CN101958353A - 太阳能电池表面三层减反钝化膜 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种太阳能电池表面三层减反钝化膜，该减反膜是在硅片衬底表面上沉积一层第一氮化硅薄膜，在第一氮化硅薄膜表面上再沉积一层第二氮化硅薄膜，再在第二氮化硅薄膜表面上沉积一层二氧化硅薄膜，第一氮化硅薄膜的厚度为10～50纳米，折射率为2.5～3.0。本发明提高了太阳能电池表面的钝化效果，降低了太阳电池表面的反射率，并使之能与组件相匹配，减少组件封装损失，提高电池电性能。

Description

太阳能电池表面三层减反钝化膜
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种太阳能电池表面三层减反钝化膜。
背景技术
太阳能电池工艺中，表面减反膜的工艺是很重要的一步，它直接决定了太阳能电池能吸收了多少太阳光。
传统的太阳能电池表面减反膜是采用氮化硅薄膜，氮化硅作为表面减反膜的特点是，工艺简单，易于产业化生产，成本较低，但缺点也很明显是：氮化硅作为减反膜在电池和组件上，氮化硅薄膜的折射率与厚度无法同时匹配到最佳值，导致组件端在封装后存在一定的封装损失；同时由于主要考虑氮化硅薄膜的光学性能，因此在钝化效果上也无法达到最佳，造成电池效率一定程度上的损失；而且传统的氮化硅减反膜在折射率与厚度的设计上，从电池角度与组件角度分别考虑存在较大的差异，所以需要一种新的减反膜设计来减少这种差异造成的损失。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：为了降低太阳电池表面的反射率，提高钝化效果，并使之能与组件相匹配，减少组件封装损失，本发明提供一种太阳能电池表面三层减反钝化膜。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种太阳能电池表面三层减反钝化膜，该减反膜是在硅片衬底表面上沉积一层第一氮化硅薄膜，在第一氮化硅薄膜表面上再沉积一层第二氮化硅薄膜，再在第二氮化硅薄膜表面上沉积一层二氧化硅薄膜，为了使太阳能电池表面的钝化效果提高，第一氮化硅薄膜的厚度为10～50纳米，折射率为2.5～3.0。
为了匹配折射率，增加电池表面的光吸收，所述的第二氮化硅薄膜的厚度为30～100纳米，折射率为1.8～2.2。
为了使得封装后不因折射率不匹配而造成光学损失，二氧化硅薄膜的厚度为5～200纳米，折射率为1.1～2.0。
本发明的有益效果是，本发明采用了多层增透膜设计，可以提高太阳能电池表面钝化效果，降低太阳能电池表面反射率。二氧化硅薄膜的折射率与组件封装材料EVA及玻璃的折射率基本相同，所以封装后不会因折射率不匹配而造成的光学损失，二氧化硅薄膜与EVA材料性质相同，在组件层压时，界面处会有更好的接合，由于第二氮化硅薄膜及二氧化硅薄膜的存在，使得第一氮化硅薄膜在工艺设计时可以充分考虑钝化效果，使太阳电池的表面钝化效果提高，从而提升电池效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明太阳能电池表面三层减反钝化膜的结构示意图。
图中：1.硅片衬底，2.第一氮化硅薄膜，3.第二氮化硅薄膜，4.二氧化硅薄膜。
具体实施方式
如图1所示的本发明太阳能电池表面三层减反钝化膜的实施例，太阳能电池表面三层减反钝化膜，是在硅片衬底1表面上沉积一层第一氮化硅薄膜2，在第一氮化硅薄膜2表面上再沉积一层第二氮化硅薄膜3，再在第二氮化硅薄膜3表面上沉积一层二氧化硅薄膜4，形成三层减反膜。
其制作的方法如下：
第一步，在制绒后的硅片衬底1表面上用等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积一层第一氮化硅薄膜2，该层的厚度为20纳米，折射率为2.5，是作为太阳电池表面的钝化层，同时再配合上面的其他两层薄膜结构形成高效减反结构；
第二步，在第一氮化硅薄膜2表面上用等离子体化学气相沉积法(PECVD)再沉积一层第二氮化硅薄膜3，该层的厚度为40纳米，折射率为1.9，主要作用是匹配折射率，增加电池表面的光吸收；
第三步，将前面制作好的表面清洗、制绒、扩散，再在第二氮化硅薄膜3表面上用等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积一层二氧化硅薄膜4，该层的厚度为50纳米，折射率为1.46，主要作用是形成表面减反结构，使三层膜配合形成一套完整的表面减反结构。

Claims (3)

1.一种太阳能电池表面三层减反钝化膜，其特征在于：所述减反膜是在硅片衬底(1)表面上沉积一层第一氮化硅薄膜(2)，在第一氮化硅薄膜(2)表面上再沉积一层第二氮化硅薄膜(3)，再在第二氮化硅薄膜(3)表面上沉积一层二氧化硅薄膜(4)，所述的第一氮化硅薄膜(2)的厚度为10～50纳米，折射率为2.5～3.0。
2.如权利要求1所述的太阳能电池表面三层减反钝化膜，其特征在于：所述的第二氮化硅薄膜(3)的厚度为30～100纳米，折射率为1.8～2.2。
3.如权利要求1所述的太阳能电池表面三层减反钝化膜，其特征在于：所述的二氧化硅薄膜(4)的厚度为5～200纳米，折射率为1.1～2.0。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102254695A (zh) * 2011-04-22 2011-11-23 南京工业大学 具有陷光结构的染料敏化纳米晶薄膜太阳能电池
CN102339871A (zh) * 2011-07-30 2012-02-01 常州天合光能有限公司 适用于rie绒面的三明治结构正面介质膜及其制备方法
CN102386277A (zh) * 2011-10-17 2012-03-21 浙江贝盛光伏股份有限公司 多层镀膜工艺
CN102437248A (zh) * 2011-12-21 2012-05-02 中电电气（南京）光伏有限公司 一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法
CN104241402A (zh) * 2013-06-20 2014-12-24 晶科能源有限公司 太阳能电池减反射膜及其制备方法
CN106098838A (zh) * 2016-06-12 2016-11-09 浙江昂成新能源有限公司 一种多晶硅pecvd三层镀膜工艺制备方法
CN108539022A (zh) * 2018-03-30 2018-09-14 武汉理工大学 一种低损伤钙钛矿太阳能电池及其封装方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201307596Y (zh) * 2008-12-05 2009-09-09 江阴海润太阳能电力有限公司 硅太阳能电池双层减反射薄膜
CN101527326A (zh) * 2009-03-02 2009-09-09 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种应用于冶金硅太阳电池的减反射膜及其制备方法
CN201323200Y (zh) * 2008-11-28 2009-10-07 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 晶体硅太阳电池
CN201655812U (zh) * 2010-04-20 2010-11-24 常州天合光能有限公司 一种太阳能电池表面三层减反钝化膜

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201323200Y (zh) * 2008-11-28 2009-10-07 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 晶体硅太阳电池
CN201307596Y (zh) * 2008-12-05 2009-09-09 江阴海润太阳能电力有限公司 硅太阳能电池双层减反射薄膜
CN101527326A (zh) * 2009-03-02 2009-09-09 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种应用于冶金硅太阳电池的减反射膜及其制备方法
CN201655812U (zh) * 2010-04-20 2010-11-24 常州天合光能有限公司 一种太阳能电池表面三层减反钝化膜

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102254695A (zh) * 2011-04-22 2011-11-23 南京工业大学 具有陷光结构的染料敏化纳米晶薄膜太阳能电池
CN102254695B (zh) * 2011-04-22 2013-03-20 南京工业大学 具有陷光结构的染料敏化纳米晶薄膜太阳能电池
CN102339871A (zh) * 2011-07-30 2012-02-01 常州天合光能有限公司 适用于rie绒面的三明治结构正面介质膜及其制备方法
WO2013017056A1 (zh) * 2011-07-30 2013-02-07 常州天合光能有限公司 适用于rie绒面的夹层状结构正面介质膜及其制备方法
CN102386277A (zh) * 2011-10-17 2012-03-21 浙江贝盛光伏股份有限公司 多层镀膜工艺
CN102437248A (zh) * 2011-12-21 2012-05-02 中电电气（南京）光伏有限公司 一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法
CN104241402A (zh) * 2013-06-20 2014-12-24 晶科能源有限公司 太阳能电池减反射膜及其制备方法
CN106098838A (zh) * 2016-06-12 2016-11-09 浙江昂成新能源有限公司 一种多晶硅pecvd三层镀膜工艺制备方法
CN108539022A (zh) * 2018-03-30 2018-09-14 武汉理工大学 一种低损伤钙钛矿太阳能电池及其封装方法

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