为3200sccm；第二层SiNx制备时，SiH4的流量为750sccm NH3的流量为4000sccm；第三层SiNx制备时，SiH4的流量为900sccm，NH3的流量为4800sccm；第四层SiNx制备时，SiH4的流量为900sccm NH3的流量为8200sccm；第一层SiNx的折射率为2.47，厚度为6nm；第二层SiNx的折射率为2.35，厚度为20nm；第三层SiNx的折射率为2.05，厚度为38nm；第四层SiNx的折射率为1.95，厚度为56nm；
g)激光对背面进行开槽(使用特定的图形)；
h)背面栅线制作、正面栅线制作；
i)烧结，得到抗PID双面PERC电池。
本发明对实施例2制备的抗PID双面PERC电池的抗PID性能进行测试，结果见表3：
表3实施例2制备的抗PID双面PERC电池的抗PID性能测试结果
实施例3
a)原硅片利用碱制绒出金字塔绒面，达到去损伤层和减反射的目的；
b)硅片正面掺杂0.2～0.3μm厚度的N型硅；
c)刻蚀边缘及背部局域的PN结及PSG的清洗；
d)正面热氧SiO2钝化层；热氧沉积过程中，N2浓度为12～18slm；O2浓度为3～5slm；温度为650～730℃；
e)沉积正面SiNx减反钝化膜，包括第一SiNx层和第二SiNx层；
再采用等离子体增强型化学气相沉积3～5nm的顶层SiO2，沉积过程中，SiH4浓度为300～1000Sccm，N2O浓度为3～5slm，温度为400～460℃；
f)沉积背面SiO2、氧化铝和五层SiNx钝化膜；
背面沉积SiO2层采用臭氧沉积；臭氧沉积过程中，O2浓度为10±5slm，N2浓度为40±10slm，O3浓度为300±50ppm；
第一层SiNx制备时，SiH4的流量为700sccm NH3的流量为3600sccm；第二层SiNx制备时，SiH4的流量为680sccm，NH3的流量为4100sccm；第三层SiNx制备时，SiH4的流量为650sccm NH3的流量为3900sccm；第四层SiNx制备时，SiH4的流量为820sccm NH3的流量为6500sccm；第五层SiNx制备时，SiH4的流量为900sccm NH3的流量为8800sccm；第一层SiNx的折射率为2.49，厚度为2nm；第二层SiNx的折射率为2.38，厚度为12nm；第三层SiNx的折射率为2.25，厚度为22nm；第四层SiNx的折射率为2.05，厚度为30nm；第五层SiNx的折射率为1.90，厚度为54nm；
g)激光对背面进行开槽(使用特定的图形)；
h)背面栅线制作、正面栅线制作；
i)烧结，得到抗PID双面PERC电池。
本发明对实施例3制备的抗PID双面PERC电池的抗PID性能进行测试，结果见表4：
表4实施例3制备的抗PID双面PERC电池的抗PID性能测试结果
由以上实施例可知，本发明提供了一种双面PERC电池的背面减反钝化膜，包括SiO2层；与所述SiO2层接触的氧化铝层；与所述氧化铝层接触的n层SiNx，1≤x≤1.5；从里指向外，n层SiNx的折射率呈下降趋势；n层SiNx的厚度呈增加趋势；n为正整数。本发明通过在硅片背面设置SiO2层和n层SiNx，n层SiNx的折射率呈下降趋势；n层SiNx的厚度呈增加趋势，使得钝化膜具有较好的抗PID效果。该背面减反钝化膜与正面减反钝化膜分别设置在硅片上制得双面PERC电池。实验结果表明，双面PERC电池在-1500V，85％湿度，85℃测试条件下，96h后正面衰减比例为0.34％～0.53％，背面衰减比例为0.58％～1.00％；192h后正面衰减比为1.56～1.65％，背面衰减比例为2.10％～2.39％。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种双面PERC电池的背面减反钝化膜，其特征在于，包括SiO2层；
与所述SiO2层接触的氧化铝层；
与所述氧化铝层接触的n层SiNx，1≤x≤1.5；从里指向外，n层SiNx的折射率呈下降趋势；n层SiNx的厚度呈增加趋势；n为正整数。
2.一种抗PID双面PERC电池，其特征在于，包括硅片及设置在硅片正面的正面减反钝化膜和硅片背面的权利要求1所述的背面减反钝化膜；
所述背面减反钝化膜的SiO2层与硅片背面接触。
3.根据权利要求2所述的抗PID双面PERC电池多层钝化膜，其特征在于，所述n层SiNx的总厚度为120～150nm；第一层SiNx的厚度为2～10nm；
第一层SiNx的折射率为2.45～2.5，第n层SiNx的折射率为1.90～2.05。
4.根据权利要求2所述的抗PID双面PERC电池多层钝化膜，其特征在于，n为3，第一层SiNx的折射率为2.46，厚度为8nm；第二层SiNx的折射率为2.30，厚度为36nm；第三层SiNx的折射率为2.0，厚度为76nm；
或n为4，第一层SiNx的折射率为2.47，厚度为6nm；第二层SiNx的折射率为2.35，厚度为20nm；第三层SiNx的折射率为2.05，厚度为38nm；第四层SiNx的折射率为1.95，厚度为56nm；
或n为5，第一层SiNx的折射率为2.49，厚度为2nm；第二层SiNx的折射率为2.38，厚度为12nm；第三层SiNx的折射率为2.25，厚度为22nm；第四层SiNx的折射率为2.05，厚度为30nm；第五层SiNx的折射率为1.90，厚度为54nm。
5.根据权利要求2所述的抗PID双面PERC电池，其特征在于，所述正面减反钝化膜包括与硅片的正面接触的底层SiO2；
与所述SiO2层接触的氮化硅层；
与所述氮化硅层接触的顶层SiO2。
6.根据权利要求5所述的抗PID双面PERC电池，其特征在于，所述顶层SiO2的厚度为3～5nm。
7.一种权利要求2～6任一项所述双面PERC电池的制备方法，包括以下步骤：
a)将原硅片碱绒、刻蚀和清洗，得到预处理硅片；
b)将所述预处理硅片的正面依次沉积底层SiO2、氮化硅层和顶层SiO2；
将所述预处理硅片的背面依次沉积SiO2层、氧化铝层和n层SiNx，1≤x≤1.5；从里指向外，n层SiNx的折射率递减；n层SiNx的厚度递增；n为正整数；
c)采用激光对背面进行开槽，然后背面栅线制作、正面栅线制作；烧结，制得双面PERC电池。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，正面沉积底层SiO2采用热氧沉积；热氧沉积过程中，N2浓度为12～18slm；O2浓度为3～5slm；温度为650～730℃；
正面沉积顶层SiO2采用等离子体增强型化学气相沉积；等离子体增强型化学气相沉积过程中，SiH4浓度为300～1000Sccm，N2O浓度为3～5slm，温度为400～460℃。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述背面沉积SiO2层采用臭氧沉积或等离子体增强型化学气相沉积；
臭氧沉积过程中，O2浓度为10±5slm，N2浓度为40±10slm，O3浓度为300±50ppm；
等离子体增强型化学气相沉积过程中，SiH4浓度为300～1000sccm，N2O浓度为3～5slm；温度为400～460℃。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，背面沉积多层SiNx时，SiH4的起始流量为1000sccm，NH3起始流量为4.0slm，根据n的不同设置对各层数的N/Si进行配比，使得n层SiNx的折射率递减；n层SiNx的厚度递增。
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